JP5978860B2 - 情報処理装置、メモリ制御ユニット、メモリ制御方法および制御プログラム - Google Patents
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Description
本実施の形態では、セルフリフレッシュ機能を備えたメモリを用いて電力の消費を抑制する。セルフリフレッシュ機能を備えたメモリを用いる情報処理装置の例として、サーバ装置について説明する。但し、他のコンピュータ装置でセルフリフレッシュ機能を備えたメモリを用いるようにしてもよい。セルフリフレッシュは、ダイナミックRAM(Random Access Memory)のリフレッシュ動作の一つであり、RAM内部で自動的に実行されるリフレッシュ動作をいう。セルフリフレッシュ時は、RAM内部で発生するクロック信号を用いてRAM内部のメモリセル群をリフレッシュすることにより、RAMの消費電力を削減することができる。
実施の形態1では、図13に示したように、メモリアクセス制御回路505のセルフリフレッシュ制御ルーチンにおいて、セルフリフレッシュ機能の起動とパトロール動作の停止を連動させ、セルフリフレッシュ機能の解除とパトロール動作の開始を連動させる例について説明した。実施の形態2では、ハイパーバイザー403において、セルフリフレッシュ機能の起動とパトロール動作の停止を連動させ、更にセルフリフレッシュ機能の解除とパトロール動作の開始を連動させる例について説明する。
実施の形態2におけるメモリアクセス制御回路505とハイパーバイザー403の役割を継承し、実施の形態1及び2と異なる状態遷移を実現する例について説明する。実施の形態2と相違する点のみを説明する。その他については、実施の形態2と同様である。
実施の形態1乃至3では、パワーダウン状態を初期状態としてセルフリフレッシュ状態との間で遷移する例を主に説明したが、実施の形態4及び5では、通常電力状態を初期状態としてセルフリフレッシュ状態との間で遷移する例について説明する。
実施の形態2及び3と同様に、ハイパーバイザー403の処理で、セルフリフレッシュ機能の起動とパトロール動作の停止を連動させ、更にセルフリフレッシュ機能の解除とパトロール動作の開始を連動させることによって、実施の形態4で示した状態の遷移を実現する例について説明する。
セルフリフレッシュ機能を備える一又は複数のメモリと、
前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させた場合に、前記一又は複数のメモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止し、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開するメモリ制御ユニットと
を含む情報処理装置。
前記一又は複数のメモリへのアクセス要求がある場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させ、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する
付記1記載の情報処理装置。
前記一又は複数のメモリが論理ドメインに割り当てられていない場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させ、
前記一又は複数のメモリが論理ドメインに割り当てられている場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させる
付記1又は2記載の情報処理装置。
前記一又は複数のメモリが論理ドメインに割り当てられている場合であっても、前記一又は複数のメモリへのアクセスの頻度が所定の閾値以下のときには、前記メモリ制御ユニットは、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させる
付記3記載の情報処理装置。
前記一又は複数のメモリが論理ドメインに割り当てられている場合であっても、前記一又は複数のメモリへのアクセスの頻度が所定の閾値以下のときには、前記メモリ制御ユニットは、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させ、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを継続して動作させる
付記3記載の情報処理装置。
メモリ制御ユニットに接続されているセルフリフレッシュ機能を備える一又は複数のメモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを行うパトロール部と、
メモリ制御ユニットに接続されている一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを停止し、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する制御部と
を有するメモリ制御ユニット。
前記制御部は、前記一又は複数のメモリへのアクセス要求がある場合に、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させ、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する
付記6記載のメモリ制御ユニット。
前記制御部は、前記一又は複数のメモリに接続されている一又は複数のメモリアクセス制御回路である
付記6記載のメモリ制御ユニット。
前記制御部は、
演算処理を行う演算部を有し、
前記演算部は、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを停止する処理と、前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する処理とを実行させるための制御プログラムに従って処理を実行する
付記6記載のメモリ制御ユニット。
セルフリフレッシュ機能を備える一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させた場合に、前記一又は複数のメモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止する処理と
前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する処理と
を含む処理をメモリ制御ユニットの演算部により実行するメモリ制御方法。
セルフリフレッシュ機能を備える一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを開始させた場合に、前記一又は複数のメモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止する処理と、
前記一又は複数のメモリのセルフリフレッシュを停止させた場合に、前記一又は複数のメモリに対するパトロールを再開する処理と
をメモリ制御ユニットの演算部に実行させる制御プログラム。
205 スイッチ 207 物理パーティション
301 CPUユニット 303 メモリ
305 IOポート 307 ファーム用メモリ
401 ファーム層 403 ハイパーバイザー
405 論理ドメイン 407 オペレーティングシステム
409 アプリケーション 501 コア
503 キャッシュユニット 505 メモリアクセス制御回路
1101 コマンド制御部 1103 制御レジスタ
1105 パワーマネジメントレジスタ
1107 IO部 1109 データ制御部
1111 リクエストキュー 1113 パトロール部
1115 パトロールデータチェック部 1401 受付部
1403 第1モード制御部 1405 第2モード制御部
1431 第1初期化部 1433 第1判定部
1435 第1要求部 1451 第2初期化部
1453 第2判定部 1455 第2要求部
2001 パトロールコントロールレジスタ
Claims (8)
- セルフリフレッシュ機能を備えるメモリと、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが省電力を実現するための第1のモードに設定されており、且つ、前記セルフリフレッシュ機能の実行によって前記メモリがセルフリフレッシュ状態にある場合に、前記メモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止し、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第1のモードに設定されており、且つ、前記セルフリフレッシュ機能の実行の停止によって前記メモリが回路の一部が停止した状態であるパワーダウン状態にある場合に、前記メモリに対する前記パトロールを実行するメモリ制御ユニットと
を含む情報処理装置。 - 前記メモリへのアクセスの頻度が前記閾値以下であるか又は前記メモリが論理ドメインに割り当てられていない場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記セルフリフレッシュ機能を実行させ、
前記メモリへのアクセスの頻度が閾値より大きく且つ前記メモリが論理ドメインに割り当てられている場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記セルフリフレッシュ機能の実行を停止させる、
請求項1記載の情報処理装置。 - 前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第1のモードより省電力の程度が小さい第2のモードに設定されている場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記メモリに対する前記パトロールを実行する、
請求項1又は2記載の情報処理装置。 - 前記メモリがパワーダウン機能をさらに備え、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第2のモードに設定されており、且つ、前記メモリが論理ドメインに割り当てられていない場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記パワーダウン機能の実行によって前記メモリを前記パワーダウン状態にし、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第2のモードに設定されており、且つ、前記メモリが論理ドメインに割り当てられている場合に、前記メモリ制御ユニットは、前記パワーダウン機能の実行の停止によって前記メモリを回路全体が動作する状態にする、
請求項3記載の情報処理装置。 - メモリ制御ユニットに接続され且つセルフリフレッシュ機能を備えるメモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを行うパトロール部と、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが省電力を実現するための第1のモードに設定されており、且つ、前記セルフリフレッシュ機能の実行によって前記メモリがセルフリフレッシュ状態にある場合に、前記メモリに対する前記パトロールを前記パトロール部に停止させ、
前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第1のモードに設定されており、且つ、前記セルフリフレッシュ機能の実行の停止によって前記メモリが回路の一部が停止した状態であるパワーダウン状態にある場合に、前記メモリに対する前記パトロールを前記パトロール部に実行させる制御部と
を有するメモリ制御ユニット。 - 前記制御部は、前記メモリへのアクセスの頻度が前記閾値以下であるか又は前記メモリが論理ドメインに割り当てられていない場合に、前記セルフリフレッシュ機能を実行させ、前記メモリへのアクセスの頻度が閾値より大きく且つ前記メモリが論理ドメインに割り当てられている場合に、前記セルフリフレッシュ機能の実行を停止させる
請求項5記載のメモリ制御ユニット。 - セルフリフレッシュ機能を備えるメモリの前記セルフリフレッシュ機能の実行によって前記メモリがセルフリフレッシュ状態にあり、且つ、前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが省電力を実現するための第1のモードに設定されている場合に、前記メモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止する処理と、
前記セルフリフレッシュ機能の実行の停止によって前記メモリが回路の一部が停止した状態であるパワーダウン状態にあり、且つ、前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第1のモードに設定されている場合に、前記メモリに対する前記パトロールを実行する処理と
をメモリ制御ユニットが実行するメモリ制御方法。 - セルフリフレッシュ機能を備えるメモリの前記セルフリフレッシュ機能の実行によって前記メモリがセルフリフレッシュ状態にあり、且つ、前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが省電力を実現するための第1のモードに設定されている場合に、前記メモリに対する読み出しおよびエラー訂正を行うパトロールを停止する処理と、
前記セルフリフレッシュ機能の実行の停止によって前記メモリが回路の一部が停止した状態であるパワーダウン状態にあり、且つ、前記メモリを含む物理パーティションの電力モードが前記第1のモードに設定されている場合に、前記メモリに対する前記パトロールを実行する処理と
をメモリ制御ユニットに実行させる制御プログラム。
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