JP2007080912A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007080912A JP2007080912A JP2005263410A JP2005263410A JP2007080912A JP 2007080912 A JP2007080912 A JP 2007080912A JP 2005263410 A JP2005263410 A JP 2005263410A JP 2005263410 A JP2005263410 A JP 2005263410A JP 2007080912 A JP2007080912 A JP 2007080912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- electrode
- plasma processing
- processing apparatus
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材46を、複数の貫通孔45aが形成された板状の吸着部材45と冷却プレート44とをろう付けして構成し、吸着部材45の上面にアルミナを溶射した溶射膜65を形成するとともに、貫通孔45aが開口した孔部45dのエッジを溶射膜65によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。
【選択図】図12
Description
複数の貫通孔が形成された板状部材と、前記板状部材の上面に誘電体を溶射して形成され、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜とを有する。
合面45fを形成して吸着部材45を製作し、同様に冷却ジャケット44a、中央貫通孔44b、側方貫通孔44c、ろう付け面44dを機械加工により形成して冷却プレート44を製作する。ここで、吸着部材45の下面の平面形状と冷却プレート44のろう付け面44dの平面形状が同一となるように、機械加工が行われる。
2 真空チャンバ
2a 処理空間
3 下部電極
4 上部電極
5 半導体ウェハ
6 上部プレート
7 昇降駆動部
9 扉部材
11 真空ポンプ
13 プロセスガス供給部
17 高周波電源
40 チャンバー容器
40a 側壁部
40d 密封面
40f 搬送口
44 冷却プレート
45 吸着部材
45a 貫通孔
46 電極部材
50 保持部材
51 中間プレート
51a 外縁部
59 ヒンジ軸
65 溶射膜
Claims (5)
- 板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ前記ワークが載置される下部電極と、前記下部電極の上方に配設された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成される処理空間と、前記処理空間内においてプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、
前記下部電極において前記ワークの下面に当接する電極部材は、
複数の貫通孔が形成された板状部材と、前記板状部材の上面に誘電体を溶射して形成され、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、前記ワークが載置される下部電極において前記ワークの下面に当接するプラズマ処理装置用の電極部材であって、
複数の貫通孔が形成された板状部材と、前記板状部材の上面に誘電体を溶射して形成され、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜とを有することを特徴とするプラズマ処理装置用の電極部材。 - 板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、前記ワークが載置される下部電極において前記ワークの下面に当接するプラズマ処理装置用の電極部材を製造する電極部材の製造方法であって、
板状部材に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔が形成された前記板状部材の上面に誘電体を溶射することにより、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜を形成する溶射工程と、前記誘電膜が形成された板状部材の表面を機械研磨する表面研磨工程とを含むことを特徴とする電極部材の製造方法。 - 前記板状部材の下面にこの板状部材と同一平面形状の冷却用部材を接合し、前記溶射工程において、前記板状部材の側端面と前記冷却用部材の側端面の一部を覆うように前記誘電体を溶射することを特徴とする請求項3記載の電極部材の製造方法。
- 板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、板状部材に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔が形成された前記板状部材の上面に誘電体を溶射することにより、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜を形成する溶射工程と、前記誘電膜が形成された板状部材の表面を機械研磨する表面研磨工程とを含む製造方法によって製造された電極部材を再使用する電極部材のリサイクル方法であって、
使用済みの電極部材の前記溶射膜を除去する膜除去工程と、溶射膜が除去された後の前記板状部材の上面に誘電体を溶射することにより、前記誘電膜を再び形成する再溶射工程とを含むことを特徴とする電極部材のリサイクル方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005263410A JP4508054B2 (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 電極部材の製造方法 |
KR1020137002279A KR20130019012A (ko) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리장치용의 전극 부재 및 전극 부재의 제조방법 및 재사용 방법 |
DE112006002257T DE112006002257T5 (de) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | Plasmabehandlungsvorrichtung, Elektrodenglied für eine Plasmabehandlungsvorrichtung, Verfahren zum Herstellen eines Elektrodenglieds und Recycling-Verfahren |
CN2010101528632A CN101853769B (zh) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | 等离子体处理设备和用于等离子体处理设备的电极构件 |
KR1020077017400A KR101259524B1 (ko) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리장치용의 전극 부재 및전극 부재의 제조방법 및 재사용 방법 |
US11/816,110 US20090011120A1 (en) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | Plasma Treating Apparatus, Electrode Member for Plasma Treating Apparatus, Electrode Member Manufacturing Method and Recycling Method |
CN2006800050593A CN101120430B (zh) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | 等离子体处理设备,用于其电极构件及电极构件制造和重复利用方法 |
PCT/JP2006/318226 WO2007032418A1 (en) | 2005-09-12 | 2006-09-07 | Plasma treating apparatus and electrode member therefor and electrode member manufacturing and recycling method |
TW095133704A TWI417953B (zh) | 2005-09-12 | 2006-09-12 | 電漿處理裝置用之電極構件之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005263410A JP4508054B2 (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 電極部材の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010054000A Division JP2010183090A (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007080912A true JP2007080912A (ja) | 2007-03-29 |
JP4508054B2 JP4508054B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=37308859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005263410A Active JP4508054B2 (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 電極部材の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090011120A1 (ja) |
JP (1) | JP4508054B2 (ja) |
KR (2) | KR20130019012A (ja) |
CN (2) | CN101853769B (ja) |
DE (1) | DE112006002257T5 (ja) |
TW (1) | TWI417953B (ja) |
WO (1) | WO2007032418A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100990775B1 (ko) | 2008-04-07 | 2010-10-29 | (주)창조엔지니어링 | 상압플라즈마 처리장치 |
JP2015029132A (ja) * | 2007-03-30 | 2015-02-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
JP2015088687A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8802545B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US8826857B2 (en) * | 2011-11-21 | 2014-09-09 | Lam Research Corporation | Plasma processing assemblies including hinge assemblies |
ITUA20161980A1 (it) * | 2016-03-24 | 2017-09-24 | Lpe Spa | Suscettore con substrato trattenuto mediante depressione e reattore per deposizione epitassiale |
US10851457B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate |
KR20230037057A (ko) | 2019-08-16 | 2023-03-15 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01312088A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-15 | Showa Alum Corp | ドライエッチング装置およびcvd装置用電極の製造方法 |
JPH07176524A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置用素材及びその製造方法 |
JP2001308011A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置用チャンバー部材 |
JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
JP2005057244A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005243988A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02119224A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Ibiden Co Ltd | プラズマ分散板の再利用処理方法 |
JP2911997B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハーへのテープ貼付装置 |
JP2758755B2 (ja) * | 1991-12-11 | 1998-05-28 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置及び方法 |
JPH07201818A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
US5886863A (en) * | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
EP0764979A3 (en) * | 1995-09-20 | 1998-07-15 | Hitachi, Ltd. | Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof |
US6320736B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
US6273958B2 (en) * | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
CN101250680B (zh) * | 2000-12-12 | 2013-06-26 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置 |
JP4186536B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP1635388A4 (en) * | 2003-06-17 | 2009-10-21 | Creative Tech Corp | DIPOLAR ELECTROSTATIC CLAMPING DEVICE |
JP4439963B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電着膜形成方法及び半導体装置 |
CN100383951C (zh) * | 2003-07-23 | 2008-04-23 | 松下电器产业株式会社 | 等离子加工设备 |
-
2005
- 2005-09-12 JP JP2005263410A patent/JP4508054B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-07 CN CN2010101528632A patent/CN101853769B/zh active Active
- 2006-09-07 KR KR1020137002279A patent/KR20130019012A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-09-07 KR KR1020077017400A patent/KR101259524B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-07 WO PCT/JP2006/318226 patent/WO2007032418A1/en active Application Filing
- 2006-09-07 DE DE112006002257T patent/DE112006002257T5/de not_active Withdrawn
- 2006-09-07 US US11/816,110 patent/US20090011120A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-07 CN CN2006800050593A patent/CN101120430B/zh active Active
- 2006-09-12 TW TW095133704A patent/TWI417953B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01312088A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-15 | Showa Alum Corp | ドライエッチング装置およびcvd装置用電極の製造方法 |
JPH07176524A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置用素材及びその製造方法 |
JP2001308011A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置用チャンバー部材 |
JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
JP2005057244A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005243988A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015029132A (ja) * | 2007-03-30 | 2015-02-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
KR100990775B1 (ko) | 2008-04-07 | 2010-10-29 | (주)창조엔지니어링 | 상압플라즈마 처리장치 |
JP2015088687A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101853769A (zh) | 2010-10-06 |
US20090011120A1 (en) | 2009-01-08 |
DE112006002257T5 (de) | 2008-06-12 |
KR20080043733A (ko) | 2008-05-19 |
CN101120430A (zh) | 2008-02-06 |
CN101120430B (zh) | 2010-09-01 |
TWI417953B (zh) | 2013-12-01 |
CN101853769B (zh) | 2012-04-18 |
KR20130019012A (ko) | 2013-02-25 |
WO2007032418A1 (en) | 2007-03-22 |
JP4508054B2 (ja) | 2010-07-21 |
TW200717639A (en) | 2007-05-01 |
KR101259524B1 (ko) | 2013-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4674512B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4508054B2 (ja) | 電極部材の製造方法 | |
JP4355314B2 (ja) | 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置 | |
KR100756095B1 (ko) | 처리가스도입기구 및 플라즈마처리장치 | |
KR100624273B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR101119646B1 (ko) | 탑재대 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치 | |
JPWO2004084298A1 (ja) | 静電チャックを用いた基板保持機構およびその製造方法 | |
JP2010183090A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材 | |
JP2021141308A (ja) | クリーニング方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2013225703A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20080055645A (ko) | 기판 탑재대, 기판 탑재대의 제조 방법, 기판 처리 장치,유체 공급기구 | |
US20130299083A1 (en) | Substrate mounting table and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and fluid supply mechanism | |
KR102507527B1 (ko) | 정전 척을 구비하는 기판 처리 시스템 | |
KR20230002808A (ko) | 샤워헤드를 갖는 예비세정 챔버 상부 차폐부 | |
JP3356654B2 (ja) | 半導体ウエハ成膜装置 | |
JP2004071791A (ja) | 基板載置部材およびそれを用いた基板処理装置 | |
TWI824368B (zh) | 上部電極單元及包含其的基板處理設備 | |
JP2019046865A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JPH11330056A (ja) | 電極のクリーニング方法 | |
TW202300677A (zh) | 內壁構件的再生方法 | |
JP2022089007A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2021077662A (ja) | ウエハ、クリーニング方法、基板処理装置およびプラズマ処理システム | |
JP2019083339A (ja) | プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2007080676A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090209 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100426 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4508054 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |