JP2002289562A

JP2002289562A - 半導体ウェーハの製造方法

Info

Publication number: JP2002289562A
Application number: JP2001090603A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Hayashi; 信行林
Original assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority date: 2001-03-27
Filing date: 2001-03-27
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】半導体ウェーハを効率良く製造し、ウェーハ
の製造時間を短縮する半導体ウェーハの製造方法を提供
する。【解決手段】面取り工程が終了したシリコンウェーハ
Ｗを、ロボットハンドＲにより、枚葉式の両面研磨装置
に１枚ずつ移送する。ここでラッピング、エッチング、
研磨の各処理を連続的に行う。結果、カセットケースで
多数枚のシリコンウェーハＷをまとめて次工程へ移送す
る従来法の欠点、すなわち面取り工程の終了後にシリコ
ンウェーハＷを乾燥したり、カセットケースが満杯にな
るまで処理済みウェーハＷを一時保管する必要がない。
よって、シリコンウェーハＷを効率良く製造でき、シリ
コンウェーハＷの製造時間が短縮する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
製造方法、例えば３００ｍｍウェーハ，４５０ｍｍウェ
ーハなどの大口径ウェーハの製造に有利な半導体ウェー
ハの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウェーハの製造では、単結晶シ
リコンインゴットをスライスして多数枚のウェーハを得
た後、このスライスドウェーハに対して面取り、ラッピ
ング、エッチングの各工程が順次施され、さらにウェー
ハ表面を鏡面化する研磨が施されている。もちろん、こ
れら以外にも熱処理工程などの様々な工程が行われる。
また、製造されるウェーハの種類に応じて、これらの工
程の入れ換え、変更、省略なども適宜なされる。このウ
ェーハの製造工程のうち、例えばラッピング、エッチン
グ、研磨の各工程は、複数枚のウェーハを同時に加工す
る、いわゆるバッチ式によって行われることが多い。こ
れは、今日の主流ウェーハが、比較的小径な６インチま
たは８インチのウェーハであるので、何枚かをまとめて
処理した方が、効率が良いためである。

【０００３】しかしながら、次世代のシリコンウェーハ
とされる３００ｍｍウェーハ，４５０ｍｍウェーハのよ
うな大口径ウェーハをバッチ処理しようとすれば、以下
に示す問題が発生する。すなわち、ウェーハを加工する
装置本体が大型化する。そして、大型の加工装置を採用
する際には、従来よりも床面積が広いウェーハ製造工場
を新設しなければならなかった。一方では、大口径ウェ
ーハのハンドリング装置およびウェーハ加工装置のメン
テナンスの費用がそれぞれ嵩んでいた。例えば、バッチ
式のラップ装置およびバッチ式の研磨装置の場合、各定
盤の直径が数メートルにも増大していた。そのため、ウ
ェーハの加工作業に必要な作業者の人数が増える傾向に
あった。

【０００４】そこで、これらの問題を解消する従来技術
として、例えば特開平１１−２５１２７０号公報に示す
「半導体ウェーハの製造方法」が知られている。この従
来法は、スライス工程、ラップ工程、エッチング工程、
研磨工程および洗浄工程などの半導体ウェーハの製造工
程のうち、少なくともラップ工程と、エッチング工程
と、研磨工程とを枚葉式によって行う方法である。それ
までバッチ式で行われていた工程を枚葉式に変更するこ
とで、前述した大きな工場にする必要がなく、少人数の
作業者でも効率良く大口径ウェーハを生産することがで
きることとなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術に係る半導体ウェーハの製造方法にあっては、各
工程間でのウェーハの移送が、搬送治具、例えば数十枚
のウェーハを一括して収納するカセットケースを用いて
行われていた。具体的には、例えばウェーハ入りのカセ
ットケースが１０個溜まってから、これらのカセットケ
ースを専用車両に載せて、次の工程に移送していた。

【０００６】このように、カセットケースを使用した工
程間の移送を行うためには、１つの工程が終了してから
次の工程までの間に、以下に示すような多数の作業処理
を行う必要があった。すなわち、(1) １つの工程での加
工が終了したウェーハの乾燥工程への移送、(2) ウェー
ハの乾燥、(3) 乾燥したウェーハのカセットケースによ
る一時保管、(4) カセットケースの端数の認知処理、
(5) カセットケースごとの次の工程へのウェーハの搬
送、(6) 次の工程に受け入れられるまでのウェーハの一
時保管、(7) 次の工程で加工されるウェーハ番号の照
合、(8) 次の工程へのウェーハの投入判定などがそれで
ある。

【０００７】そこで、発明者は、鋭意研究の結果、連続
する２以上の工程を枚葉式の工程とし、これらの枚葉式
の工程間では半導体ウェーハを１枚ずつ移送すれば、２
つ以上の工程で連続的に１枚ずつ処理することができる
こと、および、カセットケースを用いたウェーハの移送
に伴う、上記(1) 〜(8) の作業工程を省略することがで
きることを知見し、この発明を完成させた。

【０００８】

【発明の目的】この発明は、半導体ウェーハを効率良く
製造することができ、その製造時間を短縮することがで
きる半導体ウェーハの製造方法を提供することを、その
目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、スライスされた半導体ウェーハの外周部を研削する
面取り工程、半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラ
ッピング工程、ラッピングされた半導体ウェーハをエッ
チングするエッチング工程、エッチングされた半導体ウ
ェーハの表面を研磨する研磨工程、研磨された半導体ウ
ェーハを洗浄する洗浄工程などの半導体ウェーハを順次
処理する工程を備え、これらの工程の内の少なくとも２
つの工程が連続して実行される半導体ウェーハの製造方
法において、上記連続して実行される２つの工程のぞれ
ぞれを、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工
程で構成し、この枚葉式の工程間における半導体ウェー
ハの移送を、半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移
送とした半導体ウェーハの製造方法である。適用される
半導体ウェーハとして、例えばシリコンウェーハ、ガリ
ウムヒ素ウェーハなどがある。半導体ウェーハの大きさ
も限定されない。例えば３００ｍｍウェーハ、４５０ｍ
ｍウェーハなどでもよい。

【００１０】スライス工程では、ＩＤソー、ワイヤソー
などを用いてスライスされる。面取り工程では、枚葉式
の面取り装置を採用することができる。この面取り工程
は、ラッピング工程の前後いずれかに配してもよい。ラ
ッピング工程では、例えば枚葉式の両面ラッピング装置
が採用される。枚葉式の両面ラッピング装置としては、
例えば図１（ｂ）に示すような、１台の装置で半導体ウ
ェーハのラッピング、エッチング、研磨の各工程を連続
して実施できる縦型の両面加工装置を採用することがで
きる。両面加工装置には、１対のリング状定盤が搭載さ
れている。これらのリング状定盤は、半導体ウェーハの
表裏面にそれぞれ押し付けられる１対のリング状の加工
作用面、および、これらの加工作用面よりその半径方向
の内側に形成された空洞部をそれぞれ有している。各加
工作用面の外径が半導体ウェーハの半径に略等しく、か
つ、各内径が半導体ウェーハの半径の２／３以上であ
る。各加工作用面には空洞部内に供給されたラップ剤を
加工作用面に供給するための半径方向に延びる複数の溝
がそれぞれ形成されている。隣り合う溝同士の間隔が７
ｍｍ以下となっている。これらのリング状定盤によって
半導体ウェーハのその中心部からその周辺部にかけて挟
み、各空洞部にラップ剤を供給しながら、１対のリング
状定盤を２０００ｍｉｎ^-1以上で回転させ、この半導体
ウェーハを自転させることにより、半導体ウェーハの表
裏面を同時に加工する。

【００１１】また、エッチング工程を枚葉式で行う際に
は、例えば、耐薬品性を有するエッチング槽中に１枚の
半導体ウェーハを入れ、エッチング液に浸漬する装置な
どを使用することができる。また、半導体ウェーハの裏
面を回転ヘッドの下面に固着し、その後、回転ヘッドを
回転させながら、ウェーハ表面をエッチング液に接触さ
せてこの面をエッチングする片面エッチング装置なども
採用することができる。また、前記ラッピング工程で説
明した縦型の両面加工装置を用いてエッチングを施して
もよい。この場合、リング状定盤の空洞部に供給される
のはエッチング液である。

【００１２】次に、半導体ウェーハの研磨工程では、片
面研磨装置または両面研磨装置を用いる。片面研磨装置
としては、例えば、１枚の半導体ウェーハを研磨ヘッド
に固定し、研磨剤を供給しながら、研磨ヘッドを回転さ
せて、半導体ウェーハを研磨定盤の上面に展張された研
磨布に押し付けて研磨する装置を用いることができる。
また、前記縦型の両面加工装置を用いて研磨を施しても
よい。その際、リング状定盤の空洞部に供給されるのは
研磨剤である。なお、研磨工程は、１次研磨（粗研
磨）、２次研磨（細研磨）、仕上げ研磨といった複数の
工程に分けて行ってもよい。その場合、各工程間では半
導体ウェーハを枚葉移送することができる。洗浄工程を
枚葉式で行うには、例えば、洗浄槽の中に１枚の半導体
ウェーハを投入し、洗浄液に浸漬する装置などを用いる
ことができる。

【００１３】連続する工程とは、例えば面取り工程とそ
の直後に行われるラッピング工程とのように、多数の処
理工程からなる半導体ウェーハの製造工程において、特
定の工程を基準にした場合、この工程とそれより１つ前
の工程との関係、または、特定の工程とそれより１つ後
の工程との関係をいう。枚葉式とする工程の数は、例え
ば２つだけでも、３つ以上でもよい。さらには、全ての
ウェーハ処理工程を枚葉式としてもよい。枚葉式のウェ
ーハ処理工程間における半導体ウェーハの移送は、半導
体ウェーハを１枚ずつ移送するロボットハンドでもよ
い。

【００１４】また、請求項２に記載の発明は、上記半導
体ウェーハの枚葉移送が、半導体ウェーハのエッジを把
持するロボットハンドを用いて行われる請求項１に記載
の半導体ウェーハの製造方法である。例えば、２本のク
ランパ（把持アーム）によって、半導体ウェーハの外周
部を外方から包み込むようにクランプする構造のロボッ
トハンドを使用することができる。

【００１５】請求項３に記載の発明は、上記連続する枚
葉処理の工程が、各工程間で整合されたタクトタイムに
合わせて半導体ウェーハの処理を行う請求項１または請
求項２に記載の半導体ウェーハの製造方法である。例え
ば前段工程のタクトタイムと後段工程のそれとを一致さ
せることなどである。

【００１６】

【作用】この発明によれば、ある枚葉処理が終了した半
導体ウェーハを、次の工程へ１枚ずつ移送し、連続して
次の枚葉処理を行う。これにより、カセットケースを用
いて半導体ウェーハを次工程へまとめて移送していた従
来法の欠点、すなわち各工程間で半導体ウェーハを洗
浄、乾燥し、カセットケースが半導体ウェーハで満たさ
れるまで処理済みのウェーハを一時保管する無駄な作業
が不要となる。よって、半導体ウェーハを効率良く製造
することができ、その製造時間を短縮することができ
る。

【００１７】また、請求項３の発明によれば、連続処理
される各枚葉処理工程が整合されたタクトタイムである
ので、半導体ウェーハが次のウェーハ処理工程へ移行す
る際に待機時間を最も短くすることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１〜図３は、この発明の一実施例
に係る半導体ウェーハの製造工程を示すフローシートで
ある。図４は、この発明の一実施例に係る半導体ウェー
ハの製造方法に用いられる両面加工装置の要部拡大断面
図である。図５は、この発明の一実施例に係る両面加工
装置に組み込まれたリング状研磨定盤の研磨作用面の拡
大正面図である。図１〜図３に示すように、この実施例
にあっては、スライス，面取り，両面加工，仕上げ研
磨，仕上げ洗浄の各工程を経て、鏡面ウェーハが作製さ
れる。この両面加工工程は、ラッピング，エッチング，
両面研磨の各工程を１つの両面加工装置を用いて一連に
行う工程である。以下、各工程をその処理装置とともに
詳細に説明する。

【００１９】ＣＺ法により引き上げられたシリコンイン
ゴットは、スライス工程で、所定の厚さの口径３００ｍ
ｍのシリコンウェーハＷにスライスされる。次に、シリ
コンウェーハＷに、面取り装置による面取りが施され
る。すなわち、図１（ａ）に示すように、シリコンウェ
ーハＷの外周部が、＃６００のメタル面取り用砥石Ｇに
より、１枚ずつ所定の形状に面取りされる。これによ
り、このウェーハＷの外周部は、所定の丸みを帯びた形
状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。この
段階では、ウェーハ表裏面は、スライス加工時のソーマ
ークや、微小うねりを伴う形状と、加工歪みダメージと
が混在する状態となっている。

【００２０】次に、面取り加工されたシリコンウェーハ
Ｗは、図１（ｂ）に示すロボットハンドＲにより、図２
に示す両面加工工程へ移送される。ロボットハンドＲ
は、１対のクランパＲａを有し、両クランパＲａによっ
て、シリコンウェーハＷのエッジの部分が両側方から把
持される。次に、このシリコンウェーハＷについては、
１枚ずつ両面加工が行われる。ウェーハの表裏面には前
記の欠陥、ソーマークを伴うため、表裏面を同時に加工
する必要がある。例えば両面加工（両面研磨）での取り
代が５０〜１００μｍとなる場合、この両面加工によ
り、ウェーハの表裏面の取り代分が効率的に取り除かれ
る。加工後のシリコンウェーハＷの表裏面は、砥粒の粒
径に類似した浅いダメージを残すのみの表面品質とな
る。こうして、ウェーハの表裏面をなめらかに仕上げる
ことができる。

【００２１】この両面加工工程は、両面研磨装置を用い
て実施される。以下、図２、図４および図５を参照し
て、この両面研磨装置を具体的に説明する。図２におい
て、１０は縦型の両面研磨装置である。この両面研磨装
置１０は、一対のリング状研磨定盤１１，１２と、流体
供給手段１４と、保温手段１５とを備えている。一対の
リング状研磨定盤１１，１２は、垂直に保持されたシリ
コンウェーハＷを挟んで互いに対向して配置されてい
る。これらのリング状研磨定盤１１，１２は大略して有
底の円筒体または帽子状体で形成され、その開口端を形
成する対向面が、シリコンウェーハＷの表裏面をそれぞ
れ研磨するための研磨作用面となる。これらの研磨作用
面は所定幅のリング状であって、その中心部が空間とな
っている。研磨作用面の直径（外径）はシリコンウェー
ハＷの半径と略等しく形成されている。よって、円筒体
である各研磨定盤１１，１２の中心部には、空洞部ａが
それぞれ形成されており、これらの空洞部ａ同士はシリ
コンウェーハＷを挟んで互いに対向して配置されてい
る。リング状研磨定盤１１，１２の内径は、シリコンウ
ェーハＷの半径のそれぞれ２／３以上である。流体供給
手段１４は、研磨剤、スチームなどの流体をリング状研
磨定盤１１，１２のリング内側の各空洞部ａに供給する
ものである。保温手段１５は、シリコンウェーハＷの表
裏両面の、空洞部ａと対向しない部分に近接して配設さ
れ、その温度を制御する。

【００２２】これらのリング状研磨定盤１１，１２は、
それぞれのリング状の研磨作用面をシリコンウェーハＷ
の中心から外周下部に至る部分に押し当てできるように
配置されている。また、各リング状研磨定盤１１，１２
は、水平配置された回転軸体１１ａ，１２ａを回転軸と
し、モータＭにより２０００ｍｉｎ^-1以上で回転可能な
ようにそれぞれ構成されている。また、各研磨作用面に
は、リング状研磨定盤１１，１２の軸心を中心にして放
射線状に延びた複数本の溝１６が形成されている。これ
らの溝１６は、この研磨作用面の内周縁から外周縁まで
延びており、隣り合う溝１６同士の間隔ｄは７ｍｍ以下
である（図５参照）。

【００２３】上記回転軸体１１ａ，１２ａは、上記有底
の円筒体にて研磨作用面とは反対側に突出してそれぞれ
形成されている。また、これらの回転軸体１１ａ，１２
ａは中空のパイプで構成されている。回転軸体１１ａ，
１２ａの各内部には、回転軸体１１ａ，１２ａとは非接
触状態で、例えば５本の小径パイプ１７が非回転状体で
束ねられて収納されている。各小径パイプ１７は、スラ
リーを供給するスラリー供給用パイプ、アルカリ性溶液
を供給するアルカリ溶液供給用パイプ、洗浄水（純水）
を供給する洗浄水供給用パイプ、スチーム（蒸気）を供
給するスチーム供給用パイプ、空洞部ａ内の流体を強制
的に排出する強制排出用パイプなどによって構成するこ
とができる。各小径パイプ１７とそれぞれの供給源との
途中には、パイプ内を通過する流体の供給用ポンプ１８
または排出用のポンプ１８Ａおよび開閉弁が配設されて
いる。これらのパイプ１７，ポンプ１８，１８Ａ、開閉
弁などにより流体供給手段１４が構成される。各ポンプ
１８、１８Ａ、開閉弁の操作は制御手段により制御され
ている。

【００２４】シリコンウェーハＷを垂直に保持する保持
機構は、シリコンウェーハＷの周りの仮想の三角形の頂
点に、それぞれ対状態で配置された３組のガイドローラ
２０を有している。各ガイドローラ２０はシリコンウェ
ーハＷの面取り面に摺接して、シリコンウェーハＷを垂
直に保持している。上記保温手段１５は、図２および図
４に示すように、シリコンウェーハＷの表裏面で、空洞
部ａとは対向していない部分を外方から被う２枚の保温
板２１を有している。各保温板２１はそれぞれヒータを
内蔵している。これらの保温板２１は、シリコンウェー
ハＷの表裏両面に対しては非接触状態に保持されてい
る。すなわち、各保温板２１とシリコンウェーハＷの表
面および裏面との間には、リング状研磨定盤１１，１２
から溢れ出た研磨剤などの他に、保温板２１から供給さ
れた気体が介在されている。この流体の膜および気体を
介した両保温板２１により、回転時のシリコンウェーハ
Ｗの面振れを抑えるものである。２２は、各保温板２１
をシリコンウェーハＷに対して接近離隔動させるための
ラック・ピニオン機構である。

【００２５】次に、この両面加工装置１０を用いたシリ
コンウェーハＷの加工方法を説明する。図２および図５
に示すように、両リング状研磨定盤１１，１２の研磨作
用面をシリコンウェーハＷの中心から外周下部に至る部
分に押し当てる。同時に、両空洞部ａの内部に、ポンプ
１８および小径パイプ１７を経由して、スラリーを供給
する。これにより、空洞部ａに供給されたスラリーが多
数の溝１６を介して、シリコンウェーハＷの研磨面に供
給される。その後、対応するモータＭにより両リング状
研磨定盤１１，１２を、同じ方向（図２の矢印Ｘ参照）
へ２０００ｍｉｎ^-1以上の速度で回転させる。その結
果、シリコンウェーハＷは、ウェーハ中心を中心にして
それぞれウェーハ外周に配置された３組のガイドローラ
２０によりガイドされ、垂直面内で図２の矢印Ｘ方向へ
連れ回りされる。

【００２６】シリコンウェーハＷの表裏両面を４５℃以
上に昇温すると、ウェーハ研磨面において、研磨剤に含
まれるアルカリ性溶液のエッチング力が高まる。よっ
て、ウェーハ研磨面の微細な凸部をエッチングすること
ができる。いわゆる、形状選択エッチングが可能にな
る。また、昇温後の表裏両面は、リング状研磨定盤１
１，１２の研磨作用面により機械的に両面研磨（１次研
磨）される。回転中のシリコンウェーハＷの面振れおよ
びそのウェーハ中心軸線方向への位置ずれは、ウェーハ
の表裏両側方から保温板２１により流体膜および気体を
介してシリコンウェーハＷを挟持することで抑えられて
いる。

【００２７】このように、高速研磨されるウェーハをス
ライスウェーハとすることで、従来のスライス工程から
鏡面研磨工程までの間に、順次行われていたラップ工
程、エッチング工程（場合によっては両面研削工程）な
どの中間的な工程を省くことができる。その結果、鏡面
ウェーハの製造工程数が削減され、このウェーハの製造
時間も短縮される。なお、空洞部ａに過剰供給された流
体は、強制排出用のポンプ１８Ａの作動により、強制的
に排出される。上記研磨の終了後、まず強制排出用のポ
ンプ１８Ａによって空洞部ａの流体を吸引排出し、次に
空洞部ａに洗浄水を供給してその内部を洗浄する。洗浄
後の汚水も、同様に吸引排出する。

【００２８】次に、洗浄されたシリコンウェーハＷは、
図３（ａ）に示すように、その外周部のエッジの部分が
ふたたびロボットハンドＲにより把持され、図３（ｂ）
に示す枚葉式の仕上げ研磨（片面鏡面化研磨）工程へ１
枚ずつ移送される。ここで、ウェーハ表面に仕上げ研磨
が施される。仕上げ表面研磨工程には、枚葉式の仕上げ
研磨装置３０が配備されている。すなわち、仕上げ研磨
装置３０によるシリコンウェーハＷの表面の仕上げ研磨
は、下面に１枚のシリコンウェーハＷがワックス貼着さ
れたキャリアプレート３１を研磨ヘッド３２の下面に固
着し、研磨液を供給しながら研磨ヘッド３２を回転さ
せ、シリコンウェーハＷを研磨定盤３４の上面に展張さ
れた研磨布３３に押し付けて研磨する。

【００２９】この一実施例における枚葉式の研磨は、前
記両面研磨（１次研磨）と仕上げ研磨との２段階であ
る。しかしながら、１次研磨と２次研磨と仕上げ研磨と
の３段階のように、複数の段階に分けて行うことができ
る。その場合、各工程間の移送は、ロボットハンドＲに
よる枚葉移送とする。このとき、各段階での研磨のタク
トタイムを同じにすれば、シリコンウェーハＷが次の段
階の研磨工程へ移行する際の待機時間を最も短くするこ
とができる。次に、表面研磨後のシリコンウェーハＷ
は、図３（ｃ）に示すロボットハンドＲにより、図３
（ｄ）に示す仕上げ洗浄工程へ枚葉移送される。そし
て、ここで枚葉式の洗浄装置４０により１枚ずつ仕上げ
洗浄される。具体的には、洗浄液が入った洗浄槽４１を
準備し、この洗浄液に、洗浄用ケース４２に収められた
シリコンウェーハＷを１枚ずつ浸漬して洗浄する。

【００３０】このように、１つの枚葉処理が終了したシ
リコンウェーハＷを次の工程へ１枚ずつ枚葉移送し、そ
こで連続的にシリコンウェーハＷを１枚ずつ枚葉処理す
るようにしたので、従来の、カセットケースを使用して
シリコンウェーハＷをまとめて移送した場合の欠点が解
消され、シリコンウェーハＷを効率良く製造することが
できる。その結果、シリコンウェーハＷの製造時間を短
縮することができる。また、シリコンウェーハＷを枚葉
処理すれば、上記(1) 〜(8) の各工程が不要となる。具
体的には、(2) シリコンウェーハＷをカセットケースに
入れる前に乾燥させる必要がなくなることから、(1) １
つの処理が終了後にシリコンウェーハＷを乾燥工程へ移
送する工程と、(3) 乾燥後のウェーハをカセットケース
に一時保管する工程と、(4) カセットケースの端数を認
知処理する工程と、(5) カセットケースごとに次の工程
へウェーハを移送する工程と、(6) 次の工程に受け入れ
られるまでウェーハを一時保管する工程と、(7) 次の工
程で加工されるウェーハ名を照合する工程と、(8) 次の
工程へのウェーハの投入判定を行う工程とを、それぞれ
省くことができる。さらに、ここでは、シリコンウェー
ハＷの枚葉移送手段として、ロボットハンドＲを採用し
たので、ウェーハ移送時に、シリコンウェーハＷのデバ
イス形成面である表面に傷が付きにくい。

【００３１】

【発明の効果】この発明によれば、１つの枚葉処理が終
了した半導体ウェーハを次の工程へ１枚ずつ枚葉移送
し、ここで半導体ウェーハを枚葉処理するようにしたの
で、半導体ウェーハの移送に付随した作業工程数を減ら
すことができる。その結果、半導体ウェーハを効率良く
製造することができ、ウェーハの製造時間を短縮するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造時の面取り工程を示すフローシートである。

【図２】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造時の両面加工工程を示すフローシートである。

【図３】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造時の仕上げ研磨工程から仕上げ洗浄工程を示すフロー
シートである。

【図４】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造方法に用いられる両面加工装置の要部拡大断面図であ
る。

【図５】この発明の一実施例に係る両面加工装置に組み
込まれたリング状研磨定盤の研磨作用面の拡大正面図で
ある。

【符号の説明】

Ｒロボットハンド（枚葉移送手段）、Ｗシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スライスされた半導体ウェーハの外周部
を研削する面取り工程、半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工
程、ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッ
チング工程、エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨
工程、研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程などの半
導体ウェーハを順次処理する工程を備え、これらの工程
の内の少なくとも２つの工程が連続して実行される半導
体ウェーハの製造方法において、上記連続して実行される２つの工程のぞれぞれを、半導
体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、この枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、
半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送とした半導
体ウェーハの製造方法。
【請求項２】上記半導体ウェーハの枚葉移送が、半導
体ウェーハのエッジを把持するロボットハンドを用いて
行われる請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】上記連続する枚葉処理の工程が、各工程
間において整合されたタクトタイムに合わせて半導体ウ
ェーハの処理を行う請求項１または請求項２に記載の半
導体ウェーハの製造方法。