JP2001284603A5 - - Google Patents
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- シリコン基板に掘り込んで形成したダイヤフラムと、このダイヤフラムのたわみ量を検出する回路素子を形成しているシリコン基板と、検知対象導入用の貫通孔を形成したガラス基板とを、シリコン基板のダイヤフラム掘り込み部側を接合面側として、陽極接合法によって接合する工程を備える半導体圧力センサの製造方法において、ガラス基板との接合面となるシリコン基板の肉厚部底面に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層を形成し、その後、シリコン基板とガラス基板を接合することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
- ガラス基板との接合面となるシリコン基板の肉厚部底面と共に、ダイヤフラム掘り込み面全体に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層を形成し、その後、シリコン基板とガラス基板を接合することを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサの製造方法。
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| JP2000089595A JP4265074B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000089595A JP4265074B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 半導体圧力センサの製造方法 |
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