JP2007116497A - オペアンプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低電圧信号を入力する差動増幅回路12の後段には高耐圧のカレントミラー回路14が接続されたオペアンプであり、差動増幅回路12は、入力端子20,22にNch FETである低耐圧トランジスタ(M1,M2) 24,26が接続され、その各ドレインには接続点(N1,N2)を介してNch高耐圧(HV)トランジスタ(M4,M5) 28,30が接続され、その各ゲートにはともにバイアス電位(BIAS2)が供給される。低耐圧トランジスタ(M1,M2) 24,26のソースは低耐圧トランジスタ(M3) 34のドレインに接続されて、そのゲートにバイアス電位(BIAS1)が供給されて電流源として機能し、低耐圧トランジスタ(M1,M2,M3)) 24,26,34は、高耐圧トランジスタよりもトランジスタサイズが小さく設定されている。
【選択図】図1
Description
12 差動増幅回路
14 カレントミラー回路
24,26,34 低耐圧トランジスタ
28,30 高耐圧トランジスタ
Claims (4)
- 低電圧入力信号を入力して、高電圧出力を得る高電圧出力型のオペアンプにおいて、該オペアンプは、
前記低電圧入力信号を入力する差動増幅回路と、
該差動増幅回路の後段に接続され、高電源電圧にて駆動されるカレントミラー回路とを含み、前記差動増幅回路は、
前記低電圧入力信号を入力する低耐圧の差動トランジスタペアと、
該差動トランジスタペアに接続した低耐圧の定電流源トランジスタと、
前記差動トランジスタペアと前記カレントミラー回路との間に、前記差動トランジスタペアのそれぞれに対応して接続した高耐圧のトランジスタペアとを含み、
前記後段の前記カレントミラー回路を高耐圧のトランジスタにて形成し、前記高耐圧のトランジスタペアのそれぞれのゲートをともに接続するとともに、該ゲートに前記高電源電圧よりも低い低電源電圧のバイアス電位を供給する入力端子を接続したことを特徴とするオペアンプ。 - 請求項1に記載のオペアンプにおいて、前記カレントミラー回路は、
前記高耐圧のトランジスタペアのそれぞれのドレインを接続した第1のカレントミラーであって、第1の電源に接続され、それぞれ高耐圧の第1および第2のトランジスタを含む第1のカレントミラーと、
第2の電源に接続され、それぞれ高耐圧の第3および第4のトランジスタを含む第2のカレントミラーと、
前記第1のカレントミラーの前記第1のトランジスタと前記第2のカレントミラーの前記第3のトランジスタとの間に接続され、第1のバイアスで前記第1および第2のカレントミラー間の電流を制御する高耐圧の第5のトランジスタと、
該第5のトランジスタに並列に接続され、第2のバイアスで前記第1および第2のカレントミラー間の電流を制御する高耐圧の第6のトランジスタと、
前記第1のカレントミラーの前記第2のトランジスタと前記第2のカレントミラーの前記第4のトランジスタとの間に接続され、前記第1のバイアスで前記第1および第2のカレントミラー間の電流を制御する高耐圧の第7のトランジスタと、
該第7のトランジスタに並列に接続され、第2のバイアスで前記第1および第2のカレントミラー間の電流を制御する高耐圧の第8のトランジスタと、
前記第1の電源と前記第2の電源とに直列接続されたそれぞれ高耐圧の第9および第10のトランジスタとを含み、
前記第9のトランジスタのゲートが前記第1のカレントミラーの前記第1のトランジスタと前記第5および第6のトランジスタとの接続点に接続され、
前記第10のトランジスタのゲートが前記第2のカレントミラーの前記第3のトランジスタと前記第5および第6のトランジスタとの接続点に接続され、
前記第9および第10のトランジスタの接続点が該オペアンプの出力を形成することを特徴とするオペアンプ。 - 請求項1に記載のオペアンプを備え、増幅率が1以上になるように、前記低電圧入力信号の入力端および前記オペアンプの出力端間に第1および第2の静電容量を直列に接続し、該第1および第2の静電容量の接続点を前記オペアンプの反転入力に接続したことを特徴とする反転増幅回路。
- 請求項1に記載のオペアンプを備え、増幅率が1以上になるように、前記低電圧入力信号の入力端および前記オペアンプの出力端間に第1および第2の抵抗を直列に接続し、該第1および第2の抵抗の接続点を前記オペアンプの反転入力に接続したことを特徴とする反転増幅回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306751A JP2007116497A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | オペアンプ |
KR1020060090524A KR20070043601A (ko) | 2005-10-21 | 2006-09-19 | 연산 증폭기 |
CN2006101396389A CN1953321B (zh) | 2005-10-21 | 2006-09-20 | 运算放大器 |
US11/528,544 US7453318B2 (en) | 2005-10-21 | 2006-09-28 | Operational amplifier for outputting high voltage output signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306751A JP2007116497A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | オペアンプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007116497A true JP2007116497A (ja) | 2007-05-10 |
Family
ID=37984763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005306751A Pending JP2007116497A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | オペアンプ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7453318B2 (ja) |
JP (1) | JP2007116497A (ja) |
KR (1) | KR20070043601A (ja) |
CN (1) | CN1953321B (ja) |
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-
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- 2006-09-19 KR KR1020060090524A patent/KR20070043601A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-09-20 CN CN2006101396389A patent/CN1953321B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-28 US US11/528,544 patent/US7453318B2/en not_active Expired - Fee Related
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US7453318B2 (en) | 2008-11-18 |
CN1953321B (zh) | 2012-03-21 |
KR20070043601A (ko) | 2007-04-25 |
CN1953321A (zh) | 2007-04-25 |
US20070090880A1 (en) | 2007-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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