JP2009506323A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 空洞を画定する壁と、前記空洞を覆って配置されている隔膜部とを含む底部基材であって、シリコンを含んでおり、前記空洞は検知対象の環境に対して開放されている、底部基材と、
   シリコンを含んでおり、前記底部基材にシリコン溶融結合されているキャップ基材と、
   前記底部基材と前記キャップ基材との間に配設されており、前記環境から気密封止されているチャンバと、
   前記隔膜部に物理的に連絡して配設されているピエゾ抵抗素子と
   を備えた圧力センサ。
2. 前記キャップ基材は約４００マイクロメートルまでの厚みを含んでいる、請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記チャンバは前記キャップ基材のキャップ空洞により画定される、請求項１に記載の圧力センサ。
4. 前記底部基材及び前記キャップ基材の各々がシリコン・オン・インシュレータ型ウェーハでない、請求項１に記載の圧力センサ。
5. 前記底部基材はｎ型基材であり、前記ピエゾ抵抗素子はｐ型ドープ剤材料を含んでいる、請求項１に記載の圧力センサ。
6. 電極及び伝導経路をさらに含んでおり、前記電極は前記伝導経路を介して前記ピエゾ抵抗素子に電気的に連絡し、前記底部基材はｎ型基材であり、前記伝導経路及び前記ピエゾ抵抗素子の各々はｐ型ドープ剤材料を含んでいる、請求項１に記載の圧力センサ。
7. 酸化物層及び該酸化物層の上に配設された窒化物層を含みシリコンを含む底部基材に、ピエゾ抵抗素子及び伝導経路を形成するステップと、
   キャップ空洞を含みシリコンを含むキャップ基材を、前記空洞を気密封止してチャンバを形成するように前記底部基材にシリコン溶融結合するステップと、
   前記底部基材の壁及び隔膜部により画定される空洞を形成するように前記底部基材の一部をエッチング除去するステップであって、前記ピエゾ抵抗素子は前記隔膜部に物理的に連絡して配設される、エッチング除去するステップと
   を備えた圧力センサを製造する方法。
8. 前記形成するステップは、前記底部基材にｐ型ドープ剤を注入する又は拡散させるステップを含んでいる、請求項７に記載の方法。
9. シリコン溶融結合の前に前記窒化物層に電極窓をエッチングするステップをさらに含んでいる請求項７に記載の方法。
10. 前記チャンバが環境に開放されて差圧センサを形成するように、前記キャップ基材に第二の空洞をエッチングするステップをさらに含んでいる請求項７に記載の方法。
11. 底部基材に酸化物層及び窒化物層を形成するステップであって、前記底部基材はシリコンを含むｎ型基材であり、前記酸化物層は前記底部基材の上に配設され、前記窒化物層は前記酸化物層の上に配設される、形成するステップと、
    前記酸化物層及び前記窒化物層が当該ピエゾ抵抗器及び当該伝導経路の各々を被覆するようにピエゾ抵抗器及び伝導経路の各々を形成するために、前記底部基材にｐ型ドープ剤を注入する又は拡散させるステップであって、前記伝導経路は前記ピエゾ抵抗器に電気的に連絡している、注入する又は拡散させるステップと、
    キャップ空洞を含みシリコンを含むキャップ基材を、前記空洞を気密封止してチャンバを形成するように前記底部基材にシリコン溶融結合するステップと、
    前記底部基材の当該エッチングにより生成される壁及び隔膜部により画定される底部空洞を形成するように前記底部基材の一部をエッチング除去するステップであって、前記ピエゾ抵抗素子は前記隔膜部に物理的に連絡して配設される、エッチング除去するステップと
    を備えた圧力センサを製造する方法。
12. 電極窓を形成するために、前記窒化物層の前記酸化物層の上に配設されている部分をエッチング除去するステップと、電極を形成するために、前記電極窓に電極材料を配設するステップとをさらに含んでいる請求項１０に記載の方法。
13. 前記チャンバが環境に対して開放されて差圧センサを形成するように、前記キャップ基材に第二の空洞をエッチングするステップをさらに含んでいる請求項１０に記載の方法。