CN103367161A

CN103367161A - 鳍式场效应管的形成方法

Info

Publication number: CN103367161A
Application number: CN2012101015791A
Authority: CN
Inventors: 三重野文健
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2012-03-31
Filing date: 2012-03-31
Publication date: 2013-10-23

Abstract

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。本发明实施例形成的鳍式场效应管的金属层的质量好，较好的填充于相邻鳍部间的区域，无孔洞等缺陷，形成的鳍式场效应管的性能好。

Description

鳍式场效应管的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种鳍式场效应管的形成方法。

背景技术

随着半导体工艺技术的不断发展，工艺节点逐渐减小，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，以获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。

鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种常见的多栅器件，图1示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图1所示，包括：半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有凸出的鳍部14，鳍部14一般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部14的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨在所述鳍部14上，覆盖所述鳍部14的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于Fin FET，鳍部14的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构12相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有利于增大驱动电流，改善器件性能。

然而随着工艺节点的进一步减小，现有技术的鳍式场效应晶体管的器件性能存在问题。

更多关于鳍式场效应晶体管的结构及形成方法请参考专利号为“US7868380B2”的美国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种鳍式场效应管的形成方法，形成的鳍式场效应管的性能稳定。

为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；

形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；

采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。

可选地，所述化学气相沉积工艺为还原金属氯化物的化学气相沉积工艺或选择性化学气相沉积工艺。

可选地，所述还原金属氯化物的化学气相沉积工艺的步骤包括：提供金属板，放置所述金属板于待形成金属层处的上方；等离子态的氯气与所述金属板发生反应，形成气态的金属氯化物；所述气态的金属氯化物中的金属与介质层表面的材料相结合，形成中间层；所述气态的金属氯化物与所述中间层反应，形成金属层。

可选地，形成所述等离子态的氯气的工艺参数包括：频率为2-4MHz，功率为200-500W，压力为0.01-0.1Torr，Cl₂的流量为500-2000sccm。

可选地，所述等离子态的氯气与所述金属板发生反应、以及所述气态的金属氯化物与所述中间层反应的工艺参数包括：温度为200-350℃，压力为0.01-0.1Torr。

可选地，还包括：通入惰性气体作为等离子态的氯气的载体。

可选地，所述惰性气态为Ar、He或N₂。

可选地，采用原子层沉积工艺形成金属层时采用的反应物包括：金属卤化物和硅源气体。

可选地，所述金属卤化物为金属氟化物。

可选地，所述硅源气体为SiH₄或Si₂H₆。

可选地，所述原子层沉积的温度范围为170-325℃。

可选地，所述金属层的材料为W、Al、Cu、Ag或TiAl。

可选地，所述金属层为栅电极层和/或功能层。

可选地，所述功能层为多层堆叠的金属结构。

可选地，当所述金属层的材料为W时，采用原子层沉积工艺形成金属层时采用的反应物为：WF₆和SiH₄、或者WF₆和Si₂H₆。

可选地，还包括：形成横跨所述鳍部的顶部和侧壁的伪栅极结构；形成覆盖所述绝缘层、且与所述伪栅极结构齐平的隔离层；去除所述伪栅极结构，形成暴露出鳍部的顶部、部分侧壁、以及绝缘层表面的开口，所述介质层形成在所述开口内。

可选地，在形成金属层后，平坦化所述金属层和介质层，暴露出所述隔离层表面。

可选地，平坦化所述金属层和介质层的工艺为化学机械抛光或刻蚀工艺。

可选地，在形成介质层后，平坦化所述介质层，暴露出隔离层表面，然后采用选择性化学气相沉积工艺形成所述金属层。

可选地，平坦化所述介质层的工艺为化学机械抛光或刻蚀工艺。

可选地，所述介质层的材料为高K介质。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：

采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层较好的填充于相邻两个鳍部之间的区域，形成的金属层的质量较好，无空洞等缺陷，后续形成的鳍式场效应管的性能稳定。

进一步的，在形成介质层后，对所述介质层进行平坦化，然后采用选择性化学气相沉积工艺，选择性的在所述介质层表面形成金属层，不仅形成的金属层的质量好，可以较好的填充于相邻两个鳍部之间的区域，而且节省了原材料和工艺步骤，且形成工艺简单。

附图说明

图1是现有技术的鳍式场效应管的立体结构示意图；

图2是本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法的流程示意图；

图3-图8是本发明第一实施例的鳍式场效应管的形成过程的剖面结构示意图；

图9-图11是本发明第二实施例的鳍式场效应管的形成过程的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术的鳍式场效应管的器件性能存在问题。

现有技术的鳍式场效应管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层和多个鳍部，所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部的顶部高于绝缘层表面；形成横跨所述鳍部的顶部和侧壁的伪栅介质层；形成覆盖所述伪栅介质层的伪栅电极层；形成覆盖所述伪栅电极层、鳍部和绝缘层的隔离层；平坦化所述隔离层，暴露出伪栅电极层表面；去除所述伪栅电极层和伪栅绝缘层，形成暴露出所述鳍部和绝缘层表面的第一开口；在所述第一开口内形成位于所述鳍部表面的栅介质层、栅电极层。

经过研究，发明人发现，由于所述第一开口的深宽比较小，现有技术在所述第一开口内形成栅介质层和栅电极层时，通常采用物理气相沉积工艺形成所述栅介质层和栅电极层。然而，由于所述第一开口内具有多个相互分立的鳍部，且相邻鳍部之间的距离较小(例如小于14nm)，相邻鳍部之间的区域实际上构成了深宽比较大的第二开口，因此，采用所述物理气相沉积工艺形成横跨鳍部的顶部和侧壁的栅介质层和栅电极层时，形成的栅介质层尤其是栅电极层的质量差，所述栅电极层的表面平坦度差，相邻两个鳍部之间的第二开口内未完全填充，存在孔洞等，并且位于所述鳍部顶部的部分开口内的栅电极层也存在孔洞、组织疏松等缺陷，所述质量差的栅电极层影响了后续形成的鳍式场效应管的性能。

经过进一步研究，发明人发现，即使相邻两个鳍部之间的距离很小，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成栅介质层和栅电极层时，所述栅介质层和栅电极层的平坦覆盖性能仍然较好，可以形成质量较好的栅电极层。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

请参考图2，本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，包括：

步骤S201，提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；

步骤S203，形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；

步骤S205，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层覆盖所述介质层、且填充满相邻鳍部间的区域。

第一实施例

具体的，请参考图3-图8，图3-图8示出了本发明第一实施例的鳍式场效应管的形成过程的剖面结构示意图。

请参考图3，提供半导体衬底300，所述半导体衬底300表面绝缘层301和多个分立的鳍部307，所述鳍部307贯穿所述绝缘层301、且所述鳍部307高于绝缘层301表面。

所述半导体衬底300用于为后续工艺提供工作平台。所述半导体衬底300的材料为硅衬底或绝缘体上硅(SOI)。本发明的实施例中，所述半导体衬底300为单晶硅。

所述绝缘层301用于后续隔离相邻的鳍式场效应管。所述绝缘层301的形成工艺为沉积工艺，例如低压化学气相沉积或等离子体化学气相沉积。所述绝缘层301的为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本发明的实施例中，所述绝缘层301在温度大于500℃的环境下，采用低压化学气相沉积形成，形成的绝缘层301的材料为氧化硅。

所述鳍部307用于后续形成鳍式场效应管。所述鳍部307的形成工艺为选择性沉积工艺或由刻蚀半导体衬底300后形成。所述鳍部307的材料为Si、SiC、SiP或SiGe。在本发明的实施例中，所述鳍部307的材料为Si。

需要说明的是，当所述鳍部307可以由刻蚀半导体衬底300后得到时，所述绝缘层301在形成鳍部307后采用沉积工艺得到，在此不再赘述。

请参考图4，形成横跨所述鳍部307的顶部和侧壁的伪栅极结构305；形成覆盖所述绝缘层301、且与所述伪栅极结构305齐平的隔离层303。

所述伪栅极结构305包括横跨所述鳍部307的顶部和侧壁的伪栅介质层(未图示)，和覆盖所述伪栅介质层表面的伪栅电极层(未图示)，用于定义出栅极结构的位置、大小和形状。

其中，所述伪栅介质层的形成工艺为沉积工艺，所述伪栅介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。为便于后续去除，所述伪栅介质层的材料不同于所述绝缘层301的材料。在本发明的实施例中，所述伪栅介质层的材料为氮化硅。

所述伪栅电极层的材料为多晶硅。所述伪栅电极层的形成工艺为沉积工艺。由于采用沉积工艺形成伪栅介质层和伪栅电极层的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

所述隔离层303用于后续去除伪栅极结构305时，保护绝缘层301不被破坏，并用作形成栅极结构时的掩膜。所述隔离层303的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本发明的实施例中，所述隔离层303的材料为氮氧化硅。

所述隔离层303的形成工艺为沉积工艺，由于采用沉积工艺形成隔离层303的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

请参考图5，去除所述伪栅极结构，形成暴露出鳍部307的顶部、部分侧壁、以及绝缘层301表面的开口309。

所述开口309用于后续作为窗口形成介质层。在本发明的实施例中，所述开口309还定义出栅极结构的形状、位置和大小。

所述去除所述伪栅极结构，形成所述开口309的方法为刻蚀工艺，由于采用刻蚀工艺形成开口309的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

请参考图6，形成位于所述鳍部307的顶部和侧壁的介质层311。

所述介质层311由以所述开口309为窗口形成，用于将鳍部307和后续结构隔开。在本发明的实施例中，所述介质层311为栅介质层，所述介质层311横跨所述鳍部307的顶部和侧壁，用于后续隔离鳍部307和栅电极层。所述介质层311的材料为高K介质，例如HfO₂、ZrO₂等。

所述介质层311的形成工艺为沉积工艺，例如物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。在本发明的实施例中，由于介质层311形成在鳍部307的顶部和侧壁，此时相邻两个鳍部307之间的距离还较大，可以采用普通的沉积工艺形成，形成的介质层311的质量基本上可以满足工艺需求。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，如果相邻两个鳍部307之间的距离较小时，还可以采用原子层沉积工艺形成，在此不再赘述。

请参考图7，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层313，所述金属层313位于所述介质层311表面、且填充满相邻鳍部307间的区域。

所述金属层313用于信号的传递。所述金属层313包括用于提供功函数的功能层(未图示)和/或用于形成栅极的栅电极层(未图示)。在本发明的第一实施例中，所述金属层313包括功能层和栅电极层。

其中，所述功能层用于提供功函数，通过调节所述功函数来控制阈值电压，从而达到提高鳍式场效应管的性能的目的。所述功能层通常为多层金属堆叠结构，例如钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)或铝化钛(TiAl)中的一种或多种组成的堆叠结构。

所述栅电极层用于形成栅电极。所述栅电极层的材料为金属材料，例如钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)或铝化钛(TiAl)。在本发明的实施例中，所述栅电极层的材料为钨(W)。

经过研究，发明人发现，以所述开口309为窗口，形成上述金属层313时，虽然所述开口309的深宽比较小，满足物理气相沉积工艺的需求，理论上应该在该开口309内形成质量好的金属层313。然而，开口309的底部还具有多个鳍部307，形成的金属层313需要填充相邻两个鳍部307之间的区域，由于相邻两个鳍部307之间的区域的深宽比比较大，并且金属材料的填充性能较差，在所述开口309内形成金属层313时，采用现有技术的物理气相沉积工艺形成的金属层313的表面平坦度差、且相邻两个鳍部307之间的区域并未完全填充，存在孔洞等，所述质量差的金属层313影响了后续形成的鳍式场效应管的性能。在本发明的实施例中，形成的质量差的功能层影响了功函数的调节，鳍式场效应管的阈值电压难以控制，而形成的质量差的栅电极层则影响了栅极的信号传递等，严重影响了鳍式场效应管的性能。

经过进一步研究，发明人发现，当相邻两个鳍部307之间的距离较小，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述金属层313时，所述金属层313的平坦覆盖性能仍然较好，可以形成质量较好的金属层313。

在本发明的一个实例中，采用原子层沉积工艺形成所述金属层313。当采用原子层沉积工艺形成所述金属层313时，采用的反应物包括：金属卤化物和硅源气体。由于卤族元素中，氟的活性较强，为了加快形成金属层的速度，金属卤化物通常选用金属氟化物。对于硅源气体，通常选用SiH₄或Si₂H₆。所述原子层沉积的温度范围为170-325℃。在本发明的实施例中，在170-325℃的温度条件下，采用原子层沉积工艺形成金属层时采用的反应物为：WF₆和SiH₄、或者WF₆和Si₂H₆，形成的金属层为钨，其质量较好，很好的填充于相邻两个鳍部307之间的区域，无孔洞等缺陷产生。

在本发明的另一个实例中，采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺形成所述金属层313，形成的金属层313的质量也较好。所述还原金属氯化物的化学气相沉积工艺的步骤包括：提供金属板(未图示)，放置所述金属板于待形成金属层313处的上方；等离子态的氯气(Cl⁺)与所述金属板发生反应，形成气态的金属氯化物；所述气态的金属氯化物中的金属与介质层表面的材料相结合，形成中间层；所述气态的金属氯化物与所述中间层反应，形成金属层313。

其中，所述金属板用于为金属层313提供原料，所述金属板的材料与金属层313的材料相同，为钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)或铝化钛(TiAl)中的一种或多种。形成所述等离子态的氯气的工艺参数包括：频率为2-4MHz，功率为200-500W，压力为0.01-0.1Torr，Cl₂的流量为500-2000sccm。并且所述等离子态的氯气与所述金属板发生反应、以及所述气态的金属氯化物与所述中间层反应的工艺参数包括：温度为200-350℃，压力为0.01-0.1Torr。在上述工艺参数范围内，形成的金属层313不仅很好的填充于相邻两个鳍部307之间的区域，而且位于所述鳍部307顶部的部分开口内的所述金属层313的质量也较好，不存在孔洞等，后续形成的鳍式场效应管的性能稳定。

需要说明的是，为了加快反应速度，采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺形成所述金属层313时，还包括：通入惰性气体，例如Ar、He或N₂作为等离子态的氯气的载体。

请参考图8，本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，还包括：平坦化所述金属层313，使所述金属层313的表面与所述隔离层303的表面齐平。

平坦化所述金属层313的工艺为化学机械抛光或刻蚀工艺。由于化学机械抛光或刻蚀所述金属层313的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

上述步骤完成之后，本发明第一实施例的鳍式场效应管的制作完成。本发明第一实施例中，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成的金属层的质量好，较好的填充于相邻两个鳍部307之间的区域，形成的鳍式场效应管的性能稳定。

第二实施例

与第一实施例不同，在本发明的第二实施例中，在形成介质层后，首先平坦化所述介质层，使所述介质层位于开口内、且其表面与隔离层表面齐平，然后再采用选择性化学气相沉积工艺形成金属层，所述金属层仅形成在介质层表面，而不会形成在隔离层表面，节省材料，且工艺简单。

具体的，请参考图9-图11，图9-图11示出了本发明第二实施例的鳍式场效应管的形成过程的剖面结构示意图。

请参考图9，提供半导体衬底400，所述半导体衬底400表面绝缘层401和多个分立的鳍部407，所述鳍部407贯穿所述绝缘层401、且所述鳍部407高于绝缘层401表面；形成横跨所述鳍部407的顶部和侧壁的伪栅极结构(未图示)；形成覆盖所述绝缘层401、且与所述伪栅极结构齐平的隔离层403；去除所述伪栅极结构，形成暴露出鳍部407的顶部、部分侧壁、以及绝缘层401表面的开口409；形成位于所述鳍部407的顶部和侧壁的介质层411。

其中，所述半导体衬底400用于为后续工艺提供工作平台；所述绝缘层401用于后续隔离相邻的鳍式场效应管；所述鳍部407用于后续形成鳍式场效应管；所述伪栅极结构用于定义出栅极结构的位置、大小和形状；所述开口409用于后续作为窗口形成介质层，并定义出栅极结构的形状、位置和大小；所述介质层411用于将鳍部407和后续结构隔开。

更多关于上述结构的材料及形成方法请参考本发明第一实施例中的相关描述，在此不再赘述。

请参考图10，平坦化所述介质层411，所述介质层411位于开口内、且其表面与隔离层403表面齐平。

平坦化所述介质层411，用于后续采用选择性化学气相沉积工艺形成金属层，以减少工艺步骤，节省原材料。平坦化所述介质层411的工艺为化学机械抛光工艺或刻蚀工艺。由于化学机械抛光或刻蚀所述介质层411的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

请参考图11，采用选择性化学气相沉积工艺形成金属层413，所述金属层413覆盖所述介质层411表面。

所述金属层413包括功能层(未图示)和/或栅电极层(未图示)。在本发明的第二实施例中，所述金属层313包括功能层和栅电极层。

发明人发现，化学气相沉积工艺填充深宽比较大的区域时的填充性能较好，有助于形成质量好的金属层413，以提高鳍式场效应管的性能。进一步的，发明人发现，采用选择性化学气相沉积工艺形成金属层413时，由于所述金属层413仅形成在介质层411表面，而不会形成在隔离层403表面，节省了原材料，而且还可以减少工艺步骤。

由于所述选择性化学气相沉积工艺形成金属层的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

需要说明的是，为使后续形成鳍式场效应管的性能更好，还可以对所述金属层413和隔离层403进行化学机械抛光，在此不再赘述。

上述步骤完成之后，本发明第二实施例的鳍式场效应管的制作完成。本发明第二实施例中，不仅能够形成质量好的金属层，形成的鳍式场效应管的性能好，好节省了原材料和工艺步骤，且形成方法简单。

综上，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层较好的填充于相邻两个鳍部之间的区域，形成的金属层的质量较好，无空洞等缺陷，后续形成的鳍式场效应管的性能稳定。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；

形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为还原金属氯化物的化学气相沉积工艺或选择性化学气相沉积工艺。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述还原金属氯化物的化学气相沉积工艺的步骤包括：提供金属板，放置所述金属板于待形成金属层处的上方；等离子态的氯气与所述金属板发生反应，形成气态的金属氯化物；所述气态的金属氯化物中的金属与介质层表面的材料相结合，形成中间层；所述气态的金属氯化物与所述中间层反应，形成金属层。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述等离子态的氯气的工艺参数包括：频率为2-4MHz，功率为200-500W，压力为0.01-0.1Torr，Cl₂的流量为500-2000sccm。

5.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述等离子态的氯气与所述金属板发生反应、以及所述气态的金属氯化物与所述中间层反应的工艺参数包括：温度为200-350℃，压力为0.01-0.1Torr。

6.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：通入惰性气体作为等离子态的氯气的载体。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述惰性气态为Ar、He或N₂。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成金属层时采用的反应物包括：金属卤化物和硅源气体。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述金属卤化物为金属氟化物。

10.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硅源气体为SiH₄或Si₂H₆。

11.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积的温度范围为170-325℃。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为W、Al、Cu、Ag或TiAl。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述金属层为栅电极层和/或功能层。

14.如权利要求13所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述功能层为多层堆叠的金属结构。

15.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，当所述金属层的材料为W时，采用原子层沉积工艺形成金属层时采用的反应物为：

WF₆和SiH₄、或者WF₆和Si₂H₆。

16.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成横跨所述鳍部的顶部和侧壁的伪栅极结构；形成覆盖所述绝缘层、且与所述伪栅极结构齐平的隔离层；去除所述伪栅极结构，形成暴露出鳍部的顶部、部分侧壁、以及绝缘层表面的开口，所述介质层形成在所述开口内。

17.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成金属层后，平坦化所述金属层和介质层，暴露出所述隔离层表面。

18.如权利要求17所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，平坦化所述金属层和介质层的工艺为化学机械抛光或刻蚀工艺。

19.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成介质层后，平坦化所述介质层，暴露出隔离层表面，然后采用选择性化学气相沉积工艺形成所述金属层。

20.如权利要求19所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，平坦化所述介质层的工艺为化学机械抛光或刻蚀工艺。

21.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为高K介质。