JP2007081053A - 複合基板及びその製造方法、並びに電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基材表面の平坦化を可能とし、電気的な信頼性が高く、設計上の自由度の高い、しかも工数が少なく形成できる、貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせた複合基板とその製造方法、および電子装置を提供する。
【解決手段】二つの配線基板１１ａ，１２ａをそれぞれ構成する基材１，２の対向する主面を結ぶように微細孔１５を形成する。次に、前記配線基板１１ａ，１２ａを重ね合わせた面において、各々の基材１，２に設けた微細孔１５の端部同士が連通するように、一方の基材２の重ね合わせ面に溝１４を形成し、各々の基材１，２を重ね合わせ接合する。その後、前記微細孔１５と前記溝１４の内部に導電性物質１６ａ，１６ｂを一緒に充填する。これにより、微細孔１５に導電性物質１６ａを充填した貫通配線１７と、溝１４に導電性物質１６ｂを充填した接続配線１８によって、上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続してなる複合基板１０Ａとする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子デバイスや光学デバイス、ＭＥＭＳデバイス等の高密度実装、またはそれらのデバイスを一つのパッケージ内でシステム化するＳｉＰ（System in Package） を可能にする貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせてなる複合基板及びその製造方法、並びに電子装置に関する。

近年、携帯電話機等の電子機器の高度化に伴い、それらに使われる電子デバイス等にも更なる高速化、高機能化が要求されている。これを実現するためには、微細化等によるデバイス自身の高速化だけではなく、デバイスのパッケージにも高速化、高密度化に向けた技術開発が必須となっている。
高密度実装を実現する技術として、微細な貫通電極を用いてチップを積層実装する３次元実装や、貫通電極が形成された配線基板を用いたＳｉＰが提案されており、これを実現するための貫通電極形成技術や配線基板の形成技術が活発に研究、開発されている。

図２４は、セラミックやシリコン等のリジッドな配線基板を用いてなるＳｉＰの模式的な断面図である。配線基板１５１上に複数のデバイス１５２，１５３が貫通電極１５４と電気的に接続するように実装されており、全体として一つのパッケージを形成している。その際、図２４に示すように、従来の配線基板においては、その表裏の主平面間を最短距離でつなぐように主平面に対して垂直に貫通電極が設けられていた。

これまでに、貫通電極や配線基板に関する技術として、以下のようなものが提案されている。たとえば、熱可塑性樹脂からなる電気絶縁性基板の一方の面に形成された配線溝に導電ペーストを充填して硬化させてなる導体回路と、前記配線溝を経て基板を貫通する貫通孔に導電ペーストを充填して硬化させ、前記導体回路と接続し、かつ基板を貫通する導体プラグとを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。
また、樹脂の射出成形によって一方の主面に配線用の溝を有する基材を形成し、次いで、レーザやドリルなどによりスルーホール形成部分の溝に基材を貫通する穴を形成し、さらに、基材の溝及び穴に導電材料である導電ペーストを充填するようにしたものがある（例えば、特許文献２参照）。
また、所望の回路が形成されたチップ本体と、このチップ本体の表裏を貫通した複数の貫通孔にそれぞれ埋め込み形成された貫通電極と、これらの貫通電極の両端部にそれぞれ設けられた外部電極とを備えたものがある（例えば、特許文献３参照）。
さらに、半導体チップの表裏間を貫通する複数の貫通電極を備えると共に、上記貫通電極は断面積が相互に異なるようにしたものがある（例えば、特許文献４参照）。

ところが、貫通電極を用いた３次元実装だけでなく、ＳｉＰ等に用いられる配線基板においても、今後はデバイス等を内包した基材を複数重ね合わせて一つの基板をなし、より高密度な実装を可能とする複合基板を提供していく必要がある。この際、基板上に搭載されるデバイスの電極ピッチとマザーボード等に実装される際のバンプピッチとを整合させるため、或いは構成機材に内包する機能素子と電気的な接続をするため、当該配線基板内には、自由度の大きい貫通配線、つまり、直線的に基板を貫通するものだけではなく、それぞれの基材において別々の場所に形成された貫通孔を電気的に接続できるような貫通配線の形成が必要である。
これを実現するための一つの手法としては、複数の基材それぞれに貫通電極を形成しておき、表面配線等を用いてそれぞれ電気的に接続するように基材を接合する方法が考えられる。

しかしながら、この方法では、あらかじめ各々の基材に貫通電極を形成しておき、それぞれの基材に形成された貫通電極が電気的に接続するように、表面配線等を用いて電気的に基材を接続するように形成するため、平坦化が困難であると共に、基材の枚数が多くなるほど貫通配線の接続箇所が多くなり、それに伴う接触抵抗の増加や接合不良などを生じる虞が高くなり、信頼性の高い基板の提供が困難になってくる。また、それぞれの基材に対して貫通電極及び表面配線等を形成するため、工数の増加、ひいてはコストの増加を招いてしまう。
特開２００１−１９６７０３号公報 特開２００１−２４４６０９号公報 特開２００３−３４７５０２号公報 特開２００４−１５２８１０号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせてなる複合基板において、基材表面の平坦化を可能にするとともに、電気的な信頼性が高く、設計上の自由度にも優れ、高密度な実装をも可能とする複合基板を提供することを目的とする。
また本発明は、少ない工数により形成できる複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、高速化および高機能化を図ることが可能な電子装置を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係る複合基板は、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板を複数用い、前記主面の一方又は両方を重ね合わせてなる複合基板であって、前記重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び／又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなることを特徴とする。

本発明の請求項２に係る複合基板は、請求項１において、前記第一導電性物質と前記第二導電性物質は、連続体をなしていることを特徴とする。

本発明の請求項３に係る複合基板は、請求項１において、前記配線基板を構成する基材のうち、少なくとも１つは異なる材料よりなることを特徴とする。

本発明の請求項４に係る複合基板の製造方法は、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた第一配線基板と第二配線基板とを互いに重ね合わせてなる複合基板の製造方法であって、第一配線基板と第二配線基板を構成する各基材として半導体基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の半導体基材に微細孔を形成する工程と、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々の半導体基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の半導体基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、前記重ね合わせた状態において、各々の半導体基材の外面と、前記微細孔と前記溝の各内壁面を絶縁処理して絶縁部を設ける工程と、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔と前記溝の内部に導電性物質を一緒に充填する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。

本発明の請求項５に係る複合基板の製造方法は、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた第三配線基板と第四配線基板とを互いに重ね合わせてなる複合基板の製造方法であって、第三配線基板と第四配線基板を構成する各基材として絶縁性基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の絶縁性基材に微細孔を形成する工程と、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた面において、前記第三配線基板と前記第四配線基板とを構成する各々の絶縁性基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の絶縁性基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、前記絶縁性基材に設けた微細孔の端部同士が前記溝を介して連通するように各々の絶縁性基材を重ね合わせ接合する工程と、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔と前記溝の内部に導電性物質を一緒に充填する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。

本発明の請求項６に係る電子装置は、前記請求項１から３のいずれか１項に記載の複合基板に電子部品を実装してなることを特徴とする。

本発明の請求項１に係る複合基板にあっては、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び／又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に導電性物質を充填して接続配線を形成している。この構成によれば、電気的に配線基板を接続するために表面配線を設ける必要が無くなり、また配線基板の表面の平坦化を図ることも可能となり、ひいては高密度な実装が可能な複合基板が得られる。

また、本発明の請求項４及び請求項５に係る複合基板の製造方法は何れも、配線基板を重ね合わせて接合した後、配線基板に設けた微細孔と溝の内部に導電性物質を一緒に充填するので、それぞれ別個に貫通配線や接続配線を形成した配線基板を接合するものに比べて、工数を大幅に削減し、コストの増加を招くこと無く、複合基板を大量にかつ安価に提供することができる。

さらに、本発明の請求項６に係る電子装置にあっては、ＳｉＰ等においてより高機能、高密度なパッケージを実現することが可能な、上述した構成の複合基板に電子部品を実装しているので、高速化、高機能化に貢献することができる。

以下、本発明の一実施形態について説明する。
図１から２１は、本発明に係る複合基板の一例を示す概略断面図である。各図に示すように、本発明の複合基板は、何れも貫通配線を備えた配線基板が複数枚重ね合わされ、接合されてなるものである。
前記配線基板は、当該配線基板を構成する基材の対向する主面を結ぶように微細孔が配されている。また、配線基板は、前記微細孔と共に、互いに接合した面（すなわち、重ね合わせ面）において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び／又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝が配置されている。そして、前記微細孔と前記溝の内部には、導電性物質がそれぞれ充填されている。
したがって、前記配線基板を複数用い、重ね合わせることにより、その両主面、及び／又は、何れか一方の主面と側面とを電気的に接続する複合基板が構成されるものとなる。

このように、本発明の複合基板は、基材に微細孔と溝を形成した配線基板を重ね合わせて接合した後、前記微細孔と前記溝の内部に導電性物質を一緒に充填するため、それぞれ別個に貫通配線や接続配線を形成して接合したものに比べて、工数を大幅に削減することができる。
また、本発明の複合基板における導電性物質は、重ね合わせる配線基板の枚数が多くなっても、配線基板をなす基材の重ね合わせ面に配置した溝に充填された連続体をなす導電性物質からなる接続配線によって基板同士を接続しているので、接触抵抗の増加や接続不良といった電気特性不良を抑制することが可能となる。しかも、微細孔及び溝の内部において同一の導電性物質によって接続されているので、一層接触抵抗の増加や接続不良といった電気特性不良を抑制することが可能となる。
さらに、本発明の複合基板は、連通する微細孔と溝を適宜組み合わせることにより、配線基板の上面と下面のピッチを自由に設定できるため、工数が少なく、自由度の高い複合基板を製造することができる。

本発明の複合基板としては、前述したように、具体的に大きく分けて６つの形態が挙げられる。
この６つの形態とは、すなわち、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板の重ね合わせ面において、（１）各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、（２）何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、（３）各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、それぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、といった３つの形態に、前記溝が、前記重ね合わせ面の（ａ）一方の配線基板をなす基材に配置されているもの、もしくは（ｂ）両方の配線基板をなす基材に配置されているもの、といった２つの形態を掛け合わせたものである。

次に、それぞれの形態について図面に基づき詳細に説明する。
（第一実施形態）
第一実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（１）に前記（ａ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第一実施形態における複合基板としては、たとえば、図１から３に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板１１，１２または１２，１３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔１５が配され、該微細孔１５に第一導電性物質１６ａを充填した貫通配線１７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板１１，１２または１２，１３に備えた前記貫通配線１７同士を、互いに重ね合わされる一方の配線基板１２にだけ配置した溝１４の内部に第二導電性物質１６ｂを充填した接続配線１８によって繋いだ例が挙げられる。なお、図１から２１では、配線基板が２枚又は３枚重ねあわされた複合基板しか説明されていないが、本発明はこれに限定されず、４枚以上の配線基板が重ねあわされた複合基板としても良く、以下に説明する他の実施形態においても同様である。

図１は、二つの配線基板１１ａ，１２ａを重ね合わせた複合基板１０Ａを示すものである。配線基板１１ａ及び配線基板１２ａは、共に貫通配線１７を一箇所ずつ備えている。また、配線基板１２ａは、前記配線基板１１ａとの重ね合わせ面において、前記貫通配線１７の上面Ａ側に位置する端部と前記配線基板１１ａにおける貫通配線１７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線１８を備えている。これにより、前記二つの配線基板１１ａ，１２ａは、それぞれ備えている各貫通配線１７，１７と、重ね合わせ面において一方の配線基板１２ａの主面に備えた接続配線１８によって、前記複合基板１０Ａの上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続している。

また、図２は、二つの配線基板１１ｂ，１２ｂを重ね合わせた複合基板１０Ｂを示すものである。配線基板１１ｂ及び配線基板１２ｂは、共に貫通配線１７を二箇所ずつ備えている。また、配線基板１２ｂは、前記配線基板１１ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線１７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板１１ｂにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線１７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線１８、及び側面Ｄ側に位置する前記貫通配線１７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板１１ｂにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線１７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線１８を備えている。これにより、前記二つの配線基板１１ｂ，１２ｂは、それぞれ備えている各貫通配線１７，１７と、重ね合わせ面において一方の配線基板１２ｂの主面に備えた二つの接続配線１８によって、前記複合基板１０Ｂの上面Ａと下面Ｂとを二箇所でそれぞれ電気的に接続している。

また、図３は、三つの配線基板１１ｃ，１２ｃ，１３ｃを重ね合わせた複合基板１０Ｃを示すものである。配線基板１１ｃ、配線基板１２ｃ及び配線基板１３ｃは、それぞれ貫通配線１７を一箇所備えている。また、配線基板１２ｃは、前記配線基板１１ｃとの重ね合わせ面において、前記貫通配線１７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板１１ｃにおける貫通配線１７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線１８、及び前記配線基板１３ｃとの重ね合わせ面において、前記貫通配線１７の下面Ｂ側に位置する端部と、前記配線基板１３ｃにおける貫通配線１７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線１８を備えている。これにより、前記三つの配線基板１１ｃ，１２ｃ，１３ｃは、それぞれ備えている各貫通配線１７，１７，１７と、重ね合わせ面において何れも一方の配線基板１２ｃの主面に備えた接続配線１８によって、前記複合基板１０Ｃの上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続している。

（第二実施形態）
第二実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（１）に前記（ｂ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第二実施形態における複合基板としては、たとえば、図４から６に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板２１，２２または２２，２３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔２５が配され、該微細孔２５に第一導電性物質２６ａを充填した貫通配線２７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板２１，２２または２２，２３に備えた前記貫通配線２７同士を、互いに重ね合わされる双方の配線基板２１，２２または２２，２３にそれぞれ配置した溝２４の内部に第二導電性物質２６ｂを充填した接続配線２８によって繋いだ例が挙げられる。

図４は、二つの配線基板２１ａ，２２ａを重ね合わせた複合基板２０Ａを示すものである。配線基板２１ａ及び配線基板２２ａは、共に貫通配線２７を一箇所ずつ備えている。また、配線基板２１ａは、前記配線基板２２ａとの重ね合わせ面において、該貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部と、前記配線基板２２ａにおける貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８を備えている。また、配線基板２２ａは、前記配線基板２１ａとの重ね合わせ面において、該貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板２１ａにおける貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部とを、前記配線基板２１ａにおける接続配線２８と同様に繋ぐ接続配線２８を備えている。これにより、前記二つの配線基板２１ａ，２２ａは、それぞれ備えている各貫通配線２７，２７と、重ね合わせ面において双方の配線基板２１ａ，２２ａの主面にそれぞれ備えた接続配線２８によって、前記複合基板２０Ａの上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続している。

また、図５は、二つの配線基板２１ｂ，２２ｂを重ね合わせた複合基板２０Ｂを示すものである。配線基板２１ｂ及び配線基板２２ｂは、共に貫通配線２７を二箇所ずつ備えている。また、配線基板２１ｂは、前記配線基板２２ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部と、前記配線基板２２ｂにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８を備えている。また、配線基板２２ｂは、前記配線基板２１ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板２１ｂにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８を備えている。これにより、前記二つの配線基板２１ｂ，２２ｂは、それぞれ備えている各貫通配線２７，２７と、重ね合わせ面において双方の配線基板２１ｂ，２２ｂの主面にそれぞれ備えた各接続配線２８によって、前記複合基板２０Ｂの上面Ａと下面Ｂとを二箇所でそれぞれ電気的に接続している。

また、図６は、三つの配線基板２１ｃ，２２ｃ，２３ｃを重ね合わせた複合基板２０Ｃを示すものである。配線基板２１ｃ、配線基板２２ｃ及び配線基板２３ｃは、共に貫通配線２７を二箇所ずつ備えている。前記貫通配線２７のうち、配線基板２１ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板２２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板２２ｃは、前記配線基板２１ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板２１ｃにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８、及び前記配線基板２３ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部と、前記配線基板２３ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８を備えている。また、配線基板２３ｃは、前記配線基板２２ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板２２ｃにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線２８、及び側面Ｄ側に位置する前記貫通配線２７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板２２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線２７の下面Ｂ側に位置する端部とを、前記配線基板２２ｃにおける接続配線２８と同様に繋ぐ接続配線２８を備えている。これにより、前記三つの配線基板２１ｃ，２２ｃ，２３ｃは、それぞれ備えている各貫通配線２７，２７，２７と、上面Ａ側の重ね合わせ面において一方の配線基板２２ｃの主面に備えた接続配線２８によって前記複合基板２０Ａの上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続すると共に、下面Ｂ側の重ね合わせ面において一方の配線基板２３ｃの主面に備えた接続配線２８と、双方の配線基板２２ｃ，２３ｃの主面にそれぞれ備えた接続配線２８によって前記複合基板２０Ａの上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続する。

（第三実施形態）
第三実施形態は、前記重ね合わせ面において、前記重ね合わせ面において、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（２）に前記（ａ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第三実施形態における複合基板としては、たとえば、図７から９に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板３１，３２また３２，３３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔３５が配され、該微細孔３５に第一導電性物質３６ａを充填した貫通配線３７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板３１，３２または３２，３３に備えた前記貫通配線３７の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる一方の配線基板３１にだけ配置した溝３４の内部に第二導電性物質３６ｂを充填した接続配線３８によって繋いだ例が挙げられる。
このように第三実施形態は、各配線基板３１，３２，３３の重ね合わせ面少なくとも一方に形成する溝３４の少なくとも一部が、各配線基板３１，３２，３３の側面Ｃ又はＤに開口しているものである。
これにより、複合基板の上面Ａと下面Ｂとのみでなく、上面Ａ又は下面Ｂと側面Ｃ又は側面Ｄとを電気的に接続でき、たとえば、側面方向にデバイスを搭載することで、機能キューブのような高性能デバイスパッケージを実現でき、より一層の高機能化を達成できる自由度の高い配線基板を提供できる。

図７は、二つの配線基板３１ａ，３２ａを重ね合わせた複合基板３０Ａを示すものである。配線基板３１ａは、貫通配線３７を二箇所、及び配線基板３２ａは、貫通配線３７を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線３７のうち、配線基板３１ａにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板３２ａにおける貫通配線３７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板３１ａは、前記配線基板３２ａとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板３１ａにおける側面Ｄに露呈する接続配線３８を備えている。これにより、前記二つの配線基板３１ａ，３２ａは、それぞれ備えている各貫通配線３７，３７によって前記複合基板３０Ａの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において、一方の配線基板３１ａの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線３８によって上面Ａと側面Ｄとを電気的に接続している。

また、図８は、二つの配線基板３１ｂ，３２ｂを重ね合わせた複合基板３０Ｂを示すものである。配線基板３１ｂ及び配線基板３２ｂは、共に貫通配線３７を一箇所ずつ備えている。また、配線基板３２ｂは、前記配線基板３１ｂとの重ね合わせ面において、前記配線基板３１ｂの貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板３２ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線３８、及び該貫通配線３７の上面Ａ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板３２ｂにおける側面Ｃに露呈する接続配線３８を備えている。これにより、前記二つの配線基板３１ｂ，３２ｂは、配線基板３１ｂが備えている貫通配線３７と、重ね合わせ面において一方の配線基板３２ｂの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線３８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続すると共に、配線基板３２ｂが備えている貫通配線３７と、重ね合わせ面において側面Ｃに露呈する接続配線３８によって下面Ｂと側面Ｃとを電気的に接続している。

また、図９は、三つの配線基板３１ｃ，３２ｃ，３３ｃを重ね合わせた複合基板３０Ｃを示すものである。配線基板３１ｃ及び配線基板３３ｃは、共に貫通配線３７を一箇所ずつ備え、配線基板３２ｃは、貫通配線３７を二箇所備えている。前記貫通配線３７のうち、配線基板３１ｃにおける貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板３２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線３７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板３２ｃにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板３３ｃにおける貫通配線３７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板３２ｃは、前記配線基板３１ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線３７の上面Ａ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板３２ｃにおける側面Ｃに露呈する接続配線３８、及び側面Ｄ側に位置する前記貫通配線３７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板３２ｃにおける側面Ｄに露呈する接続配線３８を備えている。これにより、前記三つの配線基板３１ｃ，３２ｃ，３３ｃは、配線基板３１ｃ及び配線基板３２ｃがそれぞれ備えている貫通配線３７，３７と、配線基板３２ｃと配線基板３３ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板３２ｃの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線３８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続すると共に、配線基板３２ｃ及び配線基板３３ｃがそれぞれ備えている貫通配線３７，３７と、配線基板３１ｃと配線基板３２ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板３２ｃの主面に備えた側面Ｃに露呈する接続配線３８によって下面Ｂと側面Ｃとを電気的に接続している。

（第四実施形態）
第四実施形態は、前記重ね合わせ面において、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（２）に前記（ｂ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第四実施形態における複合基板としては、たとえば、図１０から１２に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板４１，４２また４２，４３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔４５が配され、該微細孔４５に第一導電性物質４６ａを充填した貫通配線４７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板４１，４２または４２，４３に備えた前記貫通配線４７の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる双方の配線基板４１，４２または４２，４３にそれぞれ配置した溝４４の内部に第二導電性物質４６ｂを充填した接続配線４８によって繋いだ例が挙げられる。

図１０は、二つの配線基板４１ａ，４２ａを重ね合わせた複合基板４０Ａを示すものである。配線基板４１ａ及び配線基板４２ａは、共に貫通配線４７を一箇所ずつ備えている。また、配線基板４１ａは、前記配線基板４２ａとの重ね合わせ面において、該貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４１ａにおける側面Ｄに露呈する接続配線４８を備えている。また、配線基板４２ａは、前記配線基板４１ａとの重ね合わせ面において、該貫通配線４７の上面Ａ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４２ａにおける側面Ｃに露呈する接続配線４８を備えている。これにより、前記二つの配線基板４１ａ，４２ａは、配線基板４１ａが備えている貫通配線４７と、重ね合わせ面において一方の配線基板４１ａの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線４８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続すると共に、配線基板４２ａが備えている貫通配線４７と、重ね合わせ面において他方の配線基板４２ａの主面に備えた側面Ｃに露呈する接続配線４８によって下面Ｂと側面Ｃを電気的に接続している。

また、図１１は、二つの配線基板４１ｂ，４２ｂを重ね合わせた複合基板４０Ｂを示すものである。配線基板４１ｂは、貫通配線４７を二箇所、及び配線基板４２ｂは、貫通配線４７を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線４７のうち、配線基板４１ｂにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板４２ｂにおける貫通配線４７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板４１ｂは、前記配線基板４２ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４１ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線４８を備えている。また、配線基板４２ｂは、前記配線基板４１ｂとの重ね合わせ面において、前記配線基板４１ｂの側面Ｄ側に位置する前記貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４２ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線４８を備えている。これにより、前記二つの配線基板４１ｂ，４２ｂは、それぞれ備えている各貫通配線４７，４７によって前記複合基板４０Ｂの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において双方の配線基板４１ｂ，４２ｂの主面にそれぞれ備えた側面Ｄに露呈する接続配線４８，４８によって前記複合基板４０Ｂの上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

また、図１２は、三つの配線基板４１ｃ，４２ｃ，４３ｃを重ね合わせた複合基板４０Ｃを示すものである。配線基板４１ｃと配線基板４２ｃは、貫通配線４７を一箇所、及び配線基板４２ｃは、貫通配線４７を二箇所それぞれ備えている。前記貫通配線４７のうち、配線基板４１ｃにおける貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板４２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線４７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板４２ｃにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板４３ｃにおける貫通配線４７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板４２ｃは、前記配線基板４１ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線４７の上面Ａ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４２ｃにおける側面Ｃに露呈する接続配線４８、及び側面Ｄ側に位置する前記貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４２ｃにおける側面Ｄに露呈する接続配線４８を備えている。また、配線基板４３ｃは、前記配線基板４２ｃとの重ね合わせ面において、前記配線基板４２ｃの側面Ｄ側に位置する前記貫通配線４７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板４３ｃにおける側面Ｄに露呈する接続配線４８を備えている。これにより、前記三つの配線基板４１ｃ，４２ｃ，４３ｃは、配線基板４１ｃ及び配線基板４２ｃがそれぞれ備えている貫通配線４７，４７と、配線基板４２ｃと配線基板４３ｃとの重ね合わせ面において双方の配線基板４２ｃ，４３ｃの主面にそれぞれ備えた側面Ｄに露呈する接続配線４８，４８によって前記複合基板４０Ｃの上面Ａと側面Ｄを電気的に接続すると共に、配線基板４２ｃ及び配線基板４３ｃがそれぞれ備えている貫通配線４７，４７と、配線基板４１ｃと配線基板４２ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板４２ｃの主面に備えた側面Ｃに露呈する接続配線４８によって下面Ｂと側面Ｃを電気的に接続している。

（第五実施形態）
第五実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（３）に前記（ａ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第五実施形態における複合基板としては、たとえば、図１３から１５に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板５１，５２また５２，５３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔５５が配され、該微細孔５５に第一導電性物質５６ａを充填した貫通配線５７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板５１，５２または５２，５３に備えた前記貫通配線５７同士を、互いに重ね合わされる一方の配線基板５２にだけ配置した溝５４の内部に第二導電性物質５６ｂを充填した接続配線５８によって繋いだ例が挙げられる。

図１３は、二つの配線基板５１ａ，５２ａを重ね合わせた複合基板５０Ａを示すものである。配線基板５１ａは、貫通配線５７を二箇所、及び配線基板５２ａは、貫通配線５７を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板５２ａは、前記配線基板５１ａとの重ね合わせ面において、前記配線基板５１ａの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と、該貫通配線５７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線５８、及び前記配線基板５１ａの側面Ｄ側に位置する前記貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板５２ａにおける側面Ｄに露呈する接続配線５８を備えている。これにより、前記二つの配線基板５１ａ，５２ａは、それぞれ備えている各貫通配線５７，５７と、重ね合わせ面において一方の配線基板５２ａの主面に備えた側面Ｃ側に位置する接続配線５８によって前記複合基板５０Ａの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において側面Ｄに露呈する接続配線５８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

また、図１４は、二つの配線基板５１ｂ，５２ｂを重ね合わせた複合基板５０Ｂを示すものである。配線基板５１ｂは、貫通配線５７を一箇所、及び配線基板５２ｂは、貫通配線５７を二箇所それぞれ備えている。また、配線基板５２ｂは、前記配線基板５１ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する該貫通配線５７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板５１ｂの前記貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と繋ぐ接続配線５８、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線５７の端部の上面Ａ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板５２ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線５８を備えている。これにより、前記二つの配線基板５１ｂ，５２ｂは、それぞれ備えている各貫通配線５７，５７と、重ね合わせ面において一方の配線基板５２ｂの主面に備えた側面Ｃ側に位置する接続配線５８によって前記複合基板５０Ｂの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において一方の配線基板５２ｂの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線５８によって下面Ｂと側面Ｄを電気的に接続している。

また、図１５は、三つの配線基板５１ｃ，５２ｃ，５３ｃを重ね合わせた複合基板５０Ｃを示すものである。配線基板５１ｃと配線基板５２ｃは、貫通配線５７を二箇所、及び配線基板５３ｃは、貫通配線５７を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線５７のうち、配線基板５１ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板５２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線５７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板５２ｃにおける側面Ｃ側に位置する貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板５３ｃにおける貫通配線５７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板５２ｃは、前記配線基板５１ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する該貫通配線５７の上面Ａ側に位置する端部と前記配線基板５１ｃの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と繋ぐ接続配線５８を備えると共に、前記配線基板５３ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線５７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板５２ｃにおける側面Ｄに露呈する接続配線５８を備えている。これにより、前記三つの配線基板５１ｃ，５２ｃ，５３ｃは、それぞれ備えている各貫通配線５７，５７，５７と、配線基板５１ｃと配線基板５２ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板５２ｃの主面に備えた接続配線５８によって前記複合基板５０Ｃの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、配線基板５１ｃ及び配線基板５２ｃがそれぞれ備えている貫通配線５７，５７と、配線基板５２ｃと配線基板５３ｃとの重ね合わせ面において側面Ｄに露呈する接続配線５８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

（第六実施形態）
第六実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記（３）に前記（ｂ）を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第六実施形態における複合基板としては、たとえば、図１６から１８に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板６１，６２また６２，６３に、それぞれの基材１，２，３の対向する主面を結ぶように微細孔６５が配され、該微細孔６５に第一導電性物質６６ａを充填した貫通配線６７を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板６１，６２または６２，６３に備えた前記貫通配線６７の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる双方の配線基板６１，６２または６２，６３にそれぞれ配置した溝６４の内部に第二導電性物質６６ｂを充填した接続配線６８によって繋いだ例が挙げられる。

図１６は、二つの配線基板６１ａ，６２ａを重ね合わせた複合基板６０Ａを示すものである。配線基板６１ａは、貫通配線６７を二箇所、及び配線基板６２ａは、貫通配線６７を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板６１ａは、前記配線基板６２ａとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板６１ａにおける側面Ｄに露呈する接続配線６８を備えている。また、配線基板６２ａは、前記配線基板６１ａとの重ね合わせ面において、前記配線基板６１ａの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と、該貫通配線６７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線６８を備えている。これにより、前記二つの配線基板６１ａ，６２ａは、それぞれ備えている各貫通配線６７，６７と、重ね合わせ面において一方の配線基板６２ａの主面に備えた接続配線６８によって前記複合基板６０Ａの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において一方の配線基板６１ａの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線６８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

また、図１７は、二つの配線基板６１ｂ，６２ｂを重ね合わせた複合基板６０Ｂを示すものである。配線基板６１ｂは、貫通配線６７を二箇所、及び配線基板６２ｂは、貫通配線６７を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板６１ｂは、前記配線基板６２ｂとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板６１ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線６８を備えている。また、配線基板６２ｂは、前記配線基板６１ｂとの重ね合わせ面において、前記配線基板６１ｂの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と、該貫通配線６７の上面Ａ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線６８、及び前記配線基板６１ｂの側面Ｄ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板６２ｂにおける側面Ｄに露呈する接続配線６８を備えている。これにより、前記二つの配線基板６１ｂ，６２ｂは、それぞれ備えている各貫通配線６７，６７と、重ね合わせ面において一方の配線基板６２ｂの主面に備えた側面Ｃ側に位置する接続配線６８によって前記複合基板６０Ｂの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において双方の配線基板６１ｂ及び６２ｂの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線６８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

また、図１８は、三つの配線基板６１ｃ，６２ｃ，６３ｃを重ね合わせた複合基板６０Ｃを示すものである。配線基板６１ｃと配線基板６２ｃは、貫通配線６７を二箇所、及び配線基板６３ｃは、貫通配線６７を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線６７のうち、配線基板６１ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と、配線基板６２ｃにおける側面Ｄ側に位置する貫通配線６７の上面Ａ側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板６２ｃは、前記配線基板６１ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する該貫通配線６７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板６１ｃの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線６８を備えると共に、前記配線基板６３ｃとの重ね合わせ面において、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板６２ｃにおける側面Ｄに露呈する接続配線６８を備えている。また、配線基板６３ｃは、前記配線基板６２ｃとの重ね合わせ面において、該貫通配線６７の上面Ａ側に位置する端部と、前記配線基板６２ｃの側面Ｃ側に位置する前記貫通配線６７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線６８を備えている。これにより、前記三つの配線基板６１ｃ，６２ｃ，６３ｃは、それぞれ備えている各貫通配線６７，６７，６７と、配線基板６１ｃと配線基板６２ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板６２ｃの主面に備えた接続配線６８、及び配線基板６２ｃと配線基板６３ｃとの重ね合わせ面において一方の配線基板６３ｃの主面に備えた接続配線６８によって前記複合基板６０Ｃの上面Ａと下面Ｂを電気的に接続すると共に、配線基板６１ｃ及び配線基板６２ｃがそれぞれ備えている貫通配線６７，６７と、前記配線基板６２ｃと配線基板６３ｃとの重ね合わせ面において他方の配線基板６２ｃの主面に備えた側面Ｄに露呈する接続配線６８によって上面Ａと側面Ｄを電気的に接続している。

（第七実施形態）
第七実施形態は、互いに重ね合わせる複数の基板のうち、少なくとも１つが異なる材料からなる構成のものである。
本発明の第七実施形態における複合基板としては、たとえば、図１９に示すように、互いに重ね合わされる一方の配線基板７１を、ガラスよりなる基材１を用いたガラス基板とし、他方の配線基板７２を、シリコンよりなる基材２を用いたシリコン基板とする、二つの配線基板７１，７２を重ね合わせた複合基板７０の例が挙げられる。
複合基板７０は、それぞれの配線基板を構成する各基板の材料が互いに異なる以外は、前述した図２に示す複合基板１０Ｂと同様の構成である。すなわち、複合基板７０を構成するガラス基板７１とシリコン基板７２は、共に貫通配線７７を二箇所ずつ備えている。また、シリコン基板７２は、前記ガラス基板７１との重ね合わせ面において、側面Ｃ側に位置する前記貫通配線７７の上面Ａ側に位置する端部と前記ガラス基板７１における側面Ｃ側に位置する貫通配線７７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線７８と、側面Ｄ側に位置する前記貫通配線７７の上面Ａ側に位置する端部と前記ガラス基板７１における側面Ｄ側に位置する貫通配線７７の下面Ｂ側に位置する端部とを繋ぐ接続配線７８を備えている。
これにより、互いに重ね合わさる配線基板を構成する基材の少なくとも１つが異なる材料からなる構成であっても、前記複合基板７０の上面Ａと下面Ｂとを電気的に接続する構成とすることができる。また、異種基材を接合することにより、たとえば、本実施形態で示したガラス基板のような透明基材を接合することで、外部からの光がガラス基板を透過するため、シリコン基板に対して光学デバイスを集積することが可能となる等、更なる高機能化を達成できる。

（第八実施形態）
本発明の第八実施形態における複合基板としては、少なくとも一方の主面に配線やバンプ、樹脂層などを形成した構成のものであり、たとえば、図２０に示すような複合基板８０の例が挙げられる。図２０では、複合基板８０の下面Ｂに配線８１とバンプ８２と樹脂層８３が形成されている点のみ、図１９に示す複合基板７０とは相違し、それ以外は同じ構成となっている。
これにより、配線基板として、様々なデバイスの高密度パッケージやＳｉＰに応用することができる。また、配線８１を貫通配線７７と接続させることで、さらに下面Ｂ上で様々なパターンを形成することができるので、より一層配線基板としての自由度が増すものとなる。

（第九実施形態）
本発明の第九実施形態における複合基板としては、配線基板を構成する基材の内部に機能素子を埋設した構成のものであり、たとえば、図２１に示すような複合基板９０の例が挙げられる。図２１では、配線基板９１と配線基板９２で挟まれるように、配線基板９２の一面に機能素子９９が埋設されている点のみ、図６に示す複合基板２０Ｃとは相違し、それ以外は同じ構成となっている。前記機能素子９９としては、たとえば、コンデンサや抵抗などの受動素子、あるいは各種センサなどのＭＥＭＳデバイスが挙げられる。
これにより、より高機能の配線基板を提供することができる。また、機能素子９９が二つの配線基板の間に挟み込まれ、あるいは密閉された形態とすることができるので、外力に対して耐久性に優れた構成が得られる。あらに、機能素子９９が外部環境に曝される虞がないので、耐環境性の改善も図ることができる。

続いて、図２２及び図２３を用いて、本発明における複合基板の製造方法の一例を説明する。
図２２は、本発明に係る複合基板の第一製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。本実施形態では、二つの基材を重ね合わせる場合について説明し、各基材として、何れも厚さが２００μｍのシリコン基材を用いる。なお、本発明では、基材としてシリコン基材を用いたが、本発明はこれに限定されず、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）やインジウムリン（ＩｎＰ）など他の半導体基材を使用することができるものである。

はじめに、図２２（ａ）に示すように、第一配線基板及び第二配線基板をそれぞれ構成するシリコン基材１０１及び１０２に、対向する主面を結ぶように微細孔１１５をそれぞれ形成する。
次いで、図２２（ｂ）に示すように、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々のシリコン基材１０１及び１０２に設けた微細孔１１５の端部同士が連通するように、一方のシリコン基材１０２の重ね合わせ面に溝１１４を形成する。

前記溝１１４及び前記貫通孔１１５は、たとえばシリコン基板をDeep-Reactive Ion Etching （ＤＲＩＥと略記）法によりエッチングすることで形成することができる。ＤＲＩＥ法とは、エッチングガスに六フッ化硫黄（ＳＦ_６ ）を用い、高密度プラズマによるエッチングと、側壁へのパッシベーション成膜を交互に行なうＢｏｓｃｈプロセスにより、シリコン基板を深堀エッチングするものである。なお、前記溝１１４及び前記貫通孔１１５の形成方法は、前記ＤＲＩＥ法に限定されず、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等によるウェットエッチング法や、レーザやマイクロドリル等による物理的な加工、及びこれらを適宜組み合わせたものを用いることができる。
その際、前記溝１１４は、たとえば深さを２０μｍとすることができるが、本発明はこれに限定されず、適宜設定することができる。また、前記微細孔１１５は、たとえば孔径を５０μｍとすることができるが、やはり本発明はこれに限定されず、それぞれ適宜設定することができる。

さらに、図２２（ｃ）に示すように、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態において、各々のシリコン基材１０１及び１０２の外面と、前記溝１１４と前記微細孔１１５の各内壁面を絶縁処理して絶縁部１０９を設ける。この絶縁部１０９は、各々のシリコン基材１０１及び１０２の重ね合わせ前、もしくは重ね合わせ接合後の何れに設けても良い。この際、前記絶縁部１０９は、たとえば本実施形態の場合であれば、シリコン基板を高温で処理する熱酸化によりＳｉＯ_２ からなる絶縁層を形成することができる。また、絶縁部を設ける方法はこれに限定されず、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）やシラン（ＳｉＨ_４ ）原料としたプラズマＣＶＤ、絶縁樹脂のコーティング、およびこれらを適宜組み合わせたものを用いることができる。
なお、各々のシリコン基材１０１及び１０２の接合は、たとえば常温接合により行うことができる。

そして、図２２（ｄ）に示すように、各々のシリコン基材１０１及び１０２の外面と、前記溝１１４と前記微細孔１１５の各内壁面に絶縁部１０９を設けた後、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記溝１１４と前記微細孔１１５の内部に導電性物質１１６を一緒に充填する。

これにより、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線と、第一配線基板と第二配線基板との重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に導電性物質を充填してなる接続配線を備えた複合基板１００Ａとすることができる。

また、本発明の複合基板は、配線基板を構成する基材として上述した半導体基材に限らず、絶縁性基材を用いることもできる。もちろん、半導体基材と絶縁性基材を組み合わせたものとしても良い。
以下、本発明の複合基板の第二の製造方法として、配線基板を構成する基材として絶縁基材を用いた場合について説明する。
図２３は、本発明に係る複合基板の第二製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。本実施形態では、各絶縁性基材として、何れも厚さが３００μｍのガラス基材を用いる。なお、本実施形態では、絶縁性基材としてガラス基材を用いたが、本発明はこれに限定されず、セラミックなど他の絶縁性基板を使用しても良い。

はじめに、図２３（ａ）に示すように、半導体基材と同様、第三配線基板及び第四配線基板をそれぞれ構成するガラス基材１０３及び１０４に、対向する主面を結ぶように微細孔１１５をそれぞれ形成する。
次いで、図２３（ｂ）に示すように、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた面において、前記第三配線基板と前記第四配線基板とを構成する各々のガラス基材１０３及び１０４に設けた微細孔１１５の端部同士が連通するように、一方のガラス基材１０４の重ね合わせ面に溝１１４を形成する。

さらに、図２３（ｃ）に示すように、各々ガラス基材１０３及び１０４に設けた微細孔１１５の端部同士が前記溝１１４を介して連通するように各々のガラス基材１０３及び１０４を重ね合わせ接合する。
そして、図２３（ｄ）に示すように、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた状態として、前記溝１１４と前記微細孔１１５の内部に導電性物質１１６を一緒に充填する。

これにより、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線と、第三配線基板と第四配線基板との重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に導電性物質を充填してなる接続配線を備えた複合基板１００Ｂとすることができる。

前記導電性物質１１６としては、たとえば、金錫（Ａｕ８０ｗｔ％−Ｓｎ２０ｗｔ％）を用い、溶融金属吸引法により充填することができる。また、本発明はこれに限定されず、異なる組成を有する金錫合金や、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）等の金属、また、錫鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）系、錫（Ｓｎ）基、鉛（Ｐｂ）基、金（Ａｕ）基、インジウム（Ｉｎ）基、アルミニウム（Ａｌ）基等のはんだを使用することもできる。

なお、上述した複合基板の製造方法では、何れも微細孔を配した基材の対向する主面の何れか一方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の該主面上に止まる溝を形成した場合について説明したが、本発明では、前記溝の形成方法と同様の方法により、微細孔を配した基材の対向する主面の両方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の該主面上に止まる溝を形成する場合や、前記溝に換えてもしくは前記溝と共に、微細孔を配した基材の対向する主面の何れか一方もしくは両方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の側面に達する溝を形成するようにしても良い。

以上のように、基材の対向する主面を結ぶように微細孔が配され、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板を複数用い、互いに重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び／又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝の内部に第二導電性物質を充填することにより、基材表面の平坦化を可能とし、電気的な信頼性が高く、自由度の高い複合基板を、工数が少なく形成することができる。

本発明に係る複合基板の第一実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第一実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第一実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第二実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第二実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第二実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第三実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第三実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第三実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第四実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第四実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第四実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第五実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第五実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第五実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第六実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第六実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第六実施形態の他の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第七実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第八実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第九実施形態の一例を示す概略断面図である。 本発明に係る複合基板の第一製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。 本発明に係る複合基板の第二製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。 従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。

符号の説明

１、２、３ 基材、１０（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ） 複合基板、１１、１２、１３ 配線基板、１４ 溝、１５ 微細孔、１６ａ 第一導電性物質、１６ｂ 第二導電性物質、１７ 貫通配線、１８ 接続配線。

Claims (6)

1. 基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板を複数用い、前記主面の一方又は両方を重ね合わせてなる複合基板であって、
   前記重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び／又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなることを特徴とする複合基板。
2. 前記第一導電性物質と前記第二導電性物質は、連続体をなしていることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
3. 前記配線基板を構成する基材のうち、少なくとも１つは異なる材料からなることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
4. 基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた第一配線基板と第二配線基板とを互いに重ね合わせてなる複合基板の製造方法であって、
   第一配線基板と第二配線基板を構成する各基材として半導体基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の半導体基材に微細孔を形成する工程と、
   前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々の半導体基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の半導体基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、
   前記重ね合わせた状態において、各々の半導体基材の外面と、前記微細孔と前記溝の各内壁面を絶縁処理して絶縁部を設ける工程と、
   前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔と前記溝の内部に導電性物質を一緒に充填する工程と、
   を少なくとも有することを特徴とする複合基板の製造方法。
5. 基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた第三配線基板と第四配線基板とを互いに重ね合わせてなる複合基板の製造方法であって、
   第三配線基板と第四配線基板を構成する各基材として絶縁性基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の絶縁性基材に微細孔を形成する工程と、
   前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた面において、前記第三配線基板と前記第四配線基板とを構成する各々の絶縁性基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の絶縁性基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、
   前記絶縁性基材に設けた微細孔の端部同士が前記溝を介して連通するように各々の絶縁性基材を重ね合わせ接合する工程と、
   前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔と前記溝の内部に導電性物質を一緒に充填する工程と、
   を少なくとも有することを特徴とする複合基板の製造方法。
6. 前記請求項１から３のいずれか１項に記載の複合基板に電子部品を実装してなることを特徴する電子装置。
   

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