KR20160106754A - 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160106754A
KR20160106754A KR1020167022234A KR20167022234A KR20160106754A KR 20160106754 A KR20160106754 A KR 20160106754A KR 1020167022234 A KR1020167022234 A KR 1020167022234A KR 20167022234 A KR20167022234 A KR 20167022234A KR 20160106754 A KR20160106754 A KR 20160106754A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
strip conductor
insulating layer
sensor device
pressure sensor
conductor plane
Prior art date
Application number
KR1020167022234A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102151453B1 (ko
Inventor
요하네스 클라쎈
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20160106754A publication Critical patent/KR20160106754A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102151453B1 publication Critical patent/KR102151453B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/00246—Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/025—Inertial sensors not provided for in B81B2201/0235 - B81B2201/0242
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법에 관한 것이다. 마이크로 기계 압력 센서 장치는, 전면(VS) 및 배면(RS)을 갖는 ASIC 웨이퍼(1)와; 복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 및 이들 사이에 위치하는 절연층들(I)을 구비하여 전면(VS) 상에 형성된 배선 시스템(1a)과; 복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 중 최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 상부에 형성된 패턴화된 절연층(6)과; 절연층(6)의 공동부(A1; A1")의 위쪽에서 가압될 수 있고 제1 압력 검출 전극으로서 작용하는 멤브레인 영역(M; M'; M")을 구비하여 절연층(6) 상에 형성된 마이크로 기계 기능층(2; 2")과; 최상위 스트립 도체 평면(LB0) 내에서 공동부(A1; A1") 내에 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 이격되어 형성되고, 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 전기 절연되는 제2 압력 검출 전극(7; 7");을 포함한다. 멤브레인 영역들(M; M'; M")은, 이들 멤브레인 영역(M; M'; M") 및 절연층(6)을 관통하여 안내되는 하나 또는 복수의 제1 접점 플러그(P1, P2; P1", P2")를 통해, 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결된다.

Description

마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법{MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD}
본 발명은 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법에 관한 것이다.
임의의 마이크로 기계 부품들도 적용될 수 있기는 하지만, 본 발명 및 본 발명의 기초가 되는 일련의 과제는 규소에 기반한 부품들에 기초하여 설명된다.
예컨대 가속도, 요 레이트, 자계 및 압력의 측정을 위한 마이크로 기계 센서 장치가 일반적으로 공지되어 있으며, 자동차 및 가전제품(consumer) 분야에서의 다양한 적용을 위해 대량 생산으로 제조되고 있다. 가전제품용 전극에서의 추세는 특히 부품들의 소형화, 기능 통합 및 효과적인 비용 절감이다.
오늘날, 가속도 및 요 레이트 센서들뿐만 아니라 가속도 및 자계 센서들도 이미 조합형 센서(combination sensor)(6d)로서 제조되고 있고, 그 밖에 각각 3축 가속도 센서, 요 레이트 센서, 및 자계 센서가 단일 센서 장치 내에 조합된 최초의 9d 모듈도 있다.
이와 반대로, 압력 센서들은, 오늘날, 앞에서 언급한 6d 및 9d 모듈들과 별도로 개발 및 제조되고 있다. 이에 대한 실질적인 이유는, 관성 및 자기 센서들과 달리 압력 센서에 의해 요구되고 압력 센서의 패키징을 위한 요건 및 비용을 명백히 증가시키는 필수적인 매체 접근부)에 있다. 압력 센서들의 분리를 위한 또 다른 이유는 상이한 MEMS 제조 공정 및 상이한 평가 방법이다. 예컨대 압력 센서들은 흔히 평가를 위해 압전저항성 저항기(piezoresistive resistor)를 이용하며, 이와 반대로 관성 센서들은 바람직하게 용량성으로 평가된다.
그러나 관성 변수들과 더불어 압력 역시도 측정할 수 있는 센서 장치들이 특히 전자 가전제품의 분야에서 기능 통합을 위한 가능성의 주요한 확장을 이룰 것이라는 점도 예측할 수 있다. 상기 유형의 통합된 7d 모듈들, 또는 3축 자기 센서의 통합 시 10d 모듈들은 예컨대 내비게이션 적용(실내 내비게이션)을 위해 이용될 수도 있다. 기능 통합은 응용 인쇄회로기판에서 비용 절감뿐만 아니라 공간 수요 감소도 기대하게 한다.
이른바 수직 집적화 또는 하이브리드 집적화 또는 3D 집적화의 방법으로서, 적어도 하나의 MEMS 웨이퍼 및 하나의 평가 ASIC 웨이퍼가 웨이퍼 본딩 기법을 통해 기계적 및 전기적으로 서로 연결되는 상기 방법은 예컨대 US 7 250 353 B2 또는 US 7 442 570 B2로부터 공지되었다. 여기서 실리콘 비아(silicon via) 및 플립칩 기술(flip chip technology)과 조합되는 상기 수직 집적화 방법이 특히 매력적이며, 그럼으로써, 예컨대 US 2012/0049299 A1 또는 US 2012/0235251 A1로부터 공지된 것처럼, 외부 접촉은 "베어 다이 모듈(bare die module)로서, 또는 "칩 스케일 패키지(chip scale package)"로서, 다시 말하면 플라스틱 외부 패키징 없이 수행될 수 있다.
US 2013/0001710 A1은 MEMS 센서 장치를 형성하기 위한 방법 및 시스템을 공개하고 있으며, 핸들링 웨이퍼는 유전층을 통해 MEMS 웨이퍼 상에 접합된다. 마이크로 기계 센서 장치를 형성하기 위해 MEMS 웨이퍼의 패턴화 후에, MEMS 웨이퍼 상의 CMOS 웨이퍼가 센서 장치와 접합된다. 공정의 종료 시, 핸들링 웨이퍼는, 필요한 경우, 에칭 또는 이면 연마(back grinding)를 통해 추가 가공될 수 있다.
본 발명은 청구항 제1항에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치와 청구항 제8항에 따른 상응하는 제조 방법을 제공한다.
바람직한 개선예들은 각각의 종속 청구항들의 대상이다.
본 발명의 기초가 되는 사상은, 마이크로 기계 기능층을 위한 출발점을 형성하는 웨이퍼를 절연층을 통해 ASIC 웨이퍼, 바람직하게는 CMOS 웨이퍼와 전기 절연 방식으로 연결하고, ASIC 웨이퍼의 최상위 스트립 도체 평면에 대한 전기 연결은 추후에 하나 또는 복수의 전기 전도성 접점 플러그를 통해 수행되게 하는 것에 있다. 마이크로 기계 기능층을 형성하기 위한 웨이퍼의 박막화(thinning) 후에, 마이크로 기계 기능층 내에는 멤브레인 영역이 제1 압력 검출 전극으로서 형성되고, 이 경우 제2 압력 검출 전극은 최상위 스트립 도체 평면 내에서 멤브레인 영역의 아래쪽에 형성된다. 이런 유형으로 형성되는 마이크로 기계 압력 센서 장치는 밀폐형으로, 또는 비밀폐형으로 사용될 수 있다.
바람직한 방식으로, 마이크로 기계 기능층 내에, 마이크로 기계 압력 센서 장치와 더불어, 하나 또는 복수의 추가 마이크로 기계 센서 장치를 통합할 수 있다. 예컨대 마이크로 기계 기능층 내에, 마이크로 기계 압력 센서 장치에 추가로 마이크로 기계 관성 센서 장치를 제공할 수 있다. 이 경우, 캡 밀봉부(cap sealing) 내에 마이크로 기계 압력 센서 장치를 위한 압력 포트(pressure port)를 제공하기만 하면 된다.
한 바람직한 개선예에 따라, 주연 링으로서 형성된 제1 접점 플러그가 제공된다. 이는 멤브레인 영역의 기밀성의 개선에 기여한다.
또 다른 한 바람직한 개선예에 따라, 마이크로 기계 기능층 상에, 멤브레인 영역으로 통하는 압력 포트를 갖는 캡 웨이퍼가 접합(bondimg)된다. 따라서 기능성에 영향을 미치지 않으면서 보호 기능이 달성된다.
또 다른 한 바람직한 개선예에 따라, 최상위 스트립 도체 평면 상에, 멤브레인 영역으로 통하는 압력 포트를 갖는 캡 웨이퍼가 접합된다. 따라서 보호 기능이 달성되고 본딩 공정이 간소화된다.
또 다른 한 바람직한 개선예에 따라, 멤브레인 영역은 마이크로 기계 기능층의 박막화 영역을 포함한다. 따라서, 기능층들이 상대적으로 더 두꺼운 경우에도 감도는 증대된다.
또 다른 한 바람직한 개선예에 따라, 마이크로 기계 기능층의 상부에서 멤브레인 영역의 외부에, 마이크로 기계 기능층 및 절연층을 관통하여 안내되는 하나 또는 복수의 제2 접점 플러그들을 통해 최상위 스트립 도체 평면과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들이 형성된다. 따라서 간단한 전면 실장 가능성이 실현된다.
또 다른 한 바람직한 개선예에 따라, 마이크로 기계 기능층이 제거되어 있는 영역에서 절연층의 상부에, 비아를 통해 최상위 스트립 도체 평면과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들이 형성된다. 따라서 실장 높이가 감소하는 간단한 전면 실장 가능성이 실현된다.
본 발명의 추가 특징들 및 장점들은 하기에서 도면들과 관련한 실시예들에 기초하여 설명된다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도이다.
도면들에서 동일한 도면부호들은 동일하거나 기능이 동일한 부재들을 표시한 것이다.
도 1a 내지 도 1h에는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이 도시되어 있다.
도 1a에서, 도면부호 1은, 예컨대 형성할 마이크로 기계 압력 센서 장치를 위한 평가 회로를 구비한 복수의 CMOS 회로(100)를 포함하는 CMOS 웨이퍼를 나타낸다.
CMOS 웨이퍼는 전면(VS)과 배면(RS)을 포함한다. CMOS 웨이퍼(1)의 전면(VS) 상에는, 복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 및 이들 사이에 위치하는 절연층들(I)을 포함하는 배선 시스템(1a)이 형성된다. 도해의 간소화를 위해, 스트립 도체 평면들(LB0, LB1, LB2)이 그 내에 매립되어 있는 절연층들(I)은 별도로 도시되어 있지 않다. 스트립 도체 평면들(LB0, LB1, LB2)의 스트립 도체 섹션들은 전기 전도성 비아들(K)을 통해 서로 전기적으로 연결된다.
최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 위쪽에 패턴화된 절연층(6)이 제공되며, 바람직하게 하나의 산화물층이 제공되거나, 또는 산화물층들 및/또는 질화물층들로 이루어진 하나의 스택이 제공된다.
도 1a에 따라, 절연층(6) 내에 리세스들(A1 및 A2)이 형성되며, 이 리세스들 내에서 최상위 스트립 도체 평면(LB0)이 노출된다. 동일한 방식으로, 접점 홀들(L1, L2, L3)이 제공되며, 추후에 이 접점 홀들 내에 접점 플러그들이 형성된다. 그러나 최후의 접점 홀들(L1, L2, L3)은 추후의 공정 단계에서 비로소 형성될 수도 있다.
최하위 스트립 도체 평면(LB2)과 전기적으로 연결되는 관통 접속부(15)는 전면(VS)으로부터 출발하여 CMOS 웨이퍼(1)의 내부 안쪽으로 연장되며, 상기 내부는 추후에 배면(RS)으로부터 이면 연마를 통해 노출될 수 있다.
노출된 영역들(A1 및 A2)은 형성할 마이크로 기계 센서 장치들에 상응하며, 더욱 정확하게 말하면 영역(A1)은 마이크로 기계 압력 센서 장치에 상응하고 영역(A2)은 이동 가능한 마이크로 기계 관성 센서 장치에 상응한다. 섹션(A1) 내에서 도면부호 7로 표시되어 있는, 최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 섹션은, 상기 섹션(A1)의 위쪽에 형성되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제2 압력 검출 전극에 상응한다. 주지할 사항은, 절연층(6)의 패턴화를 통해, 절연층(6)의 이미 제거된 영역들에서의 희생층 에칭이 생략될 수 있다는 점이다.
이어서, 도 1b와 관련하여, 도 1a의 구조 상에서, 실리콘 웨이퍼(2a)는 이로부터 형성될 마이크로 기계 기능층(2)(도 1c 비교)을 위한 출발점으로서 절연층(6) 상에 접합되며, 더 정확하게 말하면 바람직하게 플라스마 활성 직접 본딩 기법으로 접합되는데, 그 이유는 상기 접합이 400℃ 미만의 상대적으로 낮은 온도에서 수행되고, 이는 CMOS 웨이퍼(1) 내에서 형성된 CMOS 회로들이 접합을 통해 손상되지 않는다는 장점이 있기 때문이다.
그런 다음, MEMS 웨이퍼(2a)는 예컨대 규소로 이루어진 마이크로 기계 기능층(2)의 원하는 두께로 다시 박막화되고, 예컨대 알루미늄으로 이루어진 제1 본딩층(18)으로 덮이며, 이에 이어 제1 본딩층은, 도 1c에 도시된 것처럼, 형성될 본딩 영역들에 상응하게 패턴화된다.
도 1d에 도시되어 있는 후속 공정 단계에서, 마이크로 기계 기능층(2)을 관통하여 트렌치 에칭과 (경우에 따라서 앞서 증착되어 패턴화된 박막 티타늄/티타늄 질화물 접착층 상에서) 후속하는 텅스텐층의 증착 및 패턴화가 수행된다. 따라서 절연층(6)을 통과하여 제1 스트립 도체 평면(LB0)에까지 이어져서 마이크로 기계 기능층(2)과 상기 제1 스트립 도체 평면을 전기 연결하는 접점 플러그들(P1, P2, P3)이 형성된다. 접점 플러그들(P1, P2, P3)은 완전하게, 또는 부분적으로만 채워진다.
이어서, 도 1e와 관련하여, 마이크로 기계 기능층 내에 한편으로 전기 절연 트렌치로서 이용되고 다른 한편으로는 마이크로 기계 센서 장치들의 패턴화를 위해 이용되는 트렌치들이 형성되는 트렌치 에칭 단계가 다시 수행된다. 특히 공동부(A1)의 위쪽에는, 접점 플러그들(P1, P2)을 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 연결되어 마이크로 기계 기능층(2)의 잔여부로부터 상응하는 트린체들을 통해 분리되어 가압될 수 있는 멤브레인 영역(M)이 형성된다.
영역(A2)의 상부에서는, 트렌치 에칭 단계를 통해, 이동 가능한 MEMS 요소, 본 경우에서는 마이크로 기계 관성 센서 장치(IE)의 제조를 위한 패턴화가 실행된다. 관성 센서 장치(IE)는 접점 플러그(P3)를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결된다.
이미 앞에서 언급한 것처럼, 트렌치 에칭 단계를 통해, 관성 센서 장치(IE)의 이동 가능한 패턴들은 동시에 가용하게 되는데, 그 이유는 그 아래에 절연층(6)이 더는 위치하지 않고 단지 최상위 스트립 도체 평면(LB0)을 노출시키는 공동부(A2)만이 위치하기 때문이다.
상기 유형의 형성된 멤브레인 영역(M)은 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제1 압력 검출 전극을 형성하며, 앞에서 언급한 것처럼, 제2 압력 검출 전극은 최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 스트립 도체 섹션(7)을 통해 형성된다.
선택적으로, 접점 플러그들(P1, P2)은 전기 접촉을 위해 주연 링으로서도 구현될 수 있는데, 그 이유는 그 결과 멤브레인 영역(M)의 기밀성이 개선될 수 있기 때문이다.
그런 다음, 도 1f에 도시된 것처럼, 본 제1 실시예의 경우 이미 마이크로 기계 압력 센서 장치를 위한 매체 접근부로서의 연속적인 압력 포트(3a)를 갖는 캡 웨이퍼(3)가 제공된다.
또한, 캡 웨이퍼(3)는 관성 센서 장치(IE)의 상부에 평평한 케이브(3b)(cave)도 포함한다. 캡 웨이퍼(3) 상에서, 제공된 본딩 영역들 상에는 제2 본딩층(18a), 예컨대 게르마늄층이 위치된다.
도 1g에 도시된 추가 공정 단계에서, 캡 웨이퍼(3)는 제공된 본딩 영역들 상의 제1 및 제2 본딩층(18, 18a)을 통해, 본 예시에서는 공융 알루미늄/게르마늄 접합을 통해 전기 기계식 기능층(2) 상에 접합되며, 이때 캡 웨이퍼(3)와 마이크로 기계 기능층(2) 사이에 공융 본딩 연결부(18')가 형성된다.
접합하는 것을 통해, 관성 센서 장치(IE)는 기밀하게 밀폐되며, 그 결과 형성되는 케이브는 도면부호 K로 표시되어 있다.
이와 달리, 압력 센서 장치로 향하는 매체 접근부는 캡 웨이퍼(3)를 관통하여 안내되는 압력 포트(3a)를 통해 유지된다.
도 1h에 도시된 후속 공정 단계에서는, 배면(RS) 상에서 관통 접속부(15)를 노출시키기 위해, 배면(RS)으로부터 CMOS 웨이퍼(1)의 이면 연마가 수행된다.
배면(RS) 상에 추가 절연층(I')의 증착 후에, 절연층 상에 또는 내에 스트립 도체 섹션들(L1, L2)이 형성되고, 이 스트립 도체 섹션들 상에는, 상응하는 기판 상에 조합된 전체 센서 장치의 납땜을 위한 본딩 볼들(K1, K2), 예컨대 솔더 볼들(solder ball)이 형성된다.
주지할 사항은, 캡 웨이퍼(3) 내에서 압력 포트(3a)의 사전 구조화된 개구부의 대안으로, 특히 하기에서 재차 추가 실시예들과 관련하여 설명되는 것처럼, 압력 포트의 제조를 위해 캡 웨이퍼(3) 내에 사전 형성된 추가 케이브의 추후의 연마, 또는 에칭 단계, 또는 레이저 천공 방법 역시도 가능하다는 점이다.
도 2a 및 도 2b에는, 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이 도시되어 있다.
제2 실시예의 경우, 캡 웨이퍼는 도면부호 3'으로 표시되어 있고, 그 내에 형성된 연속적인 압력 포트는 도면 부호 3a'로, 그리고 그 내에 사전 형성된 케이브는 도면부호 3b'로 표시되어 있다.
도 2a에 따른 공정 상태는, 실질적으로 도 1f에 따른 공정 상태에 상응한다. 그러나 본 실시예의 경우, 마이크로 기계 기능층(2) 및 그 아래 위치하는 절연층(6)은 본딩 영역들에서 제거되어 있다. 그에 따라, 접합하기 위해 본딩 영역들 내에서는 최상위 스트립 도체 평면(LB0)이 노출되어 있으며, 이 최상위 스트립 도체 평면은 그 해당 위치에서 본딩 표면으로서 알루미늄 금속층을 노출시킨다.
캡 웨이퍼(3')의 본딩 영역들에는, 이미 제1 실시예와 관련하여 언급한 게르마늄으로 이루어진 제1 본딩층(18a)이 제공된다. 그에 따라, 본 실시예의 경우 약간 더 복잡하게 사전 패턴화된 캡 웨이퍼(3')는 최상위 스트립 도체 평면(LB0) 상에 간단하게 접합되며, 이는 도 2b에 따른 공정 상태로 이어진다.
캡 웨이퍼(3')는, 제1 실시예와 달리, 특히 멤브레인 영역(M)에서 압력 센서 장치 상에서, 그리고 관성 센서 장치(IE) 상에서 캡 웨이퍼(3')의 지지를 방지하기 위해, 관성 센서 장치의 영역에서 상대적으로 더 큰 케이브(3b')와 압력 센서 장치의 영역에서는 상대적으로 더 넓은 케이브(3b")를 요구한다.
도 2b에 따른 공정 상태 후의 추가 공정 처리는 도 1h와 유사하게 수행된다.
도 3a 및 도 3b에는, 본 발명의 제3 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도들이 도시되어 있다.
제3 실시예의 경우, 제2 실시예와 달리, 캡 웨이퍼는 도면부호 3"으로 표시되어 있고, 관성 센서 장치를 위한 공동부(3b"')와, 압력 센서 장치를 위한 공동부(3b"")와, 압력 포트를 위한 예비 단계로서 사전 제조된 케이브(3a")를 포함한다.
도 3b와 관련하여, 사전에 노출된 최상위 스트립 도체 평면(LB0) 상에서 캡 웨이퍼(3")의 접합은 게르마늄 본딩칭(18a)에 의해 수행되며, 그런 후에 공융 본딩 연결부(18')가 형성된다. 본딩 과정 후에, 캡 웨이퍼(3")는 압력 포트(3a")를 노출시키기 위해 연마된다.
도 4에는, 본 발명의 제4 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도가 도시되어 있다.
도 4에 따른 제4 실시예의 경우, 제3 실시예와 달리, 캡 웨이퍼(3")의 연마가 수행되는 것이 아니라, 압력 포트(3a")의 노출이 에칭 방법 또는 수직 또는 경사진 레이저 천공을 통해 수행되며, 이때 바깥쪽을 향해 압력 포트(3a")를 노출시키는 통로부(3c)가 형성된다.
도 5에는, 본 발명의 제5 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도가 도시되어 있다.
제5 실시예의 경우, 도면부호 M'으로 표시된 멤브레인 영역은 마이크로 기계 기능층(2)의 박막화 영역(D)을 포함하며, 이 박막화 영역은 예컨대 상응하는 포토리소그래픽 에칭 공정을 통해 제조될 수 있다.
이에 대한 배경은, 웨이퍼(2a)로부터 이면 연마되는 마이크로 기계 기능층(2)의 두께가 전형적으로 30㎛이고 박막화 영역(D)을 통해서는 멤브레인 영역(M')의 민감도가 증가될 수 있다는 점에 있다.
그 밖의 점에서, 도 5에 따른 잔여 공정은 도 3b에 따른 잔여 공정에 상응한다.
도 6에는, 본 발명의 제6 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도가 도시되어 있다.
제6 실시예의 경우, 제1 실시예와 비교하여, 관성 센서 장치(IE)는 생략되며, 아래에 위치하는 공동부(A1")를 포함한 멤브레인 영역(M")은 그에 상응하게 마이크로 기계 기능층(2") 내에서 그에 상응하게 상대적으로 더 크게 형성된다. 여기서 접점 플러그들은 도면부호 P1" 및 P2"로 표시되어 있고, 제2 압력 검출 전극은 7"로 표시되어 있다.
그 밖의 점에서, 도 6에 따른 공정 상태는 도 1h에 따른 공정 상태와 유사하다.
상기 실시예의 경우, 멤브레인 영역(M")은 자연히 취급 영향들에 대해 보호되기가 상대적으로 어렵기 때문에, 부품들의 취급 및 운송 시 특별한 주의 조치들이 강구되어야 한다.
도 7에는, 본 발명의 제7 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도가 도시되어 있다.
제7 실시예의 경우, 제6 실시예와 비교하여, 관통 접속부(15)가 생략되고, 접촉 또는 실장은, 전면(VS)에 걸쳐, 마이크로 기계 기능층(2")의 위쪽에 절연층(IV)이 적층되어 패턴화되고 그에 이어 다시 스트립 도체들(L1" 및 L2")이 제공되며, 이 스트립 도체들 상에는 적합한 기판 상에 부품을 납땜하기 위한 본딩 볼들(K1" 또는 K2")이 제공되는 것을 통해 수행된다.
본딩 볼들(K1" 및 K2")은 스트립 도체들(L1" 또는 L2")을 통해, 그리고 접점 플러그들(P3" 또는 P4")을 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 연결되며, 더욱 정확하게 말하면 접점 플러그들(P1" 및 P2")과 유사하게 연결된다.
도 8에는, 본 발명의 제8 실시예에 따른 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 상응하는 제조 방법의 설명을 위한 개략적 횡단면도가 도시되어 있다.
제8 실시예의 경우, 제7 실시예와 비교하여, 본딩 볼들(K1" 또는 K2")은 스트립 도체 섹션들(LDV1 또는 LDV2) 상에 제공되며, 이 스트립 도체 섹션들은 절연층(6) 상에 직접 적층되고 비아들(K')을 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 연결된다.
본 발명이 바람직한 실시예들에 따라서 기재되었기는 하지만, 본 발명은 그 실시예들로 국한되지 않는다. 특히 언급한 재료들 및 토폴러지들은 예시일 뿐이며 설명한 예시들로 국한되지 않는다.
상술한 제1 내지 제5 실시예에서, 마이크로 기계 기능층 내에서 마이크로 기계 관성 센서 장치와 마이크로 기계 압력 센서를 조합하는 점이 기재되었기는 하지만, 본 발명은 이로 국한되지 않는다.
오히려, 마이크로 기계 기능층 내에서는, 예컨대 자계 센서 장치들(예컨대 로렌츠 힘 기반 자기 센서들), 회전 가속도 센서들, 오실레이터들, 무선 주파수 MEMS 등과 같은 추가 센서들 또는 센서 장치들 또는 MEMS 부품들이 마이크로 기계 압력 센서 장치와 조합될 수 있다.

Claims (15)

  1. 전면(VS) 및 배면(RS)을 갖는 ASIC 웨이퍼(1)와,
    복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 및 이들 사이에 위치하는 절연층들(I)을 구비하여 전면(VS) 상에 형성된 배선 시스템(1a)과,
    복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 중 최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 상부에 형성된 패턴화된 절연층(6)과,
    절연층(6)의 공동부(A1; A1")의 위쪽에서 가압될 수 있고 제1 압력 검출 전극으로서 작용하는 멤브레인 영역(M; M'; M")을 구비하여 상기 절연층(6) 상에 형성된 마이크로 기계 기능층(2; 2")과,
    최상위 스트립 도체 평면(LB0) 내에서 공동부(A1; A1") 내에 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 이격되어 형성되고, 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 전기 절연되는 제2 압력 검출 전극(7; 7")을 포함하는 마이크로 기계 압력 센서 장치로서,
    상기 멤브레인 영역들(M; M'; M")은, 이들 멤브레인 영역(M; M'; M") 및 절연층(6)을 관통하여 안내되는 하나 또는 복수의 제1 접점 플러그(P1, P2; P1", P2")를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  2. 제1항에 있어서, 주연 링으로서 형성된 제1 접점 플러그(P1, P2; P1", P2")가 제공되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2) 상에, 멤브레인 영역(M; M'; M")으로 통하는 압력 포트(3a)를 갖는 캡 웨이퍼(3)가 접합되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 최상위 스트립 도체 평면(LB0) 상에, 멤브레인 영역(M; M')으로 통하는 압력 포트(3a'; 3a"; 3a", 3c)를 갖는 캡 웨이퍼(3'; 3")가 접합되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 멤브레인 영역(M')은 마이크로 기계 기능층(2; 2")의 박막화 영역(D)을 포함하는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2")의 상부에서 멤브레인 영역(M")의 외부에, 상기 마이크로 기계 기능층(2") 및 절연층(6")을 관통하여 안내되는 하나 또는 복수의 제2 접점 플러그(P3", P4")를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들(K1", K2")이 형성되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2")이 제거되어 있는 영역에서 절연층(6)의 상부에, 비아(K')를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들(K1", K2")이 형성되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치.
  8. 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법으로서,
    전면(VS) 및 배면(RS)을 갖는 ASIC 웨이퍼(1)를 제공하는 단계와,
    전면(VS) 상에, 복수의 스트립 도체 평면(LB0, LB1, LB2) 및 이들 사이에 위치하는 절연층들(I)을 포함하는 배선 시스템(1a)을 형성하는 단계와,
    복수의 스트립 도체 평면들(LB0, LB1, LB2) 중 최상위 스트립 도체 평면(LB0)의 상부에, 공동부(A1; A1")를 갖는 패턴화된 절연층(6)을 형성하는 단계와,
    패턴화된 절연층(6) 상에 웨이퍼(2a)를 접합하는 단계와,
    마이크로 기계 기능층(2; 2")을 형성하기 위해 상기 접합된 웨이퍼(2a)를 박막화하는 단계와,
    마이크로 기계 기능층(2; 2") 내에서 절연층(6)의 공동부(A1; A1") 위쪽에서 가압될 수 있고, 제1 압력 검출 전극으로서 작용하는 멤브레인 영역(M; M'; M")을 패턴화하는 단계와,
    최상위 스트립 도체 평면(LB0) 내에서 공동부(A1; A1") 내에 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 이격되고 멤브레인 영역(M; M'; M")으로부터 전기 절연되는 제2 압력 검출 전극(7; 7")을 형성하는 단계와,
    멤브레인 영역(M; M'; M") 및 절연층(6)을 관통하여 안내됨으로써 멤브레인 영역(M; M'; M")이 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되게 하는 하나 또는 복수의 제1 접점 플러그(P1, P2; P1", P2")를 형성하는 단계를 포함하는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 절연층(6)은 하나 이상의 산화물층 및/또는 하나 이상의 질화물층을 포함하고, 상기 접합은 400℃ 미만의 온도에서 바람직하게는 플라스마 활성 직접 본딩 기법에 의해 실시되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 주연 링으로서 형성되는 제1 접점 플러그(P1, P2; P1", P2")가 제공되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  11. 제8항, 제9항 또는 제10항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2) 상에, 멤브레인 영역(M; M'; M")으로 통하는 압력 포트(3a)를 가진 캡 웨이퍼(3)가 접합되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2) 및 절연층(6)이 국부적으로 최상위 스트립 도체 평면(LB0)으로부터 제거되고, 그런 다음 상기 최상위 스트립 도체 평면(LB0) 상에 멤브레인 영역(M; M')으로 통하는 압력 포트(3a'; 3a"; 3a", 3c)를 가진 캡 웨이퍼(3'; 3")가 접합되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  13. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2; 2")은 멤브레인 영역(M') 내에서 박막화되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  14. 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2")의 상부에서 멤브레인 영역(M")의 외부에, 상기 마이크로 기계 기능층(2") 및 전기 절연층(6")을 관통하여 안내되는 하나 또는 복수의 제2 접점 플러그(P3", P4")를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들(K1", K2")이 형성되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
  15. 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로 기계 기능층(2")이 임의의 영역에서 제거되고, 상기 영역에서 절연층(6)의 상부에, 비아(K')를 통해 최상위 스트립 도체 평면(LB0)과 전기적으로 연결되는 본딩 볼들(K1", K2")이 형성되는, 마이크로 기계 압력 센서 장치의 제조 방법.
KR1020167022234A 2014-01-14 2014-11-17 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법 KR102151453B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014200507.8A DE102014200507A1 (de) 2014-01-14 2014-01-14 Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102014200507.8 2014-01-14
PCT/EP2014/074748 WO2015106854A1 (de) 2014-01-14 2014-11-17 Mikromechanische drucksensorvorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160106754A true KR20160106754A (ko) 2016-09-12
KR102151453B1 KR102151453B1 (ko) 2020-09-03

Family

ID=51900458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167022234A KR102151453B1 (ko) 2014-01-14 2014-11-17 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10031038B2 (ko)
KR (1) KR102151453B1 (ko)
CN (1) CN106170682A (ko)
DE (1) DE102014200507A1 (ko)
TW (1) TWI665434B (ko)
WO (1) WO2015106854A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014200512B4 (de) * 2014-01-14 2017-06-08 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
CN107764317A (zh) * 2016-08-17 2018-03-06 立锜科技股份有限公司 组合式微机电装置以及其制作方法
CN107408516A (zh) * 2015-02-11 2017-11-28 应美盛股份有限公司 使用Al‑Ge共晶接合连接组件的3D集成
US9969614B2 (en) 2015-05-29 2018-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS packages and methods of manufacture thereof
DE102015225184A1 (de) * 2015-12-15 2017-06-22 Robert Bosch Gmbh Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechende mikromechanische Sensorvorrichtung
US9926190B2 (en) * 2016-01-21 2018-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS devices and methods of forming the same
US10081539B2 (en) * 2016-07-12 2018-09-25 Invensense, Inc. Two different conductive bump stops on CMOS-MEMS bonded structure
JP6748006B2 (ja) * 2017-03-09 2020-08-26 アズビル株式会社 圧力センサ
DE102017218155A1 (de) * 2017-10-11 2019-04-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit überdeckendem Bondrahmen
CN109729242B (zh) * 2017-10-27 2020-10-02 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其扩展走线封装感光组件、拼板组件和制造方法
DE102018204751A1 (de) 2018-03-28 2019-10-02 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
US11054317B2 (en) * 2018-09-28 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for direct measurement of chucking force on an electrostatic chuck
DE102019202794B3 (de) * 2019-03-01 2019-11-07 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102019205347B4 (de) * 2019-04-12 2022-05-12 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung
US11851323B2 (en) * 2019-08-26 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device comprising different types of microelectromechanical systems devices
DE102020209934A1 (de) 2020-08-06 2022-02-10 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement, entsprechendes mikromechanisches Bauelement und entsprechende Anordnung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000069790A (ko) * 1997-01-15 2000-11-25 클라우스 포스, 게오르그 뮐러 반도체용 압력센서
KR20070096655A (ko) * 2006-03-27 2007-10-02 한국기계연구원 마이크로 압력센서
KR20080033299A (ko) * 2005-07-28 2008-04-16 프리스케일 세미컨덕터, 인크. Ｍｅｍｓ의 스트레스 릴리스 메커니즘 및 그 제조 방법
KR20080098990A (ko) * 2007-05-08 2008-11-12 안동대학교 산학협력단 압력센서 제조방법 및 그 구조

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442570B2 (en) 2005-03-18 2008-10-28 Invensence Inc. Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom
US7250353B2 (en) 2005-03-29 2007-07-31 Invensense, Inc. Method and system of releasing a MEMS structure
EP1946060A1 (de) * 2005-08-23 2008-07-23 Continental Teves AG & Co. oHG Drucksensor für hydraulische medien in kraftfahrzeugbremssystemen und dessen verwendung
DE102006011545B4 (de) * 2006-03-14 2016-03-17 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Kombi-Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102010006132B4 (de) * 2010-01-29 2013-05-08 Epcos Ag Miniaturisiertes elektrisches Bauelement mit einem Stapel aus einem MEMS und einem ASIC
US8216882B2 (en) * 2010-08-23 2012-07-10 Freescale Semiconductor, Inc. Method of producing a microelectromechanical (MEMS) sensor device
US8507358B2 (en) 2010-08-27 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite wafer semiconductor
EP2619536B1 (en) * 2010-09-20 2016-11-02 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US20120235251A1 (en) 2011-03-14 2012-09-20 Invensense, Inc. Wafer level packaging of mems devices
CN102156012A (zh) * 2011-03-15 2011-08-17 迈尔森电子（天津）有限公司 Mems压力传感器及其制作方法
CN102180435B (zh) * 2011-03-15 2012-10-10 迈尔森电子（天津）有限公司 集成mems器件及其形成方法
US8754529B2 (en) * 2011-03-28 2014-06-17 Miradia, Inc. MEMS device with simplified electrical conducting paths
US20130001550A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Invensense, Inc. Hermetically sealed mems device with a portion exposed to the environment with vertically integrated electronics
US20130001710A1 (en) 2011-06-29 2013-01-03 Invensense, Inc. Process for a sealed mems device with a portion exposed to the environment
DE102012210052B4 (de) * 2012-06-14 2023-12-14 Robert Bosch Gmbh Hybrid integriertes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US9487391B2 (en) * 2013-11-19 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Micro-electro mechanical system (MEMS) device having a blocking layer formed between closed chamber and a dielectric layer of a CMOS substrate
US9630832B2 (en) * 2013-12-19 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing
US9725310B2 (en) * 2013-12-20 2017-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Micro electromechanical system sensor and method of forming the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000069790A (ko) * 1997-01-15 2000-11-25 클라우스 포스, 게오르그 뮐러 반도체용 압력센서
KR20080033299A (ko) * 2005-07-28 2008-04-16 프리스케일 세미컨덕터, 인크. Ｍｅｍｓ의 스트레스 릴리스 메커니즘 및 그 제조 방법
KR20070096655A (ko) * 2006-03-27 2007-10-02 한국기계연구원 마이크로 압력센서
KR20080098990A (ko) * 2007-05-08 2008-11-12 안동대학교 산학협력단 압력센서 제조방법 및 그 구조

Also Published As

Publication number Publication date
US20160341616A1 (en) 2016-11-24
TW201534883A (zh) 2015-09-16
DE102014200507A1 (de) 2015-07-16
TWI665434B (zh) 2019-07-11
KR102151453B1 (ko) 2020-09-03
CN106170682A (zh) 2016-11-30
WO2015106854A1 (de) 2015-07-23
US10031038B2 (en) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102151453B1 (ko) 마이크로 기계 압력 센서 장치 및 그 제조 방법
US9958348B2 (en) Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method
US9452920B2 (en) Microelectromechanical system device with internal direct electric coupling
CN107032290B (zh) 半导体器件及其形成方法
US9067778B2 (en) Method for manufacturing a hybrid integrated component
KR101332701B1 (ko) 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서
CN104773705B (zh) 微机械压力传感器装置以及相应的制造方法
US8836053B2 (en) Hybrid integrated component and method for the manufacture thereof
TWI549232B (zh) 半導體裝置及其製造方法
US9212048B2 (en) Hybridly integrated component and method for the production thereof
CN111115550B (zh) 集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法
TWI503953B (zh) 半導體裝置及其製造方法
CN104303262A (zh) 用于其中一部分暴露在环境下的密封mems设备的工艺
CN106744666B (zh) 微机械结构元件
US9919915B2 (en) Method and system for MEMS devices with dual damascene formed electrodes
US11691870B2 (en) Semiconductor device including a microelectromechanical structure and an associated integrated electronic circuit
CN104627948A (zh) 微机械传感器设备以及相应的制造方法
US9266721B2 (en) Eutectic bonding of thin chips on a carrier substrate
US20110175177A1 (en) Microelectromechanical system (mems) device and methods for fabricating the same
JP2010177280A (ja) 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ
US20210380403A1 (en) Stress-isolated mems device comprising substrate having cavity and method of manufacture
JP5955024B2 (ja) Ｍｅｍｓモジュール及びその製造方法
JP2010175296A (ja) 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right