JP2007114966A - 電流制限回路 - Google Patents

Abstract

【課題】回路面積の増大を抑制し、且つ低電源電圧化に対する制限を緩和可能な電流制限回路を提供する。
【解決手段】 電圧供給部１０と、電圧供給部１０から出力される出力電流Ｉｏ及び一定値の設定電流Ｉａを用いて、出力電流Ｉｏより小さい電流値の検出電流Ｉｂを生成する検出電流生成部２０と、検出電流Ｉｂを監視して、出力電流Ｉｏが制限値に達した場合に電圧供給部１０を制御して出力電流Ｉｏを調整する調整部３０とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、負荷回路に出力する出力電流を制限する電流制限回路に関する。

出力端子に所定の出力電圧を供給する定電圧出力回路は、出力端子に接続された負荷回路に一定値以上の電流が流れないように、出力端子から負荷回路に流れる電流を制限する電流制限回路を備える場合が多い。電流制限回路は、例えば負荷回路を破壊する大きな電流が出力端子から負荷回路に流れることを防止する。

一般に、電流制限回路は、出力端子に電流を出力する出力回路と、出力回路から出力端子に出力される出力電流を検出する電流検出用素子を有する。電流制限回路は、電流検出用素子によって検出された出力電流が所定の制限値以上である場合に、出力回路を制御して出力電流を減少させる。従来の電流制限回路では、出力電流と同じ大きさの電流が電流検出用素子に流れる。例えば電流検出用素子にカレントミラー回路を使用する場合、カレントミラー回路を構成するトランジスタのサイズを出力回路に使用されるトランジスタと同程度にする必要がある（例えば、非特許文献１参照。）。そのため、電流制限回路の面積が増大する問題があった。

又、カレントミラー回路を用いて出力電流を検出し、出力電流を制限する電流制限回路では、カレントミラー回路に含まれるダイオード接続されたトランジスタの順方向電圧降下分だけ、カレントミラー回路において電圧降下が生じる。ここで、「ダイオード接続」とは、例えばｐｎｐ型バイポーラトランジスタのベース電極とコレクタ電極を接続してダイオードを構成することをいう。カレントミラー回路において電圧降下が生じるため、定電圧出力回路及び電流制限回路の低電源電圧化を行う場合に、ダイオード接続による順方向電圧降下分だけ電源電圧の低下の範囲が制限されるという問題があった。
発明協会公開技報公技番号２００３−５００６４３号

本発明は、回路面積の増大を抑制し、且つ低電源電圧化に対する制限を緩和可能な電流制限回路を提供する。

本願発明の一態様によれば、電圧供給部と、電圧供給部から出力される出力電流及び一定値の設定電流を用いて、出力電流より小さい電流値の検出電流を生成する検出電流生成部と、検出電流を監視して、出力電流が制限値に達した場合に電圧供給部を制御して出力電流を調整する調整部とを備える電流制限回路が提供される。

本発明によれば、回路面積の増大を抑制し、且つ低電源電圧化に対する制限を緩和可能な電流制限回路を提供できる。

次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。又、以下に示す第１及び第２の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る電流制限回路１は、図１に示すように、電圧供給部１０と、電圧供給部１０から出力される出力電流Ｉｏ及び一定値の設定電流Ｉａを用いて、出力電流Ｉｏより小さい電流値の検出電流Ｉｂを生成する検出電流生成部２０と、検出電流Ｉｂを監視して、出力電流Ｉｏが制限値に達した場合に電圧供給部１０を制御して出力電流Ｉｏを調整する調整部３０とを備える。

図１に示した電圧供給部１０は、出力端子３に出力電圧Ｖｏを供給する出力トランジスタＴ１０、及び出力トランジスタＴ１０の動作を制御する出力制御部１０１を有する。図１は、出力トランジスタＴ１０にｐｎｐ型バイポーラトランジスタを適用した例を示す。図１に示す基準電圧発生回路２により生成された基準電圧Ｖｓが、入力端子４を介して出力制御部１０１に供給される。出力制御部１０１から出力される電流は、ベース電流として出力トランジスタＴ１０のベース電極に供給される。出力トランジスタＴ１０のエミッタ電極は検出電流生成部２０に接続され、コレクタ電極は配線３０１を介して出力端子３に接続される。出力制御部１０１から出力トランジスタＴ１０のベース電極に入力するベース電流によって、出力トランジスタＴ１０が出力端子３に供給する出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏが決定される。出力制御部１０１から出力されるベース電流は、後述するように調整部３０によって調整される。

基準電圧発生回路２には、例えば、周囲温度が変化した場合にも一定の基準電圧Ｖｓを出力するバンドギャップリファレンス（ＢＧＲ）回路等が採用可能である。電流制限回路１及び基準電圧発生回路２により、出力端子３から所定の出力電圧Ｖｏを供給する定電圧出力回路が構成される。電流制限回路１は、出力端子３に接続された負荷回路に、予め設定された制限値より大きな電流が流れないように出力電流Ｉｏを制御する。制限値は、例えば出力端子３に接続された負荷回路が破壊されない程度、或いは負荷回路に流れる電流に起因する発熱によって負荷回路が誤動作しない程度に設定される。

検出電流生成部２０は、電源線３００に一端が接続し、出力電流Ｉｏ及び検出電流Ｉｂが流れる検出抵抗Ｒ２０と、電源線３００に第１の主電極が接続し、第２の主電極と制御電極が互いに接続する、設定電流Iａが流れる定電流トランジスタＴ２１と、検出抵抗Ｒ２０の他端に第１の主電極が接続し、定電流トランジスタＴ２１の制御電極に制御電極が接続する、第２の主電極から検出電流Ｉｂを出力する検出トランジスタＴ２２とを備える。

図１は、定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２に、第１の主電極をエミッタ電極、第２の主電極をコレクタ電極とするｐｎｐ型バイポーラトランジスタを適用した例を示す。定電流トランジスタＴ２１のエミッタ電極に電源電圧Ｖｃｃを供給する電源線３００が接続される。定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２の各ベース電極が互いに接続され、その接続部に定電流トランジスタＴ２１のコレクタ電極が接続されて定電流トランジスタＴ２１はダイオード接続されている。つまり、定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２によりカレントミラー回路が構成される。定電流トランジスタＴ２１のコレクタ電極に設定電流Ｉａを出力する定電流源２５が接続し、定電流トランジスタＴ２１に設定電流Ｉａが流れる。検出トランジスタＴ２２のコレクタ電極に調整部３０が接続され、検出トランジスタＴ２２は、検出電流Ｉｂを調整部３０に出力する。

又、図１に示すように、検出抵抗Ｒ２０と検出トランジスタＴ２２のエミッタ電極の接続部は、出力トランジスタＴ１０のエミッタ電極に接続する。検出抵抗Ｒ２０及び出力トランジスタＴ１０を介して、出力電流Ｉｏが出力端子３に出力される。検出抵抗Ｒ２０の抵抗値は、出力電流Ｉｏによる検出抵抗Ｒ２０での電圧降下に起因する、電源電圧Ｖｃｃの低電圧化に対する制限を抑制するように設定される。例えば、出力電流Ｉｏが１００ｍＡ程度の場合には、検出抵抗Ｒ２０の抵抗値は１０ｍΩ〜１Ω程度であることが望ましい。更には、検出抵抗Ｒ２０の抵抗値は、５０ｍΩ〜２００ｍΩ程度であることが望ましい。例えば、出力電流Ｉｏが１００ｍＡ且つ検出抵抗Ｒ２０の抵抗値が１００ｍΩの場合、検出抵抗Ｒ２０での電圧降下量は１０ｍＶである。したがって、ダイオード接続による順方向電圧降下量に比べて検出抵抗Ｒ２０での電圧降下量は小さく、電源電圧Ｖｃｃの低電圧化に対する制限が抑制される。検出抵抗Ｒ２０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）抵抗等が採用可能である。

以下に、検出電流Ｉｂについて説明する。定電流トランジスタＴ２１に対する検出トランジスタＴ２２のエミッタ面積の比ｎ、検出抵抗Ｒ２０の抵抗値、及び設定電流Ｉａを用いて、式（１）のように検出電流Ｉｂと出力電流Ｉｏの関係が成立する（ｎ：１より大きい実数）。エミッタ面積の比ｎは、例えば４程度に設定される：

Ｒ₂₀×（Ｉｏ＋Ｉｂ）＋Ｖ_T×ｌｎ｛Ｉｂ／（ｎ×Ｉｓ）｝
＝Ｖ_T×ｌｎ（Ｉａ／Ｉｓ） ・・・・・（１）

式（１）において、「Ｒ₂₀」は検出抵抗Ｒ２０の抵抗値である。又、電流Ｉｓは定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２の飽和電流、係数Ｖ_Tは温度により決まる係数である。式（１）を変形して、式（２）が求まる：

Ｒ₂₀×（Ｉｏ＋Ｉｂ）＝Ｖ_T×ｌｎ（ｎ×Ｉａ／Ｉｂ） ・・・・・（２）

出力電流Ｉｏに対して検出電流Ｉｂが十分小さい場合、例えば出力電流Ｉｏが数百ｍＡ、検出電流Ｉｂが数ｍＡ程度であると、Ｉｏ＋Ｉｂ≒Ｉｏと近似できる。その結果、式（２）を変形して式（３）が求まる：

Ｉｂ＝ｎ×Ｉａ×ＥＸＰ｛−（Ｒ₂₀×Ｉｏ）／Ｖ_T ｝ ・・・・・（３）

式（３）によって規定される検出電流Ｉｂと出力電流Ｉｏの関係を、図２に示す。図２に示すように、出力電流Ｉｏが増大するにしたがって、検出電流Ｉｂは減少する。つまり、検出電流生成部２０は、出力電流Ｉｏに対して負の依存性を有する検出電流Ｉｂを生成する。設定電流Ｉａは、所望の出力電流Ｉｏに対して検出電流Ｉｂが十分小さくなるように設定される。例えば、検出電流Ｉｂが出力電流Ｉｏの１００分の１程度になるように、設定電流Ｉａが設定される。

図１に示す調整部３０は、比較部４０と制御部５０を有する。比較部４０は、抵抗Ｒ４１、抵抗Ｒ４２、差動増幅器４０１、及び定電圧源４０２を有する。比較部４０は、後述するように、出力電圧Ｖｏ及び検出電流Ｉｂを用いて生成される第１の電圧Ｖ_１と、出力電流Ｉｏの制限値に基づき設定される第２の電圧Ｖ_２とを比較する。

図１に示すように、抵抗Ｒ４１及び抵抗Ｒ４２が配線３０１と接地線３０２間に直列接続され、抵抗Ｒ４１と抵抗Ｒ４２の接続部に差動増幅器４０１のマイナス側端子及び検出トランジスタＴ２２のコレクタ電極が接続する。又、差動増幅器４０１のプラス側端子に定電圧源４０２が接続する。図１において、差動増幅器４０１のマイナス側端子及びプラス側端子は、それぞれ「−」及び「＋」で示される（以下において同様。）。差動増幅器４０１は、マイナス側端子に供給される第１の電圧Ｖ_１と、プラス側端子に供給される第２の電圧Ｖ_２の差動増幅を行う。差動増幅器４０１の出力は、第２の電圧Ｖ_２が第１の電圧Ｖ_１より高い場合にはハイレベルである。そして、第２の電圧Ｖ_２が第１の電圧Ｖ_１より低い場合には、差動増幅器４０１の出力はローレベルである。

差動増幅器４０１のマイナス側端子の電圧は、配線３０１から抵抗Ｒ４１及び抵抗Ｒ４２を介して接地線３０２に流れる電流及び検出電流Ｉｂを、抵抗Ｒ４２により電圧変換した電圧として生成される。つまり、第１の電圧Ｖ_１は、抵抗Ｒ４２における電圧降下量に相当する。定電圧源４０２が供給する設定電圧Ｖａが、第２の電圧Ｖ_２として差動増幅器４０１のプラス側端子に供給される。設定電圧Ｖａは、出力電流Ｉｏの制限値に対応する検出電流Ｉｂの電流値（以下において、「検出制限値」という。）より検出電流Ｉｂが小さい場合に、差動増幅器４０１のプラス側端子に供給される第２の電圧Ｖ_２がマイナス側端子に供給される第１の電圧Ｖ_１より大きくなるように設定される。したがって、定電圧源４０２の設定電圧Ｖａは、抵抗Ｒ４１、抵抗Ｒ４２、及び検出制限値に基づき設定可能である。検出制限値は、例えば図２に示したグラフや回路シミュレーション等を用いて設定できる。

制御部５０は、比較部４０による比較の結果に基づき、電圧供給部１０を制御する。図１は、制御部５０にｎｐｎ型バイポーラトランジスタである制御トランジスタＴ５０を適用した例を示す。制御トランジスタＴ５０のベース電極に差動増幅器４０１の出力が接続する。制御トランジスタＴ５０のコレクタ電極に出力制御部１０１が接続し、エミッタ電極に接地線３０２が接続する。

以下に、図１に示した電流制限回路１によって出力電流Ｉｏを調整する方法を説明する。出力電流Ｉｏが制限値以下のときは、検出制限値より検出電流Ｉｂが大きい。そのため、差動増幅器４０１のプラス側端子に供給される第２の電圧Ｖ_２よりマイナス側端子に供給される第１の電圧Ｖ_１が大きく、差動増幅器４０１の出力はローレベルである。その結果、制御トランジスタＴ５０にベース電流が流れず、制御トランジスタＴ５０はオフである。

出力電流Ｉｏが増大するにしたがい、検出電流Ｉｂが減少し、第１の電圧Ｖ_１が低下する。出力電流Ｉｏが増大して制限値に達すると、検出制限値より検出電流Ｉｂが小さくなる。その結果、第２の電圧Ｖ_２が第１の電圧Ｖ_１より大きくなり、差動増幅器４０１の出力はハイレベルになる。差動増幅器４０１の出力がハイレベルになると、制御トランジスタＴ５０がオンする。制御トランジスタＴ５０がオンすることにより、出力制御部１０１の動作が制御され、出力制御部１０１から出力トランジスタＴ１０のベース電極に出力される電流が減少する。例えば、出力制御部１０１が出力トランジスタＴ１０のベース電極にベース電流を供給する可変電流源を含み、制御トランジスタＴ５０にコレクタ電流が流れることにより、可変電流源が供給するベース電流が減少させられる。その結果、出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏが減少する。

検出電流Ｉｂが検出制限値を超えて更に減少するにしたがい、差動増幅器４０１のマイナス側端子の電圧が低下する。そのため、差動増幅器４０１の出力が連続的に上昇して制御トランジスタＴ５０を流れる電流が増大する。その結果、出力トランジスタＴ１０のベース電流が連続的に減少し、出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏが連続的に減少する。

出力電流Ｉｏが減少することにより、図２に示したように検出電流Ｉｂが増大する。その結果、抵抗Ｒ４２における電圧降下量が増大し、第１の電圧Ｖ_１が上昇する。第１の電圧Ｖ_１が上昇して、第２の電圧Ｖ_２より高い場合には、差動増幅器４０１の出力はローレベルになる。つまり、出力電流Ｉｏの変化が差動増幅器４０１の出力にフィードバックされて、制御部５０の動作が制御される。その結果、出力電流Ｉｏは一定の値以下にはならない。

一方、既に述べたように、出力電流Ｉｏが制限値以下のときは制御トランジスタＴ５０にベース電流が流れず、制御トランジスタＴ５０はオフである。その結果、出力電圧Ｖｏは一定に維持される。

図２に示したように、出力電流Ｉｏと検出電流Ｉｂの関係は連続的である。そのため、上記のように電流制限回路１によって出力電流Ｉｏを調整することにより、出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏについて、図３に示すような、いわゆる「フの字特性」が得られる。つまり、出力電流Ｉｏが制限値Ｉ_Limitに達するまでは、出力端子３の出力電圧Ｖｏは電圧Ｖ_REGで一定である。出力電流Ｉｏが制限値Ｉ_Limitに達すると、出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏは連続的に減少する。
以上に説明したように、本発明の第１の実施の形態に係る電流制限回路１では、検出電流生成部２０が出力電流Ｉｏに依存する電流値の検出電流Ｉｂを生成し、出力電流Ｉｏの制限値に対応する検出電流Ｉｂの制限値である検出制限値に検出電流Ｉｂが達した場合に、調整部３０が電圧供給部１０から出力される出力電流Ｉｏを調整する。つまり、検出電流Ｉｂを監視することにより出力電流Ｉｏを間接的に監視し、出力端子３に接続された負荷回路に過大な出力電流Ｉｏが流れることを防止できる。

特に、図１に示した電流制限回路１では、定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２にそれぞれに流れる設定電流Ｉａ及び検出電流Ｉｂが、出力電流Ｉｏよりも小さいため、定電流トランジスタＴ２１及び検出トランジスタＴ２２の面積を出力トランジスタＴ１０より小さくできる。その結果、電流制限回路１の面積の増大を抑制できる。

更に、図１に示した検出抵抗Ｒ２０の抵抗値は、出力電流Ｉｏによる検出抵抗Ｒ２０での電圧降下に起因する、電源電圧Ｖｃｃの低電圧化に対する制限を抑制するように設定可能である。したがって、図１に示した電流制限回路１によれば、電源電圧Ｖｃｃの低電源電圧化に対する制限が緩和される。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る電流制限回路１Ａは、図４に示すように、第２検出電流生成部４１０を含み、定電圧源４０２を含まない点が図１と異なる。第２検出電流生成部４１０は、出力電流Ｉｏに対する検出電流Ｉｂの依存性と逆の依存性を有する第２の検出電流Ｉｃを、設定電流Ｉａ及び検出電流Ｉｂを用いて生成する。後述するように、第２の検出電流Ｉｃが入力する比較部４０Ａは、出力電圧Ｖｏに基づき生成される第１の電圧Ｖ_1aと、第２の検出電流Ｉｃを用いて生成される第２の電圧Ｖ_2aとを比較する。

図４に示すように、第２検出電流生成部４１０は、トランジスタＴ４１１〜Ｔ４１５及び抵抗Ｒ４３を有する。図４は、トランジスタＴ４１１〜Ｔ４１３にｎｐｎ型バイポーラトランジスタを適用し、トランジスタＴ４１４〜Ｔ４１５にｐｎｐ型バイポーラトランジスタを適用した例を示す。トランジスタＴ４１１とＴ４１２のエミッタ面積は同一であり、Ｔ４１４とＴ４１５のエミッタ面積は同一である。更に、トランジスタＴ４１３のエミッタ面積は、トランジスタＴ４１１及びＴ４１２のエミッタ面積のｎ倍である。

図１に示した電流制限回路１では、定電流源２５は定電流トランジスタＴ２１のコレクタ電極に接続されたが、図４に示した電流制限回路１Ａでは、定電流源２５はトランジスタＴ４１１のコレクタ電極に接続され、トランジスタＴ４１１に設定電流Ｉａが流れる。トランジスタＴ４１１〜Ｔ４１３のエミッタ電極は、それぞれ接地線３０２に接続される。トランジスタＴ４１１、トランジスタＴ４１２及びトランジスタＴ４１３の各ベース電極が互いに接続され、その接続部にトランジスタＴ４１１のコレクタ電極が接続されてトランジスタＴ４１１はダイオード接続されている。つまり、トランジスタＴ４１１〜Ｔ４１３はカレントミラー回路を構成する。トランジスタＴ４１２のコレクタ電極に、定電流トランジスタＴ２１のコレクタ電極が接続される。トランジスタＴ４１１とトランジスタＴ４１２のエミッタ面積は同一であるため、トランジスタＴ４１２に設定電流Ｉａが流れる。そのため、定電流トランジスタＴ２１に設定電流Ｉａが流れる。

トランジスタＴ４１３のコレクタ電極に、検出トランジスタＴ２２のコレクタ電極及びトランジスタＴ４１４のコレクタ電極が接続される。トランジスタＴ４１３のエミッタ面積は、トランジスタＴ４１１のエミッタ面積のｎ倍であるため、トランジスタＴ４１３に設定電流Ｉａのｎ倍の電流が流れる。検出トランジスタに検出電流Ｉｂが流れるため、トランジスタＴ４１４に流れる第２の検出電流Ｉｃは式（４）で表される：

Ｉｃ＝ｎ×Ｉａ−Ｉｂ ・・・・・（４）

式（４）に示したように、第２の検出電流Ｉｃの出力電流Ｉｏに対する依存性は、出力電流Ｉｏに対する検出電流Ｉｂの依存性と逆である。そのため、出力電流Ｉｏが増大するにしたがって、第２の検出電流Ｉｃは増大する。つまり、第２検出電流生成部４１０は、出力電流Ｉｏに対して正の依存性を有する第２の検出電流Ｉｃを生成する。

トランジスタＴ４１４〜Ｔ４１５のエミッタ電極は、それぞれ電源線３００に接続する。トランジスタＴ４１４及びトランジスタＴ４１５の各ベース電極が互いに接続され、その接続部にトランジスタＴ４１４のコレクタ電極が接続されてトランジスタＴ４１４はダイオード接続されている。つまり、トランジスタＴ４１４及びトランジスタＴ４１５はカレントミラー回路を構成する。トランジスタＴ４１５のコレクタ電極に、差動増幅器４０１のプラス側端子及び抵抗Ｒ４３の一端が接続される。トランジスタＴ４１４とトランジスタＴ４１５のエミッタ面積は同一であるため、トランジスタＴ４１５に第２の検出電流Ｉｃが流れる。抵抗Ｒ４３の他端は接地線３０２に接続され、第２の検出電流Ｉｃが抵抗Ｒ４３を流れることより抵抗Ｒ４３の両端に電圧が発生する。そのため、第２の検出電流Ｉｃを抵抗Ｒ４３により電圧変換して生成される第２の電圧Ｖ_2aが差動増幅器４０１のプラス側端子に供給される。

図４に示すように、抵抗Ｒ４１及び抵抗Ｒ４２が配線３０１と接地線３０２間に直列接続され、抵抗Ｒ４１と抵抗Ｒ４２の接続部に差動増幅器４０１のマイナス側端子が接続する。つまり、差動増幅器４０１のマイナス側端子に供給される第１の電圧Ｖ_1aは、出力電圧Ｖｏを抵抗Ｒ４１、Ｒ４２により抵抗分割して生成される。

抵抗Ｒ４１及び４２は、出力電流Ｉｏの制限値に対応する第２の検出電流Ｉｃの電流値（以下において、「第２の検出制限値」という。）より第２の検出電流Ｉｃが大きい場合に、差動増幅器４０１のプラス側端子の電圧がマイナス側端子の電圧より大きくなるように設定される。

以下に、図４に示した電流制限回路１Ａによって出力電流Ｉｏを調整する方法を説明する。出力電流Ｉｏが制限値以下のときは、第２の検出制限値より第２の検出電流Ｉｃが小さい。そのため、差動増幅器４０１のプラス側端子に供給される第２の電圧Ｖ_2aよりマイナス側端子に供給される第１の電圧Ｖ_1aが大きく、差動増幅器４０１の出力はローレベルである。その結果、制御トランジスタＴ５０はオフである。つまり、出力電圧Ｖｏは一定に維持される。

出力電流Ｉｏが増大して制限値に達すると、第２の検出制限値より第２の検出電流Ｉｃが大きくなる。その結果、第２の電圧Ｖ_2aが第１の電圧Ｖ_1aより大きくなり、差動増幅器４０１の出力はハイレベルになる。そのため、制御トランジスタＴ５０はオンし、第１の実施の形態で説明したように出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏが減少する。その結果、電流制限回路１Ａによって出力電流Ｉｏを調整することにより、図１に示した電流制限回路１によって出力電流Ｉｏの調整する場合と同様に、出力電圧Ｖｏ及び出力電流Ｉｏについて図３に示すような「フの字特性」が得られる。

以上に説明したように、本発明の第２の実施の形態に係る電流制限回路１Ａによれば、出力電流Ｉｏに対して正の依存性を有する第２の検出電流Ｉｃが生成され、出力電流Ｉｏの制限値に対応する第２の検出電流Ｉｃの制限値である第２の検出制限値に第２の検出電流Ｉｃが達した場合に、出力電流Ｉｏが調整される。その結果、出力端子３に接続された負荷回路に過大な出力電流Ｉｏが流れることを防止できる。又、図４に示した電流制限回路１Ａによれば、定電圧源４０２を含まない電流制限回路１Ａを実現することができる。他は、第１の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

既に述べた第１及び第２の実施の形態の説明においては、出力トランジスタＴ１０にｐｎｐ型バイポーラトランジスタを適用した例を示したが、出力トランジスタＴ１０に、例えばｐチャネル型ＭＯＳトランジスタを適用してもよい。その場合、出力トランジスタＴ１０のゲート電極に出力制御部１０１、ドレイン電極に検出抵抗Ｒ２０、ソース電極に出力端子３がそれぞれ接続する。出力制御部１０１は、調整部３０による制御によって出力トランジスタＴ１０のゲート電極に供給する電圧を変化させ、出力トランジスタＴ１０から出力端子３に出力する出力電流Ｉｏを調整する。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明の第１の実施の形態に係る電流制限回路の構成を示す模式図である。 本発明の第１の実施の形態に係る電流制限回路の検出電流と出力電流の関係を示すグラフである。 本発明の第１の実施の形態に係る電流制限回路による出力電圧及び出力電流の関係を示すグラフである。 本発明の第２の実施の形態に係る電流制限回路の構成を示す模式図である。

符号の説明

Ｒ２０…検出抵抗
Ｔ１０…出力トランジスタ
Ｔ２１…定電流トランジスタ
Ｔ２２…検出トランジスタ
Ｔ５０…制御トランジスタ
１、１Ａ…電流制限回路
２…基準電圧発生回路
３…出力端子
４…入力端子
１０…電圧供給部
２０…検出電流生成部
２５…定電流源
３０…調整部
４０、４０Ａ…比較部
５０…制御部
１０１…出力制御部
４０１…差動増幅器
４０２…定電圧源
４１０…第２検出電流生成部

Claims (5)

1. 電圧供給部と、
   前記電圧供給部から出力される出力電流及び一定値の設定電流を用いて、前記出力電流より小さい電流値の検出電流を生成する検出電流生成部と、
   前記検出電流を監視して、前記出力電流が制限値に達した場合に前記電圧供給部を制御して前記出力電流を調整する調整部
   とを備えることを特徴とする電流制限回路。
2. 前記検出電流生成部が、
   電源線に一端が接続し、前記出力電流及び前記検出電流が流れる検出抵抗と、
   前記電源線に第１の主電極が接続し、第２の主電極と制御電極が互いに接続する、前記設定電流が流れる定電流トランジスタと、
   前記検出抵抗の他端に第１の主電極が接続し、前記定電流トランジスタの制御電極に制御電極が接続する、第２の主電極から前記検出電流を出力する検出トランジスタ
   とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電流制限回路。
3. 前記調整部が、
   前記検出電流を用いて生成される第１の電圧と、前記制限値に基づき設定される第２の電圧とを比較する比較部と、
   前記比較の結果に基づき、前記電圧供給部を制御する制御部
   とを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流制限回路。
4. 前記出力電流に対して、前記出力電流に対する前記検出電流の依存性と逆の依存性を有する第２の検出電流を、前記設定電流及び前記検出電流を用いて生成する第２検出電流生成部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流制限回路。
5. 前記調整部が、
   出力端子における電圧に基づき生成される第１の電圧と、前記第２の検出電流を用いて生成される第２の電圧とを比較する比較部と、
   前記比較の結果に基づき、前記電圧供給部を制御する制御部
   とを備えることを特徴とする請求項４に記載の電流制限回路。

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