JP2004014119A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アドレスバッファ回路は、先行する書込みサイクルにおいて受信した第1のアドレス信号を書込み制御信号の立ち上がりに応答して記憶装置のコア部に出力し、書込み制御信号の立ち上がりに応答して第2のアドレス信号を外部から受信する。データバッファ回路は、先行する書込みサイクルにおいて受信した第1の書込みデータを書込み制御信号の立ち上がりに応答してコア部に出力し、書込み制御信号の立ち下りに応答して第2の書込みデータを外部から受信する。
【選択図】 図5
Description
22 コア制御回路
23、23A、23B ビット線制御回路
24、24B ワード線制御回路
25 センスアンプ制御回路
26 アドレスラッチ回路
27 アドレスデコーダ
28 冗長判定回路
29 ブロックデコーダ
30 ワード線選択回路
31 センスアンプ選択回路
Claims (9)
- 先行する書込みサイクルにおいて受信した第1のアドレス信号を書込み制御信号の立ち上がりに応答して記憶装置のコア部に出力し、該書込み制御信号の該立ち上がりに応答して第2のアドレス信号を外部から受信するアドレスバッファ回路と、
先行する書込みサイクルにおいて受信した第1の書込みデータを前記書込み制御信号の立ち上がりに応答して該コア部に出力し、該書込み制御信号の立ち下りに応答して第2の書込みデータを外部から受信するデータバッファ回路と
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
該第1のアドレス信号に対応し先行する書込みサイクルにおいて受信した該第1の書込みデータは、次の書込みサイクルにおいて該コア部の指定されたメモリセルに書込まれることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
アドレスバッファ回路は前記第1のアドレス信号を出力してから前記第2のアドレス信号を受信することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記データバッファ回路は、該書込み制御信号の立ち下りのタイミングより前に前記第1の書込みデータを出力することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記アドレスバッファ回路は、
アドレスラッチ回路と、
アドレス入力端子と該アドレスラッチ回路との間に配置された第1のトランスミッションゲートと、
該アドレスラッチ回路と該コア部との間に配置された第2のトランスミッションゲートと
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項5記載の半導体記憶装置であって、
該第2のトランスミッションゲートが該書込み制御信号の立ち上がりに応答してオンとなって該アドレスラッチ回路に格納された該第1のアドレス信号を出力し、それから該第1のトランスミッションゲートがオンとなって該アドレス入力端子において該第2のアドレス信号を受信することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項5記載の半導体記憶装置であって、
該アドレスバッファ回路は、該アドレス入力端子と該コア部との間に配置され且つ該アドレスラッチ回路と該第1及び第2のトランスミッションゲートとに並列に接続された第3のトランスミッションゲートを更に有し、
該第3のトランスミッションゲートは記憶装置の書込み動作において動作することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記データバッファ回路は、
データラッチ回路と、
データ入力端子と該データラッチ回路との間に配置された第1のトランスミッションゲートと、
該データラッチ回路と該コア部との間に配置された第2のトランスミッションゲートと
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項8記載の半導体記憶装置であって、
該第2のトランスミッションゲートが該書込み制御信号の立ち上がりに応答してオンとなって該データラッチ回路に格納された該第1の書込みデータを出力し、それから該第1のトランスミッションゲートが該書込み制御信号の立ち下がりに応答してオンとなって該データ入力端子において該第2の書込みデータを受信することを特徴とする半導体記憶装置。
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