JP2000207882A - シンクロナスdram - Google Patents

シンクロナスdram

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JP2000207882A
JP2000207882A JP11007858A JP785899A JP2000207882A JP 2000207882 A JP2000207882 A JP 2000207882A JP 11007858 A JP11007858 A JP 11007858A JP 785899 A JP785899 A JP 785899A JP 2000207882 A JP2000207882 A JP 2000207882A
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counter
command
address
control signal
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JP11007858A
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Yasushi Nagao
泰志 永尾
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NEC Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シンクロナスDRAMでのバーストモードに
おけるメモリサイクルタイムを短縮する。 【解決手段】 カウンタユニット100は、バーストモー
ドにおける初期アドレスが設定され、クロックに同期し
て、バースト動作のためのアドレスを生成するためのカ
ウント動作を行う。カラムアドレスジェネレータタ101
は、カウンタユニット100からのカウント値により、バ
ースト動作のための連続したカラムアドレスを生成す
る。カウンタ制御回路103は、カウンタユニット100の動
作を制御する。コントローラ105は、バーストモード中
止専用の外部制御信号線を介して入力する外部制御信号
DSF1に応答して、カウンタユニット100におけるカ
ウンタ動作を中止させるための信号をカウンタ制御回路
103へ出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シンクロナスDR
AM(ダイナミック型ランダムアクセスメモリ)に関
し、特に、バースト転送に利用して有効なシンクロナス
DRAMに関する。
【0002】
【従来の技術】シンクロナスDRAMは、パソコンのメ
インメモリで現在主流となっているタイプのDRAMで
あり、システムクロックに同期して動作することを特徴
とする。アドレスの指定をコマンドの形で行うため、読
み始めには若干時間がかかるが、その後は内部のパイプ
ラインにより、1クロックにつき1つのデータを読み出
すことができる(日経パソコン新語辞典)。
【0003】図5は、この種の一般的なシンクロナスD
RAMの一例を示すブロック図であり、特開平8-115593
号公報等にも同内容の記載がある。
【0004】このシンクロナスDRAMにおいては、バ
ーストモードでは、ロウデコーダ501Aによって選択され
た1本のワード線に対して、カラムアドレスカウンタ506
によって次々に指定されるアドレスの相補データ線が選
択され、指定されただけのバースト数のデータが連続的
にリードまたはライトできるようになっている。
【0005】図6は、図5におけるカラムアドレスカウ
ンタ506の構成例を示すブロック図である。図6におい
て、カウンタユニット(COUNTER UNIT)600は、入力され
る初期アドレスのビット構成に対応したビット数のカウ
ンタを有しており、バーストレングスをカウントするユ
ニットである。カラムアドレスジェネレータ(COLUMNAD
DRESS GENERATOR)601は、カウンタユニット600の出力
に基づいてカラム系の選択をし、バーストエンドモニタ
(BURST END MONITOR)602がカウンタユニット600の出力
信号をモニタしてバーストエンドを検出すると、カウン
タ制御回路603はカウンタユニット600の動作を制御す
る。また、コントローラ(CONTROL LOGIC &TIMING GENER
ATOR)604は、/CS等のフ外部制御信号によって定まる
コマンドをカウンタ制御回路603に送出する。
【0006】次に、カラムアドレスカウンタ506の動作
について説明する。
【0007】図6において、バーストエンドモニタ602
には、あらかじめモードレジスタ(コントロールユニッ
ト604に内蔵される。)設定されたバーストレングスが
セットされ、初期カラムアドレスがカウンタユニット(C
OUNTER UNIT)600とカラムアドレスジェネレータ(COLUMN
ADDRESSGENERATOR)601にセットされた後、内部クロッ
ク信号ICLKに同期してカウンタユニット600のカウ
ント動作が開始される。
【0008】このカウントの出力はカラムアドレスジェ
ネレータ601に入力され、カラムアドレスを出力する。
そして、カウンタユニット600のカウンタ値をバースト
エンドモニタ602でモニタすることにより、バーストエ
ンドを検出し、バーストエンドであればカウンタ制御回
路(COUNTER CONTROL LOGIC)603へ通知し、カウンタユニ
ット600のカウントを中止させる。
【0009】バーストレングスがフルページの場合は、
バーストエンドが発生しないため、バーストストップ・
イン・フルページコマンドをコントローラ604に入力す
ることにより、同様にカウンタユニット600のカウント
を中止できる。
【0010】チップセレクト信号を使用してシンクロナ
スDRAMを複数個制御するシステムにおいて、上記バ
ーストモードのバーストレングスを4に設定したした場
合のタイミングを図7に示す。
【0011】図7において、チップセレクト信号/CS
0信号およびチップセレクト信号/CS0と関連するコ
マンド(CS0)は、複数のシンクロナスDRAMの内の一
方の制御信号であり、チップセレクト信号/CS1信号
およびチップセレクト信号/CS1およびチップセレク
ト信号/CS1と関連するコマンド(CS1)は、他方の制
御信号である。なお、記号/は論理否定を表す。
【0012】コマンド(CS0)におけるREADは、カラムア
ドレス・リードコマンドであり、コマンドの入力はチッ
プセレクト信号/CS0がアクティブの時に有効であ
り、バーストモードの場合、最初のカラムアドレス・リ
ードコマンドの入力後は、チップセレクト信号/CS0
をインアクティブにしても、内部カウンタは動作を継続
し、バーストレングス分の4バーストサイクルを実行す
る。
【0013】次に、チップセレクト信号を使用してシン
クロナスDRAMを複数制御するシステムにおいて、バ
ースト・ストップ・イン・フルページコマンドをコント
ローラ604へ入力して、バーストサイクルを中断した場
合のタイミングを図8に示す。
【0014】図8において、コマンド(CS0)におけるREA
Dは、前述のカラムアドレス・リードコマンドであり、
その次のクロックのタイミングでバーストストップ・イ
ン・フルページコマンド(BST)を入力することでバース
トサイクルを中断し、コマンド(CS0)のカラムアドレス
・リードコマンドの入力から2クロック後に次のコマン
ドであるコマンド(CS1)のカラムアドレス・リードコマ
ンドを入力できる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のシンクロナスDRAMでは、第1に、チップセ
レクト信号を使用してシンクロナスDRAMを複数個制
御する場合は、バーストモードの使用がメモリサイクル
を必要以上に長くしてしまう問題がある。
【0016】現在、コンピュータシステムのメインメモ
リ、またディスプレイに表示するために使用される画像
メモリは大容量化しており、この大容量化は複数のメモ
リを使用してシステムを構築することによって達成する
のが一般的である。この場合には、メモリにシンクロナ
スDRAMを使用し、この複数のメモリを限られたビッ
ト数のデータバスに接続するには、シンクロナスDRA
Mのチップセレクト信号を使用して排他的に制御すれば
よい。
【0017】ところで、システムに使用されるシンクロ
ナスDRAMは、クロックに同期して信号の入力または
出力が行われるダイナミック型ランダムアクセスメモリ
であり、複数バンクをメモリ内部に持つことにより、デ
ータ入出力においてのデータが衝突しない限り、あるバ
ンクに対する処理が終了していないコマンド実行中に、
他のバンクに対するコマンドを実行することができるた
め、パイプライン動作によるサイクルの短縮が可能であ
る。
【0018】また、最初のリード/ライトコマンドの入
力で、以後あらかじめ指定されたバースト長までアドレ
スを自動的にインクリメントし、コマンドの入力を不要
にできるバーストモードを備えているため、バンクに対
するコマンド入力の衝突が少なくなり、さらにサイクル
時間を短縮できる筈である。
【0019】しかし、前述のようなチップセレクト信号
を使用してシンクロナスDRAMを複数個制御する場合
は、バーストモードの使用が非効率になる問題があるの
である。
【0020】すなわち、前述の図7には、チップセレク
ト信号を切り替えてバーストモードを使用した場合のリ
ードサイクル(バースレングス=4)を示しているが、
チップセレクト信号/CS0のシンクロナスDRAMに
対するリードサイクルの要求が1サイクルであっても、
コマンドを入力してバーストモードをクリアしない限
り、リードサイクルはメモリ内部で自動的に継続し、チ
ップセレクト信号/CS0をインアクティブにした後も
バーストレングス分のデータが出力されるため、次のチ
ップセレクト信号/CS1のシンクロナスDRAMに対
するリードコマンドは、チップセレクト信号/CS0の
シンクロナスDRAMのバーストサイクルが終了しなけ
れば入力できないという問題がある。
【0021】第2に、前述の第1の問題点を解決する手
段として、バーストモードの自動インクリメントを中止
するためのバーストストップコマンドがあるが、このコ
マンドを使用してもメモリサイクルは必要以上に長くな
る。
【0022】これは、バーストモードの自動インクリメ
ントを中止する方法として、バースト長がフルページ
(256カラムアドレス分)に設定されている場合にの
み使用可能なバーストストップ・イン・フルページ・コ
マンド(BST)であるが、他のコマンドと同様に、外部
制御信号を使用するコマンドとして入力が必要なため、
図8に示したように、リードコマンドの後に入力するこ
とになり、他のチップセレクト信号に接続されているシ
ンクロナスDRAMへのアクセス切り替えが多ければ多
いほど、バーストストップ・イン・フルページコマンド
のオーバーヘッドが増加する。
【0023】従って、本発明の目的は、チップセレクト
信号を使用してシンクロナスDRAMを複数個制御する
システムにおいて、バーストモードを使用する場合のメ
モリサイクル時間を短縮することによって、メモリアク
セス効率の向上を図ったシンクロナスDRAMを提供す
ることにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】第1の本発明のシンクロ
ナスDRAMは、バーストモード中止専用の外部制御信
号線を付加し、コマンドに依らず、該外部制御信号線か
らの外部制御信号の入力により、強制的にバーストモー
ドを中止できるようにしたことを特徴とする。
【0025】また、第2の本発明のシンクロナスDRA
Mは、 バーストモード制御専用の外部制御信号線を付
加し、コマンドに依らず、該外部制御信号線からの外部
制御信号の入力により、強制的にバーストモードを中止
し、または再開できるようにしたことを特徴とする。
【0026】さらに、本発明の好ましい実施の形態は、
バーストモードにおける初期アドレスが設定され、クロ
ックに同期して、バースト動作のためのアドレスを生成
するためのカウント動作を行うカウンタユニットと、該
カウンタユニットを制御するカウンタ制御回路と、バー
ストモード中止専用の外部制御信号線を介して入力する
外部制御信号を前記バースト制御カウンタへバースト制
御信号を出力するコントローラと、該バースト制御信号
をカウントし、前記カウンタ制御回路に対して前記カウ
ンタユニットにおけるカウント動作を中止し、または再
開させるための信号を発生させる1ビットのバースト制
御カウンタとを設けたことを特徴とする。
【0027】さらに、本発明の好ましい実施の形態は、
バーストモードにおける初期アドレスが設定され、クロ
ックに同期して、バースト動作のためのアドレスを生成
するためのカウント動作を行うカウンタユニットと、該
カウンタユニットを制御するカウンタ制御回路と、バー
ストモード中止専用の外部制御信号線を介して入力する
外部制御信号を前記バースト制御カウンタへバースト制
御信号を出力するコントローラと、該バースト制御信号
をカウントし、カウント値によって、前記カウンタ制御
回路に対して前記カウンタユニットにおけるカウント動
作を中止し、または再開させるための信号を発生させる
1ビットのバースト制御カウンタとを設けたことを特徴
とする。
【0028】本発明は、バーストモードにおいてのバー
ストカウントを中止させ、または中止・再開させるため
の信号線1本をシンクロナスDRAMに付加し、バース
トカウントを中止し、または中止・再開するための回路
に接続する機構を設けることにより、他のコマンド入力
と同時にバーストカウントを中止し、または中止・再開
することができ、特に、チップセレクト信号を使用して
シンクロナスDRAMを複数個制御するシステムにおい
て、バーストモードを使用する場合のメモリサイクル時
間を短縮することを可能とする。
【0029】バーストモードを中止すればメモリサイク
ル時間は短縮できるが、バーストを中止するためのバー
ストストップ・イン・フルページコマンドは、他のコマ
ンド入力と同時に入力ができないため、バーストカウン
トを中止させ、または中止・再開させるための専用の信
号線1本をシンクロナスDRAMに付加し、コマンドに
依らずに、バーストカウント中止したり、中止したバー
ストカウントを再開できるようにしたのである。
【0030】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0031】まず、シンクロナスDRAMについて述
べ、その後に、本発明の特徴部分となるカラムアドレス
カウンタについて詳述する。
【0032】図5には、一般的なシンクロナスDRAM
の一例の概略ブロック図が示されている。このシンクロ
ナスDRAMは、メモリバンク0(BANK0)を構成する
メモリアレイ(MEMORY ARRAY)500Aと、メモリバンク1
(BANK1)を構成するメモリアレイ500Bとを備える。上
記それぞれのメモリアレイ500A、500Bは、マトリクス配
置されたダイナミック型メモリセルを備え、図に従え
ば、同一列に配置されたメモリセルの選択端子は列毎の
ワード線(図示せず)に結合され、同一行に配置された
メモリセルのデータ入出力端子は行毎に相補データ線
(図示せず)に結合される。
【0033】また、メモリアレイ500Aの図示しないワー
ド線はロウデコーダ(ROW DECODER)501Aによるロウアド
レス信号のデコード結果に従って1本が選択レベルに駆
動される。メモリアレイ500Aの図示しない相補データ線
はセンスアンプ・カラム選択回路(SENSE AMPLIFIER&I/O
BUS)502Aに結合される。
【0034】センスアンプ・カラム選択回路502Aにおけ
るセンスアンプ(SENSE AMPLIFIER)は、メモリセルから
のデータ読出しによって各々の相補データ線に現れる微
小電位差を検出して増幅する増幅回路である。また、セ
ンスアンプ・カラム選択回路502Aにおけるカラムスイッ
チ回路は、相補データ線を各別に選択して相補共通デー
タ線(I/O BUS) に導通させるためのスイッチ回路であ
る。カラムスイッチ回路はカラムデコーダ(COLUMN DECO
DER)503Aによるカラムアドレス信号のデコード結果に従
って選択動作される。
【0035】メモリアレイ500B側にも上記と同様にロウ
デコーダ501B、センスアンプ・カラム選択回路502B及び
カラムデコーダ503Bが設けられる。上記メモリバンク50
0Aと500Bの相補共通データ線(I/O BUS)は、入力バッフ
ァ(INPUT BUFFER)508の出力端子及び出力バッファ(OUTP
UT BUFFER)509の入力端子に接続される。入力バッファ2
08の入力端子及び出力バッファ509の出力端子は8ビッ
トのデータ入出力端子I/O0〜I/O7に接続され
る。
【0036】また、アドレス入力端子A0〜A11から供給
されるロウアドレス信号とカラムアドレス信号を保持す
るためのカラムアドレスバッファ(COLUMN ADDRESS BUFF
ER)505とロウアドレスバッファ(ROW ADDRESS BUFFER)50
4を備え、さらに、ダイナミックメモリセルをリフレッ
シュするためのリフレッシュカウンタ(REFRESH COUNTE
R)507を備える。
【0037】リフレッシュカウンタ507は、そこから出
力されるリフレッシュアドレス信号をロウアドレス信号
として供給するため、ロウアドレスバッファ504に接続
され、ロウアドレスバッフ504は前述のロウデコーダ501
A,501Bに接続される。カラムアドレスバッファ505の出
力はカラムアドレスカウンタ(COLUMN ADDRESS COUNTER)
506に供給され、カラムデコーダ503A,503Bに向けて出力
する。
【0038】コントローラ(CONTROL LOGIC & TIMING GE
NERATOR)510には、クロック信号CLK、クロックイネ
ーブル信号CKE、チップセレクト信号/CS、カラム
アドレスストローブ信号/CAS、ロウアドレスストロ
ーブ信号/RAS、ライトイネーブル信号/WE、デー
タ入出力マスクコントロール信号DQMなどの外部制御
信号と、アドレス入力端子A0〜A11からの制御データ及
び基準電圧Vref とが供給される。そして、それらの信
号のレベルの変化やタイミングなどに基づいて、シンク
ロナスDRAMの動作モード及び上記各回路ブロックの
動作を制御するための内部タイミング信号を形成するも
ので、そのためのコントロールロジックとモードレジス
タを備える。
【0039】次に、このシンクロナスDRAMの動作に
ついて説明する。
【0040】アドレス入力端子A0〜A11から供給される
ロウアドレス信号とカラムアドレス信号は、カラムアド
レスバッファ505とロウアドレスバッファ504にアドレス
マルチプレクス形式で取り込まれる。供給されたアドレ
ス信号はそれぞれのバッファ505と504が保持する。
【0041】ロウアドレスバッファ504は、リフレッシ
ュ動作モードにおいてはリフレッシュカウンタ 507から
出力されるリフレッシュアドレス信号をロウアドレス信
号として取り込む。カラムアドレスバッファ505の出力
は、カラムアドレスカウンタ506のプリセットデータと
して供給され、カラムアドレスカウンタ506は、後述の
コマンドなどで指定される動作モードに応じて、上記プ
リセットデータとしてのカラムアドレス信号、又はその
カラムアドレス信号を順次インクリメントした値を、カ
ラムデコーダ503A,503Bに向けて出力する。
【0042】ロウデコーダ501A,501Bによるロウアドレ
ス信号のデコード結果に従って1本のワード線が選択レ
ベルに駆動される。メモリアレイ500A,500Bの図示しな
い相補データ線は、センスアンプ・カラム選択回路502
A,502Bに結合され、センスアンプ・カラム選択回路502
A,502Bにおけるセンスアンプは、メモリセルからのデー
タ読出しによって各々の相補データ線に現れる微小電位
差を検出して増幅し、カラムスイッチ回路がカラムデコ
ーダ503A,503Bよるカラムアドレス信号のデコード結果
に従って相補データ線を各別に選択して相補共通データ
線(I/O BUS) に導通させ、データのリード、及びライト
を行う。
【0043】上記ロウアドレス信号は、内部クロック信
号ICLKの立ち上がりエッジに同期する後述のロウア
ドレスストローブ・バンクアクティブコマンドサイクル
におけるアドレス入力端子A0〜A11のレベルによって定
義される。アドレス入力端子A11からの入力は、上記ロ
ウアドレスストローブ・バンクアクティブコマンドサイ
クルにおいてバンク選択信号とみなされる。
【0044】即ち、アドレス入力端子A11の入力がロウ
レベルの時、メモリアレイ500A(バンク0)が選択さ
れ、ハイレベルの時はメモリアレイ500B(バンク1)が
選択される。メモリバンクの選択制御は、特に制限され
ないが、選択メモリバンク側のロウデコーダのみの活性
化、非選択メモリバンク側のカラムスイッチ回路の全非
選択、選択メモリバンク側のみの入力バッファ208及び
出力バッファ209への接続などの処理によって行うこと
ができる。
【0045】一方、上記カラムアドレス信号は、内部ク
ロック信号ICLKの立ち上がりエッジに同期するリー
ド又はライトコマンド(後述のカラムアドレス・リード
コマンド、カラムアドレス・ライトコマンド)サイクル
におけるアドレス入力端子A0〜A8のレベルによって定義
される。そして、この様にして定義されたカラムアドレ
スはバーストアクセスのスタートアドレスとされる。
【0046】クロック信号CLKは、シンクロナスDR
AMのマスタクロックとされ、その他の外部入力信号は
当該内部クロック信号ICLKの立ち上がりエッジに同
期して有意とされる。チップセレクト信号/CSは,そ
のロウレベルによってコマンド入力サイクルの開始を指
示する。チップセレクト信号/CSがハイレベルのとき
(チップ非選択状態)やその他の入力は意味を持たな
い。
【0047】クロックイネーブル信号CKEは,次のク
ロック信号CLKの有効性を指示する信号であり、クロ
ックイネーブル信号CKEがハイレベルであれば次のク
ロック信号CLKの立ち上がりエッジが有効とされ、ロ
ウレベルのときには無効とされる。さらに、図示しない
が、リードモードにおいて、出力バッファ509に対する
アウトプットイネーブルの制御を行う外部制御信号もコ
ントローラ510に供給され、その信号が例えばハイレベ
ルのときには出力バッファ509は高出力インピーダンス
状態にされる。
【0048】後述のプリチャージコマンドサイクルにお
けるアドレス入力端子A10の入力は、相補データ線など
に対するプリチャージ動作の態様を指示し、そのハイレ
ベルはプリチャージの対象が双方のメモリバンクである
ことを指示し、そのロウレベルは、アドレス入力端子A1
1で指示されている一方のメモリバンクがプリチャージ
の対象であることを指示する。
【0049】次に、コマンドによって指示されるこのシ
ンクロナスDRAMの主な動作モードについて説明す
る。
【0050】(1)モードレジスタセットコマンド(M
OD) モードレジスタをセットするためのコマンドであり、/
CS,/RAS,/CAS,/WE=ロウレベルによっ
て当該コマンド指定され、セットすべきデータ(レジス
タセットデータ)はアドレス入力端子A0〜A11を介して
与えられる。レジスタセットデータは、特に制限されな
いが、バーストレングス、CASレイテンシイ、ライト
モードなどとされる。また、設定可能なバーストレング
スは、1,2,4,8,フルページとされ、設定可能な
CASレイテンシイは1,2,3とされ、設定可能なラ
イトモードは、バーストライトとシングルライトとされ
る。
【0051】上記CASレイテンシイは、後述のカラム
アドレス・リードコマンドによって指示されるリード動
作において/CASの立ち下がりから出力バッファ509
の出力動作までに内部クロック信号ICLKの何サイク
ル分を費やすかを指示するものである。読出しデータが
確定するまでにはデータ読出しのための内部動作時間が
必要とされるが、それを内部クロック信号ICLKの使
用周波数に応じて設定するためのものである。
【0052】換言すれば、周波数の高い内部クロック信
号ICLKを用いる場合にはCASレイテンシイを相対
的に大きな値に設定し、周波数の低い内部クロック信号
ICLKを用いる場合にはCASレイテンシイを相対的
に小さな値に設定する。特に制限されないが、後述する
ような画像処理動作において、必要ならばワード線の切
り換え時間を確保するためにCASレイテンシイを大き
な値に設定するよう用いるようにできる。
【0053】(2)ロウアドレスストローブ・バンクア
クティブコマンド(ACT) これは、ロウアドレスストローブの指示とアドレス入力
端子A11によるメモリバンクの選択を有効にするコマン
ドであり、/CS,/RAS=ロウレベル、/CAS,
/WE=ハイレベルによって指示され、このときアドレ
ス入力端子A0〜A10に供給されるアドレスがロウアドレ
ス信号として、アドレス入力端子A11に供給される信号
がメモリバンクの選択信号として取り込まれる。
【0054】取り込み動作は、上述のように内部クロッ
ク信号ICLKの立ち上がりエッジに同期して行われ
る。例えば、当該コマンドが指定されると、それによっ
て指定されるメモリバンクにおけるワード線が選択さ
れ、当該ワード線に接続されたメモリセルがそれぞれ対
応する相補データ線に導通される。
【0055】(3)カラムアドレス・リードコマンド
(Read) このコマンドは、バーストリード動作を開始するために
必要なコマンドであると共に、カラムアドレスストロー
ブの指示を与えるコマンドであり、/CS,/CAS=
ロウレベル、/RAS,/WE=ハイレベルによって指
示され、このときアドレス入力端子A0〜A8に供給される
カラムアドレスがカラムアドレス信号として取り込まれ
る。これによって取り込まれたカラムアドレス信号は、
バーストスタートアドレスとしてカラムアドレスカウン
タ506に供給される。
【0056】これによって指示されたバーストリード動
作においては、その前にロウアドレスストローブ・バン
クアクティブコマンドサイクルでメモリバンクと、それ
におけるワード線の選択が行われており、当該選択ワー
ド線のメモリセルは、内部クロック信号ICLKに同期
してカラムアドレスカウンタ506から出力されるアドレ
ス信号に従って順次選択されて連続的に読出される。連
続的に読出されるデータ数は、上記モードレジスタセッ
トコマンドでセットされた個数とされる。また、出力バ
ッファ509からのデータ読出し開始は上記CASレイテ
ンシイで規定される内部クロック信号ICLKのサイク
ル数を待って行われる。
【0057】(4)カラムアドレス・ライトコマンド
(Write) ライト動作の態様として、モードレジスタにバーストラ
イトが設定されているときは、当該バーストライト動作
を開始するために必要なコマンドとされ、ライト動作の
態様としてモードレジスタにシングルライトが設定され
ているときは、当該シングルライト動作を開始するため
に必要なコマンドとされる。
【0058】更に、当該コマンドは、シングルライト及
びバーストライトにおけるカラムアドレスストローブの
指示を与える。当該コマンドは、/CS,/CAS,/
WE=ロウレベル、/RAS=ハイレベルによって指示
され、このときアドレス入力端子A0〜A8に供給されるア
ドレスがカラムアドレス信号として取り込まれる。これ
によって取り込まれたカラムアドレス信号は、バースト
ライトにおいてはバーストスタートアドレスとしてカラ
ムアドレスカウンタ506に供給される。
【0059】このコマンドによって指示されたバースト
ライト動作の手順もバーストリード動作と同様に行われ
る。但し、ライト動作にはCASレイテンシイはなく、
ライトデータの取り込みは当該カラムアドレス・ライト
コマンドサイクルから開始される。
【0060】(5)プリチャージコマンド(PRE) これは、アドレス入力端子A10,A11によって選択された
メモリバンクに対するプリチャージ動作の開始コマンド
とされ、/CS,/RAS,/WE=ロウレベル、/C
AS=ハイレベルによって指示される。
【0061】(6)オートリフレッシュコマンド このコマンドは、オートリフレッシュを開始するために
必要とされるコマンドであり、/CS,/RAS,/C
AS=ロウレベル、/WE,CKE=ハイレベルによっ
て指示される。
【0062】(7)バーストストップ・イン・フルペー
ジコマンド(BST) フルページに対するバースト動作を全てのメモリバンク
に対して停止させるために必要なコマンドであり、フル
ページ以外のバースト動作では無視される。このコマン
ドは、/CS,/WE=ロウレベル、/RAS,/CA
S=ハイレベルによって指示される。
【0063】(8)ノーオペレーションコマンド(NO
P) これは実質的な動作を行わないこと指示するコマンドで
あり、/CS=ロウレベル、/RAS,/CAS,/W
Eのハイレベルによって指示される。
【0064】ここで、シンクロナスDRAMの特徴につ
いて言及しておく。
【0065】シンクロナスDRAMにおいては、一方の
メモリバンクでバースト動作が行われているとき、その
途中で別のメモリバンクを指定して、ロウアドレススト
ローブ・バンクアクティブコマンドが供給されると、上
記実行中の一方のメモリバンクでの動作には何ら影響を
与えることなく、当該別のメモリバンクにおけるロウア
ドレス系の動作が可能にされる。
【0066】例えば、シンクロナスDRAMは外部から
供給されるデータ、アドレス、及び制御信号を内部に保
持する手段を有し、その保持内容、特にアドレス及び制
御信号は、特に制限されないが、メモリバンク毎に保持
されるようになっている。或は、ロウアドレスストロー
ブ・バンクアクティブコマンドサイクルによって選択さ
れたメモリブロックにおけるワード線1本分のデータ
が、カラム系動作の前に、予め読み出し動作のために、
図示しないラッチ回路にラッチされるようになってい
る。
【0067】したがって、データ入出力端子I/O0〜
I/O7においてデータが衝突しない限り、処理が終了
していないコマンド実行中に、当該実行中のコマンドが
処理対象とするメモリバンクとは異なるメモリバンクに
対するプリチャージコマンド、ロウアドレスストローブ
・バンクアクティブコマンドを発行して、内部動作を予
め開始させることが可能である。
【0068】シンクロナスDRAMは、外部クロック信
号CLKに基づいて形成される内部クロック信号ICL
Kに同期して、データ、アドレス、又は/RAS、/C
AS等の各種制御信号を入出力可能なメモリであると定
義できる。シンクロナスDRAMは、DRAMと同様の
大容量メモリをSRAM(スタティック型RAM)に匹
敵する高速動作させることが可能であり、また、選択さ
れた1本のワード線に対して幾つかのデータをアクセス
するかをバーストレングスによって指定することによっ
て、内蔵カラムアドレスカウンタ506で順次カラム系の
選択状態を切り換えていって複数個のデータを連続的に
リード又はライトできる。
【0069】次に、図5のカラムアドレスカウンタ506
として用いられる本発明のカラムアドレスカウンタにつ
いて説明する。
【0070】図1は、本発明の一実施例のカラムアドレ
スカウンタの構成を示すブロック図である。
【0071】図1において、カウンタユニット100は、
入力される初期アドレスのビット構成に対応したビット
数のカウンタを有しており、これはバーストレングスを
カウントするユニットである。また、カウンタユニット
100の出力に基づいてカラム系選択をするためのカラム
アドレスジェネレータ101と、カウンタユニット100の出
力信号をモニタしてバーストエンドを検出するためのバ
ーストエンドモニタ102と、このバーストエンド検出結
果に基づいてカウンタユニット100の動作を制御するた
めのカウンタ制御回路103と、カウンタ制御回路103に接
続されるコントローラ104を有する。
【0072】さらに、バーストを中止させるための専用
の信号線(DSF1)を入力するコントローラ105を設
けている。
【0073】次に、図1に示したカラムアドレスカウン
タの動作について説明する。
【0074】図1において、バーストエンドモニタ102
には、あらかじめモードレジスタに設定されたバースト
レングスがセットされ、初期カラムアドレスがカウンタ
ユニット100とカラムアドレスジェネレータ101にセット
された後、内部クロック信号ICLKに同期してカウン
タユニット100のカウント動作が開始される。このカウ
ントの出力はカラムアドレスジェネレータ101に入力さ
れ、カラムアドレスを出力する。そして、カウンタユニ
ット100のカウンタ値をバーストエンドモニタ102でモニ
タすることにより、バーストエンドを検出し、バースト
エンドであればカウンタ制御回路103へ通知し、カウン
タユニット100のカウントを中止させる。
【0075】バーストレングスがフルページの場合は、
バーストエンドが発生しないため、バーストストップ・
イン・フルページコマンドをコントローラ104に入力す
ることにより、同様にカウンタユニット100のカウン
トを中止できる。
【0076】また、本発明の特徴であるバーストを中止
させるための専用の信号線(DSF1)をコントローラ
105へアクティブ入力することによってバーストサイク
ルは中止される。
【0077】チップセレクト信号を使用してシンクロナ
スDRAMを複数個制御するシステムにおいて、上記D
SF1信号をコントローラ105へアクティブ入力して、
バーストサイクルを中断した場合のタイミングを図2に
示す。
【0078】図2において、コマンド(CS0)におけるREA
Dは、前述のカラムアドレス・リードコマンドであり、
同時にDSF1信号をアクティブにすることでバースト
サイクルを中断し、次のクロックでコマンド(CS1)のカ
ラムアドレス・リードコマンドを入力できる。
【0079】図3は、本発明のカラムアドレスカウンタ
の他の実施例の構成を示すブロック図である。
【0080】図3において、カウンタユニット300は、
入力される初期アドレスのビット構成に対応したビット
数のカウンタを有しており、これはバーストレングスを
カウントするユニットである。また、カウンタユニット
300の出力に基づいてカラム系選択をするためのカラム
アドレスジェネレータ301と、カウンタユニット300の出
力信号をモニタしてバーストエンドを検出するためのバ
ーストエンドモニタ302と、このバーストエンド検出結
果に基づいて上記カウンタユニット300の動作を制御す
るためのカウンタ制御回路303と、カウンタ制御回路303
に接続されるコントローラ304に加え、バーストを中止
させるための専用の信号線(DSF1)を入力するコン
トローラ305とを有する。
【0081】さらに、コントローラ305から出力される
バーストストップ要求をカウントするための1ビットカ
ウンタであるDSF1カウンタ(DSF1 COUNTER)306を設
けている。また、DSF1カウンタ306をリセットする
ための信号をコントローラ304から入力し、DSF1カ
ウンタ306のカウンタ出力はカウンタ制御回路303に入力
される。
【0082】次に、本カラムアドレスカウンタの動作つ
いて説明する。
【0083】図3において、バーストエンドモニタ302
には、あらかじめモードレジスタに設定されたバースト
レングスがセットされ、初期カラムアドレスがカウンタ
ユニット300とカラムアドレスジェネレータ301にセット
された後、内部クロック信号ICLKに同期してカウン
タユニット300のカウント動作が開始される。このカウ
ントの出力はカラムアドレスジェネレータ301に入力さ
れ、カラムアドレスを出力する。
【0084】そして、カウンタユニット300のカウンタ
値をバーストエンドモニタ302でモニタすることによ
り、バーストエンドを検出し、バーストエンドであれば
カウンタ制御回路303へ通知し、カウンタユニット300の
カウントを中止させる。
【0085】バーストレングスがフルページの場合は、
バーストエンドが発生しないため、バーストストップ・
イン・フルページコマンドをコントローラ304に入力す
ることにより、同様にカウンタユニット300のカウント
を中止できる。
【0086】本実施例の特徴部分であるDSF1カウン
タ306は、DSF1信号入力によるコントローラ305のバ
ーストストップ要求を受けた時にカウントされ、そのカ
ウント値をカウンタ制御回路303へ送出し、カウンタ回
路303はカウント値を基にカウンタユニット300にカウン
ト中止の制御を行う。
【0087】そして、さらにコントローラ305から同様
の要求を受けた時にDSF1カウンタ306はカウントさ
れ(すなわちカウント値は初期値にもどり)、そのカウ
ント値をカウンタ制御回路303へ送出し、カウンタ制御
回路303はカウント値を基にカウンタユニット300にカウ
ント再開の制御を行う。
【0088】このDSF1カウンタ306のカウント値
は、カラムアドレス・リードコマンドRead、またはカラ
ムアドレス・ライトコマンドWriteが入力された場合、
コントローラ304から送出される信号で初期値になる。
【0089】さらに、動作について図4のタイミングチ
ャートを使用して説明する。
【0090】図4は、チップセレクト信号を使用してシ
ンクロナスDRAMを複数個制御するシステムにおい
て、上記DSF1信号をコントローラ305へアクティブ
入力して、バーストサイクルを中断した場合のタイミン
グチャートである。
【0091】図4において、コマンド(CS0)におけるREA
Dは、前述のカラムアドレス・リードコマンドであり、
コマンド(CS1)の PRE はプリチャージコマンドであり、
バーストレングスは4に設定している。
【0092】まず、/CS0に接続されているシンクロ
ナスDRAMにカラムアドレス・リードコマンドが入力
され、バーストサイクルが開始され、2番目のリードサ
イクルでDSF1(CS0)をアクティブにしてバーストサ
イクルを中止し、コマンド(CS1)が1クロック分挿入さ
れる。その後、コマンドを入力することなく、DSF1
(CS0)をアクティブにすることにより、3番目のバース
トサイクルから再開すことができる。
【0093】本実施例は、第1の実施例では一旦、DS
F1をアクティブにすることによって、バーストサイク
ルを中断した場合、その中断した次のサイクルからアク
セスをすることが不可能であったが、DSF1カウンタ
306を設けることによって、これを可能にしたことを特
徴とする。
【0094】これにより、第1の実施例では、コマンド
(CS0)の3番目のバーストサイクルにおいて、新たにカ
ラムアドレス・リードコマンドReadを入力する必要があ
ったが、第2の実施例では、コマンド入力の必要がなく
なり、図4に示す、コマンド(CS1)のプリチャージコマ
ンド入力のように、データバスを使用しない他のコマン
ドの入力が可能になる。
【0095】
【発明の効果】本発明の効果は、チップセレクト信号を
使用してシンクロナスDRAMを複数個制御するシステ
ムにおいて、バーストモードを使用する場合のメモリサ
イクル時間を短縮することができることである。
【0096】その理由は、バーストモードにおいてのバ
ーストカウントを中止させるための信号線1本をシンク
ロナスDRAMに付加し、バーストカウントを中止する
ための回路に接続する機構を設けたことにより、他のコ
マンド入力と同時にバーストカウントを中止することが
できるようになったからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のシンクロナスDRAMに使用されるカ
ラムアドレスカウンタの第1実施例のブロック図
【図2】図1に示した実施例のタイミングチャート
【図3】本発明のシンクロナスDRAMに使用されるカ
ラムアドレスカウンタの第2実施例のブロック図
【図4】図3に示した実施例のタイミングチャート
【図5】一般的なシンクロナスDRAMの構成例を示す
ブロック図
【図6】従来のカラムアドレスカウンタのブロック図
【図7】図6に示した従来例のバーストサイクルのタイ
ミングチャート
【図8】図6に示した従来例のバーストストップコマン
ドによるタイミングチャート
【符号の説明】 100,300,600 カウンタユニット 101,301,601 カラムアドレスジェネ
レータ 102,302,602 バーストエンドモニタ 103,303,603 カウンタ制御回路 104,105,304,305,510,604 コントローラ 306 DSF1カウンタ 500A,500B メモリアレイ 501A,501B ロウデコーダ 502A,502B センスアンプ及びカラ
ム選択回路 503A,503B カラムデコーダ 504A,504B ロウアドレスバッファ 505A,505B カラムアドレスバッフ
ァ 506 カラムアドレスカウンタ 507 リフレッシュカウンタ 508 入力バッファ 509 出力バッファ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】バーストモード中止専用の外部制御信号線
    を付加し、コマンドに依らず、該外部制御信号線からの
    外部制御信号の入力により、強制的にバーストモードを
    中止できるようにしたことを特徴とするシンクロナスD
    RAM。
  2. 【請求項2】バーストモードにおける初期アドレスが設
    定され、クロックに同期して、バースト動作のためのア
    ドレスを生成するためのカウント動作を行うカウンタユ
    ニットと、 該カウンタユニットを制御するカウンタ制御回路と、 バーストモード中止専用の外部制御信号線を介して入力
    する外部制御信号に応答して前記カウンタ制御回路へ、
    前記カウンタユニットにおけるカウンタ動作を中止させ
    るための信号を出力するコントローラとを設けたことを
    特徴とする請求項1記載のシンクロナスDRAM。
  3. 【請求項3】バーストモード制御専用の外部制御信号線
    を付加し、コマンドに依らず、該外部制御信号線からの
    外部制御信号の入力により、強制的にバーストモードを
    中止し、または再開できるようにしたことを特徴とする
    シンクロナスDRAM。
  4. 【請求項4】バーストモードにおける初期アドレスが設
    定され、クロックに同期して、バースト動作のためのア
    ドレスを生成するためのカウント動作を行うカウンタユ
    ニットと、 該カウンタユニットを制御するカウンタ制御回路と、 バーストモード中止専用の外部制御信号線を介して入力
    する外部制御信号を前記バースト制御カウンタへバース
    ト制御信号を出力するコントローラと、 該バースト制御信号をカウントし、カウント値によっ
    て、前記カウンタ制御回路に対して前記カウンタユニッ
    トにおけるカウント動作を中止し、または再開させるた
    めの信号を発生させる1ビットのバースト制御カウンタ
    とを設けたことを特徴とする請求項3記載のシンクロナ
    スDRAM。
  5. 【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
    のシンクロナスDRAMを複数個バス接続し、チップセ
    レクト信号によって個別選択することを特徴とするシン
    クロナスDRAM。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7254090B2 (en) 2005-10-20 2007-08-07 Fujitsu Limited Semiconductor memory device

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