JP2007069341A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006215373A JP5127181B2 (ja) | 2005-08-10 | 2006-08-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005232670 | 2005-08-10 | ||
| JP2005232670 | 2005-08-10 | ||
| JP2006215373A JP5127181B2 (ja) | 2005-08-10 | 2006-08-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007069341A JP2007069341A (ja) | 2007-03-22 |
| JP2007069341A5 true JP2007069341A5 (enExample) | 2009-09-17 |
| JP5127181B2 JP5127181B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=37931243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006215373A Expired - Fee Related JP5127181B2 (ja) | 2005-08-10 | 2006-08-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5127181B2 (enExample) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4607153B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2011-01-05 | 株式会社日立製作所 | 微小電気機械システム素子の製造方法 |
| JP2009086385A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| DE102012206732B4 (de) * | 2012-04-24 | 2024-12-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines hybrid integrierten Bauteils |
| JP2014204352A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、発振器、振動素子の製造方法、電子機器、及び移動体 |
| JP2014212410A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子、発振器、電子機器、移動体、および振動子の製造方法 |
| JP2014212409A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | Mems振動子、電子機器、及び移動体 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2791858B2 (ja) * | 1993-06-25 | 1998-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置作製方法 |
| JPH097946A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Toyota Motor Corp | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
| JPH11293486A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-10-26 | Canon Inc | マイクロ構造体の作製方法 |
| JP3592535B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2004-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2000188049A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Nec Corp | マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 |
| FR2808919B1 (fr) * | 2000-05-15 | 2002-07-19 | Memscap | Microcomposant electronique du type capacite variable ou microswitch, ou procede de fabrication d'un tel composant |
| US6780570B2 (en) * | 2000-06-28 | 2004-08-24 | Institut National D'optique | Method of fabricating a suspended micro-structure with a sloped support |
| JP4954401B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2002031600A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Mems Optical, Inc. | Deep grayscale etching of silicon |
| JP4571488B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-10-27 | 日本電信電話株式会社 | 微細構造体 |
| JP4519804B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2006
- 2006-08-08 JP JP2006215373A patent/JP5127181B2/ja not_active Expired - Fee Related
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