JP2007053346A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 回路部を有する本体上に配置され、前記回路部に信号を入力するか、又は前記回路部から信号を出力するためのパッドと、
   前記パッドと電気的に接続され、前記本体の上面上に配置された導電パターンと、
   前記導電パターンの上面の全面に形成され、前記導電パターンの前記上面の一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁性フォトレジスト構造物と、を含む半導体パッケージの配線構造物。
2. 前記導電パターンは、Ｔｉ／Ｃｕ、ＴｉＷ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ｎｉ、ＴｉＷ／ＮｉＶ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｃｒ／ＮｉＶ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ、ＴｉＷ／Ｃｕ／Ｎｉ、ＴｉＷ／Ｃｕ／ＮｉＶ、及びＣｒ／Ｃｕ／ＮｉＶからなる群から選択された少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
3. 前記導電パターンの厚みは、１０００Å〜７０００Åであることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
4. 前記絶縁性フォトレジスト構造物は、前記導電パターンと実質的に同じ外郭形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
5. 前記本体及び前記導電パターンの間に、前記パッドと対応する第１開口を有する保護膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
6. 前記保護膜パターン及び前記導電パターンの間に、前記第１開口に対応する第２開口を有する第１絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項５記載の半導体パッケージの配線構造物。
7. 前記第１絶縁膜パターンの厚みは、１μｍ〜２５μｍであることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージの配線構造物。
8. 前記絶縁性フォトレジスト構造物の上面及び露出された前記第１絶縁膜パターンに沿って配置され、前記コンタクトホールと対応する第３開口を有する第２絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージの配線構造物。
9. 前記第２絶縁膜パターンの厚みは、１μｍ〜２５μｍであることを特徴とする請求項８記載の半導体パッケージの配線構造物。
10. 入力信号を処理してデータ信号を出力する回路部を有する半導体チップと、
    前記半導体チップ上に配置され前記回路部に電気的に接続されたパッドと、
    前記パッドと電気的に接続され、前記半導体チップの上面に沿って配置された導電パターンと、
    前記導電パターンの上面の全面上に形成され、前記導電パターンの上面一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁性フォトレジスト構造物と、
    前記コンタクトホールを埋め立てながら、前記導電パターン上に電気的に接続された導電部材と、を含むウエハーレベルパッケージ。
11. 前記半導体チップ及び前記導電パターンの間に、前記パッドと対応する第１開口を有する保護膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
12. 前記保護膜パターン及び前記導電パターンの間に、前記第１開口に対応する第２開口を有する第１絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１１記載のウエハーレベルパッケージ。
13. 前記絶縁性フォトレジスト構造物の上面及び露出された前記第１絶縁膜パターンの表面に沿って配置され、前記コンタクトホールと対応する第３開口を有する第２絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
14. 前記導電パターン及び前記導電部材の間に、前記導電パターン及び前記導電部材を電気的に接続するための導電性バンプを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
15. 前記導電性バンプは、前記導電パターンと接着される導電性接着パターン、前記導電性接着パターン上に配置された導電ウェッチングパターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｗｅｔｔｉｎｇ ｐａｔｔｅｒｎ）を含むことを特徴とする請求項１４記載のウエハーレベルパッケージ。
16. 前記導電性バンプは、前記導電ウェッチングパターン上に形成された酸化抑制パターンを更に含むことを特徴とする請求項１４記載のウエハーレベルパッケージ。
17. 前記導電部材は、球形状を有するはんだを含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。