JP2007121167A5 - - Google Patents

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  1. 相互に対向する一対の主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板を貫通して一方の主面側で露出した固定電極を有すると共に、前記ガラス基板を貫通して前記一方の主面側で露出した突出部を有する第1シリコン基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に接合されており、前記第固定電極との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有する第2シリコン基板と、を具備し、前記突出部上に前記固定電極用の引き出し電極が形成され、前記第1シリコン基板は、前記固定電極の外側に前記突出部が位置し、前記固定電極と前記突出部とで構成される溝部内に前記ガラス基板が配置され、前記キャビティを形成するガラス基板の凹部が前記固定電極の外側で前記固定電極よりリセスしていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
  2. 前記ガラス基板と前記第1及び第2シリコンとの界面においてSi−Si結合又はSi−O結合を有することを特徴とする請求項1に記載の静電容量型圧力センサ。
  3. 第1シリコン基板を準備し、前記第1シリコン基板の一方の主面をエッチングして、固定電極及び突出部を形成する工程と、前記固定電極及び前記突出部を形成した前記第1シリコン基板上にガラス基板を置き、真空下で、前記第1シリコン基板及び前記ガラス基板を加熱し、前記第1シリコン基板を前記ガラス基板に押圧して前記固定電極及び前記突出部を前記ガラス基板の主面に押し込んで前記第1シリコン基板と前記ガラス基板とを接合する工程と、前記ガラス基板の主面側を研磨処理して、前記第1シリコン基板の前記固定電極及び前記突出部を露出させ、前記ガラス基板及び前記固定電極をミリング加工してキャビティ用の凹部を形成する工程と、前記固定電極の外側をミリング加工してリセスを形成する工程と、前記第1シリコン基板の前記突出部上に、前記固定電極用の引き出し電極を形成する工程と、感圧ダイヤフラムが前記固定電極と所定の間隔をおいて位置するようにして所定の厚さに形成した第2シリコン基板を、前記ガラス基板の接合面上に陽極接合処理により接合する工程と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
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