JP2007084881A - 蒸着用酸化物焼結体タブレットおよび酸化物透明導電膜 - Google Patents
蒸着用酸化物焼結体タブレットおよび酸化物透明導電膜 Download PDFInfo
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 170
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 19
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 165
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 53
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 17
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
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Abstract
【解決手段】連続供給システムを備えた蒸着装置を使用し真空蒸着法で成膜する時に用いる蒸着用酸化物焼結体タブレットであって、該蒸着用酸化物焼結体タブレットは略円柱形状であり、底面と側面がなす角部が、断面長さが0.7〜5mmのC面取り形状、又は直径0.7〜5mmのR面取り形状をなしているか、該略円柱形状の側面の十点平均粗さ(Rz)が110μm以下である。
【選択図】 図5
Description
なお、図1及び図2中、18はビームコントローラーである。ビームコントローラー18は、中空リング状のケース18aの内部にドーナツの永久磁石18bを備えている。そして、成膜時において、放電により発生した電子ビームのハース16への到達量が永久磁石18bを介して調整されている。
[実施例1〜3]
平均粒径が1μm以下のIn2O3粉末、および平均粒径が1μm以下のWO3粉末を原料粉末とし、W/Inの原子数比が0.012となるような割合で調合し、樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミルで混合した。この際、硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間とした。混合後、スラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。造粒物に、冷間静水圧プレスで294MPa(3ton/cm2)の圧力を掛けて成形した。
模擬試験機におけるハース16の貫通孔16aの内径は31mmとした。また、貫通孔16aの角部の面取りは行わなかった。回転テーブル12には、回転中心から半径100mmの円周上に等間隔で8個の孔部12bが設けられ、8個のタブレットをセットできるよう各孔部12bには大小の径孔部12b1,12b2が設けられている。回転テーブル12は45°づつ回転して静止し、貫通孔16aの直下にタブレットが配置されるようなシステムとなっている。回転速度は最大で10rpmである。大径孔部12b1の直径は、直径30mmの円柱形状タブレットを配置しやすくするため、タブレットの直径より2mm大きい32mmとした。また、貫通孔16aの中心線と、貫通孔16aの直下に配置された大径孔部12b1の中心との位置のずれは0.2mm以内となるようにした。また、小径孔部12b2の直径は25mmとし、タブレット挿入前に押上げ用ロッド11を支える支持部材(図8では図示省略。図1の符号15の部材に相当)の内径を20mmとするとともに、その支持部材の中心線と小径孔部12b2の中心との位置のずれは0.2mm以内とした。また、貫通孔16aの入り口と回転テーブル12との間隔は50mmとし、押上げ用ロッド11の押上げ速度は100mm/minとした。
よって、実施例1〜3の蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いると、連続供給システムを備えた蒸着装置で酸化物透明導電膜を製造するにあたり、連続ラインの操業を停止することなく、タブレットの破損物質による真空槽内の汚染を防止でき、連続供給システムの押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸等機構部品に破損物質が堆積することによる駆動への支障をきたすことが無く、ラインの操業を停止しないので、効率的な成膜処理を行えるようになり、ラインの生産性を大幅に向上させることができる。
実施例1〜3と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が12.3〜18.4μmであり、密度が5.1g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製した。タブレットの角部全てについて、C面取りを行った。C面取りの断面長さは0.7mm(実施例4)、2mm(実施例5)、5mm(実施例6)とした。
よって、実施例4〜6の蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いると、連続供給システムを備えた蒸着装置で酸化物透明導電膜を製造するにあたり、連続ラインの操業を停止することなく、タブレットの破損物質による真空槽内の汚染を防止でき、連続供給システムの押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸等機構部品に破損物質が堆積することによる駆動への支障をきたすことが無く、ラインの操業を停止しないので、効率的な成膜処理を行えるようになり、ラインの生産性を大幅に向上させることができる。
実施例1〜3と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が11.1〜14.3μmであり、密度が5.1g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製したが、面取りの加工を行わなかった。
比較例1のような蒸着用酸化物焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例1〜3と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が9.5〜13.3μmであり、密度が5.1g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、丸み直径0.4mmの外側に丸い形状にR面取りを行った。
比較例2のような蒸着用焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例1〜3と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が10.5〜14.9μmであり、密度が5.1g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.4mmのC面取りを行った。
比較例3のような蒸着用焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例4と全く同じ製造条件で、酸化物焼結体(In−W−O)を作製した後、直径30mmで厚み40mmの円柱状に加工する際の砥石の粒度と形を変えて、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が33.2〜40.5μm(実施例7)、62.3〜78.5μm(実施例8)、89.2〜108.3μm(実施例9)、142.3〜151.3μm(比較例4)、の蒸着用焼結体タブレットを作製した。密度の測定(全て5.1g/cm3であった)を行った後で、角部を全て断面長さ1mmのC面取り加工を行い、蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製した。
よって、実施例7〜9の蒸着用焼結体タブレットを用いると、連続供給システムを備えた蒸着装置で酸化物透明導電膜を製造するにあたり、連続ラインの操業を停止することなく、タブレットの破損物質による真空槽内の汚染を防止でき、連続供給システムの押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸等機構部品に破損物質が堆積することによる駆動への支障をきたすことが無く、ラインの操業を停止しないので、効率的な成膜処理を行えるようになり、ラインの生産性を大幅に向上させることができる。
しかし、比較例4の蒸着用焼結体タブレットについては、8個のタブレットの全てに角部の破損はみられなかったが、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの側面部が破損して発生した破損粉が存在していた。
比較例4のような蒸着用焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
焼結温度を1050℃とした以外は実施例1〜3と全く同じ条件で、酸化物焼結体(In−W−O)を作製した。焼成前の成形の形状・寸法を、焼結収縮率を考慮して精密に制御することで、焼結後の焼結体を加工することなく、直径30mmで厚み40mmの円柱状タブレット(In−W−O)を作製したところ、密度は4.4g/cm3(相対密度63.0%)で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は24.5〜28.5μmだった。タブレットの角部全てについて、立形マニシングセンタを用いてC面取りを行った。C面取りの断面長さは1mm(実施例10)、3mm(実施例11)、5mm(実施例12)とした。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、8個のタブレットの全てが、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉は発生していなかった。
実施例10〜12と全く同じ条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状タブレット(In−W−O)を作製したところ、密度は4.4g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は23.6〜29.8μmだった。この円柱形状のタブレットの角部全てについて、外側に丸い形状にR面取りを行った。R面取りの丸み直径は1mm(実施例13)、3mm(実施例14)、5mm(実施例15)とした。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、8個のタブレットの全てが、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉は発生していなかった。
実施例10〜12と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は23.3〜29.2μmで、密度が4.4g/cm3(相対密度63%)の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製したが、面取りの加工を行わなかった。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、全てのタブレットの側面部には破損がみられなかったが、8個のタブレットのうち6個に角部の破損がみられ、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉が発生していた。
実施例10〜12と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は20.1〜23.7μmで、密度が4.4g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、丸み直径0.4mmの外側に丸い形状にR面取りを行った。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、全てのタブレットの側面部には破損がみられなかったが、8個のタブレットのうち5個に角部の破損がみられ、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉が発生していた。
実施例10〜12と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は29.3〜37.1μmで、密度が4.4g/cm3の蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.4mmのC面取りを行った。
焼結温度を1200℃とした以外は実施例1〜3と全く同じ条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状タブレット(In−W−O)を作製したところ、密度は5.9g/cm3(相対密度84%)で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)は12.4〜16.5μmだった。タブレットの角部全てについて、C面取りを行った。C面取りの断面長さは0.7mm(実施例16)、3mm(実施例17)、5mm(実施例18)とした。
実施例16〜18と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が5.9g/cm3(相対密度84%)で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が12.5〜14.8μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製したが、面取りの加工を行わなかった。
実施例16〜18と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が5.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が15.7〜18.7μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、丸み直径0.4mmの外側に丸い形状にR面取りを行った。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、全てのタブレットの側面部には破損がみられなかったが、8個のタブレットのうち5個に角部の破損がみられ、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉が発生していた。
実施例16〜18と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が5.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が11.5〜15.7μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(In−W−O)を作製し、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.4mmのC面取りを行った。
[実施例19〜21]
平均粒径が1μm以下のIn2O3粉末、および平均粒径が1μm以下のSnO2粉末を原料粉末とし、SnO2が10wt%となる割合で調合し、樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミルで混合した。この際、硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間とした。混合後、スラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。造粒物に、冷間静水圧プレスで294MPa(3ton/cm2)の圧力を掛けて成形した。
実施例1〜3と同様に連続供給テストを行ったところ、8個のタブレットの全てが、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上で、タブレットの破損粉は発生していなかった。
実施例19〜21と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が14.5〜13.2μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(ITO)を作製した。タブレットの角部全てについて、C面取りを行った。C面取りの断面長さは0.8mm(実施例22)、2mm(実施例23)、5mm(実施例24)とした。
よって、実施例19〜24の蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いると、連続供給システムを備えた蒸着装置で酸化物透明導電膜を製造するにあたり、連続ラインの操業を停止することなく、タブレットの破損物質による真空槽内の汚染を防止でき、連続供給システムの押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸等機構部品に破損物質が堆積することによる駆動への支障をきたすことが無く、ラインの操業を停止しないので、効率的な成膜処理を行えるようになり、ラインの生産性を大幅に向上させることができる。
実施例19〜21と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が21.1〜23.4μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(ITO)を作製したが、面取りの加工を行わなかった。
比較例11のような蒸着用酸化物焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例19〜21と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が15.5〜21.1μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(ITO)を作製し、タブレットの角部全てについて、丸み直径0.4mmの外側に丸い形状にR面取りを行った。
比較例12のような蒸着用酸化物焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例19〜21と全く同じ製造条件で、直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.9g/cm3で側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が16.1〜19.9μmの蒸着用酸化物焼結体タブレット(ITO)を作製し、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.4mmのC面取りを行った。
比較例13のような蒸着用酸化物焼結体タブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
実施例23と全く同じ製造条件で、酸化物焼結体(ITO)を作製した後、直径30mmで厚み40mmの円柱状に加工する際の砥石の粒度と形を変えて、側面部のRz値(平均値、実施例1〜3と同様の測定法による)が31.0〜41.1μm(実施例25)、61.1〜74.2μm(実施例26)、82.4〜101.4μm(実施例27)、122.3〜151.3μm(比較例14)、の蒸着用焼結体タブレットを作製した。密度の測定(全て5.1g/cm3であった)を行った後で、角部を全て断面長さ3mmのC面取り加工を行い、蒸着用酸化物焼結体タブレット(ITO)を作製した。
よって、実施例25〜27の蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いると、連続ラインの操業を停止することなく、タブレットの破損物質による真空槽内の汚染を防止でき、連続供給システムの押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸等機構部品に破損物質が堆積することによる駆動への支障をきたすことが無く、ラインの操業を停止しないので、効率的な成膜処理を行えるようになり、ラインの生産性を大幅に向上させることができる。
しかし、比較例14の蒸着用焼結体タブレットについては、8個のタブレットの全てに角部の破損はみられなかったが、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上に、タブレットの側面部が破損して発生した破損粉が存在していた。
このようなタブレットを連続生産ラインで用いたのでは、破損粉による真空槽内の汚染が生じ、押上げ用ロッド軸や回転テーブルの回転軸に破損粉が堆積してスムーズな駆動を妨げやすい。連続ラインの操業を停止して除去作業を行う必要があり、ラインの生産性を大幅に低下させてしまう。
[実施例28]
直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.9g/cm3(相対密度88%)のGa添加ZnO蒸着用酸化物焼結体タブレット(5.7wt%Ga2O3含有)を作製し、同様の実験を行ったところ、実施例1〜21と全く同じ傾向であり、蒸着用酸化物焼結体タブレットの角部全てについて、断面長さ0.7〜5mmのC面取り加工、或いは、丸み直径0.7〜5mmの外側に丸い形状にR面取り加工を行い、側面部のRz値を110μm以下として、実施例1〜3と同様の連続供給テストを行ったところ、蒸着用酸化物焼結体タブレットの破損を回避することができた。
直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.0g/cm3(相対密度71%)のGa添加ZnO蒸着用酸化物焼結体タブレット(3wt%Ga2O3含有)を作製し、同様の実験を行ったところ、実施例1〜21と全く同じ傾向であり、蒸着用酸化物焼結体タブレットの角部全てについて、断面長さ0.7〜5mmのC面取り加工、或いは、丸み直径0.7〜5mmの外側に丸い形状にR面取り加工を行い、側面部のRz値を110μm以下として、実施例1〜3と同様の連続供給テストを行ったところ、蒸着用酸化物焼結体タブレットの破損を回避することができた。
[実施例30]
直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が4.8g/cm3(相対密度69%)のSnO2蒸着用酸化物焼結体タブレットを作製し、同様の実験を行ったところ、実施例1〜21と全く同じ傾向であり、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.7〜5mmのC面取り加工、或いは、丸み直径0.7〜5mmの外側に丸い形状にR面取り加工を行い、側面部のRz値を110μm以下として、実施例1〜3と同様の連続供給テストを行ったところ、タブレットの破損を回避することができた。
[実施例31]
直径30mmで厚み40mmの円柱状で、密度が5.6g/cm3(相対密度90.9%)のIn2O3を10wt%含有するGa2O3蒸着用酸化物焼結体タブレットを作製し、同様の実験を行ったところ、実施例1〜21と全く同じ傾向であり、タブレットの角部全てについて、断面長さ0.7〜5mmのC面取り加工、或いは、丸み直径0.7〜5mmの外側に丸い形状にR面取り加工を行い、側面部のRz値を110μm以下として、実施例1〜3と同様の連続供給テストを行ったところ、タブレットの破損を回避することができた。
[実施例32]
実施例1〜18で作製した面取りを行った蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いて、酸化物透明導電膜を成膜した。成膜装置には、図1に示すような連続供給システムを備えた磁場偏向型電子ビーム蒸着装置を用いた。該蒸着装置の真空排気系はロータリーポンプによる低真空排気系とクライオポンプによる高真空排気系から構成されており、5×10-5Paまで排気することが可能である。電子ビームはフィラメントの加熱により発生し、カソード−アノード間に印加された電界によって加速され、永久磁石の磁場中で曲げられた後、タングステン製の坩堝内に設置されたタブレットに照射される。電子ビームの強度はフィラメントへの印加電圧を変化させることで調整できる。また、カソード−アノード間の加速電圧を変化させるとビームの照射位置を変化させることができる。
を測定した。そして、
で膜自体の光透過率を算出した。
W/In原子数比のみを0.004、0.006、0.015、0.021に変えて、実施例1〜18と同様の条件で作製した、面取り加工を行った蒸着用酸化物焼結体タブレットを用いて、実施例32と同様に成膜実験を行った。その結果、実施例32と同じ傾向を示し、高い光透過率、低抵抗、表面平滑に優れた透明導電膜が得られることが確認できた。また、連続供給システムで複数のタブレットをハース16に連続的に供給しても、全てのタブレットにおいて、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上にタブレットの破損粉は発生していなかった。
実施例19〜27の面取りを行ったITO蒸着用酸化物焼結体タブレットに変え、成膜中の基板温度を200℃に設定して実施例32と同様に成膜実験を行った。膜厚200nmにおける膜の比抵抗は2×10-4〜4×10-4Ωcmであり、可視域(400〜800nm)の膜自体の平均光透過率は84〜90%で、可視域の光透過率の高い低抵抗透明導電膜が得られることが確認できた。また、連続供給システムで複数のタブレットをハース16に連続的に供給しても、全てのタブレットにおいて、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上にタブレットの破損粉は発生していなかった。
タブレット作製時のSnO2の配合量を、1、3、5、15、20wt%に変えて面取りを行ったITO蒸着用酸化物焼結体タブレットを作製し、実施例34と同様に成膜実験を行った。比抵抗は4×10-4〜9×10-4Ωcmと実施例34の膜と比べて高抵抗であったが、透明導電膜としては十分に有用な導電性を得ることができた。可視域(400〜800nm)の膜自体の平均光透過率は84〜90%で、可視域の光透過率の高い低抵抗透明導電膜が得られたが、透過率はSnO2量が少ないほど高い傾向を示した。また、連続供給システムで複数のタブレットをハース16に連続的に供給しても、全てのタブレットにおいて、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上にタブレットの破損粉は発生していなかった。
タブレットを実施例28〜27の面取りを行ったITO蒸着用酸化物焼結体タブレットに替え、成膜中の基板温度を200℃に設定して実施例29と同様に成膜実験を行った。膜厚200nmにおける膜の比抵抗は2×10-4〜4×10-4Ωcmであり、可視域(400〜800nm)の膜自体の平均光透過率は84〜90%で、可視域の光透過率の高い低抵抗透明導電膜が得られることが確認できた。また、連続供給システムで複数のタブレットをハース16に連続的に供給しても、全てのタブレットにおいて、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上にタブレットの破損粉は発生していなかった。
実施例28〜29の面取りを行ったGa添加ZnO蒸着用酸化物焼結体タブレットを用い、成膜中の基板温度を200℃とし、成膜中にArガスのみを導入した(O2ガスを導入しない)以外は、実施例32と同様に成膜実験を行った。膜厚200nmにおける膜の比抵抗は2×10-4〜9×10-4Ωcmであり、可視域(400〜800nm)の膜自体の平均光透過率は82〜89%で、可視域の光透過率の高い低抵抗透明導電膜が得られることが確認できた。また、連続供給システムで複数のタブレットをハース16に連続的に供給しても、全てのタブレットにおいて、角部、側面部ともに破損せず、ハース貫通孔16aの下や回転テーブル12の上にタブレットの破損粉は発生していなかった。
12 回転テーブル
12a 中心部
12b 孔部
12b1 大径孔部
12b2 小径孔部
13 モータ
14 真空容器の底面
15 支持部材
16 ハース
16a 貫通孔
17 支持部材
18 ビームコントローラー
18a ケース
18b 永久磁石
Claims (6)
- 連続供給システムを備えた蒸着装置を使用し真空蒸着法で成膜する時に用いる蒸着用酸化物焼結体タブレットであって、該蒸着用酸化物焼結体タブレットは略円柱形状であり、底面と側面がなす角部が、断面長さが0.7〜5mmのC面取り形状、又は直径0.7〜5mmのR面取り形状をなしていることを特徴とする蒸着用酸化物焼結体タブレット。
- 連続供給システムを備えた蒸着装置を使用し真空蒸着法で成膜する時に用いる蒸着用酸化物焼結体タブレットであって、該蒸着用酸化物焼結体タブレットは略円柱形状であり、該略円柱形状の側面の十点平均粗さ(Rz)が110μm以下であることを特徴とする蒸着用酸化物焼結体タブレット。
- 前記蒸着用酸化物焼結体タブレットが、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、又は酸化ガリウムを主成分とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の蒸着用酸化物焼結体タブレット。
- 前記蒸着用酸化物焼結体タブレットが、酸化インジウムを主成分とし、添加元素としてスズ、タングステン、チタン、モリブデンの中から選ばれる少なくとも1種類の元素を含むことを特徴とする請求項3に記載の蒸着用酸化物焼結体タブレット。
- 前記蒸着用酸化物焼結体タブレットが、酸化亜鉛を主成分とし、添加元素としてガリウム、スズの中から選ばれる少なくとも1種類の元素を含むことを特徴とする請求項3に記載の蒸着用酸化物焼結体タブレット。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の蒸着用酸化物焼結体タブレットから作製されたことを特徴とする酸化物透明導電膜。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275330A JP4475209B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 蒸着用酸化物燒結体タブレット |
TW095134374A TW200722541A (en) | 2005-09-22 | 2006-09-15 | Tablet of oxide sintered body for vapor deposition, and transparent oxide conductive film |
KR1020060092509A KR100839638B1 (ko) | 2005-09-22 | 2006-09-22 | 증착용 산화물 소결체 타블렛 및 산화물 투명도전막 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275330A JP4475209B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 蒸着用酸化物燒結体タブレット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007084881A true JP2007084881A (ja) | 2007-04-05 |
JP4475209B2 JP4475209B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=37972160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005275330A Expired - Fee Related JP4475209B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 蒸着用酸化物燒結体タブレット |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4475209B2 (ja) |
KR (1) | KR100839638B1 (ja) |
TW (1) | TW200722541A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20140129770A (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 |
KR102152147B1 (ko) * | 2013-07-26 | 2020-09-04 | 주식회사 선익시스템 | 증발유닛 및 이를 구비한 증착장치 |
CN109646987B (zh) * | 2019-01-10 | 2024-03-26 | 合肥百思智能装备有限公司 | 一种连续进出料高真空有机小分子提纯专用设备 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08104978A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ito蒸着材およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005275330A patent/JP4475209B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4475209B2 (ja) | 2010-06-09 |
TW200722541A (en) | 2007-06-16 |
TWI340175B (ja) | 2011-04-11 |
KR100839638B1 (ko) | 2008-06-19 |
KR20070033943A (ko) | 2007-03-27 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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