JP2007115394A - ダイナミックランダムアクセスメモリの指定自動リフレッシュ - Google Patents
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Abstract
【課題】1つのメモリバンクを、他のメモリバンクが読み出し書き込みアクセスを行うために活動状態である間に、指定自動リフレッシュを行うための、指定自動リフレッシュモードを提供する。
【解決手段】メモリが、少なくとも2つの各メモリバンクを含んでいる。各メモリバンクは、それぞれ、各行および各列を備えた各メモリセルのアレイを含んでいる。上記メモリは、指定自動リフレッシュ用のメモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、指定自動リフレッシュ用の少なくとも2つの各メモリバンクのうちの1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタとを含んでいる。バンクアドレスカウンタは、行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される。
【選択図】図2
【解決手段】メモリが、少なくとも2つの各メモリバンクを含んでいる。各メモリバンクは、それぞれ、各行および各列を備えた各メモリセルのアレイを含んでいる。上記メモリは、指定自動リフレッシュ用のメモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、指定自動リフレッシュ用の少なくとも2つの各メモリバンクのうちの1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタとを含んでいる。バンクアドレスカウンタは、行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される。
【選択図】図2
Description
[背景]
メモリの1タイプとして、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が挙げられる。DRAMは、メモリセルセルの情報の内容が時間が経つと消失する揮発性メモリである。該メモリセルは、周期的にリフレッシュされることにより、該メモリセルの値、つまり上記情報を示す値を維持する。
メモリの1タイプとして、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が挙げられる。DRAMは、メモリセルセルの情報の内容が時間が経つと消失する揮発性メモリである。該メモリセルは、周期的にリフレッシュされることにより、該メモリセルの値、つまり上記情報を示す値を維持する。
メモリセルを周期的にリフレッシュするための一形態として、自動リフレッシュまたは固定ビットレート(CBR)リフレッシュが挙げられる。自動リフレッシュまたはCBRリフレッシュは、DRAMメモリセルをリフレッシュする1つの方法である。この方法は、通常の読み出し書き込み動作を停止する工程と、全てのメモリバンクを予備充電する工程と、各メモリバンクにおいて一群のメモリセルをリフレッシュする工程と、該メモリバンクを再起動する工程と、通常の読み出し書き込み動作を継続する工程とを含んでいる。
これらのメモリセルは、各メモリセルが保持時間内にリフレッシュされる周期(頻度)にてリフレッシュされる。メモリバンクを予備充電し、再起動することにより、DRAMの使用可能時間帯の幅が狭くなってしまう。なぜなら、メモリバンクを予備充電し、再起動することにより、データが読み出されも書き込まれもせず、かつ、メモリセルがリフレッシュされないサイクルが挿入されるからである。
典型的な自動リフレッシュを実施するために、DRAMコントローラが用いられる。該DRAMコントローラは、特定の保持時間内に全てのメモリがリフレッシュされるには十分な頻度にて、自動リフレッシュ命令を出力する。
各自動リフレッシュ命令は、互いに無関係に個々に出力されるので、ユーザは、DRAMが、能動的に読み出しまたは書き込みされないとき、または、自動リフレッシュすることが使用可能時間帯を最も効率的に使用できるときはいつでも、自動リフレッシュが生じるようにスケジュールすることができる。これら従来のスケジュール戦略により、使用可能時間帯域幅が存在する不都合を低減できるが、従来のスケジュール戦略は、未だ、幾つかの各アプリケーションによっては不十分である。
米国特許第5,796,669号公報(特許日:1998年08月18日)
米国特許第6,363,024号公報(特許日:2002年03月26日)
米国特許第6,771,553号公報(特許日:2004年08月03日)
米国特許第6,859,407号公報(特許日:2005年02月22日)
[要約]
本発明の一形態は、メモリを提示する。このメモリは、少なくとも2つの各メモリバンクを含んでいる。該各メモリバンクは、行および列を含むメモリセルのアレイを含んでいる。このメモリは、指定自動リフレッシュ用のメモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタとを含んでいる。上記バンクアドレスカウンタは、行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される。
本発明の一形態は、メモリを提示する。このメモリは、少なくとも2つの各メモリバンクを含んでいる。該各メモリバンクは、行および列を含むメモリセルのアレイを含んでいる。このメモリは、指定自動リフレッシュ用のメモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタとを含んでいる。上記バンクアドレスカウンタは、行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される。
[図面の簡単な説明]
添付の図面は、本発明をより理解するためのものであり、本明細書の一部に組み込まれ、該一部をなすものである。図面は、明細書と共に本発明の実施形態を示しており、本発明の原理を説明するためのものである。本発明の他の実施形態、および、本発明の利点の多くは、以下の詳細な説明を参照することによって、より理解されることは明らかであろう。図面の各部材は、必ずしも互いの間のスケールどおりではない。同様の部材には、同じ参照符号を付している。
添付の図面は、本発明をより理解するためのものであり、本明細書の一部に組み込まれ、該一部をなすものである。図面は、明細書と共に本発明の実施形態を示しており、本発明の原理を説明するためのものである。本発明の他の実施形態、および、本発明の利点の多くは、以下の詳細な説明を参照することによって、より理解されることは明らかであろう。図面の各部材は、必ずしも互いの間のスケールどおりではない。同様の部材には、同じ参照符号を付している。
図1は、メモリデバイスの一実施形態を示すブロック図である。図2は、リフレッシュ制御回路の一実施形態を示すブロック図である。図3は、リフレッシュ制御回路の他の実施形態を示すブロック図である。
図4は、バンクアドレスカウンタ増分論理部の一実施形態を示す回路ブロック図である。図5Aは、行アドレスカウンタ増分論理部の一実施形態を示す回路ブロック図である。図5Bは、行アドレスカウンタ増分論理部の他の実施形態を示す回路ブロック図である。図5Cは、行アドレスカウンタ増分論理部およびバンクアドレスカウンタ増分論理部のさらに他の実施形態を示す図である。
図6は、バンクアドレスカウンタをリセットするための回路の一実施形態を示す回路ブロック図である。図7Aは、各メモリバンクを選択するための一実施形態を示す回路ブロック図である。図7Bは、各メモリバンクを選択するための他の実施形態を示す回路ブロック図である。図8は、二段の行アドレスラッチの一実施形態を示す回路ブロック図である。
図9Aは、指定自動リフレッシュと起動命令とを連続して行うための各信号のタイミングの一実施形態を示すタイミングチャートである。図9Bは、指定自動リフレッシュと起動命令とを連続して行うための各信号のタイミングの他の実施形態を示すタイミングチャートである。
図10は、行アドレスラッチの第1のラッチ段の一実施形態を示す回路ブロック図である。図11は、行アドレスラッチの第2のラッチ段の一実施形態を示す回路ブロック図である。図12は、メモリバンクをバイパスするための回路の一実施形態を示す回路ブロック図である。
図13は、少なくとも一つのメモリバンクが活動状態である間に、他のメモリバンクを指定自動リフレッシュさせるための回路の一実施形態を示す回路ブロック図である。図14は、自動リフレッシュ信号を出力するための回路の一実施形態を示す回路ブロック図である。
[詳細な説明]
図1は、メモリデバイス100の一実施形態を示すブロック図である。一実施形態では、メモリデバイス100として、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が挙げられる。メモリデバイス100は、メモリコントローラ102およびメモリ106を含んでいる。メモリコントローラ102は、通信路104を介してメモリ106に電気的に接続されている。
図1は、メモリデバイス100の一実施形態を示すブロック図である。一実施形態では、メモリデバイス100として、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が挙げられる。メモリデバイス100は、メモリコントローラ102およびメモリ106を含んでいる。メモリコントローラ102は、通信路104を介してメモリ106に電気的に接続されている。
メモリコントローラ102は、メモリ106の動作を制御する。メモリ106は、制御回路108および複数の各メモリバンク112a‐112(n)を含んでいる。「n」は、各メモリバンクの好適な数である。一実施形態では、「n」は「3」である。制御回路108は、通信路110を介して各メモリバンク112a‐112(n)に電気的に接続されている。
制御回路108は、メモリ106用の指定自動リフレッシュ(DARF)モードを実行するように構成されている。上記DARFモードの実行は、自動リフレッシのスケジューリングに柔軟性を付与して、各メモリバンク112a‐112(n)内のメモリセルをリフレッシュするときの使用可能時間帯の幅に関する不都合を低減する。
DARF命令とは、メモリ106がDARFモードにあるときに出力される自動リフレッシュ命令のことである。1つのDARF命令は、メモリバンク112a‐112(n)の1つを一度にリフレッシュし、その後、各メモリバンク112a‐112(n)が、指示順に沿って順次リフレッシュされる。
例えば、第1のDARF命令は、第0バンク112aの選択された行アドレスに位置する各メモリセルをリフレッシュする。第2のDARF命令は、第1メモリバンク112bの選択された行アドレスに位置する各メモリセルをリフレッシュする。第3のDARF命令は、第2メモリバンク112cの選択された行アドレスに位置する各メモリセルをリフレッシュする。これらの各DARF命令は、第Nメモリバンク112(n)における、選択された行アドレスに位置する各メモリセルがリフレッシュされるまで、各メモリバンクに対して出力され続ける。
各メモリバンク112a‐112(n)の選択された行アドレスに位置する各メモリセルがリフレッシュされた後、続くDARF命令は、第0メモリバンク112aの次の行アドレスに位置する各メモリセルをリフレッシュする。これらの各DARF命令は、各メモリバンク112a‐112(n)の全ての行アドレスにおける全ての各メモリセルに対して出力され続ける。
DARFのスケジューリングにより、メモリ106の使用可能時間帯の幅(使用効率)が改善される。
DARFモードが使用できない、一般の自動リフレッシュでは、全ての各メモリバンク112a‐112(n)が予備充電され、次に、自動リフレッシュ命令が出力されて、全ての各メモリバンクの選択された行アドレスに位置する各メモリセルが同時にリフレッシュされる。
自動リフレッシュの間、非動作(NOP)命令が出力され、遅延(tRFC)時間が起動される。tRFC時間が終了した直後に、各メモリバンク112a‐112(n)が起動され、読み出し書き込み動作が復旧される。
DARFモードが使用可能である場合、ユーザが第1のメモリバンク112a‐112(n)に連続してアクセスでき、DARF命令を第2のメモリバンク112a‐112(n)に出力し、次に、次のクロックサイクルへ続き、第1のメモリバンク112a‐112(n)にアクセスする。DARFモードが使用可能である場合、DARF命令が、4つのメモリバンクを備えたメモリの一般の自動リフレッシュ命令の4倍の速度で出力されるが、tRFC時間はNOP命令に対して影響を及ぼさない。
一実施形態では、メモリ106における、DARFモード機能の使用可能および使用禁止が、モードレジスタ設定命令を、セットまたはリセットすることによって決定される。他の実施形態では、DARFモード機能を使用可能または使用禁止にするために、メモリ106内にてヒューズが用いられる。
一実施形態においては、バンクアドレスカウンタ(BAC)が、各DARF動作のために、増分により、順次、各メモリバンク112a‐112(n)を指定するために用いられ、行アドレスカウンタ(RAC)が、各DARF動作のために、増分により、順次、各メモリバンク112a‐112(n)の各行アドレスを指定するために用いられる。
一実施形態では、2ビットBACが、各DARF動作のためのRACの最少桁の2つのビットとして実行される。DARFモードが入力されており、自己リフレッシュ(SRF)モードがメモリコントローラ102と同期したまま終了するとき、上記BACはリセットされる。
一実施形態では、制御回路108が、DARFモード命令の各制御部を含んでいる。該各制御部は、通常の自動リフレッシュの検出回路、タイミング回路、セット回路、および、リセット回路を用いる。各メモリバンク、または、各メモリセルの各行をスキップ(飛び越し)することを回避するために、自己リフレッシュモードへの移行および該自己リフレッシュモードから他のモードへの移行が管理される。
この管理および制御には、各メモリバンク、または、各メモリセルの各行がスキップされないようにするために、上記BACをリセットすることが含まれる。一実施形態では、専用のBACバスを用いて、DARFが実行される各メモリバンク112a‐112(n)を選択する。これにより、DARF命令および起動(ACT)命令が交互に連続して高頻度にて出力されるときに課される、全てのタイミング制約が除去される。
一実施形態では、二段の行アドレスラッチが、DARF命令および起動(ACT)命令が交互に連続して高頻度にて出力されるとき用いられる。DARF命令が、メモリバンク112a‐112(n)の1つに出力される。このとき、上記1つのメモリバンク以外の他のメモリバンク112a‐112(n)は、読み出しまたは書き込みアクセスを行うための活動状態である。
指定自動リフレッシュ命令が活動状態のメモリバンク112a‐112(n)に出力された場合、該命令は遮断される。しかし、メモリバンク112a‐112(n)への読み出しまたは書き込みアクセスが一度完了しているときに、該指定自動リフレッシュ命令は、該メモリバンク112a‐112(n)に再出力される。これにより、メモリバンク112a‐112(n)の自動リフレッシュをスキップしないようになっている。
図2は、リフレッシュ制御回路108aの一実施形態を示すブロック図である。一実施形態では、リフレッシュ制御回路108aは、制御回路108の一部である。リフレッシュ制御回路108aは、リフレッシュ制御部122、行アドレスカウンタ(RAC)126、バンクアドレスカウンタ(BAC)136、行アドレスラッチ部130、DARFバンク選択部(DARFバンク選択回路)142、起動(ACT)、自動リフレッシュ(ARF)、自己リフレッシュ(SRF)およびバンクの選択部(選択回路)150、並びに、NANDゲート146を含んでいる。
リフレッシュ制御部122の入力部が、復号リフレッシュ命令用通信路120にて復号されたリフレッシュ命令を受け取る。リフレッシュ制御部122の一方の出力部が、アドレス制御用通信路124を介してRAC126の一方の入力部およびBAC136の入力部に電気的に接続されている。
リフレッシュ制御部122の他方の出力部が、タイミング制御用通信路140を介して、DARFバンク選択部142の1つの入力部、および、ACT、ARF、SRF、バンクの選択部150の入力部に電気的に接続されている。
RAC126の出力部が、行アドレスカウンタアドレス(RAC<0:m>)用通信路128を介して、行アドレスラッチ部130の入力部に電気的に接続されている。BAC136の一方の出力部が、遂行(CARRY‐OUT)信号用経路134を介して、RAC126の他方の入力部に電気的に接続されている。
BAC136の他方の出力部が、バンクアドレスカウンタ(BAC<0:1>)のカウント用通信路138を介して、DARFバンク選択部142に電気的に接続されている。
行アドレスラッチ部130の出力部は、GRADD<0:m>用通信路132にグローバル行アドレス(GRADD<0:m>)を出力する。DARFバンク選択部142の出力部は、DARFバンク選択(DARF_BNKSEL<0:n>)用通信路144を介して、NANDゲート146の第1の入力部に電気的に接続されている。
ACT、ARF、SRF、バンクの選択部150の出力部は、正規のバンク選択(REG_BNKSEL<0:n>)用通信路152を介して、NANDゲート146の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート146の出力部は、BNKSEL<0:n>用通信路148にバンク選択(BANKSEL<0:n>)信号を出力する。
リフレッシュ制御部122が、復号リフレッシュ命令用通信路120からの復号されたリフレッシュ命令信号を受け取って、アドレス制御用通信路124にアドレス制御信号を出力し、タイミング制御用通信路140にタイミング制御信号を出力する。
RAC126が、アドレス制御用通信路124のアドレス制御信号、および、遂行(CARRY‐OUT)信号用経路134のCARRY‐OUT信号を受け取って、RAC<0:m>用通信路128にRAC<0:m>信号を出力する。
アドレス制御信号およびCARRY‐OUT信号に基づいて、RAC126が、自己リフレッシュモード、自動リフレッシュモード、または、行アドレスのメモリセルをリフレッシュするための指定自動リフレッシュモードで、各メモリバンク112a-122(n)の各行アドレスを増分する。
BAC136が、アドレス制御用通信路124のアドレス制御信号を受け取って、BAC<0:1>用通信路138にBAC<0:1>信号を出力し、CARRY‐OUT信号経路134にCARRY‐OUT信号を出力する。これらのアドレス制御信号に基づいて、BAC136が、各メモリバンク112a‐112(n)内のメモリセルをリフレッシュするためのDARFモードにて、各メモリバンク112a‐112(n)の各バンクアドレスを増分する。
BAC136のカウント値がメモリバンク「n」の総数プラス1に達するとき毎に、BAC136は、論理的にハイレベルなCARRY‐OUT信号を出力して、RAC126のカウンタ値を増分する。DARFモードが使用禁止(無効)になっている場合、BAC136は用いられない
行アドレスラッチ部130は、RAC<0:m>用通信路128のRAC<0:m>信号を受け取って、GRADD<0:m>用通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。行アドレスラッチ部130は、自己リフレッシュモード、自動リフレッシュモード、または、指定自動リフレッシュモードにて、RAC126からのRAC<0:m>信号をラッチする。
行アドレスラッチ部130は、RAC<0:m>用通信路128のRAC<0:m>信号を受け取って、GRADD<0:m>用通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。行アドレスラッチ部130は、自己リフレッシュモード、自動リフレッシュモード、または、指定自動リフレッシュモードにて、RAC126からのRAC<0:m>信号をラッチする。
行アドレスラッチ部130は、メモリバンクの起動命令が出力されている間、メモリコントローラ102からの読み出し、書き込み動作を行うのために、行アドレスをラッチする。
行アドレスラッチ部130は、メモリコントローラ102からの行アドレスを、活動状態のメモリバンクの読み出し動作または書き込み動作のために、GRADD<0:m>用通信路132に出力する。
行アドレスラッチ部130は、非活動状態のメモリバンクの、自己リフレッシュ動作、自動リフレッシュ動作、または、指定自動リフレッシュ動作を行うために、GRADD<0:m>用通信路132に、RAC<0:m>信号を出力する。
DARFバンク選択部142は、BAC<0:1>用通信路138のBAC<0:1>信号、および、タイミング制御用通信路140のタイミング制御信号を受け取り、DARF_BNKSEL<0:n>通信路144にDARF_BNKSEL<0:1>信号を出力する。
DARFバンク選択部142は、各BAC<0:1>信号および各タイミング制御信号に基づいた指定自動リフレッシュのための、各メモリバンク112a‐112(n)を選択する。
ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150は、タイミング制御用通信路140のタイミング制御信号を受け取り、REG_BNKSEL<0:n>用通信路152にREG_BNKSEL<0:n>信号を出力する。
DARFモードが使用可能または使用禁止である場合、ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150は、上記タイミング制御信号に基づいた起動および該信号に基づいた自己リフレッシュのために、各メモリバンク112a‐112(n)を選択する。
DARFモードが使用禁止である場合、ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150は、上記タイミング制御信号に基づいた自動リフレッシュのために、各メモリバンク112a‐112(n)も選択する。
NANDゲート146は、DARF_BNKSEL<0:n>用通信路144のDARF_BNKSEL<0:1>信号、および、REG_BNKSEL<0:n>用通信路152のREG_BNKSEL<0:n>信号を受け取り、BNKSEL<0:n>用通信路148にBNKSEL<0:n>信号を出力する。
DARF_BNKSEL<0:n>信号が論理的にハイレベルで、REG_BNKSEL<0:n>信号が同様に論理的にハイレベルである場合、NANDゲート146は、同様に論理的にローレベルのBNKSEL<0:n>信号を出力する。DARF_BNKSEL<0:n>信号が論理的にローレベルか、または、REG_BNKSEL<0:n>信号が同様に論理的にローレベルである場合、NANDゲート146は、それらに対応した論理的にハイレベルのBNKSEL<0:n>信号を出力する。
DARFモードが使用禁止のときの動作中では、BAC136およびDARFバンク選択部142が非活動状態であり、全ての各メモリバンク112a‐112(n)が同時にリフレッシュされることにより、自動リフレッシュが通常どおり生じる。
DARFモードが使用可能である場合、BAC136およびDARFバンク選択部142は活動状態であり、各メモリバンク112a‐112(n)の1つが、BAC<0:1>用通信路138に出力されたBAC136のカウント値に基づいて一度にリフレッシュされる。
したがって、メモリバンク112a‐112(n)の1つがリフレッシュされる一方で、他のメモリバンク112a‐112(n)は、読み出し動作または書き込み動作を行うための活動状態にできる。
一実施形態では、論理的にローレベルのDARF_BNKSEL<0:n>信号または同様に論理的にローレベルのREG_BNKSEL<0:n>信号が、該選択されたメモリバンク112a‐112(n)を起動またはリフレッシュするための論理的にハイレベルのBNKSEL<0:n>信号を出力することによって、対応するメモリバンク112a‐112(n)を選択する。
図3は、リフレッシュ制御回路108bの他の実施形態を示すブロック図である。他の実施形態では、リフレッシュ制御回路108bは、制御回路108の一部である。リフレッシュ制御回路108bは、アドレスカウンタブロック160と、行制御ブロック162とを含んでいる。
アドレスカウンタブロック160は、RAC126を含んでいる。該RAC126は、RAC増分論理部(RAC増分論理回路)164および行アドレスカウンタ166を含んでいる。アドレスカウンタブロック160は、また、BAC136も含んでいる。該BAC136は、BAC増分論理部(BAC増分論理回路)168およびバンクアドレスカウンタ170を含んでいる。
行制御ブロック162は、ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150と、DARFバンク選択部142と、NANDゲート146とを含んでいる。
RAC増分論理部164の1つの入力部、および、BAC増分論理部168の入力部が、アドレス制御用通信路124の、DARF_MODE信号、AUTO‐REFRESH信号、および、SELF‐REFRESH信号を受け取る。
RAC増分論理部164の出力部は、信号経路172を介して、行アドレスカウンタ166の増分(INCREMENT)入力部に電気的に接続されている。行アドレスカウンタ166の出力部は、RAC<0:m>用通信路128に対しRAC<0:m>信号を出力する。
BAC増分論理部168の出力部は、信号経路174を介して、バンクアドレスカウンタ170の増分(INCREMENT)入力部に電気的に接続されている。バンクアドレスカウンタ170の1つの入力部が、BACRST信号経路176からのBACリセット(BACRST)信号を受け取る。
バンクアドレスカウンタ170の出力部が、CARRY‐OUT信号経路134を介して、RAC増分論理部164の他方の入力部に電気的に接続されている。バンクアドレスカウンタ170の他方の出力部が、BAC<0:1>用通信路138を介して、DARFバンク選択部142の1つの入力部に電気的に接続されている。
DARFバンク選択部142の他の複数の各入力部が、タイミング制御用通信路140からの、DARF_MODE信号と、AUTO‐REFRESH信号、および、SELF‐REFRESH信号とを個別に受け取る。DARFバンク選択部142の出力部は、DARF_BNKSEL<0:n>用通信路144を介して、NANDゲート146の第1の入力部に電気的に接続されている。
ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150の入力部が、タイミング制御用通信路140からの、AUTO‐REFRESH信号およびSELF‐REFRESH信号を受け取る。
ACT、ARF、SRFおよびバンクの選択部150の出力部は、REG_BNKSEL<0:n>通信路152を介して、NANDゲート146の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート146の出力部は、BNKSEL<0:n>用通信路148に対しBNKSEL<0:n>信号を出力する。
RAC増分論理部164は、アドレス制御用通信路124からの、DARF_MODE信号、AUTO‐REFRESH信号、および、SELF‐REFRESH信号、および、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号を受け取り、信号経路172にRAC増分信号を出力する。RAC増分論理部164が、DARF_MODE信号、AUTO‐REFRESH信号、SELF‐REFRESH信号、および、CARRY‐OUT信号に基づいて行アドレスカウンタ166のカウント値をいつ増分するかを決定する。
行アドレスカウンタ166が、信号経路172でのRAC増分信号を受け取り、RAC<0:m>用通信路128にRAC<0:m>信号を出力する。行アドレスカウンタ166のカウント値は、RAC増分信号が論理的にハイレベルの場合毎に応じて増分される。行アドレスカウンタ166のカウント値は、RAC<0:m>信号として出力される。
BAC増分論理部168が、アドレス制御用通信路124からの、DARF_MODE信号、AUTO‐REFRESH信号、および、SELF‐REFRESH信号を受け取り、信号経路174にBAC増分信号を出力する。BAC増分論理部168は、DARF_MODE信号、AUTO‐REFRESH信号、および、SELF‐REFRESH信号に基づいてバンクアドレスカウンタ170をいつ増分するかを決定する。
バンクアドレスカウンタ170が、信号経路174のBAC増分信号を受け取り、かつ、BACRST信号経路176からのBACRST信号を受け取り、CARRY‐OUT信号経路134にCARRY‐OUT信号を出力し、BAC<0:1>通信路138にBAC<0:1>信号を出力する。
バンクアドレスカウンタ170のカウント値は、BAC増分信号が論理的にハイレベルの場合毎に増分される。バンクアドレスカウンタ170のカウント値は、BACRST信号が論理的にハイレベルの場合毎にリセットされる。一実施形態では、バンクアドレスカウンタ170は、行アドレスカウンタ166における最少桁の2つのビットとして実行される。バンクアドレスカウンタ170のカウント値は、BAC<0:1>信号として出力される。
図3のACT、ARF、SRF、バンクの選択部150は、図2により参照して記載したACT、ARF、SRF、バンクの選択部150と同じように機能する。図3のDARFバンク選択部142は、図2に記載したDARFバンク選択部142と同じように機能する。NANDゲート146は、図2に記載したNANDゲート146と同じように機能する。リフレッシュ制御回路108bの全体的な動作は、図2に記載したリフレッシュ制御回路108aの動作と同じである。
図4は、BAC増分論理部168の一実施形態を示す回路ブロック図である。BAC増分論理部168は、NANDゲート180およびインバータ184を含んでいる。NANDゲート180の第1の入力部は、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を受け取る。NANDゲート180の第2の入力部は、bAUTO‐REFRESH信号経路124bの反転した自動リフレッシュ(bAUTO‐REFRESH)信号を受け取る。NANDゲート180の出力部は、信号経路182を介してインバータ184の入力部に電気的に接続されている。インバータ184の出力部は、BAC_増分信号経路174にBAC_INCREMENT信号を出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号は、DARFモードが使用可能であれば、論理的にハイレベルとなり、DARFモードが使用禁止であれば、論理的にローレベルとなる。bAUTO‐REFRESH信号経路124bのbAUTO‐REFRESH信号は、自動リフレッシュが進行中であれば、論理的にローレベルとなり、自動リフレッシュが進行中でなければ、論理的にハイレベルとなる。自動リフレッシュの終わりに、bAUTO‐REFRESH信号は、論理的にローレベルの状態から論理的にハイレベルの状態に移行する。
DARF_MODE信号が論理的にハイレベルであり、bAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルである場合、NANDゲート180は、信号経路182に対し論理的にローレベルの信号を出力する。DARF_MODE信号が論理的にローレベルか、または、bAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルである場合、NANDゲート180は、信号経路182に対し論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ184が、信号経路182の信号を反転させ、BAC_増分信号経路174に対しBAC_INCREMENT信号を出力する。
DARFモードが使用可能である場合の動作では、DARF_MODE信号は論理的にハイレベルとなり、bAUTO‐REFRESH信号は、各自動リフレッシュの終わりに論理的にハイレベルとなる。DARF_MODE信号が論理的にハイレベルであり、bAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルである場合、BAC_INCREMENT信号は、バンクアドレスカウンタ170のカウント値を増分するために、論理的にハイレベルの状態に移行する。
DARFモードが使用禁止である場合、DARF_MODE信号は論理的にローレベルである。DARF_MODE信号が論理的にローレベルである場合、BAC_INCREMENT信号は論理的にローレベルであり、バンクアドレスカウンタ170のカウント値は増分されない。
図5Aは、RAC増分論理部164aの一実施形態を示す回路ブロック図である。RAC増分論理部164aが、各インバータ200、204、および、各NANDゲート208、212、216を含んでいる。
インバータ200の入力部は、AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号を受け取る。インバータ200の出力部は、信号経路202を介して、NANDゲート208の第1の入力部に電気的に接続されている。インバータ204が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を受け取る。インバータ204の出力部は、信号経路206を介して、NANDゲート208の第2の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート212の第1の入力部が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を受け取る。NANDゲート212の第2の入力部が、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号を受け取る。
NANDゲート208の出力部は、信号経路210を介して、NANDゲート216の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート212の出力部は、信号経路214を介して、NANDゲート216の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート216の第3の入力部が、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号を受け取る。NANDゲート216の出力部は、RAC_INCREMENT信号経路172にRAC_INCREMENT信号を出力する。
SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号は、自己リフレッシュが進行中である場合、論理的にハイレベルとなり、自己リフレッシュが進行中ではない場合、論理的にローレベルとなる。AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号は、自動リフレッシュが進行中である場合に、論理的にハイレベルとなり、自動リフレッシュが進行中ではない場合に、論理的にローレベルとなる。
インバータ200が、AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号を反転させ、該信号を信号経路202に出力する。インバータ204が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を反転させ、該信号を信号経路206に出力する。信号経路202の信号が論理的にハイレベル、および信号経路206の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート208が、信号経路210に論理的にローレベルの信号を出力する。信号経路210の信号が論理的にローレベルか、または、信号経路206の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート208が、信号経路210に論理的にハイレベルの信号を出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルで、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート212は、信号経路214に対し論理的にローレベルの信号を出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルか、または、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート212が、信号経路214に対し論理的にハイレベルの信号を出力する。
SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルで、信号経路210の信号が論理的にハイレベルで、信号経路214の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート216が、RAC_INCREMENT信号経路172に論理的にローレベルのRAC_INCREMENT信号を出力する。
SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にローレベルか、信号経路210の信号が論理的にローレベルか、または、信号経路214の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート216が、RAC_INCREMENT信号経路172に論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号を出力する。
DARFモードが使用可能または使用禁止である場合の動作では、自己リフレッシュが終了すると、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。DARFモードが使用禁止である場合、自動リフレッシュが完了すると、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。DARFモードが使用可能である場合、CARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルの場合、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。
DARFモードが使用可能または使用禁止である場合の動作では、自己リフレッシュが終了すると、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。DARFモードが使用禁止である場合、自動リフレッシュが完了すると、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。DARFモードが使用可能である場合、CARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルの場合、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。
RAC_INCREMENT信号が論理的にハイレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値が増分される。RAC_INCREMENT信号が論理的にローレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値は増分されない。
図5Bは、上記RAC増分論理部の他の実施形態としてのRAC増分論理部164bを示す回路ブロック図である。RAC増分論理部164bは、ORゲート220、インバータ226、各トランスミッションゲート224、230を含んでいる。
ORゲート220の第1の入力部が、AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号を受け取る。ORゲート220の第2の入力部が、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号を受け取る。ORゲート220の出力部は、信号経路222を介して、トランスミッションゲート224のデータ入力部に電気的に接続されている。
インバータ226の入力部、論理的にハイレベル信号の入力によりイネーブルとなるトランスミッションゲート230のハイレベルイネーブル入力部、論理的にローレベルの信号の入力によりイネーブルとなるトランスミッションゲート224のローレベルイネーブル入力部は、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号をそれぞれ受け取る。
インバータ226の出力部は、信号経路228を介して、トランスミッションゲート224のハイレベルイネーブル入力部、および、トランスミッションゲート230のローレベルイネーブル入力部に電気的に接続されている。トランスミッションゲート230のデータ入力部は、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号を受け取る。トランスミッションゲート224のデータ出力部およびトランスミッションゲート230のデータ出力部は、RAC_INCREMENT信号経路172に対しRAC_INCREMENT信号を出力する。
AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルか、または、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルの場合、ORゲート220が信号経路222に論理的にハイレベルの信号を出力する。
AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルで、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にローレベルの場合、ORゲート220が信号経路222に論理的にローレベルの信号を出力する。インバータ226が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を反転させ、該信号を信号経路228に出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルで、信号経路228の信号が論理的にハイレベルの場合、トランスミッションゲート224をON状態にし、信号経路222の信号をRAC_INCREMENT信号経路172に出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルで、信号経路228の信号が論理的にローレベルの場合、トランスミッションゲート224をOFF状態にし、信号経路222の信号が、RAC_INCREMENT信号経路172に通じることが遮断される。
信号経路228の信号が論理的にローレベルで、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルの場合、トランスミッションゲート230はON状態になり、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号をRAC_INCREMENT信号経路172に出力する。
信号経路228の信号が論理的にハイレベルで、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルの場合、トランスミッションゲート230をOFF状態にし、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号がRAC_INCREMENT信号経路172に通じることが遮断される。
DARFモードが使用禁止である場合の動作では、SELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルか、または、AUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルの場合において、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。
DARFモードが使用可能である場合、CARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルのときに、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。RAC_INCREMENT信号が論理的にハイレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値は増分される。RAC_INCREMENT信号が論理的にローレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値は増分されない。
図5Cは、上記RAC増分論理部およびバンクアドレスカウンタの他の実施形態としての、RAC増分論理部164cおよびバンクアドレスカウンタ170の要部170aを示す回路ブロック図である。
RAC増分論理部164cは、NANDゲート240、各インバータ242、244、254、NORゲート250を含んでいる。バンクアドレスカウンタ170の要部170aは、各NANDゲート260、272、ディレイ部264、各インバータ268、274、280を含んでいる。
インバータ244の入力部は、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を受け取る。インバータ244の出力部は、信号経路246を介して、NANDゲート240の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート240の第2の入力部は、AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号を受け取る。
NANDゲート240の出力部は、インバータ242の入力部に電気的に接続されている。インバータ242の出力部は、NORゲート250の第1の入力部に電気的に接続されている。NORゲート250の第2の入力部が、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号を受け取る。NORゲート250の第3の入力部が、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号を受け取る。NORゲート250の出力部は、インバータ254の入力部に電気的に接続されている。インバータ254の出力部は、RAC_INCREMENT信号経路172にRAC_INCREMENT信号を出力する。
NANDゲート260の第1の入力部が、BAC<0>信号経路138aのBAC<0>信号を受け取る。NANDゲート260の第2の入力部が、BAC<1>信号経路138bのBAC<1>信号を受け取る。NANDゲート260の出力部は、信号経路262を介して、NANDゲート272の第1の入力部、および、ディレイ部264の入力部(IN)に電気的に接続されている。
ディレイ部264の出力部(OUT)は、信号経路266を介してインバータ268の入力部に電気的に接続されている。インバータ268の出力部は、信号経路270を介して、NANDゲート272の第2の入力部に電気的に接続されている。
インバータ274の入力部は、BACRST信号経路176のBACRST信号を受け取る。インバータ274の出力部は、信号経路276を介して、NANDゲート272の第3の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート272の出力部は、信号経路278を介して、インバータ280の入力部に電気的に接続されている。インバータ280の出力部は、CARRY‐OUT信号経路134にCARRY‐OUT信号を出力する。
インバータ244が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を反転させ、該信号を信号経路246に出力する。AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルで、信号経路246の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート240が論理的にローレベルの信号を出力する。
AUTO‐REFRESH信号経路124dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルか、または、信号経路246の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート240が論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ242が、NANDゲート240からの出力信号を反転させ、該信号を信号経路248に出力する。
信号経路248の信号が論理的にローレベル、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号が論理的にローレベル、かつ、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にローレベルの場合、NORゲート250が、信号経路252に対し論理的にハイレベルの信号を出力する。
信号経路248の信号が論理的にハイレベルか、CARRY‐OUT信号経路134のCARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルか、または、SELF‐REFRESH信号経路124cのSELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルの場合、NORゲート250が、信号経路252に論理的にローレベルの信号を出力する。インバータ254が、信号経路252の信号を反転させ、RAC_INCREMENT信号経路172にRAC_INCREMENT信号を出力する。
BAC<0>信号経路138aのBAC<0>信号が論理的にハイレベル、および、BAC<1>信号経路138bのBAC<1>信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート260が、信号経路262に論理的にローレベルの信号を出力する。BAC<0>信号経路138aのBAC<0>信号が論理的にローレベルか、または、BAC<1>信号経路138bのBAC<1>信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート260が、信号経路262に論理的にハイレベルの信号を出力する。
ディレイ部264が、信号経路262の信号を遅延し、該信号を信号経路266に出力する。インバータ268が、信号経路266の信号を反転させ、該信号を信号経路270に出力する。インバータ272が、BACRST信号経路176のBACRST信号を反転させ、該信号を信号経路276に出力する。
信号経路262の信号が論理的にハイレベル、信号経路270の信号が論理的にハイレベル、および、信号経路276の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート272が、信号経路278に論理的にローレベルの信号を出力する。
信号経路262の信号が論理的にローレベルか、信号経路270の信号が論理的にローレベルか、または、信号経路276の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート272が、信号経路278に論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ280が、信号経路278の信号を反転させ、CARRY‐OUT信号経路134にCARRY‐OUT信号を出力する。
動作中に、BACRST信号が論理的にローレベルの場合に、バンクアドレスカウンタ170の要部170aが、論理的にハイレベルのCARRY‐OUTパルスを出力し、BAC<0>信号およびBAC<1>信号は、論理的にハイレベルの状態から論理的にローレベルの状態に移行する(つまり、バンクアドレスカウンタ170の値が「11」から「00」にリセットされる)。BACRST信号が論理的にハイレベルの場合、CARRY‐OUT信号は論理的にローレベルのままであり、一方、バンクアドレスカウンタ170の値はリセットされる。
DARFモードが使用可能である場合の動作では、SELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルか、またはCARRY‐OUT信号が論理的にハイレベルの場合に、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。DARFモードが使用禁止である場合、AUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルか、または、SELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルの場合に、論理的にハイレベルのRAC_INCREMENT信号が出力される。
RAC_INCREMENT信号が論理的にハイレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値は増分される。RAC_INCREMENT信号が論理的にローレベルの場合、行アドレスカウンタ166のカウント値は増分されない。
図6は、バンクアドレスカウンタ170をリセットするための回路300の一実施形態を示す回路ブロック図である。回路300は、各ディレイ部306、320、328、NORゲート324、各インバータ310、332、各NANDゲート314、318、336を含んでいる。
NANDゲート314の第1の入力部およびディレイ部306の入力部(IN)は、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を受け取る。ディレイ部306の出力部(OUT)は、信号経路308を介して、インバータ310の入力部に電気的に接続されている。インバータ310の出力部は、信号経路312を介して、NANDゲート314の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート314の出力部は、信号経路316を介して、NANDゲート318の第1の入力部に電気的に接続されている。
ディレイ部320の入力部(IN)は、REFADRS信号経路304のリフレッシュアドレス(REFADRS)信号を受け取る。ディレイ部320の出力部(OUT)は、信号経路322を介して、NORゲート324の第1の入力部に電気的に接続されている。NORゲート324の第2の入力部が、SRFENB信号経路302の自己リフレッシュイネーブル(SRFENB)信号を受け取る。
NORゲート324の出力部は、信号経路326を介して、NANDゲート336の第1の入力部およびディレイ部328の入力部(IN)に電気的に接続されている。ディレイ部328の出力部(OUT)は、信号経路330を介して、インバータ332の入力部に電気的に接続されている。インバータ332の出力部は、信号経路334を介して、NANDゲート336の第2の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート336の出力部は、信号経路338を介して、NANDゲート318の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート318の出力部は、BACRST信号経路17にのBACRST信号を出力する。
SRFENB信号は、自己リフレッシュまたは自動リフレッシュが進行中であれば、論理的にハイレベルであり、自己リフレッシュまたは自動リフレッシュが進行中でなければ、論理的にローレベルである。
REFADRS信号は、メモリバンクの読み出し動作または書き込み動作を行うための行アドレスと、メモリバンクをリフレッシュするための行アドレスカウンタ166の行アドレスとの間を選択するために使用される。
REFADRS信号は、メモリバンクのリフレッシュを少なくとも開始するために論理的にハイレベルとなる。メモリバンクのリフレッシュが開始された後、または、メモリバンクの読み出し動作または書き込み動作を行うことができるように、REFADRS信号は論理的にローレベルとなっている。
ディレイ部306が、DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号を遅延し、該信号を信号経路308に出力する。インバータ310が、信号経路308の信号を反転させ、該信号を信号経路312に出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルであり、信号経路312の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート314は、信号経路316に論理的にローレベルの信号を出力する。
DARF_MODE信号経路124aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルか、信号経路312の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート314は、信号経路316に論理的にハイレベルの信号を出力する。
ディレイ部320が、REFADRS信号経路304のREFADRS信号を遅延し、該信号を信号経路322に出力する。SRFENB信号経路302のSRFENB信号が論理的にローレベル、および、信号経路322の信号が論理的にローレベルの場合、NORゲート324が信号経路326に対して論理的にハイレベルの信号を出力する。
SRFENB信号経路302のSRFENB信号が論理的にハイレベルか、信号経路322の信号が論理的にハイレベルの場合、NORゲート324が信号経路326に論理的にローレベルの信号を出力する。
ディレイ部328が、信号経路326の信号を遅延し、該信号を信号経路330に出力する。インバータ332が、信号経路330の信号を反転させ、該信号を信号経路334に出力する。
信号経路326の信号が論理的にハイレベルで、かつ、信号経路334の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート336が、信号経路338に対し論理的にローレベルの信号を出力する。
信号経路326の信号が論理的にローレベルか、信号経路334の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート336は、信号経路338に対し論理的にハイレベルの信号を出力する。
信号経路316の信号が論理的にハイレベル、かつ、信号経路338の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート318が、BACRST信号経路176に論理的にローレベルのBACRST信号を出力する。
信号経路316の信号が論理的にローレベル、または、信号経路338の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート318は、BACRST信号経路176に論理的にハイレベルの信号を出力する。
動作中に、DARFモードが使用可能である場合、DARF_MODE信号は論理的にローレベルの状態から論理的にハイレベルの状態に移行する。DARF_MODE信号が論理的にハイレベルの状態に移行することにより、パルスがBACRST信号経路176に出力される。自己リフレッシュが終了すると、SRFENB信号は論理的にハイレベルの状態から論理的にローレベルの状態に移行する。SRFENB信号が論理的にローレベルの状態に移行することにより、パルスがBACRST信号経路176に出力される。
自動リフレッシュが始まった後、REFADRS信号は、論理的にハイレベルの状態から論理的にローレベルの状態に移行する。REFADRS信号が論理的にローレベルの状態に移行することにより、および、ディレイ部320によって規定された遅延時間後、パルスが、BACRST信号経路176に出力される。
自己リフレッシュが終了すると、行アドレスカウンタ166のカウント値が増分される。行アドレスカウンタ166は、続く行アドレス用に第0バンク112aのスキップを防止するために増分された後、バンクアドレスカウンタ170がリセットされる。
BACRST信号が論理的にハイレベルの場合、バンクアドレスカウンタ170のカウント値はリセットされる。BACRST信号が論理的にローレベルの場合、バンクアドレスカウンタ170のカウント値はリセットされない。
図7Aは、各メモリバンク112a‐112(n)の何れかを選択するための回路350の一実施形態を示す図である。回路350は、各NANDゲート356、362、360を含んでいる。
NANDゲート356の第1の入力部が、BANK<0:n>通信路352のBANK<0:n>信号を受け取る。NANDゲート356の第2の入力部が、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号を受け取る。NANDゲート356の出力部は、通信路358を介して、NANDゲート360の第1の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート362の第1の入力部が、SRF_BANK_SELECTION<0:n>通信路354のSRF_BANK_SELECTION<0:n>信号を受け取る。NANDゲート362の第2の入力部が、SELF‐REFRESH信号経路140cのSELF‐REFRESH信号を受け取る。NANDゲート362の出力部は、通信路364を介して、NANDゲート360の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート360の出力部は、BNKSEL<0:n>通信路148にBNKSEL<0:n>信号を出力する。
DARFモードが使用禁止である場合では、BANK<0:n>信号は、全ての各メモリバンク112a‐112(n)に対して論理的にハイレベルとなっている。DARFモードが使用可能である場合、BANK<0:n>信号は、自動リフレッシュされるメモリバンク112a‐112(n)に対して論理的にハイレベルとなっており、自動リフレッシュされないメモリバンク112a‐112(n)に対しては論理的にローレベルとなっている。
SRF_BANK_SELECTION<0:n>信号は、自己リフレッシュモードでリフレッシュされるメモリバンク112a‐112(n)のために論理的にハイレベルとなっており、自己リフレッシュモードでリフレッシュされないメモリバンク112a‐112(n)のためには論理的にローレベルとなっている。
BANK<0:n>通信路352のBANK<0:n>信号が論理的にハイレベル、および、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート356が、通信路358に論理的にローレベルの信号を出力する。
BANK<0:n>通信路352のBANK<0:n>信号が論理的にローレベルか、または、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート356が、通信路358に論理的にハイレベルの信号を出力する。
SRF_BANK_SELECTION<0:n>通信路354のSRF_BANK_SELECTION<0:n>信号が論理的にハイレベルであり、かつ、SELF‐REFRESH信号経路140cのSELF‐REFRESH信号が論理的にハイレベルである場合、NANDゲート362は、通信路364に対し論理的にローレベルな信号を出力する。
SRF_BANK_SELECTION<0:n>通信路354のSRF_BANK_SELECTION<0:n>信号が論理的にローレベルか、または、SELF‐REFRESH信号経路140cのSELF‐REFRESH信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート362は、通信路364に論理的にハイレベルの信号を出力する。
通信路358の信号が論理的にハイレベルであり、同様に通信路364の信号が論理的にハイレベルである場合、NANDゲート360は、BNKSEL<0:n>通信路148に論理的にローレベルのBNKSEL<0:n>信号を出力する。
通信路358の信号が論理的にローレベルか、または、同様に通信路364の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート360は、BNKSEL<0:n>通信路148に論理的にハイレベルのBNKSEL<0:n>信号を出力する。
動作中に、AUTO‐REFRESH信号は、BANK<0:n>信号と組み合わされ、SRF_BANK_SELECTION<0:n>信号は、SELF‐REFRESH信号と組み合わされる。これにより、各メモリバンク112a‐112(n)における指定されたメモリバンクが選択される。メモリバンク112a‐112(n)のBNKSEL<0:n>信号が論理的にハイレベルのときは、上記メモリバンク112a‐112(n)が選択されていることを示している。
図7Bは、各メモリバンク112a‐112(n)を選択するための回路の他の実施形態を示す回路ブロック図である。上記回路は、DARFバンク選択部142aおよびNANDゲート146を含む。本実施形態では、nは3である。DARFバンク選択部142aが、各NANDゲート400、404、412、416、420、434、および、各インバータ408、424、428、430、438を含んでいる。
NANDゲート400の第1の入力部が、bAUTO‐REFRESH信号経路140bのbAUTO‐REFRESH信号を受け取る。NANDゲート400の出力部は、信号経路402を介して、NANDゲート404の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート404の出力部は、信号経路406を介して、NANDゲート400の第2の入力部およびインバータ408の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート404の第2の入力部が、bBNKIDLE信号経路140eからの、反転したバンクアイドル(bBNKIDLE)信号を受け取る。インバータ408の出力部は、自動リフレッシュパルス(ARFPULSE)信号経路410を介して、NANDゲート412の第1の入力部に電気的に接続されている。
インバータ430の入力部は、BAC<0:1>通信路138のBAC<0:1>信号を受け取る。インバータ430の出力部は、bBAC<0:1>通信路432にbBAC<0:1>信号を出力する。NANDゲート434の第1の入力部は、通信路432aを介して、bBAC<0>信号、BAC<0>信号、bBAC<0>信号、およびBAC<0>信号を受け取る。NANDゲート434の第2の入力部は、通信路432bを介して、bBAC<1>信号、bBAC<1>信号、BAC<1>信号、およびBAC<1>信号を受け取る。
NANDゲート434の出力部は、通信路436を介して、インバータ438の入力部に電気的に接続されている。インバータ438の出力部は、自動リフレッシュバンク(ARFBNK<0:3>)通信路440を介して、NANDゲート412の第2の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート412の出力部は、DARF(bSET_BSDARF<0:3>)通信路414を介して、バンク選択の反転させたセットのために、NANDゲート416の第1の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート416の出力部は、通信路418を介してNANDゲート420の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート420の出力部は、bBSDARF<0:3>通信路422を介して、NANDゲート416の第2の入力部、インバータ424の入力部、NANDゲート404の各入力部に対し、それぞれ電気的に接続されている。
NANDゲート404の第3の入力部が、bBSBARF<0>信号経路422aのbBSBARF<0>信号を受け取る。NANDゲート404の第4の入力部が、bBSBARF<1>信号経路422bのbBSBARF<1>信号を受け取る。NANDゲート404の第5の入力部が、bBSBARF<2>信号経路422cのbBSBARF<2>信号を受け取る。NANDゲート404の第6の入力部が、bBSBARF<3>信号経路422dのbBSBARF<3>信号を受け取る。
NANDゲート420の第2の入力部が、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号を受け取る。NANDゲート420の第3の入力部が、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号を受け取る。
インバータ424の出力部は、通信路426を介してインバータ428の入力部に電気的に接続されている。インバータ428の出力部は、bDARF_BNKSEL<0:3>通信路144を介して、NANDゲート146の第1の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート146の第2の入力部が、bBANK_ACTIVATE<0:3>通信路152aからの、反転したバンク起動(bBANK_ACTIVATE<0:3>)信号を受け取る。NANDゲート146の第3の入力部が、SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>通信路152bのSELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号を受け取る。NANDゲート146の出力部は、BNKSEL<0:3>通信路148にBNKSEL<0:3>信号を出力する。
bBANK_ACTIVATE<0:3>信号は、起動されるように選択されたメモリバンク112a‐112(n)毎に論理的にローレベルとなっており、起動するようには選択されなかったメモリバンク112a‐112(n)毎には論理的にハイレベルとなっている。
SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号は、自己リフレッシュされるように選択されたメモリバンク112a‐112(n)毎に対して、論理的にローレベルとなっている。
SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号も、DARFモードが使用禁止である場合に、自動リフレッシュされるように選択されたメモリバンク112a‐112(n)毎に対して論理的にローレベルとなっている。
SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号は、自己リフレッシュされないか、または、DARFモードが使用禁止である場合に自動リフレッシュされない、メモリバンク112a‐112(n)毎に対して、論理的にハイレベルになっている。bBNKIDLE信号は、全てのメモリバンク112a‐112(n)が活動停止中であれば、論理的にローレベルであり、メモリバンク112a‐112(n)が予備充電されているか、または、活動状態にあれば、論理的にハイレベルである。
bAUTO‐REFRESH信号経路140bのbAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベルで、信号経路406の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート400は、信号経路402に対し論理的にローレベルの信号を出力する。
bAUTO‐REFRESH信号経路140bのbAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルか、または、信号経路406の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート400は、信号経路402に対し論理的にハイレベルの信号を出力する。
信号経路402の信号が論理的にハイレベル、BSDARF<0>信号経路422aのbBSDARF<0>信号が論理的にハイレベル、BSDARF<1>信号経路422bのbBSDARF<1>信号が論理的にハイレベル、BSDARF<2>信号経路422cのbBSDARF<2>信号が論理的にハイレベル、BSDARF<3>信号経路422dのbBSDARF<3>信号が論理的にハイレベル、および、bBNKIDLE信号経路140eのbBNKIDLE信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート404は、信号経路406に論理的にローレベルの信号を出力する。
信号経路402の信号が論理的にローレベルか、BSDARF<0>信号経路422aのbBSDARF<0>信号が論理的にローレベルか、BSDARF<1>信号経路422bのbBSDARF<1>信号が論理的にローレベルか、BSDARF<2>信号経路422cのbBSDARF<2>信号が論理的にローレベルか、BSDARF<3>信号経路422dのbBSDARF<3>信号が論理的にローレベルか、または、bBNKIDLE信号経路140eのbBNKIDLE信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート404は、信号経路406に論理的にハイレベルの信号を出力する。NANDゲート400およびNANDゲート404は、ラッチの機能を備えている。
インバータ408が、信号経路406の信号を反転させ、ARFPULSE信号経路410にARFPULSE信号を出力する。インバータ430が、BAC<0:1>通信路138のBAC<0:1>信号を反転させ、bBAC<0:1>通信路432にbBAC<0:1>信号を出力する。
通信路432aの信号が論理的にハイレベル、同様に通信路432bの信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート434が、通信路436に論理的にローレベルの信号を出力する。通信路432aの信号が論理的にローレベルか、または、同様に通信路432bの信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート434が、通信路436に論理的にハイレベルの信号を出力する。
インバータ438が、通信路436の信号を反転させ、ARFBNK<0:3>通信路440にARFBNK<0:3>信号を出力する。ARFPULSE信号経路410のARFPULSE信号が論理的にハイレベル、ARFBNK<0:3>通信路440のARFBNK<0:3>信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート412が、bSET_BSDARF<0:3>通信路414に論理的にローレベルのbSET_BSDARF<0:3>信号を出力する。
ARFPULSE信号経路410のARFPULSE信号が論理的にローレベルか、または、ARFBANK<0:3>通信路440のARFBNK<0:3>信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート412が、bSET_BSDARF<0:3>通信路414に論理的にハイレベルのbSET_BSDARF<0:3>信号を出力する。
bSET_BSDARF<0:3>通信路414のbSET_BSDARF<0:3>信号が論理的にハイレベル、同様にbBSDARF<0:3>通信路422のbBSDARF<0:3>信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート416は、通信路418に対し論理的にローレベルの信号を出力する。
bSET_BSDARF<0:3>通信路414のbSET_BSDARF<0:3>信号が論理的にローレベルか、または、bBSDARF<0:3>通信路422のbBSDARF<0:3>信号が論理的にローレベルの場合、それらに対応した論理的にハイレベルの信号を、NANDゲート416は通信路418に対し出力する。
通信路418の信号が論理的にハイレベル、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベル、および、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート420は、bBSDARF<0:3>通信路422に論理的にローレベルのbBSDARF<0:3>信号を出力する。
通信路418の信号が論理的にローレベルか、AUTO‐REFRESH信号経路140dのAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルか、または、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート420は、bBSDARF<0:3>通信路422に論理的にハイレベルのbBSDARF<0:3>信号を出力する。NANDゲート416およびNANDゲート420は、ラッチ機能を備えている。
インバータ424は、bBSDARF<0:3>通信路422のbBSDARF<0:3>信号を反転させ、その反転信号を通信路426に供給する。インバータ428は、通信路426の信号を反転させ、bDARF_BNKSEL<0:3>通信路144にbDARF_BNKSEL<0:3>信号を出力する。
bBANK_ACTIVATE<0:3>通信路152aのbBANK_ACTIVATE<0:3>信号が論理的にハイレベル、SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>通信路152bのSELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号が論理的にハイレベル、および、bDARF_BNKSEL<0:3>通信路144のbDARF_BNKSEL<0:3>信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート146は、BNKSEL<0:3>通信路148に論理的にローレベルのBNKSEL<0:3>信号を出力する。
bBANK_ACTIVATE<0:3>通信路152aのbBANK_ACTIVATE<0:3>信号が論理的にローレベルか、SELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>通信路152bのSELF‐REFRESHおよびNON‐DARF AUTO‐REFRESH<0:3>信号が論理的にローレベルか、または、bDARF_BNKSEL<0:3>通信路144のbDARF_BNKSEL<0:3>信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート146は、BNKSEL<0:3>通信路148に論理的にハイレベルのBNKSEL<0:3>信号を出力する。
動作中において、各BAC<0:1>信号は、DARFモードでリフレッシュされるように、次のメモリバンク112a‐112(n)のためのメモリバンクアドレスを供給する。上記各メモリバンクアドレスは、メモリバンク毎にARFBNK<0:3>信号を出力するように、単一値に復号される。
自動リフレッシュ命令が復号されると、上記自動リフレッシュ命令は、bAUTO‐REFRESH信号を生成する。上記bAUTO‐REFRESH信号は、NANDゲート400およびNANDゲート404により備えられた第1のセット/リセットラッチの機能をセットする。
これにより、ARFPULSE信号が生成される。上記ARFPULSE信号は、各ARFBANK<0:3>信号と組み合わされて、bSET_BSDARF<0:3>信号を供給する。上記bSET_BSDARF<0:3>信号は、DARFが実行されるべき、メモリバンク112a‐112(n)のために、論理的にローレベルのパルスとなっている。これにより、このメモリバンクの選択部としてのセット/リセットラッチ(NANDゲート416およびNANDゲート420)が設定される。
次に、bBSDARF<0:3>信号は、NANDゲート400およびNANDゲート404の第1のセット/リセットラッチをリセットするためにリターンされる。上記第1のセット/リセットラッチは、NANDゲート416およびNANDゲート420の第2のセット/リセットラッチのセットを解除する。このメモリバンクの選択は、自動リフレッシュが終了すると、解除される。
DARF_MODE信号は、各NANDゲート416、420によって備えられた第2のセット/リセットラッチに入力される。これにより、DARFモードが使用禁止になっているとき、上記第2のセット/リセットラッチはリセットされた状態が維持される。
BNKIDLE信号は、リフレッシュ動作が完了すると、論理的にローレベルの状態に移行する。該BNKIDLE信号は、リフレッシュ動作が完了したときに各NANDゲート400、404のラッチ機能をリセットするために、NANDゲート404に入力される。
図8は、二段の行アドレスラッチ部130の一実施形態を示す回路ブロック図である。二段の行アドレスラッチ部130は、テストモード論理回路および初期化回路600、各ラッチ628、644、各NANDゲート606、614、および、各インバータ618、632、636、640を含んでいる。
テストモード論理回路および初期化回路600の出力部は、信号経路602を介して、NANDゲート606の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート606の第2の入力部は、bACT信号経路604からの、反転した起動(bACT)信号を受け取る。
NANDゲート606の出力部は、クロックイネーブル(CLKEN)信号経路612を介して、NANDゲート614の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート614の第2の入力部が、CLK信号経路608のクロック(CLK)信号を受け取る。NANDゲート614の第3の入力部が、bRACOE信号経路610からの、反転した行アドレスカウンタ出力イネーブル(bRACOE)信号を受け取る。
NANDゲート614の出力部は、信号経路616を介して、インバータ618の入力部に電気的に接続されている。インバータ618の出力部は、クロック行アドレス(CLK_RADD)信号経路620を介して、ラッチ644のクロック(CLK)入力部に電気的に接続されている。
ラッチ628のD入力部は、SA<0:m>通信路622の読み出し書き込み動作(SA<0:m>)信号用の行アドレスを受け取る。ラッチ628のクロック(CLK)入力部は、CLKHLD信号経路624のクロック保持(CLKHLD)信号を受け取る。ラッチ628の反転クロック(bCLK)入力部は、bCLKHLD信号経路626の反転したクロック保持(bCLKHLD)信号を受け取る。
ラッチ628のQ出力部は、通信路630を介して、インバータ632の入力部に電気的に接続されている。インバータ632の出力部は、通信路634を介して、インバータ636の入力部に電気的に接続されている。インバータ636の出力部は、通信路638を介して、インバータ640の入力部に電気的に接続されている。インバータ640の出力部は、通信路642を介して、読み出し書き込み動作のために、ラッチ644における、反転行アドレス入力部(bGA)に電気的に接続されている。
ラッチ644のRAC入力部は、RAC<0:m>通信路128のRAC<0:m>信号を受け取る。ラッチ644のGRADD出力部は、GRADD<0:m>通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。
テストモード論理回路および初期化回路600は、メモリ106の動作準備がまだ整っていない場合は、信号経路602に論理的にローレベルの信号を出力する。テストモード論理回路および初期化回路600は、メモリ106の動作準備が整っている場合は、信号経路602に論理的にハイレベルの信号を出力する。bACT信号は、メモリバンク112a‐112(n)が読み出しまたは書き込みアクセスのために起動されていれば、論理的にローレベルに、メモリバンク112a‐112(n)が読み出しまたは書き込みアクセスのために起動されていなければ、論理的にハイレベルに設定される。
bRACOE信号は、行アドレスカウンタ166の出力部が使用可能(イネーブル)であれば、論理的にローレベルであり、行アドレスカウンタ166の出力部が使用禁止であれば、論理的にハイレベルとなる。CLKHLD信号およびbCLKHLD信号は、ラッチ命令に用いられる信号である。
信号経路602の信号が論理的にハイレベル、bACT信号経路604のbACT信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート606は、CLKEN信号経路612に論理的にローレベルのCLKEN信号を出力する。信号経路602の信号が論理的にローレベルか、または、bACT信号経路604のbACT信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート606は、CLKEN信号経路612に論理的にハイレベルのCLKEN信号を出力する。
CLK信号経路608のCLK信号が論理的にハイレベル、bRACOE信号経路610のbRACOE信号が論理的にハイレベル、および、CLKEN信号経路612のCLKEN信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート614は、信号経路616に論理的にローレベルの信号を出力する。
CLK信号経路608のCLK信号が論理的にローレベルか、bRACOE信号経路610のbRACOE信号が論理的にローレベルか、または、CLKEN信号経路612のCLKEN信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート614は、信号経路616に論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ618が、信号経路616の信号を反転させ、CLK_RADD信号経路620にCLK_RADD信号を出力する。
ラッチ628が、SA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号、CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号、および、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号を受け取り、信号を通信路630に出力する。CLKHLD信号が論理的にローレベルで、bCLKHLD信号が論理的にハイレベルの場合、ラッチ628は、SA<0:m>信号をラッチ内に取り込む。CLKHLD信号が論理的にハイレベル、bCLKHLD信号が論理的にローレベルの場合、ラッチ628は、SA<0:m>信号をラッチし、通信路630にSA<0:m>信号を通す。
インバータ632は、通信路630の信号を反転させ、該信号を通信路634に出力する。インバータ636は、通信路634の信号を反転させ、該信号を通信路638に出力する。インバータ640は、通信路638の信号を反転させ、該信号を通信路642に出力する。
ラッチ644は、通信路642の信号、CLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号、および、RAC<0:m>通信路128のRAC<0:m>信号を受け取り、GRADD<0:m>通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。
CLK_RADD信号が論理的にローレベルの場合、ラッチ644は、通信路642の信号を該ラッチ内に取り込み、RAC<0:m>信号をGRADD<0:m>通信路132に通す。
CLK_RADD信号が論理的にハイレベルの場合、ラッチ644は、通信路642の信号をラッチし、上記信号をGRADD<0:m>通信路132に通す。
動作中において、二段のラッチ方法を用いて、指定自動リフレッシュおよび起動命令を互いに連続して行うことができる。復号されたDARF命令は、リフレッシュ制御部122に入力され、行アドレスラッチ部130に入力されるRACOE信号の生成を始動させる。
RACOE信号は、ゲートを閉じて、行アドレスバス(GRADD<0:m>)上への読み出し書き込み動作用の行アドレスの送出を停止するものである。また、RACOE信号は、ゲートを開くことにより、行アドレスカウンタ166から行アドレスバス上に対してリフレッシュ行アドレスを送出させることができる。RACOE信号は、フリップフロップ型のラッチ644にとっては十分に長い期間、機能する。
次の起動命令に対して、bRACOE信号は論理的にハイレベルとなる。論理的にハイレベルのCLKHOLD信号によって、読み出し書き込み動作用の行アドレスは、行アドレスバス(GRADD<0:m>)に供給される。
図9Aは、連続した、指定自動リフレッシュおよび起動命令の各信号のタイミングの一実施形態を示すタイミングチャート500である。タイミングチャート500は、CLK信号経路608のクロック(CLK)信号502、命令(CMD)信号504、GRADD<0:m>通信路132のGRADD<0:m>信号506、BNKSEL<0:3>通信路148のBNKSEL<0>信号508、および、BNKSEL<0:3>通信路148のBNKSEL<1>信号510を含んでいる。
DARFモードが使用可能である場合、各メモリバンクの使用可能な時間帯域の幅を改善するために、DARFが、クロックサイクルに応じてメモリバンク112a‐112(n)内の第1のメモリバンクにおいて実行され、起動命令が、次のクロックサイクルに応じてメモリバンク112a‐112(n)内の第2のメモリバンクにおいて実行される。
これにより、新しいタイミング制約が、バンクアドレスバスおよび行アドレスバスにおいて設定される。このデータは、DARFの一サイクルの間有効であり、その後、次のクロックサイクルにおいて起動命令のために用いられる。
CLK信号502の立ち上がりエッジ512に応じて、CMD信号504における514にて示されたタイミングにてDARFモード命令が受け取られる。514でのDARFモード命令に応じて、行アドレスカウンタのアドレスは、516のタイミングにて、GRADD<0:m>信号506に対して供給される。520のタイミングでは、第0バンクが選択される。
また、CLK信号502における、次の立ち上がりエッジ522に応じて、524のタイミングにおいて起動命令が受け取られる。起動命令に応じて、読み出し動作または書き込み動作用のpinsからの行アドレスは、526のタイミングにおいて、GRADD<0:m>信号506に供給される。
グローバル行アドレスの供給は、BNKSEL<1>信号510が528のタイミングにおいて論理的にハイレベルの状態に移行する前に完了する。GRADD<0:m>信号506は、BNKSEL<0>信号508を有する行アドレスラッチ部130によってラッチされるには十分に長く有効であるが、次の命令に悪影響を与えないようにするには短すぎる。
図9Bは、連続した、指定自動リフレッシュおよび起動命令のための各信号のタイミングの他の実施形態を示すタイミングチャート550である。タイミングチャート550が、CLK信号経路608のCLK信号502、CMD信号504、行アドレスカウンタ出力イネーブル(RACOE)信号552、GRADD<0:m>通信路132のGRADD<0:m>信号506、および、SA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号554を含んでいる。
CLK信号502の立ち上がりエッジ556に応じた、DARF命令が、CMD信号504の領域558において受け取られる。DARF命令に応じて、RACOE信号552が、領域560において、論理的にハイレベルの状態に移行する。RACOE信号552の立ち上がりエッジ560に応じて、行アドレスカウンタのアドレスは、領域562において、GRADD<0:m>信号506に対し供給される。
CLK信号502における、次の立ち上がりエッジ564に応じた、起動命令が、CMD信号504の領域566において受け取られる。上記起動命令に応じて、領域570でのSA<0:m>信号554のアドレスは、領域568において、GRADD<0:m>信号506に対し供給される。
図10は、行アドレスラッチ部130の第1のラッチ段628の一実施形態を示す回路ブロック図である。第1のラッチ段628は、各3ステートインバータ650、658、および、各インバータ654、660を含んでいる。
3ステートインバータ650のデータ入力部は、入力D通信路であるSA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号を受け取る。3ステートインバータ650における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部は、CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号を受け取る。3ステートインバータ650における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部は、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号を受け取る。3ステートインバータ650のデータ出力部は、通信路652を介して、3ステートインバータ658のデータ出力部、インバータ654の入力部、および、インバータ660の入力部に電気的に接続されている。
インバータ654の出力部は、通信路656を介して、3ステートインバータ658のデータ入力部に電気的に接続されている。3ステートインバータ658における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部は、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号を受け取る。3ステートインバータ658における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部は、CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号を受け取る。インバータ660の出力部は、これらの信号を出力Qの通信路630に出力する。
CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号が論理的にローレベルで、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号が論理的にハイレベルの場合、3ステートインバータ650をON状態にして、入力D通信路であるSA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号を通し、反転させて、該信号を通信路652に出力する。
CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号が論理的にハイレベル、および、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号が論理的にローレベルの場合、3ステートインバータ650をOFF状態にして、入力D通信路であるSA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号を、反転させて通信路652に通さないように遮断する。OFF状態の3ステートインバータ650によって、該3ステートインバータ650の出力部は、ハイインピーダンスである。
インバータ654が、通信路652の信号を反転させ、該信号を通信路656に出力する。インバータ660が、通信路652の信号を反転させ、該信号を出力Qの通信路630に出力する。
CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号が論理的にハイレベル、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号が論理的にローレベルの場合、3ステートインバータ658をON状態にし、通信路656の信号を通し、反転させて、該信号を通信路652に出力する。CLKHLD信号経路624のCLKHLD信号が論理的にローレベルで、bCLKHLD信号経路626のbCLKHLD信号が論理的にハイレベルの場合、3ステートインバータ658をOFF状態にして、通信路656の信号を、反転しては通信路652に通さないように遮断する。3ステートインバータ658がOFF状態であることにより、3ステートインバータ658の出力部は、ハイインピーダンスである。3ステートインバータ658およびインバータ654が、入力D通信路であるSA<0:m>通信路622のSA<0:m>信号をラッチするためのラッチ機能を備えている。
動作中、CLKHLD信号が論理的にローレベルで、bCLKHLD信号が論理的にハイレベルの場合、SA<0:m>信号は、インバータ654および3ステートインバータ658に備えられたラッチを通る。CLKHLD信号が論理的にハイレベル、bCLKHLD信号が論理的にローレベルの場合、SA<0:m>信号は、インバータ654および3ステートインバータ658によってラッチされ、出力Qの通信路630に出力される。
図11は、行アドレスラッチ部130の第2のラッチ段644の一実施形態を示す回路ブロック図である。第2のラッチ段644は、各インバータ662、672、678、682、684、688、692、3ステートインバータ670、および、各トランスミッションゲート666、676を含んでいる。
インバータ662の入力部、3ステートインバータ670における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部、トランスミッションゲート666における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部、および、トランスミッションゲート676における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部は、CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号を受け取る。インバータ662の出力部は、トランスミッションゲート666における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部、3ステートインバータ670における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部、および、トランスミッションゲート676における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部に電気的に接続されている。
トランスミッションゲート666のデータ入力部は、bGA入力の通信路642の信号を受け取る。トランスミッションゲート666のデータ出力部は、通信路668を介して、インバータ672の入力部、および、3ステートインバータ670の出力部に電気的に接続されている。インバータ672の出力部は、通信路674を介して、トランスミッションゲート676のデータ入力部および3ステートインバータ670のデータ入力部に電気的に接続されている。
トランスミッションゲート676のデータ出力部は、RAC入力の通信路128を介して、インバータ682の出力部、および、インバータ678の入力部に電気的に接続されている。インバータ678の出力部は、通信路680を介して、インバータ682の入力部、および、インバータ684の入力部に電気的に接続されている。
インバータ684の出力部は、通信路686を介して、インバータ688の入力部に電気的に接続されている。インバータ688の出力部は、通信路690を介して、インバータ692の入力部に電気的に接続されている。インバータ692の出力部は、GRADD出力通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。
インバータ662が、CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号を反転させ、該信号を信号経路664に出力する。CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にローレベルで、信号経路664の信号が論理的にハイレベルとなる場合、トランスミッションゲート666をON状態にし、bGAの入力通信路642の信号を通信路668に通す。
CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にハイレベルで、信号経路664の信号が論理的にローレベルとなる場合、トランスミッションゲート666をOFF状態にし、bGA入力の通信路642の信号を、通信路668に通さずに遮断する。
インバータ672が、通信路668の信号を反転させ、該信号を通信路674に出力する。CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にハイレベルで、信号経路664の信号が論理的にローレベルとなる場合、3ステートインバータ670をON状態にし、通信路674に信号を通し、反転させて、該信号を通信路668に出力する。
CLK入力用信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にローレベルで、信号経路664の信号が論理的にハイレベルとなる場合、3ステートインバータ670をOFF状態にして、通信路674の信号を、反転して通信路668に通さずに遮断する。3ステートインバータ670がOFF状態である場合、3ステートインバータ670の出力は、ハイインピーダンスである。3ステートインバータ670およびインバータ672が、ラッチ機能を備えている。
CLK入力信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にハイレベルで、信号経路664の信号が論理的にローレベルとなる場合、トランスミッションゲート676をON状態にして、通信路674の信号をRAC入力の通信路128に通す。CLK入力信号経路であるCLK_RADD信号経路620のCLK_RADD信号が論理的にローレベルで、信号経路664の信号が論理的にハイレベルとなる場合、トランスミッションゲート676をOFF状態にし、通信路674の信号を、RAC入力の通信路128に通さずに遮断する。
インバータ678が、RAC入力通信路128の信号を反転させ、該信号を通信路680に出力する。インバータ682が、通信路680の信号を反転させ、該信号をRAC入力の通信路128に出力する。各インバータ678、682が、ラッチ機能を備えている。インバータ684が、通信路680の信号を反転させ、該信号を通信路686に出力する。インバータ688が、通信路686の信号を反転させ、該信号を通信路690に出力する。インバータ692が、通信路690の信号を反転させ、GRADD出力の通信路132にGRADD<0:m>信号を出力する。
動作中、CLK_RADD信号が論理的にローレベルの場合、bGA入力の通信路642の信号は、インバータ672および3ステートインバータ670にて備えられたラッチ機能に供給される。CLK_RADD信号が論理的にハイレベルの場合、bGA入力の通信路642の信号は、インバータ672および3ステートインバータ670によってラッチされ、RACOE信号が論理的にローレベルの場合、各インバータ678、682にて備えられたラッチ機能に供給される。
各インバータ678、682にて備えられたラッチ機能は、RACOE信号が論理的にハイレベルの場合、RAC入力の通信路128のRAC<0:m>信号をラッチする。出力GRADD<0:m>信号は、CLK_RADD信号が論理的にローレベルであれば、RAC<0:m>信号であり、CLK_RADD信号が論理的にハイレベルであれば、SA<0:m>信号である。
図12は、メモリバンク112a‐112(n)をバイパスするための回路142bの一実施形態を示す回路ブロック図である。本実施形態では、nは3である。一実施形態では、回路142bが、DARFバンク選択部142の一部である。回路142bは、各インバータ430、704、714、および、各NANDゲート700、708、718を含んでいる。インバータ430が、BAC<0:1>通信路138のBAC<0:1>信号を受け取り、bBAC<0:1>通信路432にbBAC<0:1>信号を出力する。
NANDゲート700の第1の入力部が、通信路432aを介して、bBAC<0>信号、BAC<0>信号、bBAC<0>信号、および、BAC<0>信号を受け取る。NANDゲート700の第2の入力部が、通信路432bを介して、bBAC<1>信号、bBAC<1>信号、BAC<1>信号、および、BAC<1>信号を受け取る。NANDゲート700の出力部は、通信路702を介して、インバータ704の入力部に電気的に接続されている。
インバータ704の出力部は、次のバンクアドレスカウンタ(NEXTBAC<0:3>)通信路706を介して、NANDゲート708の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート708の第2の入力部が、BANKSEL<0:3>通信路148のBNKSEL<0:3>信号を受け取る。NANDゲート708の第3の入力部が、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号を受け取る。NANDゲート708の出力部は、反転ブロック(bBLOCK<0:3>)通信路710を介して、NANDゲート718の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート718の第1の入力部が、bBLOCK<0>通信路710aに電気的に接続されており、NANDゲート718の第2の入力部が、bBLOCK<1>信号経路710bに電気的に接続されており、NANDゲート718の第3の入力部が、bBLOCK<2>信号経路710cに電気的に接続されており、NANDゲート718の第4の入力部が、bBLOCK<3>信号経路710dに電気的に接続されている。
NANDゲート718の出力部は、信号経路712を介して、インバータ714の入力部に電気的に接続されている。インバータ714の出力部は、bBARF信号経路716に反転したバイパス自動リフレッシュ(bBARF)信号を出力する。
インバータ430が、BAC<0:1>通信路138のBAC<0:1>信号を反転させ、bBAC<0:1>通信路432にbBAC<0:1>信号を出力する。通信路432aの信号が論理的にハイレベル、同様に通信路432bの信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート700が、通信路702に論理的にローレベルの信号を出力する。通信路432aの信号が論理的にローレベルか、または、同様に通信路432bの信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート700が、通信路702に論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ704が、通信路702の信号を反転させ、NEXTBAC<0:3>通信路706にNEXTBAC<0:3>信号を出力する。
NEXTBAC<0:3>通信路706のNEXTBAC<0:3>信号が論理的にハイレベル、同様にBNKSEL<0:3>通信路148のBNKSEL<0:3>信号が論理的にハイレベル、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート708が、bBLOCK<0:3>通信路710に論理的にローレベルのbBLOCK<0:3>信号を出力する。
NEXTBAC<0:3>通信路706のNEXTBAC<0:3>信号が論理的にローレベルか、同様にBNKSEL<0:3>通信路148のBNKSEL<0:3>信号が論理的にローレベルか、または、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート708が、bBLOCK<0:3>通信路710に論理的にハイレベルの信号を出力する。
bBLOCK<0>信号経路710aのbBLOCK<0>信号が論理的にハイレベル、bBLOCK<1>信号経路710bのbBLOCK<1>信号が論理的にハイレベル、bBLOCK<2>信号経路710cのbBLOCK<2>信号が論理的にハイレベル、bBLOCK<3>信号経路710dのbBLOCK<3>信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート718が、信号経路712に論理的にローレベルの信号を出力する。
bBLOCK<0>信号710aのbBLOCK<0>信号が論理的にローレベルか、bBLOCK<1>信号経路710bのbBLOCK<1>信号が論理的にローレベルか、bBLOCK<2>信号経路710cのbBLOCK<2>信号が論理的にローレベルか、または、bBLOCK<3>信号経路710dのbBLOCK<3>信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート718が、信号経路712に論理的にハイレベルの信号を出力する。インバータ714が、信号経路712の信号を反転させ、bBARF信号経路716にbBARF信号を出力する。
動作中、メモリバンク112a‐112(n)が活動状態であり、BAC136が、該活動状態のメモリバンク112a‐112(n)に対して、次の自動リフレッシュ命令が付与されるために増分するように設定される場合、bBARF信号は、自動リフレッシュ命令を遮断するように、論理的にローレベルとなっている。
メモリバンク112a‐112(n)が非活動状態であり、BAC136が、該非活動状態のメモリバンク112a‐112(n)に対して次の自動リフレッシュ命令が付与されるために増分するように設定される場合、bBARF信号は、自動リフレッシュ命令を可能にするように、論理的にハイレベルなっている。
図13は、他のメモリバンク112a‐112(n)が活動状態である間の、指定自動リフレッシュを可能にするための回路800の一実施形態を示す回路ブロック図である。回路800は、NORゲート802、各インバータ806、814、818、826、830、834、NANDゲート810、3ステートインバータ822を含んでいる。
NORゲート802の第1の入力部が、DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号を受け取る。NORゲート802の第2の入力部が、BNKIDLE信号経路140eのBNKIDLE信号を受け取る。NORゲート802の出力部は、信号経路804を介して、インバータ806の入力部に電気的に接続されている。
インバータ806の出力部は、反転したリフレッシュ無効(bIGNORE_REFRESH)信号経路808を介して、NANDゲート810の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート810の第2の入力部、インバータ834の入力部、および、3ステートインバータ822における、論理的にローレベルにてイネーブルな入力部が、CLK信号経路832のCLK信号を受け取る。
インバータ834の出力部は、信号経路836を介して、3ステートインバータ822における、論理的にハイレベルにてイネーブルな入力部に電気的に接続されている。3ステートインバータ822のデータ入力部は、bAUTO_REFRESH信号経路140bのbAUTO‐REFRESH信号を受け取る。3ステートインバータ822のデータ出力部は、信号経路824を介して、NANDゲート810の第3の入力部、インバータ826の入力部、および、インバータ830の出力部に電気的に接続されている。
インバータ826の出力部は、信号経路828を介してインバータ830の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート810の出力部は、信号経路812を介して、インバータ814の入力部に電気的に接続されている。インバータ814の出力部は、信号経路816を介して、インバータ818の入力部に電気的に接続されている。インバータ818の出力部は、bPAUTO‐REFRESH信号経路820にbPAUTO‐REFRESH信号を出力する。
DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にローレベルで、BNKIDLE信号経路140eのBNKIDLE信号が論理的にローレベルの場合、NORゲート802が、信号経路804に論理的にハイレベルの信号を出力する。DARF_MODE信号経路140aのDARF_MODE信号が論理的にハイレベルか、または、BNKIDLE信号経路140eのBNKIDLE信号が論理的にハイレベルの場合、NORゲート802が、信号経路804に論理的にローレベルの信号を出力する。インバータ806が、信号経路804の信号を反転させ、bIGNORE_REFRESH信号経路808にbIGNORE_REFRESH信号を出力する。
インバータ834が、CLK信号経路832のCLK信号を反転させ、該信号を信号経路836に出力する。CLK信号経路832のCLK信号が論理的にローレベルで、信号経路836の信号が論理的にハイレベルの場合、3ステートインバータ822をON状態にし、bAUTO_REFRESH信号経路140bのbAUTO_REFRESH信号を通し、反転させて、該信号を信号経路824に出力する。
CLK信号経路832のCLK信号が論理的にハイレベル、信号経路836の信号が論理的にローレベルの場合、3ステートインバータ822をOFF状態にし、bAUTO_REFRESH信号経路140bのbAUTO‐REFRESH信号を、反転して信号経路824に通さずに遮断する。3ステートインバータ822がOFF状態である場合、3ステートインバータ822の出力は、ハイインピーダンスである。
インバータ826が、信号経路824の信号を反転させ、該信号を信号経路828に出力する。インバータ830が、信号経路828の信号を反転させ、該信号を信号経路824に出力する。各インバータ826、830が、3ステートインバータ822をOFF状態にした場合にbAUTO‐REFRESH信号をラッチするためのラッチ機能を備えている。
bIGNORE_REFRESH信号経路808のbIGNORE_REFRESH信号が論理的にハイレベル、CLK信号経路832のCLK信号が論理的にハイレベル、信号経路824の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート810が、信号経路812に論理的にローレベルの信号を出力する。
bIGNORE_REFRESH信号経路808のbIGNORE_REFRESH信号が論理的にローレベルか、CLK信号経路832のCLK信号が論理的にローレベルか、または、信号経路824の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート810が、信号経路812に論理的にハイレベルの信号を出力する。
インバータ814が、信号経路812の信号を反転させ、該信号を信号経路816に出力する。インバータ818が、信号経路816の信号を反転させ、bPAUTO‐REFRESH信号経路820にbPAUTO‐REFRESH信号を出力する。
通常のDRAM動作では、メモリバンク112a‐112(n)の何れかが活動状態である間に自動リフレッシュ命令を出力することは、不法な動作である。もし、このようなコマンドシーケンスが実行された場合、自動リフレッシュ命令は遮断されるだろう。
しかし、DARFモードでは、メモリバンク112a‐112(n)が活動状態である場合でも、自動リフレッシュ命令が許可される。DARFモードにおいてメモリバンク112a‐112(n)を自動リフレッシュすることは、他のメモリバンク112a‐112(n)が読み出し動作または書き込み動作を行うために活動状態である間でも許可される。
DARFモードが使用可能である場合、bIGNORE_REFRESH信号に基づいたbPAUTO‐REFRESH信号を出力することによりメモリバンク112a‐112(n)が活動状態である場合に、回路800が、自動リフレッシュ命令の遮断を防止する。
DARF_MODE信号が論理的にハイレベルか、または、BNKIDLE信号が論理的にハイレベルである場合、bIGNORE_REFRESH信号は論理的にハイレベルとなる。DARF_MODE信号が論理的にローレベルで、BNKIDLE信号が論理的にローレベルなら、bIGNORE_REFRESH信号は、論理的にローレベルとなる。
論理的にハイレベルのbIGNORE_REFRESH信号と、論理的にハイレベルのクロック信号と、各インバータ826、830によってラッチされた、論理的にハイレベルの反転したbAUTO‐REFRESH信号とにより、bPAUTO‐REFRESH信号は論理的にローレベルとなる。
論理的にローレベルのbIGNORE_REFRESH信号、論理的にローレベルのクロック信号、または、各インバータ826、830によってラッチされた論理的にローレベルに反転したbAUTO‐REFRESH信号によって、bPAUTO‐REFRESH信号は論理的にハイレベルになる。
図14は、自動リフレッシュ信号を出力するための回路850の一実施形態を示す回路ブロック図である。回路850は、各インバータ852、866、880、および、各NANDゲート856、860、876を含んでいる。
インバータ852の入力部は、bPAUTO‐REFRESH信号経路820のbPAUTO‐REFRESH信号を受け取る。インバータ852の出力部は、信号経路854を介して、NANDゲート856の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート856の第2の入力部が、bBARF信号経路716のbBARF信号を受け取る。インバータ866の入力部は、TM信号経路864のテストモード(TM)信号を受け取る。インバータ866の出力部は、信号経路868を介して、NANDゲート856の第3の入力部に電気的に接続されている。
NANDゲート856の出力部は、信号経路858を介して、NANDゲート860の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート860の出力部は、信号経路862を介して、NANDゲート876の第1の入力部に電気的に接続されている。NANDゲート876の第2の入力部が、bREFEND信号経路872の反転したリフレッシュ終了(bREFEND)信号を受け取る。NANDゲート876の第3の入力部が、CHIPRDY信号経路874のチップ動作可能(CHIPRDY)信号を受け取る。
NANDゲート876の出力部は、信号経路870を介して、NANDゲート860の第2の入力部、および、インバータ880の入力部に電気的に接続されている。インバータ880の出力部は、AUTO‐REFRESH信号経路140dにAUTO‐REFRESH信号を出力する。
TM信号は、メモリ106用のテストモードが使用可能であれば、論理的にハイレベル、メモリ106用のテストモードが使用禁止であれば、論理的にローレベルとなる。bREFEND信号は、リフレッシュが完了した時点では論理的にハイレベル、リフレッシュ中は論理的にローレベルになる。CHIPRDY信号は、チップ状のメモリ106が動作準備の整った状態にあれば、論理的にハイレベル、チップ状のメモリ106が動作準備の整っていない状態であれば、論理的にローレベルとなる。
インバータ852が、bPAUTO‐REFRESH信号経路820のbPAUTO‐REFRESH信号を反転させ、該信号を信号経路854に出力する。インバータ866が、TM信号経路864のTM信号を反転させ、該信号を信号経路868に出力する。信号経路854の信号が論理的にハイレベル、bBARF信号経路716のbBARF信号が論理的にハイレベル、信号経路868の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート856が、信号経路858に論理的にローレベルの信号を出力する。信号経路854の信号が論理的にローレベルか、bBARF信号経路716のbBARF信号が論理的にローレベルか、または、信号経路868の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート856が、信号経路858に論理的にハイレベルの信号を出力する。
信号経路858の信号が論理的にハイレベル、信号経路870の信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート860が、信号経路862に論理的にローレベルの信号を出力する。信号経路858の信号が論理的にローレベルか、または、信号経路870の信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート860が、信号経路862に論理的にハイレベルの信号を出力する。
信号経路862の信号が論理的にハイレベル、bREFEND信号経路872のbREFEND信号が論理的にハイレベル、CHIPRDY信号経路874のCHIPRDY信号が論理的にハイレベルの場合、NANDゲート876が、信号経路870に論理的にローレベルの信号を出力する。
信号経路862の信号が論理的にローレベルか、bREFEND信号経路872のbREFEND信号が論理的にローレベルか、または、CHIPRDY信号経路874のCHIPRDY信号が論理的にローレベルの場合、NANDゲート876が、信号経路870に論理的にハイレベルの信号を出力する。
各NANDゲート860、876が、ラッチ機能を備えている。インバータ880が、信号経路870の信号を反転させ、AUTO‐REFRESH信号経路140dにAUTO‐REFRESH信号を出力する。
動作中において、もし、bPAUTO‐REFRESH信号が論理的にローレベルで、bBARF信号が論理的にハイレベル、TM信号が論理的にローレベル、bREFEND信号が論理的にハイレベル、かつ、CHIPRDY信号が論理的にハイレベルであれば、AUTO‐REFRESH信号は論理的にハイレベルとなる。
もし、bPAUTO‐REFRESH信号が論理的にハイレベル、bBARF信号が論理的にローレベル、TM信号が論理的にハイレベル、bREFEND信号が論理的にローレベル、または、CHIPRDY信号が論理的にローレベルである場合、AUTO‐REFRESH信号は論理的にローレベルとなる。
本発明の各実施形態は、1つのメモリバンクを、上記1つのメモリバンク以外の他のメモリバンクが読み出し書き込みアクセスを行うために活動状態である間に、指定自動リフレッシュを行うための、指定自動リフレッシュモードを提供する。他のメモリバンクがアクセスのために活動状態である間に1つのメモリバンクを指定自動リフレッシュできることにより、メモリの使用可能時間帯の幅が広くなる。指定自動リフレッシュモードが使用可能である場合、自動リフレッシュおよび起動命令を連続して繰り返すことを高速にて実行できる。
Claims (21)
- 各行および各列を備える各メモリセルのアレイをそれぞれ含んだ、少なくとも2つの各メモリバンクと、
指定自動リフレッシュ用の各メモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちにおける、指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタとを含み、
上記バンクアドレスカウンタは、上記行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される、メモリ。 - 上記バンクアドレスカウンタは、上記行アドレスカウンタの最少桁の2ビットとして実行される、請求項1に記載のメモリ。
- 上記バンクアドレスカウンタは、指定自動リフレッシュモード信号に応じてリセットされるように構成されている、請求項1に記載のメモリ。
- 上記バンクアドレスカウンタは、自動リフレッシュ信号に応じて増分されるように構成されている、請求項1に記載のメモリ。
- さらに、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちにおける、指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを通すように構成された専用のバンクアドレスバスを含む、請求項1に記載のメモリ。 - 各行および各列を備える各メモリセルのアレイをそれぞれ含んだ、少なくとも2つの各メモリバンクと、
指定自動リフレッシュ用の各メモリセルの行を選択するための行アドレスを供給するように構成された行アドレスカウンタと、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちにおける、指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成されたバンクアドレスカウンタと、
指定自動リフレッシュモード信号に応じてバンクアドレスカウンタをリセットするによう構成されたバンクアドレスリセット回路と、
自動リフレッシュ信号に応じてバンクアドレスカウンタを増分するように構成されたバンクアドレスカウンタ増分回路とを含む、メモリ。 - 上記バンクアドレスカウンタは、上記行アドレスカウンタの最少桁のビットとして実行される、請求項6に記載のメモリ。
- 上記バンクアドレスカウンタは、上記行アドレスカウンタを増分するための遂行信号を供給するように構成されている、請求項6に記載のメモリ。
- さらに、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちにおける、指定自動リフレッシュ用の1つのメモリバンクを選択するためのバンクアドレスを供給するように構成された専用のバンクアドレスバスを含む、請求項6に記載のメモリ。 - ダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項6に記載のメモリ。
- 各行および各列を備える各メモリセルのアレイをそれぞれ含んだ、少なくとも2つの各メモリバンクと、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第1のメモリバンクの中の各メモリセルの行を、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第2のメモリバンクがアクセス用に稼動中である場合に、自動リフレッシュするための手段とを含む、メモリ。 - 上記の自動リフレッシュするための手段は、
指定自動リフレッシュモードを入力し、かつ、自己リフレッシュモードを終了したときの応じて、バンクアドレスカウンタをリセットするための手段と、
自動リフレッシュ命令の終了に応じて、指定自動リフレッシュモードでバンクアドレスカウンタを増分するための手段と、
上記バンクアドレスカウンタのカウント値に基づいて、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第1のメモリバンクを選択するための手段と、
上記バンクアドレスカウンタからの遂行信号に応じて、行アドレスカウンタを増分するための手段と、
上記行アドレスカウンタのカウント値に基づいて、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第1のメモリバンク内の各メモリセルの行を選択するための手段とを含む、請求項11に記載のメモリ。 - 上記の自動リフレッシュするための手段は、
指定自動リフレッシュモード信号に応じて、バンクアドレスカウンタをリセットするための手段と、
上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第1のメモリバンクを選択するために、専用のバンクアドレスカウンタバスに対しバンクアドレスカウンタのカウント値を通すための手段と、
自動リフレッシュ信号に応じて、上記少なくとも2つの各メモリバンクのうちの第1のメモリバンクの中の各メモリセルの行を自動リフレッシュするための手段と、
上記自動リフレッシュ信号に応じて、上記バンクアドレスカウンタを増分するための手段とを含む、請求項11に記載のメモリ。 - ダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項11に記載のメモリ。
- 指定自動リフレッシュモード信号に応じて、バンクアドレスカウンタをリセットする工程と、
指定自動リフレッシュ用の第1のメモリバンクを選択するために、専用のバンクアドレスカウンタバスにバンクアドレスカウンタのカウント値を通す工程と、
自動リフレッシュ信号に応じて、第1のメモリバンクの中の各メモリセルの行を自動リフレッシュする工程と、
上記自動リフレッシュ信号に応じて、上記バンクアドレスカウンタを増分する工程と、
上記第1のメモリバンクが指定自動リフレッシュ用に選択されている間に、第2のメモリバンクにアクセスする工程とを含む、メモリをリフレッシュするための方法。 - 上記バンクアドレスカウンタのカウント値を通す工程は、専用の2ビットのバンクアドレスバスを通してバンクアドレスカウンタの2ビット値を供給する工程を含んでいる、請求項15に記載の方法。
- 上記バンクアドレスカウンタを増分する工程は、行アドレスカウンタの最少桁のビットを増分する工程を含む、請求項15に記載の方法。
- 上記バンクアドレスカウンタを増分する工程は、行アドレスカウンタの最少桁の2ビットを増分する工程を含む、請求項15に記載の方法。
- 指定自動リフレッシュモードを入力し、かつ、自己リフレッシュモードを終了したときに応じて、バンクアドレスカウンタをリセットする工程と、
自動リフレッシュ命令の終了に応じて、上記指定自動リフレッシュモードにて上記バンクアドレスカウンタを増分する工程と、
上記バンクアドレスカウンタのカウント値に基づいて、指定自動リフレッシュ用のメモリバンクを選択する工程と、
上記バンクアドレスカウンタからの遂行信号に応じて、行アドレスカウンタを増分する工程と、
上記行アドレスカウンタのカウント値に基づいて、自動リフレッシュ用の選択されたメモリバンク内の各メモリセルの行を選択する工程とを含む、ダイナミックランダムアクセスメモリをリフレッシュするための方法。 - さらに、
上記バンクアドレスカウンタのカウント値を専用のバンクアドレスバスを通して供給する工程を含む、請求項19に記載の方法。 - さらに、
上記バンクアドレスカウンタを設定値に増分するときに応じて、上記バンクアドレスカウンタからの遂行信号を供給する工程を含む、請求項19に記載の方法。
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