JP2007115729A - レーザ照射装置 - Google Patents

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【課題】 複数台のレーザ光源から出射されたレーザビームを合成し、かつ光強度分布を均一に近づけた長尺ビームを得ることができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】 レーザビームを出射する複数のレーザ光源が準備されている。導波部材が、平板状の光導波路を画定する。その入射端面及び出射端面が一方向に長い形状を有する。入射端面から入射した光が多重反射しながら出射端面まで導波される。レーザ光源の各々に対応して光ファイバが配置されている。レーザ光源から出射されたレーザビームが、対応する光ファイバの入射端から入射する。出射端から出射した光が、導波部材の入射端面を通して導波部材に入射する。複数の光ファイバの出射端が、導波部材の入射端面の長手方向と平行な方向に配列している。ステージが被照射体を保持する。集光光学系が、導波部材の出射端面から出射した光を、ステージに保持された被照射体の表面に入射させる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、レーザ照射装置に関し、特に、被照射面におけるレーザの入射領域を長尺にし、かる光強度を均一に近づけるレーザ照射装置に関する。
アモルファスシリコンの多結晶化等にレーザアニールが用いられる。レーザアニール装置では、スループットの向上、レーザビームの入射領域の拡大等の観点から、レーザ光源の大出力化が求められている。
レーザアニールには、Nd:YAGレーザ等の固体レーザの高調波、可視域の半導体レーザ等が用いられる。これらのレーザ発振器の出力は、レーザ媒質の発熱に伴う技術上の制約により制限される。例えば、固体レーザの高調波を用いる場合には、1台のレーザ発振器の最大出力は400W程度である。可視域の半導体レーザを用いる場合には、1台のレーザ発振器の最大出力は1W程度である。
従来、レーザビームのパワーを高めるために、複数のレーザ発振器から出力されたレーザビームを合成する方法が用いられてきた。
下記の特許文献1に開示されたレーザビームの合成方法について説明する。複数のレーザ光源から出力されたレーザビームが、レーザ光源ごとに配置された光ファイバによって伝送される。複数の光ファイバが中間部で束ねられ、それらの出力端がファイバコネクタに接続される。ファイバコネクタは、複数の光ファイバの出力端を固定する。
光ファイバの出力端から出射されたレーザビームが、1つのテーパ状中空導波路に、その入射端から入射する。中空導波路内を伝搬することにより、複数のレーザビームのエネルギが足しあわされる。エネルギが足し合わされたレーザビームが、中空導波路の出射端から出射する。
次に、下記の特許文献2に開示されたレーザビームの合成方法について説明する。レーザアレイの複数のレーザ発光部から出射したレーザビームの各々を、シリンドリカルレンズアレイで、少なくとも一方向について平行光束化させる。シリンドリカルレンズアレイは、1つのレーザ発光部に対応して1本のシリンドリカルレンズを有する。平行化された複数のレーザビームを、コンデンサレンズによってカライドスコープの入射側の端面に収斂させる。カライドスコープ内で、複数のレーザビームのエネルギが足し合わされると共に、面内強度分布が均一化される。
次に、下記の特許文献3に開示されたレーザビームの合成方法について説明する。複数のレーザ光源から出射されたレーザビームを、1台のホモジナイザに入射させることにより、強度分布を均一化する。このホモジナイザは、シリンドリカルレンズアレイと、その後段に配置されたコンデンサレンズとで構成される。シリンドリカルレンズアレイを構成する凸レンズの個数と、レーザ光源の台数とは等しい。
特開平7−281053号公報 特開2002−184206号公報 特開2003−289052号公報
アモルファスシリコンの多結晶化アニールには、通常、ビーム断面が一方向に長い長尺ビームが用いられる。上記特許文献1に開示された方法では、中空導波路に入射した複数のレーザビームが、中空導波路内で多重反射しているため、中空導波路を出射したレーザビームの進行方向がばらばらになる。このため、中空導波路を出射したレーザビームのビーム断面を長尺状に整形することが困難である。
上記特許文献2に開示された方法でも、カライドスコープを通過したレーザビームは、ばらばらの進行方向を持つ複数の光線を含むため、そのビーム断面を長尺状に整形することが困難である。また、コンデンサレンズの光軸から離れた部分を通過した光線は、カライドスコープに、その中心軸から大きく傾いて入射する。これにより、カライドスコープから出射するレーザビームも、その中心軸から大きく傾いて進行する光線を含む。このため、カライドスコープの後段に配置する光学系の設計が困難になる。例えば、結像レンズを配置する場合には、その焦点深度が浅くなる。
上記特許文献3に開示された方法では、被照射面における強度分布の均一性が、ホモジナイザを構成するシリンドリカルレンズの個数に依存する。シリンドリカルレンズの個数は、レーザ光源の個数と等しいため、レーザ光源の個数が、強度分布の均一性に影響してしまう。このため、レーザ光源の個数を自由に決定することができない。
本発明の目的は、複数台のレーザ光源から出射されたレーザビームを合成し、かつ光強度分布を均一に近づけた長尺ビームを得ることができるレーザ照射装置を提供することである。
本発明の一観点によれば、レーザビームを出射する複数のレーザ光源と、平板状の光導波路を画定する導波部材であって、入射端面及び出射端面が一方向に長い形状を有し、入射端面から入射した光を多重反射させながら出射端面まで導波させる導波部材と、前記レーザ光源の各々に対応して配置された光ファイバであって、対応するレーザ光源から出射されたレーザビームが入射端から入射し、出射端から出射した光を前記導波部材の入射端面を通して該導波部材に入射させ、複数の該光ファイバの出射端が、該導波部材の入射端面の長手方向と平行な方向に配列している該光ファイバと、被照射体を保持するステージと、前記導波部材の出射端面から出射した光を、前記ステージに保持された被照射体の表面に入射させる集光光学系とを有するレーザ照射装置が提供される。
レーザ光源の台数を増やすことにより、容易にレーザビームのパワーを高めることができる。導波部材の出射端面が一方向に長い形状を有するため、容易に長尺ビームを形成することができる。導波部材内を伝搬することにより、出射端面における光強度分布が均一に近づく。
図1A及び図1Bに、実施例によるレーザ照射装置の概略図を示す。複数台のレーザ光源1の各々に対応して、集束レンズ2及び光ファイバ3が準備されている。レーザ光源1の各々から出射されたレーザビームが、対応する集束レンズ2により集束され、対応する光ファイバ3に、その入射端から入射する。レーザ光源1として、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ等の第2高調波(波長約530nm)または第3高調波(波長約350nm)を出射するレーザ光源、及び波長域400〜700nmの半導体レーザダイオード等を用いることができる。
複数の光ファイバ3の出射端から出射したレーザビームが、結合レンズアレイ4を通過して1つの導波部材5に、その入射端面5Fから入射する。導波部材5は、レーザ光源1から出射されたレーザビームの波長域で透明な光学媒体で形成されており、その形状は平板状の直方体である。導波部材5の入射端面5Fの形状は長方形である。入射端面5Fの長辺に平行な方向をY軸、短辺に平行な方向をX軸とするXYZ直交座標系を定義する。導波部材5の表面のうちX軸に垂直な2つの面を主側面5Pと呼び、Y軸に垂直な2つの面を従側面5Sと呼ぶこととする。導波部材5に入射した光は、導波部材5により画定される平板状の導波路内を伝搬して、入射端面5Fとは反対側の出射端面5Eから出射される。
図2Aに、光ファイバ3の出射端近傍、結合レンズアレイ4、及び導波部材5の入射端面近傍の概略図を示し、図2Bに、入射端面5Fの正面図を示す。複数の光ファイバ3の出射端が、Y軸に平行に、かつ等ピッチで1列に配列している。光ファイバ3の出射端から出射するレーザビームの中心光線がZ軸に平行になるように、光ファイバ3の出射端近傍の姿勢が調整されている。
結合レンズアレイ4は、Y軸に平行な方向に配列した複数の集束レンズで構成される。集束レンズは、光ファイバ3ごとに配置されており、その光軸はZ軸に平行である。例えば、入射端面の短辺の長さ(導波部材5の厚さ)Tは0.4mmであり、長辺の長さ(導波部材5の幅)Wは30mmである。光ファイバ3の出射端から出射されたレーザビームは、結合レンズアレイ4の対応する集束レンズによって、導波部材5の入射端面5Fに集束される。
図1A及び図1Bに戻って説明を続ける。XYステージ7に被照射体20が保持されている。被照射体20は、ガラス基板、及びその表面上に形成されたアモルファスシリコン膜を含んで構成され、アモルファスシリコン膜が形成された表面がXY面に平行になるように保持されている。
結像光学系6が、導波部材5の出射端面5Eを、XYステージ7に保持された被照射体20の表面に結像させる。結像倍率は任意に設定することができる。結像倍率を小さくすると、出射端面5Eよりも小さな領域にレーザビームを入射させ、被照射体20の表面におけるパワー密度を高めることができる。結像倍率を大きくすると、出射端面5Eよりも大きな領域にレーザビームを入射させることができる。
図1Bに示すように、導波部材5内に入射した光線は、ZX面内に関して一対の主側面5Pにより多重反射しながら出射端面5Eまで導波される。これにより、出射端面5Eにおいて、X軸方向に関する光強度分布が均一化される。
図3を参照して、導波部材5のYZ面内における光線の伝搬の態様について説明する。図3は、結合レンズアレイ4により集束されたレーザビームの中心光線を含む面内における光の伝搬の様子を示す。
結合レンズアレイ4の複数の集束レンズに通し番号を振る。i番面の集束レンズ4(i)により集束されて導波部材5に入射するレーザビームに着目する。集束ビームの最も外側の縁に沿って進行する光線とZ軸とのなす角度をθとする。集束ビームの開口数NAは、sinθになる。集束ビームのビーム系が最小になる位置が入射端面5F上に位置するように、結合レンズアレイ4と入射端面5Fとの間隔が調節されている。
導波部材5内に入射したレーザビームの拡がり角をθとする。導波部材5の屈折率をnとすると、n×sinθ=sinθ=NAが成立する。
光ファイバ3の出射端のピッチをPとする。このとき、結合レンズアレイ4を構成する複数の集束レンズにより集束されたビームの中心光線が、ピッチPでY軸方向に配列する。集束レンズ4(i)により集束されたビームの中心光線を中心とし、Y軸方向の幅がPである長方形の単位領域5(i)を考える。
単位領域5(i)内に入射したビームの最も外側を伝播する光線r1は、Z軸方向にD1=P/(2tanθ)だけ進行した位置で、単位領域5(i)の縁を横切り、隣の単位領域5(i−1)及び5(i+1)内に進入する。逆に、隣の集束レンズ4(i−1)及び4(i+1)により集束され、導波部材5内に入射したビームの最も外側を伝搬する光線r2が、単位領域5(i)内に進入する。このため、単位領域5(i)内のビームの最も外側を伝搬する光線r1が、単位領域5(i)の縁で反射して、単位領域5(i)内に戻された状態と同一の状態が実現される。なお、単位領域5(i)がY軸方向に関して最も端に配置されている場合には、導波部材5の従側面5Sが単位領域5(i)の一方の縁となり、実際の反射面として機能する。
入射端面5FからZ軸方向にD1=P/(2tanθ)だけ進行した位置で単位領域5(i)内に侵入した光線r2は、入射端面5FからD3=3P/(2tanθ)だけ進行した位置で、単位領域5(i)の縁を横切り、隣の単位領域5(i−1)及び5(i+1)内に進入する。この位置においては、集束レンズ4(i−2)及び4(i+2)により集束されて導波部材5内に入射したビームの最も外側を伝搬する光線r3が、単位領域5(i)内に侵入する。
このため、単位領域5(i)は、一つの独立したカライドスコープ(またはロッドレンズ)と考えることができる。導波部材5の長さ(Z軸方向の寸法)をLとすると、1つの単位領域5(i)の側面での実効的な反射回数Ryは、次の式で表される。
Figure 2007115729
図1Bに示すように、ZX面内に関して、反射回数Rxは、以下の式で表される。
Figure 2007115729
出射端面5Eにおいて、X軸方向及びY軸方向に関する光強度分布を均一化するためには、反射回数Rx及び実効的な反射回数Ryを3回以上にすることが好ましい。この反射回数を、下限しきい値と呼ぶこととする。
ピッチPと厚さTとが等しい場合には、反射回数Rxが下限しきい値以上になるように長さLを設定すれば、実効的な反射回数Ryも下限しきい値以上になる。ピッチPが厚さTよりも大きい場合、ピッチPに依存する実効的な反射回数Ryが下限しきい値以上になるように長さLを決定すればよい。逆に、ピッチPが厚さTよりも小さい場合、厚さTに依存する反射回数Rxが下限しきい値以上になるように長さLを決定すればよい。
ピッチPと厚さTとの差が大きくなりすぎると、大きな方のパラメータに依存する反射回数が下限しきい値以上になるように長さLを決定すると、小さな方のパラメータに依存する反射回数が必要以上に大きくなると共に、光の伝搬距離が長くなりすぎる。このため、光の伝搬損失や反射に起因する損失が増加してしまう。従って、厚さTとピッチPとの大きな方が小さな方の2倍以下になるように、厚さT及びピッチPを設定することが好ましい。
なお、出射端面5Eにおける短軸方向(X軸方向)に関しては光強度分布を均一にする必要がない場合もある。この場合には、ZX面内に関する反射回数Rxを0回にすることが好ましい。式(2)において、ZX面内に関するNAを0にする(すなわち、ZX面内に関して平行光線束にする)か、導波部材5の厚さTをなるべく大きくすればよい。
図4A及び図4Bに、出射端面5EにおけるY軸方向及びX軸方向に関する光強度分布のシミュレーション結果を示す。図4Aの横軸はY軸方向の基準位置からの距離を単位「mm」で表し、図4Bの横軸はX軸方向の基準位置からの距離を単位「mm」で表す。図4A及び図4Bの縦軸は光強度を表す。導波部材5の厚さTを0.6mm、幅Wを24mm、長さLを200mm、屈折率nを1.5とし、結合レンズアレイ4で集束された各レーザビームの開口数NAを0.1とした。
X軸方向及びY軸方向に関して、ほぼ均一な光強度分布が得られていることがわかる。
図5A〜図5Dを参照して、導波部材5の他の構成例について説明する。上記実施例で用いた導波部材5は、図5Aに示すように、直方体の光学媒体であり、そのその表面は大気に晒されていた。図5Bに示すように、導波部材5の側面を、導波部材5よりも屈折率の小さな媒体からなるクラッド51で被覆した構造としてもよい。図5Cに示すように、導波部材5の一対の主側面5Pの間隔が、入射端面5Fから出射端面5Eに近づくに従って狭くなるようなテーパ構造としてもよい。この場合にも、導波部材5の側面を、クラッド54で被覆してもよい。テーパ構造とすることにより、出射端面5Eをより細くすることが可能になる。
図5Dに示すように、光が伝搬する空洞56を画定する中空の部材で導波部材55を構成してもよい。導波部材5の内周面は、光を反射する反射面とされている。
上記実施例によるレーザ照射装置では、複数のレーザ光源1を用いている。レーザ光源1の台数を増やすことにより、容易にレーザビームのパワーを高めることができる。また、レーザ光源1の台数を増やせば、そのうちの1台が故障した場合の総パワーの低下率を軽減することができる。パワーの低下量が加工品質に影響を与えない程度であれば、そのまま加工を継続して行うことができる。
また、複数のレーザ光源1を用いることにより、レーザビームのランダムなパワー変動割合を低減させることができる。レーザ光源1の台数がNである場合、パワー変動割合は1/(N1/2)になる。また、レーザ光源1と導波部材5とが光ファイバ3で結合されているため、レーザ光源1の配置の自由度が高まる。これにより、装置の小型化を図ることが可能になる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
実施例によるレーザ照射装置の概略図である。 図2Aは、実施例によるレーザ照射装置の光ファイバの出射端近傍、結合レンズアレイ、及び導波部材の入射端面近傍の概略図であり、図2Bは、導波部材の入射端面の正面図である。 導波部材内の光の伝搬の様子を示す線図である。 導波部材の出射端面における光強度分布のシミュレーション結果を示すグラフである。 実施例によるレーザ照射装置の導波部材、及び導波部材の他の構成例を示す斜視図である。
符号の説明
1 レーザ光源
2 集束レンズ
3 光ファイバ
4 結合レンズアレイ
5 導波部材
5F 入射端面
5E 出射端面
5P 主側面
5S 従側面
6 集光光学系
7 XYステージ
20 被照射体
51、54 クラッド
56 空洞

Claims (7)

  1. レーザビームを出射する複数のレーザ光源と、
    平板状の光導波路を画定する導波部材であって、入射端面及び出射端面が一方向に長い形状を有し、入射端面から入射した光を多重反射させながら出射端面まで導波させる導波部材と、
    前記レーザ光源の各々に対応して配置された光ファイバであって、対応するレーザ光源から出射されたレーザビームが入射端から入射し、出射端から出射した光を前記導波部材の入射端面を通して該導波部材に入射させ、複数の該光ファイバの出射端が、該導波部材の入射端面の長手方向と平行な方向に配列している該光ファイバと、
    被照射体を保持するステージと、
    前記導波部材の出射端面から出射した光を、前記ステージに保持された被照射体の表面に入射させる集光光学系と
    を有するレーザ照射装置。
  2. 前記光ファイバの出射端が、前記導波部材の入射端面の長手方向と平行な方向に等ピッチPで配列している請求項1に記載のレーザ照射装置。
  3. 前記導波部材で画定される光導波路に入射する光の開口数をNA、該光導波路の入射端面から出射端面までの長さをL、該光導波路の屈折率をnとしたとき、(L/P)tan(sin−1(NA/n))が3以上である請求項2に記載のレーザ照射装置。
  4. 前記入射端面における前記光導波路の厚さをTとしたとき、厚さTと前記ピッチPとの大きな方が小さな方の2倍以下である請求項2または3に記載のレーザ照射装置。
  5. 前記導波部材で画定される平板状の光導波路の厚さ及び幅が、前記入射端面から出射端面まで一定である請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ照射装置。
  6. 前記導波部材で画定される平板状の光導波路の厚さが、出射端面に近づくに従って狭くなっている請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ照射装置。
  7. 前記集光光学系が、前記導波部材の出射端面を、前記ステージに保持された被照射体の表面に結像させる請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ照射装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049030A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd 半導体製造装置
JP2009206386A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd レーザ照射装置及び該レーザ照射装置の焦点制御方法及びチルト制御方法
JP2009210609A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波体
JP2009210608A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波体及び光照射体
JP2009260133A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd レーザアニール方法及びレーザアニール装置
JP2009269296A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体インゴットのスライス方法
WO2010035348A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 日立コンピュータ機器株式会社 半導体製造装置
WO2010125978A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 三菱電機株式会社 レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法
JP2011167723A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Shibaura Mechatronics Corp レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2011167722A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Shibaura Mechatronics Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP4834790B1 (ja) * 2011-01-25 2011-12-14 株式会社エタンデュ目白 光照射装置
JP2012003131A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ照射装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04100685A (ja) * 1990-08-20 1992-04-02 Toshiba Corp 薄膜体のパターン除去方法
JPH10258383A (ja) * 1997-03-14 1998-09-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 線状レーザビーム光学系
JP2003289052A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 半導体の結晶化方法及びそれに用いるレーザ照射装置
JP2003347236A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp レーザ照射装置
JP2004111584A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04100685A (ja) * 1990-08-20 1992-04-02 Toshiba Corp 薄膜体のパターン除去方法
JPH10258383A (ja) * 1997-03-14 1998-09-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 線状レーザビーム光学系
JP2003289052A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 半導体の結晶化方法及びそれに用いるレーザ照射装置
JP2003347236A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp レーザ照射装置
JP2004111584A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049030A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd 半導体製造装置
JP2009206386A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd レーザ照射装置及び該レーザ照射装置の焦点制御方法及びチルト制御方法
JP2009210609A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波体
JP2009210608A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波体及び光照射体
JP2009260133A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd レーザアニール方法及びレーザアニール装置
JP2009269296A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体インゴットのスライス方法
CN102165562A (zh) * 2008-09-29 2011-08-24 日立电脑机器株式会社 半导体制造装置
WO2010035348A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 日立コンピュータ機器株式会社 半導体製造装置
KR101188417B1 (ko) 2008-09-29 2012-10-08 히다찌 컴퓨터 기끼 가부시끼가이샤 반도체 제조장치
US8644665B2 (en) 2008-09-29 2014-02-04 Hitachi Information & Telecommunication Engineering, Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus
WO2010125978A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 三菱電機株式会社 レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法
JP4948650B2 (ja) * 2009-04-30 2012-06-06 三菱電機株式会社 レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法
US8517542B2 (en) 2009-04-30 2013-08-27 Mitsubishi Electric Corporation Laser illumination device, illumination method, semiconductor element manufacturing method, projection display device, and image display method using the projection display device
JP2011167723A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Shibaura Mechatronics Corp レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2011167722A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Shibaura Mechatronics Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2012003131A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ照射装置
JP4834790B1 (ja) * 2011-01-25 2011-12-14 株式会社エタンデュ目白 光照射装置
WO2012102207A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 株式会社エタンデュ目白 光照射装置

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