JP2007123391A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、プリント回路基板やハイブリッドIC(HIC)上に実装される表面実装型の電子部品に関し、耐熱や耐圧等に対する信頼性が高く、低コストの電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品としてのインダクタ1は、基板3上に形成されて積層構造の取出電極5と、取出電極5を保護する保護層9とを薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。取出電極5は、コイル導体と電気的に接続されて外表面に露出した露出部を備えた第1電極5aと、第1電極5aの電極幅と異なる電極幅で外表面に露出した露出部を備えて、第1電極5a直上に形成されて第1電極5aと電気的に接続された第2電極5bとを有している。
【選択図】図2

Description

本発明は、プリント回路基板やハイブリッドIC(HIC)上に実装される表面実装型の電子部品に関する。
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路には、表面実装型の多種類の電子部品が実装されている。表面実装型の電子部品として、薄膜形成技術を用いて形成された薄膜型の電子部品が知られている。薄膜型の電子部品は、実装面と異なる外表面に露出する取出電極と、当該取出電極に電気的に接続されて当該外表面に形成された外部電極とを有している。取出電極は当該外表面に露出した露出部を介して外部電極に電気的に接続されている。取出電極と外部電極との電気的接続を十分に確保するために、取出電極は複数の金属薄膜が積層されて当該露出部の面積が大きく形成されている。
例えば従来の薄膜型の電子部品の製造方法では、積層構造の取出電極、回路素子を構成する複数の金属薄膜及び当該複数の金属薄膜間を絶縁する絶縁膜等が薄膜形成技術を用いてウエハ上に多数形成され、次いで、ウエハの全面に、取出電極、金属薄膜及び絶縁膜を保護する保護層を形成して薄膜形成工程が終了する。次いで、ウエハは個々のチップ形状に切断分離される。次いで、切断面に露出した取出電極に電気的に接続された外部電極を形成して電子部品は完成する。特許文献1には、このような薄膜型の電子部品の製造方法によって形成されたコモンモードチョークコイルが開示されている。
特開2005−79323号公報
図5は、チップ形状に切断分離した直後の従来の薄膜型の電子部品21の切断面であって、取出電極25近傍を模式的に示している。図5に示すように、取出電極25は基板3上に形成されている。取出電極25は、外表面(電子部品21の側面)に露出した露出部を有する第1電極25aと、第1電極25aの電極幅とほぼ同じ電極幅で当該側面に露出した露出部を備え、第1電極25a直上に形成されて第1電極25aと電気的に接続された第2電極25bとを有している。ここで、電極幅とは、第1電極25aと第2電極25bとの接触面に平行な方向の第1及び第2電極25a、25bの露出部のそれぞれの長さをいう。アルミナ(Al)で形成された保護層9は、取出電極25を保護するためにウエハの全面に形成される。従って、ウエハをチップ形状に切断した後にも保護層9は取出電極25直上に形成されている必要がある。ところが、チップ形状に切断分離すると、図5に破線で示すように、取出電極25直上の保護層9’が完全に剥離してしまうことがある。また、取出電極25直上の保護層9’が完全に剥離しないが、保護層9’の一部が剥離したり欠損したりすることもある。
保護層9は電子部品21の耐熱や耐圧等に対する信頼性を向上させるために形成されている。このため、取出電極25直上の保護層9’が剥離してしまうと、電子部品21の信頼性が著しく低下するので所定の製品規格を満たさなくなる。従って、電子部品21の製造歩留まりが低下して製造コスト及び電子部品自体のコストが高コスト化してしまうという問題が生じる。
本発明の目的は、耐熱や耐圧等に対する信頼性が高く、低コストの電子部品を提供することにある。
上記目的は、回路素子を内包する電子部品であって、前記回路素子と電気的に接続されて外表面に露出した露出部を有する第1電極と、前記第1電極の電極幅と異なる電極幅で前記外表面に露出した露出部を有し、前記第1電極直上に形成されて前記第1電極と電気的に接続された第2電極とを備えた取出電極を有することを特徴とする電子部品によって達成される。
上記本発明の電子部品であって、前記第1電極は、前記第2電極より前記露出部の前記電極幅が長く形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記第1電極は、前記第2電極より前記露出部の前記電極幅が短く形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記第2電極の前記露出部は、前記第1電極の前記露出部を覆って形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記取出電極上層に形成されて前記取出電極及び前記回路素子を保護する保護層をさらに有することを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、酸化物材料で形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、アルミナで形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、樹脂材料で形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、ポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記第1電極と同層に形成された第1導体層と、前記第2電極と同層に形成された第2導体層と、前記外表面に露出しないで前記第1及び第2導体層間に形成された絶縁層とをさらに有することを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記絶縁層は、有機材料で形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記絶縁層は、無機材料で形成されていることを特徴とする。
上記本発明の電子部品であって、前記取出電極と電気的に接続されて前記外表面上に形成された外部電極をさらに有することを特徴とする。
本発明によれば、耐熱や耐圧等に対する信頼性が高く、低コストの電子部品が実現できる。
本発明の一実施の形態による電子部品について図1乃至図4を用いて説明する。まず、取出電極直上の保護層の剥離の原因について図1を用いて説明する。図1は、図5に示した従来の電子部品21の製造工程において、ウエハをチップ形状に切断分離した直後のチップ断面を模式的に示している。
図1に示すように、第1及び第2電極25a、25bは、例えば8μmの膜厚にそれぞれ形成されている。取出電極25の膜厚は約16μmになるので、基板3に対する取出電極25の露出部の端部の段差が相対的に大きくなる。ここで、基板に対する取出電極の露出部の端部の段差とは、基板面から当該基板面に最も隣接した取出電極の平坦面までの高さをいう。図1の取出電極25では、当該段差は取出電極25が形成された基板3の素子形成面(基板面)から保護層9に接触する第2電極25bの平坦面までの高さに相当し、取出電極25の膜厚に等しくなる。
取出電極25は、基板3に対する当該段差が相対的に大きく且つ基板3に対して屹立して形成されているので、スパッタリング法を用いて保護層9を形成すると、当該端部における保護層9の段差被覆性が低下し易くなる。さらに、取出電極25の露出部は、基板3側の電極幅より保護層9側の電極幅の方が長い、逆台形形状に形成されている。このため、基板3の素子形成面には、第2電極25b側から見て、第1及び第2電極25a、25bの各端部の影になる領域αが存在する。取出電極25端部の段差は相対的に大きいので、領域αも相対的に大きくなる。基板3はアルミナで形成されたターゲット材料に第2電極25b側を対向させてスパッタリング装置内に配置される。ターゲット材料から放出されたアルミナ分子は、第2電極25b側から降り注がれるので、第2電極25b直上に比べて領域αにはアルミナが堆積し難くなる。
取出電極25の端部での段差被覆性の低下と、領域αでのアルミナの堆積困難性とにより、取出電極25の端部近傍の保護層9には異相23が発生する。異相23は、保護層9の傾斜面と基板3直上の保護層9の平坦面との境界近傍と、領域αとを結ぶように発生する。異相23は、保護層9の段差被覆性の低下やアルミナの堆積困難性により、取出電極25端部の段差部近傍に十分な量のアルミナが堆積されないために発生する。保護層9は異相23が発生すると不連続膜になるため、ウエハ切断時の衝撃に対する保護層9と取出電極25との密着強度が得られ難くなる。このため、ウエハを切断すると、図1に示すように、異相23を境にして取出電極25直上の保護層9の一部に欠損や剥離が生じる。あるいは、図5に示すように、異相23を境にして取出電極25直上の保護層9の全てが剥離してしまう。
そこで本実施の形態による電子部品では、第1及び第2電極の露出部の電極幅を異ならせることにより、基板に対する取出電極端部の段差を相対的に小さくして、取出電極の端部での保護層の異相の発生を防止して保護層の剥離を防止する点に特徴を有している。
次に、回路素子を内包する電子部品として、インダクタを例にとって説明する。図2は、インダクタ1の外観斜視図である。図2(a)では理解を容易にするため、外部電極11で覆われて本来視認できない取出電極5並びに基板3及び保護層9の一部を透過的に示している。図2(b)は、図2(a)の図中に示す矢印Aの方向に見た取出電極5近傍を示している。
図2(a)に示すように、インダクタ1は、例えばアルミナ(Al)で形成された基板3上に形成されて積層構造の取出電極5と、取出電極5に電気的に接続されたコイル導体(不図示)と、コイル導体を含む回路素子及び取出電極5を保護する保護層9とを薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。取出電極5が形成された基板3の素子形成面にほぼ平行な保護層9表面は、例えばインダクタ1を不図示のプリント回路基板(PCB)に実装する際に当該PCBに対面させる実装面となる。インダクタ1は基板3をPCBに対面させて実装することも可能である。この場合には、保護層9の実装面に対向する基板3表面が実装面として機能する。
図2(a)及び図2(b)に示すように、取出電極5は、コイル導体と電気的に接続されて外表面(インダクタ1の側面)に露出した露出部を備えた第1電極5aと、第1電極5aの電極幅と異なる電極幅で外表面に露出した露出部を備えて、第1電極5a直上に形成されて第1電極5aと電気的に接続された第2電極5bとを有している。ここで、電極幅とは、第1電極5aと第2電極5bとの接触面に平行な方向の第1及び第2電極5a、5bの露出部のそれぞれの長さをいう。第1電極5aは、第2電極5bより露出部の電極幅が長く形成されている。例えば、第1電極5aの露出部の電極幅は約250μmであり、第2電極5bの露出部の電極幅は約232μmである。第1及び第2電極5a、5bは、例えば銅(Cu)を用いて約8μmの厚さにそれぞれ形成されている。取出電極5に電気的に接続されたコイル導体も同様に、例えば銅(Cu)を用いて約8μmの厚さに形成されている。第1及び第2電極5a、5b並びにコイル導体の膜厚をそれぞれ厚く形成することにより、インダクタ1の直流抵抗の低抵抗化が図られている。
インダクタ1の実装面及び側面には、取出電極5を覆って外部電極11が形成されている。取出電極5は第1及び第2電極5a、5bからなる2層構造を有しているので、1層構造の取出電極に対して、露出部の面積を大きくできる。これにより、取出電極5と外部電極11との電気的接続が十分に確保される。取出電極5が露出する側面に対向する対向側面にも、取出電極5とほぼ同じ形状に形成された取出電極(不図示)が露出して形成されている。外部電極11とほぼ同じ形状の外部電極12は、対向側面に露出した取出電極を覆って形成されて、当該取出電極と電気的に接続されている。
取出電極5の上層を覆う保護層9は基板3の素子形成面の全面に形成されている。保護層9の形成材料としては、耐熱や耐圧等に対するインダクタ1の信頼性を向上させるため、相対的に硬くて気密性の高い酸化物材料が好適である。本実施の形態では、保護層9は、アルミナを用いて約30μmの膜厚に形成されている。
取出電極5直上の保護層9は、取出電極5の厚さ分だけ突出して形成されている。第2電極5bの露出部は第1電極5aの露出部より電極幅が短く形成されているので、取出電極5の端部は階段状に形成される。このため、インダクタ1では、基板3の素子形成面に最も隣接する取出電極5の平坦面は、第1及び第2電極5a、5bの接触面に相当する。従って、本実施の形態のインダクタ1では、取出電極5の端部の段差は第1電極5aの膜厚に等しく、約8μmになり、図1に示す従来の当該段差(約16μm)より小さくなる。このように、本実施の形態のインダクタ1は、従来に比べて基板3に対する取出電極5の段差がほぼ半分になる。これにより、取出電極5近傍の保護層9の段差被覆性が向上する。
また、本実施の形態では、第1及び第2電極5a、5bは基板3側の電極幅より保護層9側の電極幅の方が長い、逆台形形状にそれぞれ形成されている。取出電極5の端部により影となる基板3の領域は、第2電極5b側から見て、第1電極5a端部のみにより生じる。第1電極5aの膜厚は従来の取出電極25の膜厚のほぼ半分なので、第1電極25a端部の影になる基板3の領域は、従来の領域αのほぼ半分になる。このため、スパッタリング法を用いて保護層9を形成する場合に、第1電極5a端部の影となる基板3の領域に、ターゲット材料から放出されたアルミナが堆積され易くなる。また、第1及び第2電極5a、5bの膜厚はほぼ等しいので、第2電極5b端部により影となる第1電極5aの領域は、第2電極5b側から見て、第1電極5a端部により影となる基板3の領域にほぼ等しい。このため、第2電極5b端部により影となる第1電極5aの領域にも、ターゲット材料から放出されたアルミナが堆積され易い。
このように、本実施の形態のインダクタ1は従来と比べて、保護層9の段差被覆性が向上され且つアルミナの堆積困難性が低減される。従って、取出電極5の端部近傍の保護層9には異相が発生し難くなり、異相が発生したとしても、極めて小さい領域にしか発生しない。このため、ウエハ切断時の衝撃に対する保護層9と取出電極5との密着強度が十分に確保されるので、取出電極5直上の保護層9の剥離が防止される。これにより、インダクタ1の製造歩留まりが向上し、インダクタ1の製造コストの低コスト化及びインダクタ1自体の低コスト化を図ることができる。また、本実施の形態では、取出電極5は2層構造を有し、露出部の面積を大きくできるので、外部電極11との電気的接続を十分に確保することができる。
次に、本実施の形態による電子部品の製造方法についてインダクタ1を例にとって図3を用いて説明する。インダクタ1はウエハ上に同時に多数形成されるが、図3は、1個のインダクタ1の素子形成領域の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。
まず、図3に示すように、例えばアルミナで形成された基板3上に、真空成膜法(蒸着法、スパッタリング法等)又はめっき法により全面に不図示の金属層(例えばCu層)を形成し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法若しくはアディティブ法又はパターンめっき法等により当該Cu層をパターニングし、基板3の素子形成領域の一端辺に露出部が位置する第1電極5aと、当該一端辺に対向する他端辺に露出部が位置して第1電極5aに対向配置された第1電極7aとを形成する。第1電極5a、7aと同層に同時に、第1電極5aに接続されたリード線(第1導体層)13を形成する。第1電極5a、7aは、例えば薄板直方体形状に形成される。第1電極5a、7aの露出部の電極幅は、例えば約250μmの長さにそれぞれ形成される。また、第1電極5a、7a及びリード線13は、例えば約8μmの厚さに形成される。後程説明するCu層の形成及びパターニングは、第1電極5a、7a及びリード線13と同様の方法が用いられる。なお、金属層の形成材料はCuに限られず金(Au)、銀(Ag)又はアルミニウム(Al)でもよい。
次に、素子形成領域の内側に有機材料として、例えばポリイミド樹脂を塗布してパターニングし、第1電極5a、7a上面をそれぞれ露出させた開口6、8と、第1電極5aに接続されていない側のリード線13の端部を露出させたコンタクトホール10とを有する絶縁層2を形成する。絶縁層2は、ウエハを切断分離した際に切断面に露出しないように素子形成領域の内側に、例えば約5μmの厚さに形成される。ウエハ全体として見ると、絶縁層2はウエハの切断線によって区切られた複数の島状に形成される。絶縁層2はスピンコート法、ディップ法、スプレー法又は印刷法等により形成される。絶縁層2の形成材料として無機材料が用いられてもよい。
次に、全面にCu層(不図示)を形成し、第1電極5a、7aと電気的にそれぞれ接続される第2電極5b、7bを第1電極5a、7a上にそれぞれ形成し、第2電極5b、7bと同層に同時に、スパイラル状にパターニングしたコイル導体(第2導体層)15を絶縁層2上に形成する。第2電極5b、7bは、例えば薄板直方体形状に形成される。第2電極5bの露出部は第1電極5aの露出部と同一平面内に含まれ、第2電極7bの露出部は第1電極7aの露出部に含まれて形成される。第2電極5b、7bの露出部の電極幅は、例えば約232μmの長さにそれぞれ形成される。第1電極5a及び第2電極5bのそれぞれの露出部は、素子形成領域の一端辺を含んで素子形成領域に直交する平面内に形成され、第1電極7a及び第2電極7bのそれぞれの露出部は、素子形成領域の他端辺を含んで素子形成領域に直交する平面内に形成される。第2電極5b、7bの露出部以外の外周囲端部は、第1電極5a、7aの外周囲端部の内側にそれぞれ形成される。これにより、第1及び第2電極5a、5bの2層構造を有し、基板3に対する露出部端部の段差が相対的に小さい取出電極5と、第1及び第2電極7a、7bの2層構造を有し、基板3に対する露出部端部の段差が相対的に小さい取出電極7とが形成される。
コイル導体15は、一端子がコンタクトホール10に露出しているリード線13端部に接続され、他端子が第2電極7bに接続されて絶縁層2上に形成される。これにより、コイル導体15を介して取出電極5及び取出電極7が電気的に接続される。リード線13とコイル導体15との間には絶縁層2が形成されているので、基板3をコイル導体15側から見て、リード線13とコイル導体15との交差部は、コンタクトホール10を介して接続された接続部を除いて絶縁層2により絶縁される。
次に、全面にスパッタリング法を用いてアルミナで形成された保護層9を形成する。保護層9は、例えば約30μmの厚さに形成される。取出電極5、7は従来の取出電極25と比較して、基板3に対する端部の段差が小さいので、当該端部近傍の保護層9での異相の発生を防止できる。保護層9の成膜方法として、化学気相成長法(CVD法)やスピンコート法等を用いることもできるが、スパッタリング法は、基板等に対して高い付着性を有する所定膜を成膜できること、成膜速度が速いこと及び低温で成膜できること等の利点を有しており、保護層9の成膜方法として好適である。また、取出電極5、7の露出部の端部の段差が小さいので、保護層9の平坦性が向上し、保護層9上にさらに所定膜を所定形状にパターニングする際に、フォトリソグラフィ工程の容易化を図ることができる。
次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のインダクタ素子を素子形成領域毎にチップ状に分離する。異相の生じていない保護層9と取出電極5とは所定の密着強度を有するので、ウエハ切断時の衝撃による取出電極5、7直上の保護層9の剥離が防止される。取出電極5、7は素子形成領域の一端辺及び他端辺にそれぞれ位置して形成されているので、ウエハの切断面である側面に露出する。一方、絶縁層2は素子形成領域の内側に形成されているので、当該側面に露出しない。次に、取出電極5、7と電気的にそれぞれ接続され、側面に露出した取出電極5、7を覆う外部電極11、12を形成する(図2参照)。次いで、必要に応じて角部の面取りを行い、図2(a)に示すインダクタ1が完成する。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ウエハ切断時の衝撃による取出電極5、7直上の保護層9の剥離が防止されるので、インダクタ1の製造歩留まりが向上し、製造コスト及びインダクタ1自体の低コスト化を図ることができる。
次に、本実施の形態の変形例によるインダクタ1について図4を用いて説明する。図4は、本変形例のインダクタ1の取出電極5の近傍を模式的に示している。図4に示すように、本変形例のインダクタ1は、第1電極5aの電極幅が第2電極5bの電極幅より小さく形成されている点に特徴を有している。
図4に示すように、第2電極5bは第1電極5aを覆って形成されている。例えば、第1電極5aの露出部の電極幅は約218μmであり、第2電極5bの露出部の電極幅(両端部間の長さ)は約250μmである。また、第1及び第2電極5a、5bは約8μmの厚さにそれぞれ形成されている。取出電極5は第1及び第2電極5a、5bの2層構造であるため、最大の電極厚さは約16μmになる。しかし、基板3の素子形成面に最も隣接する取出電極5の平坦面までの高さは、第2電極5bの厚さ分に相当する。従って、基板3に対する取出電極5の段差は約8μmである。本変形例のインダクタ1では、図2に示すインダクタ1と同様に、基板3に対する取出電極5の端部の段差は、従来の当該段差に比べて小さくなる。さらに、第2電極5bが第1電極5aを覆って形成されることにより、第1電極5a端部上の第2電極5bは、基板3の素子形成面に対する傾斜角度が小さくなる。これにより、本変形例のインダクタ1では、保護層9の段差被覆性が向上する。さらに、基板3に対する取出電極5の端部の段差が相対的に低いので、アルミナの堆積困難性が低減される。これにより、本変形例のインダクタ1では、保護層9での異相の発生が防止され、図2に示すインダクタ1と同様の効果が得られる。
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、回路素子を内包する電子部品としてインダクタ1を例に説明したが、本発明はこれに限られない。取出電極が電子部品の側面に露出し、当該取出電極の上層に形成された保護層を有する電子部品、例えばコンデンサ、抵抗器、低域通過フィルタ、帯域通過フィルタ、ダイプレクサ及びアンテナスイッチングモジュール等であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
また、上記実施の形態では、電子部品の一側面に1つの取出電極が形成されているが、本発明はこれに限られない。例えば、コモンモードチョークコイルのように一側面に2以上の取出電極を有する電子部品であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
また、低域通過フィルタ等のフィルタ部品のように、対向する一対の側面に通電用の取出電極が露出し、他の対向する一対の側面にシールド(グランド)用の取出電極が露出している電子部品であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
上記実施の形態では、保護層9の形成材料としてアルミナが用いられているが、本発明はこれに限られない。保護層9の形成材料はポリイミド樹脂等の樹脂材料であってもよい。基板に対する取出電極の端部の段差が相対的に大きいと、例えばスピンコート法を用いて基板上に樹脂材料を形成する際に、当該端部への樹脂材料の回り込み不足が生じて、取出電極端部近傍(取出電極の脇)の保護層に気泡が生じる可能性がある。保護層に気泡が生じると、電子部品の耐圧等に対する信頼性が劣化してしまう。しかし、上記実施の形態では、基板3に対する取出電極5の端部の段差が相対的に小さいので、当該端部への樹脂材料の回り込み不足が防止され、保護層への気泡の発生を防止することができる。これにより、インダクタ1等の電子部品の耐圧等に対する信頼性が向上し、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
また、上記実施の形態では、第1及び第2電極5a、5bの露出部は逆台形形状にそれぞれ形成されているが、本発明はこれに限られない。第1及び第2電極5a、5bの露出部は基板3側の電極幅より保護層9側の電極幅の方が短く形成された台形形状又は長方形形状に形成されていてもよい。第1及び第2電極5a、5bの露出部が台形形状や長方形形状であっても、当該露出部の電極幅を異なる長さに形成することにより、保護層9の段差被覆性は向上する。また、第1及び第2電極5a、5bの露出部が台形形状や長方形形状に形成されていると、第1及び第2電極5a、5bのそれぞれの端部の影になる領域が基板3及び第1電極5aに生じない。このため、アルミナの堆積困難性という問題は殆ど生じない。従って、第1及び第2電極5a、5bの露出部が台形形状や長方形形状に形成されていても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
本発明は、第1及び第2電極5a、5bの露出部の形状にかかわらず適用可能である。しかし、上記の通り本発明は、アルミナの堆積困難性を低減することができるので、逆台形形状のように、基板3等に影となる領域を生じさせてしまう形状の取出電極を有する電子部品に対して特に有効である。
従来の電子部品21の保護層9の剥離の原因について説明するための図である。 本発明の一実施の形態による電子部品としてのインダクタ1の外観斜視図である。 本発明の一実施の形態による電子部品としてのインダクタ1の製造方法を説明するための分解斜視図である。 本発明の一実施の形態の電子部品の変形例であって、インダクタ1の取出電極5近傍を示す図である。 従来の電子部品21の取出電極25近傍を示す図である。
符号の説明
1 インダクタ
2 絶縁層
3 基板
5、7、25 取出電極
5a、7a、25a 第1電極
5b、7b、25b 第2電極
6、8 開口
9 保護層
10 コンタクトホール
11、12 外部電極
13 リード線
21 電子部品
23 異相

Claims (13)

  1. 回路素子を内包する電子部品であって、
    前記回路素子と電気的に接続されて外表面に露出した露出部を有する第1電極と、前記第1電極の電極幅と異なる電極幅で前記外表面に露出した露出部を有し、前記第1電極直上に形成されて前記第1電極と電気的に接続された第2電極とを備えた取出電極を有することを特徴とする電子部品。
  2. 請求項1記載の電子部品であって、
    前記第1電極は、前記第2電極より前記露出部の前記電極幅が長く形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  3. 請求項1記載の電子部品であって、
    前記第1電極は、前記第2電極より前記露出部の前記電極幅が短く形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  4. 請求項3記載の電子部品であって、
    前記第2電極の前記露出部は、前記第1電極の前記露出部を覆って形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品であって、
    前記取出電極の上層に形成されて前記取出電極及び前記回路素子を保護する保護層をさらに有することを特徴とする電子部品。
  6. 請求項5記載の電子部品であって、
    前記保護層は、酸化物材料で形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  7. 請求項6記載の電子部品であって、
    前記保護層は、アルミナで形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  8. 請求項5記載の電子部品であって、
    前記保護層は、樹脂材料で形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  9. 請求項8記載の電子部品であって、
    前記保護層は、ポリイミド樹脂で形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  10. 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子部品であって、
    前記第1電極と同層に形成された第1導体層と、
    前記第2電極と同層に形成された第2導体層と、
    前記外表面に露出しないで前記第1及び第2導体層間に形成された絶縁層と
    をさらに有することを特徴とする電子部品。
  11. 請求項10記載の電子部品であって、
    前記絶縁層は、有機材料で形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  12. 請求項10記載の電子部品であって、
    前記絶縁層は、無機材料で形成されていること
    を特徴とする電子部品。
  13. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電子部品であって、
    前記取出電極と電気的に接続されて前記外表面上に形成された外部電極をさらに有することを特徴とする電子部品。
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