JPH04130625A - 気相結晶成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は１反応管内の不純物気体を取り除くことので
きる気相結晶成長装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来の気相結晶成長装置を示す断面図である。

図において、（１）は反応ガス導入口、（２）は反応管
、（８）はサセプター、（４）は排気口である。また図
中の矢印は反応ガスの流れを表している。

次に動作について説明する。反応ガス導入口（１）より
反応管（２）に導入された反応ガス、たとえばトリメチ
ルアルミニウムやトリメチルインジウムといつ念有機金
属化合物とアルシンやホスフィンといった水素化合物は
サセプタ（８）の上部で加熱されサセプタ（８）上にの
せられたガリウム砒素、インジ９ムリン等の基板上へ堆
積する。未反応分の反応ガスは排気口ｔ、４）よシ排気
される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の気相結晶成長装置は以上のように構成されている
ので、エピタキシャル層中にアルミニウムを含む半導体
レーザー装置、例えばＡ／ＩｎＧａＰの活性層をもつ可
視光用レーザー装置をこの気相結晶成長装置で製作する
場合、反応管中に存在する微量の酸素がエピタキシャル
層中にとりこまれ、半導体レーザ装置の特性を著しく低
下させているという問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消する九めになされ
たもので、反応管中に存在する酸素等の不純物を取り除
くことのできる気相結晶成長装置を得ることを目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る気相結晶成長装置は、結晶成長を始める
前、あるいは成長中にアルミニウムやチタンなどの物質
を導入する機構を備えたものである。

〔作用〕

この発明における気相結晶成長装置は、結晶成長を始め
る前、あるいは成長中にアルミニウムやチタンなどの物
質を反応管内へ導入、加熱することにより反応管中に存
在する酸素等の不純物ガスを取り除くことができる。　
これにより酸素等に汚染されないエピタキシャル層を得
、特性の良いレーザー素子を得る。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。なお
、従来の技術の説明と重複する部分は、適宜その説明を
省略する。

第１図において％（１）〜（４）は従来のものと同じも
、（５）はアルミニウムやチタンの入った容器、（６）
はこの容器（５）を搬入するために設けられた前室であ
る。また、第２図はこの容器（６）を反応管中へ搬入し
た後の状態を示す図である。

第１図において、キャリアガスが反応管（２）に流れて
いる状態のときに前室（６）よりアルミニウムやチタン
等の物質の入った容器（６）を反応管（２）内サセプタ
ー（８）上に搬入する。サセプター（８）は高周波加熱
により６０　ｃｆｏ以上の温度に加熱され、容器（５）
内の物質を活性化する。これにより反応管（２）の残留
酸素等の不純物が除去されるため、そののち再び容器（
５！を前室（６）へ搬出したのち１反応管（２）に反応
ガスを流して成長工程を開始する。

なお、上記実施例では結晶成長を始める前にアルミニウ
ムやチタンでのゲッタリングを行なうものを示したが、
ゲッタリングする物質を選べば結晶成長中に反応管内で
ゲッタリングを行なうこともできる。

また、上記実施例では横型反応管をもつ有機金属気相結
晶成長（Ｍ　Ｄ　ＯＶ　Ｄ）装置の場合について説明し
たが、縦型反応管をもつ装置であってもよく、またＭＢ
ｔＣ装置や他のどんな気相成長装置を用いる場合であっ
ても同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明では反応管内へＡ／−？Ｔｉ等
の物質を搬入できる機構を設けたので、反応管中の酸素
等の不純物が除去され、良い特性をもったエピタキシャ
ル層が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はこの発明における気相結晶成長装置の
反応管周辺の断面図、第３図は従来の気相結晶成長装置
の反応管周辺の断面図である。 図において、（２）は反応管、（６）はアルミニウム。 チタン等の物質が入った容器、ｃ６）は前室である。 なお、図中、同一符号は同一　又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 結晶成長前、あるいは成長中にアルミニウムやチタンと
   いつた物質を反応管内へ導入できる機構を備えた気相結
   晶成長装置。