JP2007067179A - 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム - Google Patents
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335876A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Inopla Inc | 半導体ウェーハ研磨装置 |
JP2011187956A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Siltronic Ag | 半導体ウェハの研磨方法 |
WO2012147279A1 (fr) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 信越半導体株式会社 | Plaquette à semi-conducteurs et son procédé de fabrication |
DE112011100598T5 (de) | 2010-02-19 | 2013-01-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
CN104942698A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及研磨方法 |
JP2015193065A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
WO2017082161A1 (fr) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 株式会社Sumco | Procédé et dispositif de polissage de tranche |
JP2018051762A (ja) * | 2018-01-05 | 2018-04-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US10424484B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-09-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing a bonded SOI wafer |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6336893B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09254028A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Ebara Corp | ポリッシング装置のプッシャー |
JP2000094312A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-04 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2000315665A (ja) * | 1999-04-29 | 2000-11-14 | Ebara Corp | 研磨方法及び装置 |
JP2000323552A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハローダ |
JP2001135604A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
WO2002075798A1 (fr) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Eau et procede de stockage d'une tranche de silicium |
JP2004154928A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Ebara Corp | 研磨状態監視装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
JP2004209588A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2005046924A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208453A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶ウエハの研磨方法 |
JP2002289562A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09254028A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Ebara Corp | ポリッシング装置のプッシャー |
JP2000094312A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-04 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2000315665A (ja) * | 1999-04-29 | 2000-11-14 | Ebara Corp | 研磨方法及び装置 |
JP2000323552A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハローダ |
JP2001135604A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
WO2002075798A1 (fr) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Eau et procede de stockage d'une tranche de silicium |
JP2004154928A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Ebara Corp | 研磨状態監視装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
JP2004209588A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2005046924A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335876A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Inopla Inc | 半導体ウェーハ研磨装置 |
US9278425B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-03-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing head and polishing apparatus |
DE112011100598B4 (de) | 2010-02-19 | 2023-08-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
DE112011100598T5 (de) | 2010-02-19 | 2013-01-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
JP2011187956A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Siltronic Ag | 半導体ウェハの研磨方法 |
JP2012231005A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
US9076750B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
WO2012147279A1 (fr) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 信越半導体株式会社 | Plaquette à semi-conducteurs et son procédé de fabrication |
CN104942698A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及研磨方法 |
KR20150113875A (ko) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
JP2015193065A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
KR102323430B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-11-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
US10424484B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-09-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing a bonded SOI wafer |
WO2017082161A1 (fr) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 株式会社Sumco | Procédé et dispositif de polissage de tranche |
JP2018051762A (ja) * | 2018-01-05 | 2018-04-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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