JP2007043090A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板に形成される導電性パッドと、
   前記導電性パッドに電気的に連結されるターミネーションポイントと、
   前記導電性パッドと前記ターミネーションポイントとの間に形成されるフェライト構造と、を含むことを特徴とする半導体デバイス。
2. 前記ターミネーションポイントは、前記導電性パッド上に形成され且つ前記導電性パッドに連結されるバンプ構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
3. 前記バンプ構造は、金属または金属合金よりなる物質で形成されるボール構造であることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
4. 前記バンプ構造と前記導電性パッドとの間に形成されるＵＢＭ層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
5. 前記ＵＢＭ層は、前記フェライト構造と前記バンプ構造との間に形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス。
6. 前記フェライト構造は、前記バンプ構造の一部を取り囲む環状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
7. 前記フェライト構造は、前記ＵＢＭ層を収容することができるように接着層を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス。
8. 前記フェライト構造は、酸化鉄と、少なくとも１つ以上の金属または金属合金とよりなる物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
9. 前記環状フェライト構造は、楕円形環、矩形環、または多角形環を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイス。
10. 前記導電性パッドは、銅またはアルミニウムよりなる物質で形成され、前記ＵＢＭ層は、チタニウム、タングステン、ニッケル、タンタル、クロム、または金よりなる物質で形成され、
    前記フェライト構造は、酸化鉄と、少なくとも１つ以上の金属または金属合金とよりなる物質で形成され、
    前記フェライト構造は、前記フェライト構造と前記ＵＢＭ層との間に形成される接着層を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
11. 前記導電性パッドと前記ターミネーションポイントとを電気的に連結する信号線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。