TWI735444B - 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統ｍｅｍｓ裝置 - Google Patents

具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統ｍｅｍｓ裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI735444B
TWI735444B TW105116418A TW105116418A TWI735444B TW I735444 B TWI735444 B TW I735444B TW 105116418 A TW105116418 A TW 105116418A TW 105116418 A TW105116418 A TW 105116418A TW I735444 B TWI735444 B TW I735444B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
outgassing
micro
system device
conductive
Prior art date
Application number
TW105116418A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201708095A (zh
Inventor
裘沃 信
蓋里 豪瑞 裘翰瑞
馬汀 林
喬瑟夫 席格
Original Assignee
美商伊凡聖斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商伊凡聖斯股份有限公司 filed Critical 美商伊凡聖斯股份有限公司
Publication of TW201708095A publication Critical patent/TW201708095A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI735444B publication Critical patent/TWI735444B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0089—Chemical or biological characteristics, e.g. layer which makes a surface chemically active
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/016—Passivation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/033—Thermal bonding
    • B81C2203/035—Soldering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本發明揭露一種微電-機系統裝置及用於微電-機系統裝置之方法。在第一目的中，該微電-機系統裝置包括第一基板及連結至該第一基板之第二基板而形成密封外殼。可移動的結構是位在該密封外殼內。逸氣層是形成於該第一或第二基板上並且在該密封外殼內。第一傳導層是配置在該可移動的結構及該逸氣層之間，其中該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過該第一傳導層。

Description

具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統MEMS裝置 相關申請案之交互參照
本申請案主張依據35 USC 119(e)於2015年6月23日提出申請的美國第62/183,652號臨時專利申請案的優先權，其發明名稱為“MEMS DEVICE WITH ELECTRODES PERMEABLE TO OUTGASSING FILM”，該申請案併入本文以作為參照。
本發明係關於微電-機系統(MEMS,Microelectromechanical Systems)裝置，尤其係關於包含對逸氣成份是可滲透之電極之微電-機系統裝置。
微電-機系統(Microelectromechanical Systems,MEMS)裝置在相同的蓋體及基板內可能具有不同的腔體。該腔體對於每個裝置之最佳的效能可能需要不同的腔體壓力。習知的積體化6軸共晶晶圓接合製程對於不同的腔體設定相等的壓力。習知的微電-機系統裝置包含侷限該能力以增加該腔體壓力之電極。因此，對於克服該前述的問題 之解決方法有強烈的需求。本發明解決此類需求。
本發明揭露微電-機系統裝置及提供微電-機系統裝置之方法。在第一個態樣中，該微電-機系統裝置包括第一基板、以及連結至該第一基板之第二基板而形成密封外殼。可移動的結構是位在該密封外殼內部。逸氣層為形成於該第一或第二基板上並且在該密封外殼內。第一傳導層是位在該可移動結構及該逸氣層之間，其中，該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過本身。
在第二態樣中，提供微電-機系統裝置之方法包括提供鈍化層於基部基板上，其中，該鈍化層包含複數個材料層，其中，該複數個材料層之頂部材料層包括逸氣層；提供至少一個傳導導通孔穿越該鈍化層；提供金屬層於該逸氣層上，其中，該金屬層為透過該至少一個傳導導通孔而電性連結至在該基部基板中之至少一個內連線金屬，其中，該金屬層包含至少一個傳導接觸層於該金屬層上，其中，該至少一個傳導接觸層允許氣體從該逸氣層穿越通過該至少一個傳導接觸層以及接合該基部基板至另一個基板，其中，該另一個基板包含至少一個支座於該另一個基板上，其中，該至少一個支座是連結至該金屬層。
100‧‧‧微電-機系統裝置
102a‧‧‧鈍化層
104‧‧‧逸氣層
106、206‧‧‧逸氣阻障層
108、208‧‧‧電極
110‧‧‧接合金屬
112‧‧‧內連線傳導導通孔
114‧‧‧微電-機系統基板
116‧‧‧互補式金氧半基板
118‧‧‧內連線金屬
120‧‧‧第一腔體
122‧‧‧第二腔體
200、300‧‧‧方法
202‧‧‧鈍化層
204‧‧‧逸氣材料/層
210、218‧‧‧內連線金屬
212‧‧‧內連線導通孔
230‧‧‧缺口
302、304、306、308‧‧‧步驟
該附加的圖式說明本發明之數個實施例，並且，結合該描述，負責用於說明本發明之原理。一般熟習該項技藝之人士已經瞭解在圖式中所說明之實施例只是 例示性的，並且並非意在限定本發明之範疇。
第1圖說明依據實施例之微電-機系統裝置之橫截面視圖。
第2A至2F圖說明依據實施例提供用於微電-機系統裝置之逸氣之可滲透的電極之方法。
第3圖說明依據實施例之提供微電-機系統裝置之方法。
本發明係關於微電-機系統(Microelectromechanical Systems,MEMS)裝置，尤其係關於包含對逸氣成份可滲透之電極之微電-機系統裝置。該下列的說明所呈現在於使一般熟習該項技藝之人士能夠利用本發明並且提供於專利申請及本身要求的背景中。針對該較佳的實施例之各種修正及在此所描述之該一般的原理及特徵對於熟習該項技藝之人士將是顯而易見的。因此，本發明並非意在限定於所顯示之該實施例而是應賦予符合在此所描述之該原理及特徵之最寬廣的範圍。
微電-機系統(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)意指使用類半導體製程及呈現諸如移動或變形之能力之機械特性所製造之裝置一類。微電-機系統通常，但不總是，與電氣訊號交互作用。微電-機系統裝置可以意指以微電-機系統所實現之半導體裝置。微電-機系統裝置包含機械元件及選擇性包含用於感測之電子。微電-機系統裝置包含但不限於陀螺儀、加速規、磁強計及壓力感測器。
在微電-機系統裝置中，端口為穿越基板以曝露微電-機系統結構至該周圍環境之開口。晶片包含通常由半導體材料所形成之至少一個基板。單一晶片可以由多個基板所形成，其中，該基板為機械性接合以保持功能性。多個晶片包含至少兩個基板，其中，該至少兩個基板為電性連接但是並不需要機械性接合。
通常，多個晶片是藉由切割晶圓所形成。微電-機系統晶圓為含有微電-機系統結構之矽晶圓。微電-機系統結構可以意指可以是部分較大的微電-機系統裝置之任何特徵。包括可移動的元件之一個或一個以上之微電-機系統特徵為微電-機系統結構。微電-機系統特徵可以意指由微電-機系統製造流程所形成之元件，諸如緩衝塊、阻尼孔、導通孔、端口，平板、塊體質量、支座、彈簧及密封圈。
微電-機系統處理層提供用於微電-機系統裝置層之機械支撐。在某些實施例中，該處理層負責作為針對該微電-機系統結構之蓋體。接合層可以意指連結之方法並且該微電-機系統基板及積體電路(Integrated Circuit,IC)基板可以使用共晶接合(例如，鋁鍺、銅錫、金矽)、熔合接合、壓合、熱壓合、黏膠接合(例如，膠、焊料、陽極接合、玻璃熔塊)而接合。積體電路基板可以意指具有電氣電路，通常為互補式金氧半電路，之矽基板。封裝提供在該晶片上之接合墊之間至可以焊接於印刷電路板(Printed Board Circuit,PCB)之金屬導線之電性連接。封裝通常包括 基板及蓋體。
包含加速規及陀螺儀兩者之微電-機系統裝置可能需要用於每一個裝置之最佳化效能之不同的腔體壓力(意即，用於該加速規之其中一個腔體壓力及用於該陀螺儀之另一個腔體壓力)。目前的積體化6軸製程包含對於該加速規及陀螺儀腔體設定相等的壓力之共晶晶圓接合。為了增加該加速規腔體壓力，依據本發明之方法及系統提供逸氣材料或薄膜以放在下面或沉積於該加速規腔體之特定區域中以增加該加速規腔體之壓力。該方法及系統可以使用於具有陀螺儀及其它感測器(例如，加速規、磁力計、氣壓計等等)兩者所整合並且其中不同的腔體壓力是需要的之任何6軸、7軸及9軸產品。
此外，該逸氣材料或薄膜可以放在下面或沉積在該整體的加速規腔體區域之該內部內並且甚至在該電極下方以最大化該逸氣薄膜之面積及腔體壓力增加能力。為了使該逸氣材料甚至能夠放置在該電極下方，該方法及系統依據本發明使用用於該電極材料之薄的或多孔隙材料。
在其中一項實施例中，該電極材料之厚度是在50及100奈米(Nanometers,nm)之間。在另一個實施例中，該電極材料之厚度甚至低於50奈米或高於100奈米。在其中一項實施例中，該電極材料是由任何氮化鈦(Titanium Nitride,TiN)、氮化鉭(Tantalum Nitride,TaN)、該材料之組合及產生類似於氮化鈦及氮化鉭之任何材料所製 成
藉由提供用於是薄的、多孔隙的、圖案化的、由特定材料所製成及/或該材料的組合之該電極之電極材料，層疊於該電極下方之該逸氣層之該逸氣成份(諸如氫)可以滲透穿越該電極並且增加該腔體壓力。在另一個實施例中，除了是薄的及由材料之特定類型所製成之外，該電極材料為是多孔隙的及傳導的。在另一個實施例中，該電極材料經圖案化具有孔洞，該孔洞亦能夠使該逸氣由該逸氣層至成為最大化。孔洞之該圖案可以包含各種不同的圖案及孔洞之數量與尺寸。
在其中一項實施例中，在該微電-機系統裝置內之該腔體可以使用該微電-機系統基板及該互補式金氧半基板之共晶接合而形成。該腔體包含包括逸氣材料之該逸氣層並且該微電-機系統裝置可以形成於在該腔體內部之電極上方。例如，致動器微電-機系統裝置可以形成在該腔體內並且位在該電極及在該電極下方之該逸氣材料之上方。
該電極及該逸氣材料兩者可以形成在該互補式金氧半基板上。該電極為連接至下層金屬並且覆蓋部分該逸氣材料。該電極可以圖案化以允許該逸氣成份穿越通過、可以是薄的與對該逸氣成份是可滲透的及/或可以是多孔隙的與對該逸氣成份是可滲透的。
隔離的腔體可以藉由放置分隔物在該兩個腔體之間而形成。逸氣阻障物可以施加至部分該逸氣材料 上方(並且僅限定於特定的腔體或複數個腔體)以達到兩種不同的壓力於兩個隔離的腔體中。該逸氣可以藉由在該密封的腔體之形成期間或之後施加任何熱能及雷射光而致發而該逸氣阻障物之存在將限定該腔體壓力由該逸氣而增加。
例如，第一個該兩個腔體可以具有非常少或未具有逸氣阻障物以便該逸氣可以滲透穿越該可滲透的電極並且增加該第一腔體壓力而該第二該兩個腔體可以以逸氣阻障物完全地覆蓋該逸氣材料(或者具有大部分該逸氣材料覆蓋著)以便該逸氣受到阻擋，該阻擋穩定化該第二腔體壓力而造成該第一腔體壓力是高於該第二腔體。因此，在單一個腔體中，該逸氣阻障物可以經由使用以控制該腔體之壓力並且在腔體之間產生不同的壓力水準。在其中一項實施例中，該逸氣阻障物是由對於逸氣成份無法滲透之任何氮化矽(Silicon Nitride,SiN)、富矽氧化物(Silicon Rich Oxide,SRO)及任何厚的金屬層所製成。
為了更詳細地描述本發明之特徵，今參考下文的說明並結合該附加的圖式。
第1圖說明依據實施例之微電-機系統裝置100之橫截面視圖。該微電-機系統裝置100包含連結一起之微電-機系統基板114及互補式金氧半基板116以形成第一腔體120及第二腔體122。該微電-機系統基板114包含微電-機系統蓋體及至少一個致動器與每一個經由氧化層接合於該微電-機系統蓋體之至少一個支座。該互補式金氧 半基板116包含可以包括逸氣層104及逸氣阻障層106之鈍化層102a。
在第1圖中，至少其中一個電極108是連結至該逸氣層104。在其中一項實施例中，該至少其中一個電極108是直接地連結至該逸氣層104，並且在另一個實施例中，該至少其中一個電極108是經由逸氣阻障層106連結至該逸氣層104。該至少其中一個電極108是薄的並對逸氣成份是可滲透的，藉以使得該逸氣層能夠增加該第一腔體120之該腔體壓力。
該微電-機系統裝置100復包含在該互補式金氧半基板116內電性連接該接合金屬110至該內連線金屬118之至少一個內連線傳導導通孔112。在其中一項實施例中，該至少一個內連線傳導導通孔112是位在該微電-機系統裝置之該接合金屬110之下方並且亦位在至少一個電極108之下方。該接合金屬110為連結至該微電-機系統基板114之該支座，藉以連結該互補式金氧半基板116至該微電-機系統基板114。
如同在第1圖中所看到的，該橫截面視圖之右側說明在該第二腔體122下方之鈍化層102a。該鈍化層102a包含逸氣層104及逸氣阻障層106兩者。該逸氣阻障層106並未使該逸氣成份能夠進入藉以限制針對該第二腔體122之該腔體壓力的增加之該第二腔體122。
然而，雖然該橫截面視圖之左側說明在該第一腔體120下方之鈍化層，但是該鈍化層具有並未包含 該逸氣阻障層106之部分。因此，該逸氣層104是直接連結至該至少一個電極108，該電極108是薄的及可滲透的，並且允許氣體穿越通過該電極108。由於是薄的及可滲透的之該至少一個電極108及並未包含逸氣阻障層106之該部分的該鈍化層，因此，該逸氣成份將穿越通過該至少一個電極108，藉以增加在該第一腔體120內之壓力而在該第二腔體122內之壓力將相對地維持相同。
第2A至2F圖說明依據實施例之提供用於微電-機系統裝置之逸氣之可滲透的電極之方法200。經由步驟2A，該方法200包含提供鈍化層202於該微電-機系統裝置之互補式金氧半基板上方。該鈍化層202包含逸氣材料/層204及逸氣阻障層206兩者。當加熱時，該逸氣材料204釋放增加該密封的微電-機系統腔體之該腔體壓力之逸氣成份或氣體。至少其中一個內連線金屬210是位在該鈍化層202之底部部分內。經由步驟2B，該鈍化層202是使用蝕刻製程(或其它類似的製程)而圖案化以移除部分該逸氣阻障層206，該移除造成至少一個缺口230缺乏逸氣阻障層。
經由步驟2C，該至少一個缺口230填入具有額外的逸氣材料204，並且經由步驟2D，至少一個內連線導通孔212是放置在該鈍化層202內以連接該鈍化層202之頂部部分與該內連線金屬218。經由步驟2E，複數個電極208是連結至該鈍化層202之頂部部分及連結至至少一個內連線導通孔212，並且接合金屬210為連結至至少一 部分該複數個電極208。該至少一個內連線導通孔212電性連接該複數個電極208至該內連線金屬218。該複數個電極208是薄的、多孔隙的及/或可滲透的，以允許逸氣氣體/成份穿越通過。該接合金屬210可以是任何共晶接合金屬及打線接合金屬。
某些該複數個電極208是定位在僅直接來到與該逸氣阻障層206接觸，並且其它該複數個電極208為直接來到與該逸氣阻障層206及該下層的逸氣材料204兩者直接接觸。因此，直接來到與該逸氣材料204接觸之該複數個電極208之電極可以定位在需要壓力增加之腔體的下方(以便該逸氣成份可以滲透穿越該可滲透的電極以增加該腔體壓力)，而僅與該逸氣阻障層206直接接觸之該複數個電極208之電極可以定位在不需要壓力增加之腔體的下方(因為該阻障層將阻擋該逸氣成份而不會滲透穿越)。
第3圖說明依據實施例之提供微電-機系統裝置之方法300。該方法300包括，經由步驟302，提供鈍化層於基部基板上，其中，該鈍化層包含複數個材料層，其中，該複數個材料層之頂部層包括逸氣層、經由步驟304，提供至少一個傳導導通孔穿越該鈍化層、經由步驟306，提供金屬層於該逸氣層上，其中，該金屬層透過該至少一個傳導導通孔為電性連結至在該基部基板中之至少一個內連線金屬，其中，該金屬層包含在該金屬層上之至少一個傳導接觸層，其中，該至少一個傳導接觸層允許氣體 從該逸氣層穿通過該至少一個傳導接觸層，並且經由步驟308，接合該基部基板至另一個基板，其中，該另一個基板包含至少一個支座於該另一個基板上，其中，該至少一個支座為連結至該金屬層。
本發明揭露微電-機系統裝置及提供該微電-機系統裝置之方法。在其中一項實施例中，該微電-機系統裝置包括第一基板及連結至該第一基板之第二基板而形成包含可移動的結構於該密封外殼內之密封外殼。逸氣層為形成於不論該第一或該第二基板或兩者之上並且在該密封外殼內。第一傳導層是配置在該可移動的結構及該逸氣層之間，其中，該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過該第一傳導層。
在其中一項實施例中，該可移動的結構包括第二傳導層，其中，該第一及該第二傳導層形成電容器。在其中一項實施例中，該第一傳導層為任何圖案化的、可滲透的及多孔隙的。在另一項實施例中，該第二傳導層亦為任何圖案化的、可滲透的及多孔隙的。在其中一項實施例中，該第一傳導層是用於感測該可移動的結構之任何的運動、提供靜電力至該可移動的結構、提供線路化內連線及所述功能之組合。
在其中一項實施例中，該第一傳導層為連接至固定電壓。在其中一項實施例中，逸氣阻障層覆蓋至少部分該逸氣層。在另一個實施例中，該逸氣阻障層覆蓋層覆蓋所有該逸氣層。在其中一項實施例中，該密封外殼 更包括形成一個以上的密封外殼之隔板(例如，第一及第二密封外殼)。
在其中一項實施例中，第一密封外殼具有由該逸氣阻障層所覆蓋之第一部分的該逸氣層及具有未由該逸氣阻障層所覆蓋之第二部分的該逸氣層，該第一密封外殼造成較小的逸氣及較低的壓力於該第一密封外殼內。在本實施例中，該第一部分為大於該第二部分。在另一項實施例中，該第二密封外殼具有小部分的該逸氣層由該逸氣阻障層所覆蓋，該第二密封外殼造成較大的逸氣及較高的壓力於該第二密封外殼內。
在其中一項實施例中，該逸氣層及該逸氣阻障層屬於在任何該第一基板、該第二基板、以及該第一及第二基板之任何組合上之積體電路之鈍化層。在其中一項實施例中，該逸氣層包括任何高密度電漿(High Density Plasam,HDP)氧化物及中間層介電材料。在其中一項實施例中，該第一傳導層為使用至少一個傳導導通孔穿越任何該逸氣層及穿越該逸氣阻障層與該逸氣層兩者，而電性連接至至少一個內連線金屬。
在其中一項實施例中，該逸氣阻障層包括任何富矽氧化物(Silicon Rich Oxide,SRO)及氮化矽(Silicon Nitride,SiN)。在其中一項實施例中，該至少一個傳導導通孔包括任何銅及鎢。在其中一項實施例中，該第一傳導層包括任何氮化鈦(Titanium Nitride,TiN)、氮化鉭(Tantalum Nitride,TaN)及氮化鎢(Tungsten Nitride,WN)。在其中一項 實施例中，該第一基板包含在該第一基板上之至少一個支座，該至少一個支座為連結至至少一個第一傳導墊片。
在其中一項實施例中，提供微電-機系統裝置之方法包括提供鈍化層於基部基板上，其中，該鈍化層包含複數個材料層，其中，該複數個材料層之頂部材料層包括逸氣層；提供至少一個傳導導通孔穿越該鈍化層；提供金屬層於該逸氣層上。在本實施例中，該金屬層為透過該至少一個傳導導通孔而電性連結至在該基部基板中之至少一個內連線金屬，其中，該金屬層包含至少其中一個傳導接觸層於該金屬層上，其中，該至少一個傳導接觸層允許氣體從該逸氣層穿越通過該至少一個傳導接觸層。
該方法更包含接合該基部基板至另一個基板，其中，該另一個基板包含至少一個支座於該另一個基板上，其中，該至少一個支座提連結至該金屬層。在另一個實施例中，該方法更包括在該基部基板(例如，互補式金氧半基板)之接合至該另一個基板(例如，微電-機系統基板)之前沉積鍺(Germanium,Ge)層於該至少一個支座上。
在其中一項實施例中，該至少一個傳導接觸層為任何圖案化的、薄的及多孔隙的，以允許該氣體穿越通過該至少一個傳導接觸層，並且該至少一個傳導接觸層之厚度是小於1000奈米。在其中一項實施例中，該至少一個傳導導通孔包括任何銅及鎢。在其中一項實施例中，該鈍化層之該頂部層為阻障層，其中，該逸氣層為該複數個材料層之另一層並且該逸氣層為連結在該阻障層之下或 下方。在另一個實施例中，該鈍化層之該頂部層包含該阻障層於該逸氣層之上方。
如同上文所描述，依據本發明之方法及系統具有提供微電-機系統裝置具備至少一個腔體而該腔體的壓力可以使用逸氣材料做調整之優點，該逸氣材料為沉積在已經藉由接合兩個基板(例如，微電-機系統及互補式金氧半基板)一起所形成之該腔體內。該逸氣材料之存在使該腔體壓力能夠增加。在依據本發明之該方法及系統中，該逸氣材料/薄膜為放置在該微電-機系統裝置之整個腔體區域內部及甚至在該電極下方藉以最大化該逸氣材料/薄膜之面積及提供較大的腔體壓力增加的能力。
雖然本發明已經依據所顯示之該實施例做描述，但熟習該項技藝之人士將可以立即瞭解針對該實施例可以具有變化並且該變化將在本發明之精神及範疇內。因此，很多修正由熟習該項技藝之人士可以實施而不違背該附加的專利申請範圍之精神及範疇。
300‧‧‧方法
302、304、306、308‧‧‧步驟

Claims (21)

  1. 一種微電-機系統裝置，包括：第一基板；第二基板，連結至該第一基板而形成密封外殼；可移動的結構，在該密封外殼內；逸氣層，形成於該第一或第二基板上，並且在該密封外殼內；以及第一傳導層，配置在該可移動的結構及該逸氣層之間，其中，該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過該第一傳導層，其中，該第一傳導層是使用於感測該可移動的結構之運動，其中，該可移動的結構包括第二傳導層，其中，該第一及第二傳導層形成電容器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層為任何圖案化的、可滲透的及多孔隙的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中。該第一傳導層是使用於提供靜電力至該可移動的結構。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層是連接至固定電壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層是使用於供線路化內連線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，逸氣阻障層覆蓋部分該逸氣層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之微電-機系統裝置，其中， 該密封外殼包括形成複數個密封外殼之隔板。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之微電-機系統裝置，其中，該複數個密封外殼之第一密封外殼具有由該逸氣阻障層所覆蓋之該逸氣層的第一部分及沒有由該逸氣阻障層所覆蓋之該逸氣層的第二部分，造成較低的壓力在該第一密封外殼內，以及其中，該第一部分是較大於該第二部分。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之微電-機系統裝置，其中，該複數個密封外殼之第二密封外殼具有由該逸氣阻障層所覆蓋之該逸氣層的第一部分，造成較大的逸氣及較高的壓力在該第二密封外殼內
  10. 如申請專利範圍第6項所述之微電-機系統裝置，其中，該逸氣層及該逸氣阻障層是在該第一及該第二基板中的任一個上之積體電路之鈍化層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該逸氣層包括任何高密度電漿(High Density Plasma,HDP)氧化物及中間層介電物材料。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層使用至少其中一個傳導導通孔穿越任何該逸氣層及穿越該逸氣阻障層與該逸氣層兩者而電性連接至至少一個內連線金屬。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之微電-機系統裝置，其中，該逸氣阻障層包括任何富矽氧化物(Silicon Rich Oxide,SRO)及氮化矽(Silicon Nitride,SiN)。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之微電-機系統裝置，其中，該至少一個傳導導通孔包括任何銅及鎢。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層包括任何氮化鈦(Titanium Nitride,TiN)、氮化鉭(Tantalum Nitride,TaN)及氮化鎢(Tungsten Nitride,WN)。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一傳導層之厚度為小於1000奈米。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之微電-機系統裝置，其中，該第一基板包含至少一個支座於該第一基板之上，該至少一個支座為連結至至少一個第一傳導墊片。
  18. 一種提供微電-機系統裝置之方法，該方法包括：提供鈍化層於基部基板上，其中，該鈍化層包含複數個材料層，其中，該複數個材料層之頂部材料層包括逸氣層；提供至少一個傳導導通孔穿越該鈍化層；提供金屬層於該逸氣層之上，其中，該金屬層為透過該至少一個傳導導通孔而電性連結至在該基部基板中之至少一個內連線金屬，其中，該金屬層包含至少一個傳導接觸層於該金屬層上，其中，該至少一個傳導接觸層允許氣體從該逸氣層穿越通過該至少一個傳導接觸層；以及接合該基部基板至另一個基板，其中，該另一個基板包含至少一個支座於該另一個基板上，其中，該至少 一個支座是連結至該金屬層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中，該至少一個傳導接觸層為任何圖案化的、薄的及多孔隙的，以允許該氣體穿越通過該至少一個傳導接觸層。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之方法，復包括；在該接合之前，沉積鍺(Germanium,Ge)於該至少一個支座上。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中，該鈍化層之頂部層包含阻障層。
TW105116418A 2015-06-23 2016-05-26 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統ｍｅｍｓ裝置 TWI735444B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562183652P 2015-06-23 2015-06-23
US62/183,652 2015-06-23
US14/935,296 2015-11-06
US14/935,296 US9663349B2 (en) 2015-06-23 2015-11-06 MEMS device with electrodes permeable to outgassing species

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201708095A TW201708095A (zh) 2017-03-01
TWI735444B true TWI735444B (zh) 2021-08-11

Family

ID=57601668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105116418A TWI735444B (zh) 2015-06-23 2016-05-26 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統ｍｅｍｓ裝置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9663349B2 (zh)
TW (1) TWI735444B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9630831B1 (en) * 2015-10-15 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor sensing structure
US10081539B2 (en) 2016-07-12 2018-09-25 Invensense, Inc. Two different conductive bump stops on CMOS-MEMS bonded structure
DE102017210459A1 (de) * 2017-06-22 2018-12-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne und einer zweiten Kaverne
US11220423B2 (en) 2018-11-01 2022-01-11 Invensense, Inc. Reduced MEMS cavity gap

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201335059A (zh) * 2012-02-17 2013-09-01 Taiwan Semiconductor Mfg 微機電系統結構、裝置及其製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215644B1 (en) * 1999-09-09 2001-04-10 Jds Uniphase Inc. High frequency tunable capacitors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201335059A (zh) * 2012-02-17 2013-09-01 Taiwan Semiconductor Mfg 微機電系統結構、裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201708095A (zh) 2017-03-01
US20160376143A1 (en) 2016-12-29
US9663349B2 (en) 2017-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9862593B2 (en) MEMS-CMOS device that minimizes outgassing and methods of manufacture
US10093533B2 (en) CMOS-MEMS-CMOS platform
TWI781061B (zh) 形成微電子組件的方法
CN106672889B (zh) 半导体器件及其制造方法
TWI738677B (zh) 微機電系統裝置的形成方法
TWI598965B (zh) 混合整合構件及其製造方法
TWI735444B (zh) 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統ｍｅｍｓ裝置
CN108117038B (zh) 高密封良率的多层密封膜
US9731961B2 (en) MEMS-CMOS-MEMS platform
TW201350424A (zh) 製造混合整合構件的方法
KR20160106754A (ko) 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법
TWI703083B (zh) 用於封閉式微機電系統裝置之內部阻障及製造微機電系統裝置的方法
TWI683781B (zh) 使用金屬矽化物形成的互補式金屬氧化物半導體微機電系統整合
JP2016523729A (ja) Ｍｅｍｓデバイスおよび製造する方法
US9919915B2 (en) Method and system for MEMS devices with dual damascene formed electrodes
TWI407537B (zh) 具微機電元件之封裝結構及其製法
US20150137280A1 (en) Structures and formation methods of micro-electro mechanical system device
JP2006186357A (ja) センサ装置及びその製造方法
JP2006201158A (ja) センサ装置
TW202308935A (zh) 用於製造微機電系統裝置的方法及系統
TWI856375B (zh) 形成微電子組件的方法
JP2006126212A (ja) センサ装置
JP2006133236A (ja) センサシステム
JP2006173458A (ja) マルチチップモジュール及びその製造方法
US20130026659A1 (en) Microelectronic component