JP2007088081A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】所望の配光特性を得ることができ且つ信頼性を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】LEDチップ10を囲むリフレクタ40と、封止部50およびリフレクタ40に重ねて配置されたレンズ60と、レンズ60の光出射面60bとの間に空気層80が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材70とを備える。LEDチップ10と金属板21との間に、両者の線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和し且つ両者を熱結合させるサブマウント部材30を介在させてある。サブマウント部材30には、LEDチップ10の一表面側の各電極それぞれがバンプ13,13を介して接続される導体パターンが設けられ、各導体パターンと実装基板20の絶縁性基材22に設けられたリードパターン23,23とがボンディングワイヤ14,14により接続されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。
従来から、複数個のLEDチップが直接実装された金属ベース板と、金属ベース板に積層され各LEDチップの両電極それぞれがボンディングワイヤを介して接続される配線パターンが形成されたプリント配線板と、金属ベース板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップおよび当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などにより封止した封止部とを備え、封止部をレンズ状の形状とすることで所望の配光特性を得るようにした発光装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
また、従来から、結晶成長用基板としてサファイア基板が用いられ青色光ないし紫外光を放射するLEDチップと当該LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体とを組み合わせることにより、白色を含めLEDチップの発光色とは異なる色合いの混色光を得る技術が広く知られている。
特開2003−152225号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の発光装置では、LEDチップを金属ベース板に直接実装しているので、金属ベース板とLEDチップとの線膨張率差に起因してLEDチップが破損してしまう恐れがあり、また、外力が作用したときに当該外力が封止部を通してLEDチップおよび各ボンディングワイヤに伝達され、LEDチップの発光特性が変動したり各ボンディングワイヤが断線してしまう恐れがあった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、所望の配光特性を得ることができ且つ信頼性を高めることができる発光装置を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、当該実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを囲みLEDチップから放射された光を反射するリフレクタであって前記実装面から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなる形状に形成されたリフレクタと、リフレクタの内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップおよび当該LEDチップに電気的に接続された一対のボンディングワイヤを封止した封止部と、封止部およびリフレクタに重ねて配置されたレンズと、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であってレンズを覆いレンズの光出射面との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備え、実装基板は、金属板と、金属板側とは反対の表面にLEDチップの両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターンが設けられるとともにLEDチップに対応する部位に窓孔が設けられ金属板に積層された絶縁性基材とからなり、LEDチップは、両電極が一表面側に形成されており、当該LEDチップと金属板との間に両者の線膨張率差に起因して当該LEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材であってLEDチップのチップサイズよりもサイズが大きくLEDチップと金属板とを熱結合させるサブマウント部材を介して金属板に前記一表面が対向する形で実装され、各電極それぞれがサブマウント部材に設けた導体パターンおよびボンディングワイヤを介して互いに異なるリードパターンと接続されてなることを特徴とする。
この発明によれば、実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを囲むリフレクタと、封止部およびリフレクタに重ねて配置されたレンズと、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品からなる色変換部材とを備えていることにより、LEDチップから放射された光と蛍光体から放射された光との混色光について所望の配光特性を得ることができ、また、LEDチップと金属板との間に、両者の線膨張率差に起因して当該LEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材であってLEDチップのチップサイズよりもサイズが大きくLEDチップと金属板とを熱結合させるサブマウント部材を介在させてあるので、前記線膨張率差に起因してLEDチップが破損するのを防止することができ、信頼性を高めることができる。また、色変換部材をレンズの光出射面との間に空気層が形成される形で配設すればよくレンズに密着させる必要がないので、外力が作用したときに色変換部材に発生した応力がレンズおよび封止部を通してLEDチップおよび各ボンディングワイヤに伝達されるのを抑制できるから、LEDチップの発光特性が変動したり各ボンディングワイヤが断線したりするのを抑制でき、より信頼性を高めることができる。また、LEDチップから放射され封止部およびレンズを通して色変換部材に入射し当該色変換部材中の蛍光体の粒子により散乱された光のうちレンズ側へ散乱されてレンズを透過する光の光量を低減できて装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できるという利点や、外部雰囲気中の水分が前記LEDチップに到達しにくくなるという利点がある。
請求項1の発明では、所望の配光特性を得ることができ且つ信頼性を高めることができるという効果がある。
以下、本実施形態の発光装置について図1〜図5を参照しながら説明する。
本実施形態の発光装置1は、LEDチップ10と、LEDチップ10が実装された実装基板20と、実装基板20におけるLEDチップ10の実装面側でLEDチップ10を囲みLEDチップ10から放射された光を反射する枠状のリフレクタ40と、リフレクタ40の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップ10および当該LEDチップ10に接続されたボンディングワイヤ14,14を封止し且つ弾性を有する封止部50と、封止部50およびリフレクタ40に重ねて配置されるレンズ60と、LEDチップ10から放射された光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であってレンズ60の光出射面60b側にレンズ60を覆い光出射面60bとの間に空気層80が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材70とを備えている。なお、本実施形態の発光装置1は、例えばスポットライトなどの照明器具の光源として用いるものであり、例えばグリーンシートからなる絶縁層90を介して金属(例えば、Al、Cuなどの熱伝導率の高い金属)製の器具本体100に実装することで、LEDチップ10から器具本体100までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上し、LEDチップ10のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。ここで、照明器具の場合には、所望の光出力が得られるように、器具本体100に複数個の発光装置1を実装して(なお、図5では、10個の発光装置1を有底円筒状の器具本体100の底壁の内底面において周方向に沿って等間隔で配置した例を示してある)、複数個の発光装置1を直列接続したり並列接続したりすればよい。
実装基板20は、LEDチップ10が搭載される金属板21と、金属板21に積層されたガラスエポキシ基板からなる絶縁性基材22とで構成されており、当該絶縁性基材22における金属板21側とは反対側の表面にLEDチップ10の図示しない両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターン23が設けられるとともに、絶縁性基材22においてLEDチップ10に対応する部位に窓孔24が設けられており、LEDチップ10で発生した熱が絶縁性基材22を介さずに金属板21に伝熱できるようになっている。ここにおいて、金属板21の材料としてはCuを採用しているが、熱伝導率の比較的高い金属材料であればよく、Cuに限らず、Alなどを採用してもよい。なお、金属板21と絶縁性基材22とは、絶縁性を有するシート状の接着フィルムからなる固着材25により固着されている。また、各リードパターン23は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成されており、色変換部材70により覆われていない部位がアウターリード部23bとなっている。また、絶縁性基材22は、窓孔24の周囲に、LEDチップ10から放射された光を反射する反射膜27が形成されている。ここで、反射膜27は、Ni膜とAg膜との積層膜により構成されている。
LEDチップ10は、青色光を放射するGaN系青色LEDチップであり、サファイア基板からなる結晶成長用基板11の主表面側にGaN系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部12がエピタキシャル成長法(例えば、MOVPE法など)により成長されている。また、LEDチップ10は、一表面側に図示しないカソード側の電極であるカソード電極(n電極)および図示しないアノード側の電極であるアノード電極(p電極)が形成されている。上記カソード電極および上記アノード電極は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成してあるが、上記カソード電極および上記アノード電極の材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、Alなどを採用してもよい。なお、本実施形態では、LEDチップ10の発光部12が結晶成長用基板11よりも金属板21に近い側となる形で金属板21に実装されている(つまり、フェースダウンで実装されている)。
また、LEDチップ10は、上述の金属板21に、LEDチップ10のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されLEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和するサブマウント部材30を介して実装されている。サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ10で発生した熱を金属板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用しており、サブマウント部材30におけるLEDチップ10の実装面側には、LEDチップ10の上記カソード電極および上記アノード電極それぞれが金属材料(例えば、金、半田など)からなるバンプ13,13を介して電気的に接続される導体パターン(図示せず)が設けられている。要するに、LEDチップ10は、上記カソード電極および上記アノード電極それぞれがバンプ13および上記導体パターンおよび金属細線(例えば、金細線、アルミニウム細線など)からなるボンディングワイヤ14を介して互いに異なるリードパターン23と電気的に接続されている。なお、上記アノード電極および上記カソード電極それぞれと上記導体パターンとの間に介在するバンプ13の数は特に限定するものではないが、バンプ13の数が多いほどLEDチップ10と金属板21との間の熱抵抗を低減できて放熱性を高めることができる。また、サブマウント部材30は、LEDチップ10の実装部位の周囲に、LEDチップ10から放射された光を反射する反射膜(例えば、Ni膜とAg膜との積層膜)が形成されている。
サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、線膨張率が結晶成長用基板11の材料であるサファイアに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよく、例えば、複合SiC、Siなどを採用してもよい。
上述の封止部50の透明樹脂材料としては、シリコーン樹脂を用いており、封止部50がゲル状であって弾性を有している。なお、封止部50の透明樹脂材料としては、シリコーン樹脂に限らず、アクリル樹脂などを用いてもよい。
リフレクタ40は、円形状に開口した枠状の形状であって、LEDチップ10の側面から放射された光がレンズ60側へ反射されるように内側面40aの形状が設計されている。すなわち、リフレクタ40は、LEDチップ10の厚み方向においてLEDチップ10から離れるに従って開口面積が大きくなる形状(つまり、上記実装面から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなる形状)に形成されている。ここにおいて、リフレクタ40の材料としては、LEDチップ10から放射される光(ここでは、青色光)に対する反射率が比較的大きな材料(例えば、Alなど)を採用し、リフレクタ40の内側面40aを鏡面とすればよく、リフレクタ40は例えばアルミニウムの基材を絞り加工して形成すればよい。また、リフレクタ40は、絶縁性を有するシート状の接着フィルムからなる固着材26により実装基板20に固着されている。なお、本実施形態では、リフレクタ40を実装基板20に固着した後でリフレクタ40の内側に上記透明樹脂材料を充填(ポッティング)して熱硬化させることで封止部50を形成してある。
レンズ60は、封止部50側の光入射面60aが平面状に形成されるとともに光出射面60bが凸曲面状に形成された凸レンズにより構成されている。ここにおいて、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品により構成してあり、封止部50と屈折率が同じ値となっているが、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品に限らず、例えば、アクリル樹脂の成形品により構成してもよい。
ところで、レンズ60とリフレクタ40とは互いの光軸が一致し且つ各光軸がLEDチップ10を通るように配置されており、レンズ60は、光出射面60bが、光入射面60aから入射した光を光出射面60bと上述の空気層80との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、レンズ60は、光出射面60bが球面の一部により形成されており、当該球面の中心がLEDチップ10の厚み方向に沿った発光部12の中心線上に位置するように配置されている。したがって、LEDチップ10から放射された光(LEDチップ10から放射されリフレクタ40に反射されることなくレンズ60の光入射面60aに入射された光およびLEDチップ10から放射されリフレクタ40の内側面40aで反射されてレンズ60の光入射面60aに入射した光)が光出射面60bと空気層80との境界で全反射されることなく色変換部材70まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。
色変換部材70は、シリコーン樹脂のような透明材料とLEDチップ10から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品により構成されている。したがって、本実施形態の発光装置1は、LEDチップ10から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材70の外面70bを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材70の材料として用いる透明材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ガラスなどを採用してもよい。また、色変換部材70の材料として用いる透明材料に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
ここで、色変換部材70は、内面70aがレンズ60の光出射面60bに沿った形状に形成されている。したがって、レンズ60の光出射面60bの位置によらず法線方向における光出射面60bと色変換部材70の内面70aとの間の距離が略一定値となっている。なお、色変換部材70は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。色変換部材70は、開口部の周縁をリフレクタ40に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて接着すればよい。
ところで、上述のリフレクタ40は、実装基板20側とは反対の表面の周部に、色変換部材70を囲み色変換部材70を位置決めする環状の位置決めリブ41が連続一体に突設されている。しかして、本実施形態では、リフレクタ40に対して色変換部材70を高精度に位置決めすることができる。
以上説明した本実施形態の発光装置1では、実装基板20におけるLEDチップ10の上記実装面側でLEDチップ10を囲むリフレクタ40と、封止部50およびリフレクタ40に重ねて配置されたレンズ60と、LEDチップ10から放射された光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体をシリコーン樹脂のような透明材料とともに成形した成形品からなる色変換部材70とを備えているので、LEDチップ10から放射された光と蛍光体から放射された光との混色光について所望の配光特性を得ることができる。
また、本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10と実装基板20の金属板21との間に、両者の線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和するサブマウント部材であってLEDチップ10のチップサイズよりもサイズが大きくLEDチップ10と金属板21とを熱結合させるサブマウント部材30を介在させてあるので、上記線膨張率差に起因してLEDチップ10が破損するのを防止することができ、信頼性を高めることができる。
また、本実施形態の発光装置1では、色変換部材70をレンズ60の光出射面60bとの間に空気層80が形成される形で配設すればよくレンズ60に密着させる必要がないので、色変換部材70へ外力が作用したときに色変換部材70に発生した応力がレンズ60および封止部50を通してLEDチップ10および各ボンディングワイヤ14,14に伝達されるのを抑制できるから、上記外力によるLEDチップ10の発光特性の変動や各ボンディングワイヤ14,14の断線が起こりにくくなり、信頼性が向上する。また、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、外部雰囲気中の水分がLEDチップ10に到達しにくくなるという利点がある。
また、本実施形態の発光装置1では、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、LEDチップ10から放射され封止部50およびレンズ60を通して色変換部材70に入射し当該色変換部材70中の黄色蛍光体の粒子により散乱された光のうちレンズ60側へ散乱されてレンズ60を透過する光の光量を低減できて装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できるという利点がある。
ここで、図6(a),(b)に示すように、色変換部材70の光軸とLEDチップ10の光軸とが一致しており、色変換部材70における光軸方向の中央の位置PでLEDチップ10からの青色光が全方位に散乱されたとし、色変換部材70と空気層80との界面での全反射角をφa、色変換部材70と当該色変換部材70の外側の媒質である空気との界面での全反射角をφb、位置Pで散乱された光に関して色変換部材70の内面70a側のエスケープコーンECaの広がり角を2θa、位置Pで散乱された光に関して色変換部材70の外面70b側のエスケープコーンECbの広がり角を2θbとすれば、図6(a)に示すように全反射角φa,φbが40°のときには2θa=60°、2θb=98°となり、図6(b)に示すように全反射角φa,φbが50°のときには2θa=76°、2θb=134°となる。
ここにおいて、色変換部材70に用いている透明材料の屈折率をn、位置Pで散乱され内面70a側のエスケープコーンECaを通して放出される青色光の最大放出効率をηとすれば、η=(1/4n2)×100〔%〕で表されるので、上述のように透明材料としてシリコーン樹脂を用いている場合には、n=1.4として、η≒13%となる。したがって、色変換部材70とレンズ60との間に空気層80が形成されていない場合には、位置Pで散乱された青色光の50%がレンズ60に戻ってしまうのに対して、空気層80を形成したことにより、位置Pで散乱された青色光の13%しかレンズ60に戻らなくなるので、青色光による封止部50の劣化を抑制できる。なお、エスケープコーンECaを通して放出される青色光を少なくするには、色変換部材70の厚みを大きくすることが望ましい。
ところで、上述の実施形態では、LEDチップ10として、発光色が青色の青色LEDチップを採用しており、結晶成長用基板11としてサファイア基板を採用しているが、サファイア基板に限らず、SiC基板、GaN基板などを用いてもよい。また、LEDチップ10の発光色は青色に限らず、例えば、赤色、緑色などでもよい。すなわち、LEDチップ10の発光部12の材料はGaN系化合物半導体材料に限らず、LEDチップ10の発光色に応じて、GaAs系化合物半導体材料やGaP系化合物半導体材料などを採用してもよい。また、結晶成長用基板11もサファイア基板に限らず、発光部12の材料に応じて、例えば、SiC基板、GaN基板、GaAs基板、GsP基板などから適宜選択すればよい。
実施形態を示す概略断面図である。 同上を示し、一部破断した概略分解斜視図である。 同上を示す要部概略平面図である。 同上における絶縁性基材を示し、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 同上を用いた照明器具を示し、(a)は要部概略平面図、(b)は要部概略断面図である。 同上の要部説明図である。
符号の説明
10 LEDチップ
13 バンプ
14 ボンディングワイヤ
20 実装基板
21 金属板
22 絶縁性基材
23 リードパターン
24 窓孔
30 サブマウント部材
40 リフレクタ
50 封止部
60 レンズ
60a 光入射面
60b 光出射面
70 色変換部材
80 空気層

Claims (1)

  1. LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、当該実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを囲みLEDチップから放射された光を反射するリフレクタであって前記実装面から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなる形状に形成されたリフレクタと、リフレクタの内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップおよび当該LEDチップに電気的に接続された一対のボンディングワイヤを封止した封止部と、封止部およびリフレクタに重ねて配置されたレンズと、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であってレンズを覆いレンズの光出射面との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備え、実装基板は、金属板と、金属板側とは反対の表面にLEDチップの両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターンが設けられるとともにLEDチップに対応する部位に窓孔が設けられ金属板に積層された絶縁性基材とからなり、LEDチップは、両電極が一表面側に形成されており、当該LEDチップと金属板との間に両者の線膨張率差に起因して当該LEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材であってLEDチップのチップサイズよりもサイズが大きくLEDチップと金属板とを熱結合させるサブマウント部材を介して金属板に前記一表面が対向する形で実装され、各電極それぞれがサブマウント部材に設けた導体パターンおよびボンディングワイヤを介して互いに異なるリードパターンと接続されてなることを特徴とする発光装置。
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