JP2007115344A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 内部アドレス生成回路は、バースト読み出し動作時に、外部アドレスを初期値として内部アドレスを順次生成する。メモリコアは、複数のメモリセルを有し、バースト読み出し動作時に、コラム選択信号の活性化に応答して内部アドレスに対応するメモリセルから読み出されたデータを順次出力する。メモリコア制御回路のコラム制御回路は、バースト読み出し動作時に、外部制御信号の活性化期間でコラム選択信号を一定期間活性化させる動作を繰り返し、外部制御信号の非活性化に同期してコラム選択信号を強制的に非活性化させる。メモリコア制御回路の動作状態制御回路は、バースト読み出し動作時に、外部制御信号の非活性化から所定時間の経過後、動作状態制御信号を非活性化させる。
【選択図】 図1
Description
Claims (5)
- バースト読み出し動作機能を有する半導体記憶装置であって、
バースト読み出し動作時に、外部アドレスを初期値として内部アドレスを順次生成する内部アドレス生成回路と、
複数のメモリセルを有し、バースト読み出し動作時に、コラム選択信号の活性化に応答して前記内部アドレスに対応するメモリセルから読み出されたデータを順次出力するメモリコアと、
バースト読み出し動作時に、バースト読み出し動作の開始/終了を指示するための外部制御信号の活性化期間で前記コラム選択信号を一定期間活性化させる動作を繰り返し、前記外部制御信号の非活性化に同期して前記コラム選択信号を強制的に非活性化させるコラム制御回路と、バースト読み出し動作時に、前記外部制御信号の非活性化から所定時間の経過後、前記メモリコアの活性化/非活性化を指示するための動作状態制御信号を非活性化させる動作状態制御回路とを有するメモリコア制御回路とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記メモリコアは、リセット信号の活性化期間に、前記複数のメモリセルにそれぞれ接続される複数のビット線を所定電位にリセットするリセット回路を備え、
前記メモリコア制御回路は、前記動作状態制御信号の非活性化に応答して前記リセット信号を活性化させるリセット制御回路を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記コラム制御回路は、
バースト読み出し動作時に、基準コラム選択信号を一定期間活性化させる動作を繰り返す基準信号生成回路と、
バースト読み出し動作時に、前記外部制御信号の活性化期間で前記基準コラム選択信号を前記コラム選択信号として出力し、前記外部制御信号の非活性化に同期して、前記基準コラム選択信号を前記コラム選択信号として出力する動作を強制的に停止する第1出力回路とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3記載の半導体記憶装置において、
前記動作状態制御回路は、
前記外部制御信号の非活性化を検出したときに出力信号を活性化させる第1検出回路と、
前記基準コラム選択信号の非活性化を検出したときに出力信号を活性化させる第2検出回路と、
バースト読み出し動作時に前記第1検出回路の出力信号を選択して出力し、バースト読み出し動作を除くアクセス動作時に前記第2検出回路の出力信号を選択して出力する選択回路と、
前記選択回路の出力信号を前記所定時間遅らせて出力する遅延回路と、
前記遅延回路の出力信号の活性化に応答してリセット状態からセット状態に遷移するとともに、前記外部制御信号の非活性期間でセット状態/リセット状態に応じて出力信号を活性化させるフラグ回路と、
前記フラグ回路の出力信号の活性化に応答して前記動作状態制御信号を非活性化させる第2出力回路とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記所定時間は、前記コラム選択信号の非活性化後における前記メモリコアの動作を保証するための時間であることを特徴とする半導体記憶装置。
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