JP2007042854A - アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 - Google Patents
アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム15と接触させた後に成長反応器16に流出せしめて反応させる。
【選択図】図1
Description
反応管内に基板を導入後、反応管内に水素を含むキャリアガスを流通して加熱し、基板に付着した有機物を除去するため、通常サーマルクリーニングを行うと良い。サファイア基板の場合、一般的には1100℃で10分間程度保持する。その後、三塩化アルミニウムを含むAl系III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスの供給を開始して基板上にAl系III族窒化物結晶を成長させる。Al系III族ハロゲン化物ガスの供給量は、標準状態における体積流量により管理しても良いが、分圧により決定すると理解し易い。すなわち、基板上に供給される全ガス(キャリアガス、Al系III族ハロゲン化物ガス、窒素源ガス)の標準状態における体積の合計に対するAl系III族ハロゲン化物ガスの標準状態における体積の割合をAl系III族ハロゲン化物ガスの供給分圧としている。
Al + 3HCl → AlCl3 + 1.5H2・・・・・(1)
成長反応器の構造は比較例と同様のものを用いた。用いた基板の種類、成長時に供給したキャリアガス流量、窒素源ガス流量、支持台温度、成長時間、成長の手順も比較例と同様とした。
12 ガス導入口
13 ガス出口
14 加熱ヒーター
15 金属アルミニウム
16 酸素捕獲器または成長反応器
21 容器
22 キャリアガス導入口
23 出口配管
24 加熱ヒーター
25 Al系III族ハロゲン化物固体
26 酸素捕獲器または成長反応器
31 容器
32 ガス導入口
33 ガス出口
34 加熱ヒーター
35 金属アルミニウム
36 ボート
41 Al系III族ハロゲン化物ガス発生器
42 酸素捕獲器
43 成長反応器
51 反応管
52 金属アルミニウム
53 配管
54 ガス出口
55 加熱ヒーター
61 Al系III族ハロゲン化物固体気化装置
62 酸素捕獲器
63 成長反応器
71 Al系III族ハロゲン化物ガス供給ノズル
72 成長反応管
73 外部加熱装置
74 加熱支持台
75 基板
Claims (6)
- ハロゲン化アルミニウムを含むアルミニウム系III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、該アルミニウム系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウムと接触させた後に反応域に流出せしめることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- アルミニウム系III族ハロゲン化物ガスと金属アルミニウムとを100〜700℃で接触させることを特徴とする請求項1記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- 金属アルミニウムの純度が99.99%以上であることを特徴とする請求項1または2記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- アルミニウム系III族窒化物結晶が、窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1〜3記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- アルミニウム系III族窒化物結晶が、窒化アルミニウム、並びに窒化ガリウムおよび/または窒化インジウムからなる混晶であって、窒化アルミニウムの組成比が20モル%以上であることを特徴とする請求項1〜3記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- 請求項1〜5記載の製造方法によって得られることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶積層基板。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009073702A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujikura Ltd | 窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法 |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP2009283785A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
JP2009283895A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-12-03 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体積層構造体 |
WO2012081670A1 (ja) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | 株式会社トクヤマ | アルミニウム系iii族窒化物単結晶の製造方法 |
JP2012166963A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Tokuyama Corp | 三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法 |
WO2014200001A1 (ja) | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社トクヤマ | アルミニウム系iii族窒化物単結晶の製造方法 |
JP2022015035A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 株式会社リンテック | 塩化物ガス供給方法とその装置及びそのシステム |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856324A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
JPS61118614A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エンコ−ダの製造方法 |
JPS61185918A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相法エピタキシヤル結晶成長装置 |
JPS6360523A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸素除去装置 |
JPS6373617A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体の気相成長法 |
JPH04130625A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH08213332A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Semiconductor Res Found | 半導体の製造方法 |
JP2002173393A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-06-21 | Ngk Insulators Ltd | Iii−v族窒化物膜の製造装置及び製造方法 |
JP2003303774A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Nokodai Tlo Kk | Al系III−V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III−V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418655Y2 (ja) * | 1985-01-09 | 1992-04-27 |
-
2005
- 2005-08-03 JP JP2005225152A patent/JP4749792B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856324A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
JPS61118614A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エンコ−ダの製造方法 |
JPS61185918A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相法エピタキシヤル結晶成長装置 |
JPS6360523A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸素除去装置 |
JPS6373617A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体の気相成長法 |
JPH04130625A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH08213332A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Semiconductor Res Found | 半導体の製造方法 |
JP2002173393A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-06-21 | Ngk Insulators Ltd | Iii−v族窒化物膜の製造装置及び製造方法 |
JP2003303774A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Nokodai Tlo Kk | Al系III−V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III−V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009073702A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujikura Ltd | 窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法 |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP2009283785A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
JP2009283895A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-12-03 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体積層構造体 |
WO2012081670A1 (ja) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | 株式会社トクヤマ | アルミニウム系iii族窒化物単結晶の製造方法 |
US9145621B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-09-29 | Tokuyama Corporation | Production method of an aluminum based group III nitride single crystal |
JP2012166963A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Tokuyama Corp | 三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法 |
WO2014200001A1 (ja) | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社トクヤマ | アルミニウム系iii族窒化物単結晶の製造方法 |
US9708733B2 (en) | 2013-06-10 | 2017-07-18 | Tokuyama Corporation | Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy |
JP2022015035A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 株式会社リンテック | 塩化物ガス供給方法とその装置及びそのシステム |
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Publication number | Publication date |
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