JP2007073631A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 主たる光の出射端面である前端面とこの前端面に対向する後端面とを有しこれら両端面の間が共振器とされた半導体レーザ本体と、
この半導体レーザ本体の前端面または後端面上に配設されるとともに、第１の熱伝導率を有する単層膜の第１の誘電体膜、もしくは前記第１の誘電体膜が上記前端面または後端面から最も遠い層に配設された多層膜により構成された反射率制御膜と、
この反射率制御膜の上記第１の誘電体膜の上に配設されるとともに膜厚が２０ｎｍ以下であって上記第１の熱伝導率と異なる第２の熱伝導率を有する表面保護膜と、
を備えた半導体レーザ装置。 - 第１の誘電体膜がＡｌを含む誘電体もしくはシリコンの窒化物により形成されていることを特徴とした請求項１記載の半導体レーザ装置。
- 表面保護膜が酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウムから選択される材料により形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
- 第１の誘電体膜が酸化アルミニウム膜であって、表面保護膜の膜厚が１０ｎｍ近傍であることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
- 前端面および後端面のいずれにも反射率制御膜と表面保護膜とが配設されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
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