JP2007046134A - 金属系膜形成方法及びプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばWF6ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばSiH4ガスを供給するステップとを,不活性ガス例えばArガス,N2ガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することによって,非晶質を含む第1タングステン膜を成膜する第1タングステン膜成膜ステップと,第1タングステン膜上に,上記WF6ガスと還元性ガスとして例えばH2ガスを同時に供給することによって,第2タングステン膜を成膜する第2タングステン膜成膜ステップとを含む。SiH4ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第1タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。
【選択図】 図3
Description
先ず,本発明の実施形態にかかる成膜装置について図面を参照しながら説明する。図1は,本実施形態にかかる成膜装置の構成例を示す図である。成膜装置100は,例えば断面が略円筒形状のアルミニウム製の処理容器114を有している。この処理容器114内の天井部には流量制御された処理ガスとして例えば各種の成膜ガスや不活性ガス等を,同時に,或いは選択的に導入するためのガス供給手段としてのシャワーヘッド部116がOリング等のシール部材118を介して設けられており,この下面に設けた多数のガス噴射口120から処理空間Sに向けて成膜ガスを噴射するようになっている。
次に,上記のように構成された成膜装置100の動作例について説明する。成膜装置100の各部の動作は上述したように記憶媒体162に記憶されたプログラムに基づいて行われる。
上記のタングステン膜のように,金属系膜の中でも低い抵抗を有するものは,ウエハ上に形成された配線間の凹部や基板コンタクト用の凹部の埋込みに多用されている。ところが,今後,半導体デバイスの更なる微細化及び動作速度の更なる高速化にともない,コンタクト(ビア)抵抗を下げるためにタングステン膜などの金属系膜について,更なる低抵抗化が要請されている。
以上のような本発明の原理を利用した本実施形態にかかる金属系膜形成方法について説明する。ここでは,コンタクトホール又はビアホールなどに形成されたバリヤ層上に,金属系膜として例えばタングステン膜を形成する場合について説明する。本実施形態では,第1金属系膜成膜ステップとしての第1タングステン膜成膜ステップと,第2金属系膜成膜ステップとしての第2タングステン膜成膜ステップとの2段階の成膜ステップによって,タングステン膜を形成する。すなわち,第1タングステン膜成膜ステップで非晶質(アモルファス)を含むように第1タングステン膜を成膜することによって,この第1タングステン膜上に第2タングステン膜成膜ステップで第2タングステン膜を成膜すると,その第2タングステン膜はより低い抵抗を有する結晶構造,すなわち原子密度が最も高く安定した結晶構造(例えば(110)面方位の配向性が高い結晶構造)になる。
先ず,図4(a)に示すようなウエハMに対して第1タングステン膜成膜ステップを実行する。第1タングステン膜成膜ステップでは,金属系原料ガスを供給するステップと水素化合物ガスを供給するステップとを,不活性ガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することにより,例えば核付け層となる第1タングステン膜(第1金属系膜)220を非晶質(アモルファス)を含むように成膜する(図4(b)参照)。
次に,第2タングステン膜成膜ステップを実行する。第2タングステン膜成膜ステップでは,金属系原料ガスと還元性ガスを同時に供給する通常のCVD法によって,第1タングステン膜上に主膜層となる第2タングステン膜(第2金属系膜)240を成膜する(図4(c)参照)。なお,第2タングステン膜の膜厚は,コンタクトホール又はビアホールの径に応じて設定されるが,通常は20〜40nmに設定される。
次に,成膜装置100によって実際に成膜した第1タングステン膜の結晶性を検証した結果について説明する。図6〜図8は,第1タングステン膜を電子線回折法で観察した電子線回折像を示す図である。図6及び図7は水素化合物ガスとしてSiH4ガスを用いた図3に示すガス供給態様においてt11〜t13を1.5secとした場合であって,図6はパージステップの実行時間t14を1.5sec程度の短い時間に設定して第1タングステン膜を成膜した場合,すなわち「SiH4/ショートパージ」の場合であり,図7はパージステップの実行時間t14を60secの長い時間に設定して第1タングステン膜を成膜した場合,すなわち「SiH4/ロングパージ」の場合である。
次に,上述した各第1タングステン膜(図6〜図8参照)にそれぞれ第2タングステン膜を成膜することによって形成された各タングステン膜全体の結晶構造を検証した結果を図9に示す。図9は,第1タングステン膜及び第2タングステン膜を含む各タングステン膜全体についてX線回折分析を行い,それによって観察された体心立方の結晶構造の(110)面方位と(200)面方位の配向性を,各面の回折ピーク強度の強度比((110)/(200))の棒グラフで示したものである。このような図9においては,強度比((110)/(200))が大きいほど(110)面方位の配向性が高く,強度比((110)/(200))が小さいほど(200)面方位の配向性が高いことを示す。
次に,上述した各第1タングステン膜(図6〜図8参照)にそれぞれ第2タングステン膜を成膜することによって形成された各タングステン膜全体の抵抗率を検証した結果を図10に示す。図10は,第1タングステン膜と第2タングステン膜を含む各タングステン膜全体の抵抗率を棒グラフで示した図である。なお,ここで第1タングステン膜の膜厚は6nmであり,第2タングステン膜の膜厚は20nmである。
114 処理容器
116 シャワーヘッド部
118 シール部材
120 ガス噴射口
122 リフレクタ
124 保持部材
126 載置台
128 リフタピン
130 リング部材
132 上げ棒
134 リフタピン孔
136 ベローズ
138 アクチュエータ
140 排気口
142 圧力制御弁
146 真空排気系
148 ゲートバルブ
150 シール部材
151 透過窓
152 加熱室
154 加熱ランプ
156 回転台
158 回転モータ
160 制御部
162 記憶媒体
210 埋込み穴
220 バリヤ層
230 第1タングステン膜(第1金属系膜)
240 第2タングステン膜(第2金属系膜)
250 コンタクトプラグ
M ウエハ
Claims (11)
- 金属系膜形成方法であって,
前記金属系原料ガスと水素化合物ガスを交互に繰り返し供給することによって,非晶質を含む第1金属系膜を成膜する第1金属系膜成膜ステップと,
前記第1金属系膜上に,前記金属系原料ガスと還元性ガスを同時に供給することによって,第2金属系膜を成膜する第2金属系膜成膜ステップと,
を含むことを特徴とする金属系膜形成方法。 - 少なくとも前記第2金属系膜の結晶構造は,体心立方構造であることを特徴とする請求項1に記載の金属系膜形成方法。
- 前記第1金属系膜成膜ステップは,前記金属系原料ガスを供給するステップと前記水素化合物ガスを供給するステップとを,不活性ガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することにより前記第1金属系膜を成膜することを特徴とする請求項1に記載の金属系膜形成方法。
- 前記パージステップにおいて,前記水素化合物ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより前記第1金属系膜が含む非晶質の割合を変えることを特徴とする請求項3に記載の金属系膜形成方法。
- 前記パージステップにおいて,少なくとも前記水素化合物ガスを供給するステップ後のパージステップに前記不活性ガスの供給を止めるステップを介在させることにより,前記第1金属系膜が含む非晶質の割合を変えることを特徴とする請求項3に記載の金属系膜形成方法。
- 前記金属系原料ガスはハロゲン化合物ガスであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の金属系膜形成方法。
- 前記水素化合物ガスはSiH4ガス,B2H6ガス,前記SiH4ガスと前記B2H6ガスとの混合ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の金属系膜形成方法。
- 前記水素化合物ガスを還元性を有する希釈ガスで希釈することにより,前記第1金属系膜が含む非晶質の割合を変えることを特徴とする請求項3に記載の金属系膜形成方法。
- 前記水素化合物ガスはB2H6ガス又はPH3ガスであることを特徴とする請求項8に記載の金属系膜形成方法。
- 前記水素化合物ガスは,H2ガスを希釈ガスとして5%以下に希釈したガスであることを特徴とする請求項8又は9に記載の金属系膜形成方法。
- コンピュータに,
前記金属系原料ガスを供給するステップと前記水素化合物ガスを供給するステップとを,不活性ガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することにより前記第1金属系膜を成膜する第1金属系膜成膜ステップと,
前記第1金属系膜上に,前記金属系原料ガスと還元性ガスを同時に供給することによって,第2金属系膜を成膜する第2金属系膜成膜ステップと,
を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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