JP2007112945A - 複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス - Google Patents
複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007112945A JP2007112945A JP2005307634A JP2005307634A JP2007112945A JP 2007112945 A JP2007112945 A JP 2007112945A JP 2005307634 A JP2005307634 A JP 2005307634A JP 2005307634 A JP2005307634 A JP 2005307634A JP 2007112945 A JP2007112945 A JP 2007112945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon dioxide
- organic compound
- phosphor
- particles
- phosphor particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】複合粒子は、超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素の存在下で、蛍光体粒子と超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素に溶解する有機化合物とを接触させた後、該超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を除去して製造される。
【選択図】なし
Description
以上のように、超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を利用した複合粒子の製造では、低温で操作を行うことができるために操作が容易であると共に、二酸化炭素が無害であるために危険性がなく、また、熱処理等を施さなくてもよいために安価であって、製造コストを削減することができるという利点がある。
図1は、白色LED10を示す。
図2は、AC型のプラズマディスプレイ20を示す。
図3は、試験評価サンプルを作製するために用いた複合粒子作製装置30を示す。
上記の複合粒子作製装置30のオートクレーブ31内に、蛍光体粒子として、平均粒径が5μmの(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+(以下、「蛍光体粒子1」という。)を10.0gと、有機化合物として、ポリ(N−プロパノイルエチレンイミン)グラフト−ジメチルシロキサンとγ−アミノプロピルメチルシロキサンとの共重合体(以下、「シリコーン系有機化合物1」という。)を0.5gとを仕込んだ。
蛍光体粒子1を15.0g仕込み、有機化合物として、熱硬化性シリコーン樹脂(信越化学工業(株)製 商品名:KJR−9032)(以下、「シリコーン系有機化合物2」という。)を0.47g仕込んだ以外実施例1と同様にして作製した複合粒子を実施例2とした。なお、減圧時間は12分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が311Kであり、減圧終了時の温度が306Kであった。
蛍光体粒子として、平均粒径5μmの(Ba,Eu)MgAl10O17(以下、「蛍光体粒子2」という。)を15.0g仕込み、有機化合物として、シリコーン系有機化合物1を0.45g仕込んだ以外実施例1と同様にして作製した複合粒子を実施例3とした。なお、減圧時間は12分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が306Kであり、減圧終了時の温度が303Kであった。
蛍光体粒子2を10.0g仕込み、有機化合物として、シリコーン系有機化合物2を0.30g仕込んだ以外実施例3と同様にして作製した複合粒子を実施例4とした。なお、減圧時間は13分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が310Kであり、減圧終了時の温度が300Kであった。
蛍光体粒子として、粒径2〜60μmのSrAl2O4:Eu,Dy(以下、「蛍光体粒子3」)を3.0g仕込み、有機化合物として、ステアリルメタクリレート・2−(パーフルオロオクチル)エチルメタクリレート共重合体(質量比2:8)(以下、「フッ素系有機化合物1」という。)を0.09g仕込んだ以外実施例1と同様にして作製した複合粒子を実施例5とした。なお、減圧時間は13分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が315Kであり、減圧終了時の温度が308Kであった。
有機化合物として、シリコーン系有機化合物1を0.09g仕込んだ以外実施例5と同様にして作製した複合粒子を実施例6とした。なお、減圧時間は16分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が311Kであり、減圧終了時の温度が302Kであった。
蛍光体粒子3を7.0g仕込み、シリコーン系有機化合物1を1.40g仕込んだ以外実施例6と同様にして作製した複合粒子を実施例7とした。なお、減圧時間は14分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が316Kであり、減圧終了時の温度が308Kであった。
蛍光体粒子3を7.0g仕込み、フッ素系有機化合物1を1.40g仕込んだ以外実施例5と同様にして作製した複合粒子を実施例8とした。なお、減圧時間は12分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が308Kであり、減圧終了時の温度が308Kであった。
蛍光体粒子3を7.0g仕込み、シリコーン系有機化合物2を0.52g仕込んだ以外実施例5と同様にして作製した複合粒子を実施例9とした。なお、減圧時間は11分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が310Kであり、減圧終了時の温度が308Kであった。
蛍光体粒子3を8.0g仕込み、有機化合物として、パーフルオロポリエーテル(AUSIMONT社製 商品名:Fomblin HC)(フッ素系有機化合物2)を0.53g仕込んだ以外実施例5と同様にして作製した複合粒子を実施例10とした。なお、減圧時間は13分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が312Kであり、減圧終了時の温度が304Kであった。
有機化合物として、ジメチルシリコーンオイル(信越化学工業(株)社製 商品名:KF96−1000cs)(シリコーン系有機化合物3)を0.52g仕込んだ以外実施例10と同様にして作製した複合粒子を実施例11とした。なお、減圧時間は14分間であり、減圧途中の内部圧力7MPa時のオートクレーブ31内の温度が314Kであり、減圧終了時の温度が308Kであった。
蛍光体粒子1を20.0gとシリコーン系有機化合物2を0.63gとを内容量0.3Lの高速流動型混合機スーパーミキサー((株)カワタ社製、商品名:ピッコロSMP−2)に仕込み、これを3000r/minで回転させて10分間混合することにより得られた混合粉体を比較例1とした。
<撥水性>
蛍光体粒子1〜3及び実施例1〜11の複合粒子のそれぞれの撥水性について以下のように試験評価した。
実施例2の複合粒子、比較例1の混合粉体、及び、蛍光体粒子1のそれぞれのシリコーン樹脂に対する分散性を以下のように試験評価した。
<撥水性>
表1は、撥水性の評価結果を示す。
図4(a)は実施例2の複合粒子、図4(b)は比較例1の混合粉体、及び、図4(c)は蛍光体粒子1のそれぞれについて、シリコーン樹脂に混合してシリコーン樹脂を硬化させた後の形態を示す。
原体蛍光体粒子1〜3に比較して、実施例1〜11の複合粒子は凝集粒子の増加が認められなかった。
15 LEDチップ(発光刺激源)
16 蛍光体層(発光部)
20 プラズマディスプレイ
25R,25G,25B 蛍光体層(発光部)
Claims (7)
- 超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素の存在下で、蛍光体粒子と超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素に溶解する有機化合物とを接触させた後、該超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を除去して製造される複合粒子。
- 上記蛍光体粒子と有機化合物との接触を、超臨界二酸化炭素の存在下で行うと共に、上記超臨界二酸化炭素の除去を、二酸化炭素の臨界温度以上の温度下で減圧することにより行うことで製造される請求項1に記載の複合粒子。
- 白色LEDの発光材料として用いられる請求項1又は2に記載の複合粒子。
- プラズマディスプレイの発光材料として用いられる請求項1又は2に記載の複合粒子。
- 蓄光性蛍光体として用いられる請求項1又は2に記載の複合粒子。
- 超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素の存在下で、蛍光体粒子と超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素に溶解する有機化合物とを接触させるステップと、
上記超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を除去するステップと、
を備えた複合粒子の製造方法。 - 超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素の存在下で、蛍光体粒子と超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素に溶解する有機化合物とを接触させた後、該超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を除去して製造される複合粒子を含んで形成された発光部と、
上記発光部中の蛍光体粒子に対して該蛍光体粒子を発光させる刺激を与える発光刺激源と、
を備えた発光デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005307634A JP4820618B2 (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005307634A JP4820618B2 (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007112945A true JP2007112945A (ja) | 2007-05-10 |
JP4820618B2 JP4820618B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38095429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005307634A Expired - Fee Related JP4820618B2 (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4820618B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008144053A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Dow Corning Toray Co Ltd | 複合微粒子及びその製造方法 |
JP2009152601A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Ningbo Andy Optoelectronic Co Ltd | 白色発光ダイオード及びそのパッケージ構造の製造方法 |
JP2014034594A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Kaneka Corp | シリコーン処理蛍光体、シリコーン処理蛍光体含有シリコーン系硬化性組成物およびこれらの組成物で封止されてなる発光装置 |
JP2015115598A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | パッケージ材料、その製造方法、及びパッケージ材料を備えた発光ダイオードのパッケージ構造 |
JP2017191879A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552919B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1993-08-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JP2000105298A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
JP2003082343A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
JP2005029724A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Futaba Corp | 白色発光蛍光体及び蛍光表示管 |
JP2005512783A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-05-12 | イーストマン コダック カンパニー | 界面活性剤利用ナノ材料生成方法 |
-
2005
- 2005-10-21 JP JP2005307634A patent/JP4820618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552919B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1993-08-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JP2000105298A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
JP2005512783A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-05-12 | イーストマン コダック カンパニー | 界面活性剤利用ナノ材料生成方法 |
JP2003082343A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
JP2005029724A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Futaba Corp | 白色発光蛍光体及び蛍光表示管 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008144053A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Dow Corning Toray Co Ltd | 複合微粒子及びその製造方法 |
JP2009152601A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Ningbo Andy Optoelectronic Co Ltd | 白色発光ダイオード及びそのパッケージ構造の製造方法 |
JP2014034594A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Kaneka Corp | シリコーン処理蛍光体、シリコーン処理蛍光体含有シリコーン系硬化性組成物およびこれらの組成物で封止されてなる発光装置 |
JP2015115598A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | パッケージ材料、その製造方法、及びパッケージ材料を備えた発光ダイオードのパッケージ構造 |
JP2017191879A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4820618B2 (ja) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4820618B2 (ja) | 複合粒子及びその製造方法、並びに、それを用いた発光デバイス | |
CN104662123B (zh) | 制造包括量子点的组分的方法、方法以及产品 | |
JP6387041B2 (ja) | 発光ダイオード用途に使用するための赤色線放出蛍光体 | |
TWI493746B (zh) | 具有半透明陶瓷板之發光元件 | |
JP5837289B2 (ja) | 光ルミネセンス蛍リン光体粒子を含む安全管理用製品 | |
US20100207139A1 (en) | Photonic material having regularly arranged cavities | |
JP5034314B2 (ja) | 高屈折率透明粒子の製造方法と高屈折率透明粒子及び高屈折率透明複合体並びに発光素子 | |
US20100013373A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device | |
JP4524469B2 (ja) | 蛍光体粒子およびその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル、照明装置およびled | |
TW200938609A (en) | Surface-modified phosphors | |
TW201333170A (zh) | 包含發射穩定劑之含量子點的組成物、包含該組成物之產物及方法 | |
CN1840606A (zh) | 制备磷光体的方法 | |
WO2012086483A1 (ja) | 蛍光体塗布装置および発光装置の製造方法 | |
WO2011077548A1 (ja) | 発光装置 | |
CN1280864C (zh) | 等离子显示装置及荧光体以及荧光体的制造方法 | |
JP6546583B2 (ja) | 疎水化処理蛍光体及び発光装置 | |
Woo et al. | Robust, processable, and bright quantum dot/organosilicate hybrid films with uniform QD distribution based on thiol-containing organosilicate ligands | |
JP2007246873A (ja) | 蛍光体薄膜及びその製造方法、蛍光積層体、並びに発光装置 | |
KR20220013550A (ko) | 양자 도트, 양자 도트 조성물, 파장 변환 재료, 파장 변환 필름, 백라이트 유닛 및 화상 표시 장치 | |
JP4697885B2 (ja) | 複合化粒子の製造方法 | |
TW202028415A (zh) | 表面被覆螢光體粒子、複合體及發光裝置 | |
JP2003336052A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
TW200416228A (en) | Moisture barrier resins | |
JP5446106B2 (ja) | 球状蛍光体粒子、その製造方法並びにそれが含有された樹脂組成物及びガラス組成物 | |
JP2007177010A (ja) | コア/シェル型の微粒子蛍光体とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |