JP2007035864A - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】BGA構造を適用した半導体パッケージのより一層の薄型化、また半導体素子のより一層の高密度実装化等を図る。
【解決手段】半導体パッケージ1は、表裏両面に形成された電極部6、9の配線網を有する回路基板3をパッケージ基体として具備する。回路基板3の裏面には、表裏両面の電極部6、9とそれぞれ配線網を介して接続された金属バンプ2が外部接続端子として形成されている。回路基板3の表面側に設けられた第1の素子搭載部5上には、表面側の電極部6と電気的に接続された1個もしくは複数個の半導体素子11、12が搭載されている。回路基板3の裏面側に設けられた第2の素子搭載部8上には、裏面側の電極部9と電気的に接続された1個もしくは複数個の半導体素子19、23が搭載されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体パッケージ1は、表裏両面に形成された電極部6、9の配線網を有する回路基板3をパッケージ基体として具備する。回路基板3の裏面には、表裏両面の電極部6、9とそれぞれ配線網を介して接続された金属バンプ2が外部接続端子として形成されている。回路基板3の表面側に設けられた第1の素子搭載部5上には、表面側の電極部6と電気的に接続された1個もしくは複数個の半導体素子11、12が搭載されている。回路基板3の裏面側に設けられた第2の素子搭載部8上には、裏面側の電極部9と電気的に接続された1個もしくは複数個の半導体素子19、23が搭載されている。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体パッケージに関する。
近年、半導体装置の小型化や高密度実装化等を実現するために、1つのパッケージ内に複数の半導体素子を積層して封止したスタック型マルチチップパッケージが実用化されている。このようなスタック型マルチチップパッケージにおいて、複数の半導体素子は回路基板上に順に積層される。各半導体素子の電極パッドは、回路基板の電極部とボンディングワイヤを介して電気的に接続される。そして、このような積層構造体を封止樹脂でパッケージングすることによって、スタック型マルチチップパッケージが構成される。
上記したスタック型マルチチップパッケージの外部基板との接続構造としては、一般に半導体素子を搭載した回路基板の裏面側に半田ボール等を外部接続端子として形成したBGA構造が使用されている(例えば特許文献1〜3参照)。このようなBGA構造を適用した半導体パッケージでは、外部接続端子としての半田ボールを回路基板の裏面全体に形成することによって、パッケージサイズの小型化が図られている。すなわち、素子搭載用基板には、半導体素子の搭載部とその周囲に電極部を配置することが可能な面積を有する回路基板が用いられており、そのような回路基板の素子直下を含む裏面全体に半田ボールを形成することによって、パッケージサイズが大型化することを防いでいる。
しかしながら、従来のスタック型マルチチップパッケージでは複数の半導体素子を回路基板の表面側のみに積層して搭載していることから、パッケージの薄型化を維持した上で半導体素子の積層数を増やすことに限界がある。また、半導体パッケージの用途によってはより一層の薄型化が求められるが、従来のスタック型マルチチップパッケージは半導体素子の積層数に応じてパッケージの厚さが厚くなることが避けられない。半導体パッケージはより大容量のメモリ装置や制御のためのロジック製品等への対応が求められており、このために半導体素子のさらなる搭載数の増大や薄型化を図ることが望まれている。
特開2003-179200号公報
特開2004-072009号公報
特開2004-193363号公報
本発明は、BGA構造を適用したパッケージのより一層の薄型化、また半導体素子のより一層の高密度実装化等を実現することを可能にした半導体パッケージを提供することを目的としている。
本発明の一態様に係る半導体パッケージは、表裏両面に形成された電極部の配線網を有する回路基板と、前記回路基板の表面側に設けられた第1の素子搭載部と、前記回路基板の裏面側に設けられた第2の素子搭載部と、前記回路基板の裏面に前記第2の素子搭載部を囲うように設けられ、かつ前記電極部の少なくとも一部と前記配線網を介して接続された金属バンプからなる外部接続端子とを備えるパッケージ基体と、前記パッケージ基体の前記第1の素子搭載部上に搭載され、かつ前記表面側の電極部と電気的に接続された少なくとも1つの半導体素子を有する第1の素子群と、前記パッケージ基体の前記第2の素子搭載部上に搭載され、かつ前記裏面側の電極部と電気的に接続された少なくとも1つの半導体素子を有する第2の素子群とを具備することを特徴としている。
本発明の一態様に係る半導体パッケージによれば、BGA構造を適用したパッケージのより一層の薄型化、さらには半導体素子のより一層の高密度実装化等を実現することが可能となる。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。
図1は本発明の第1の実施形態によるBGA構造の半導体パッケージの構成を示す断面図、図2はその要部を示す断面図である。これらの図に示す半導体パッケージ1は、外部接続端子として金属バンプ2を有する回路基板3をパッケージ基体として具備している。回路基板3は樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の各種絶縁基板の内部や表面に配線網4を設けたものであり、具体的にはガラス−エポキシ樹脂やBT樹脂(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)等を使用した多層プリント配線板を適用することができる。
上述したような回路基板3の表面側には第1の素子搭載部5が設けられており、さらにその周囲には第1の電極部6が形成されている。第1の電極部6はワイヤボンディング時のボンディング部となるものであり、回路基板3の内部配線(ビア、内部配線層、スルーホール等を含む)7を介して金属バンプ2と電気的に接続されている。一方、回路基板3の裏面側には第2の素子搭載部8が設けられており、その周囲には第2の電極部9が形成されている。第2の電極部9は回路基板の内部配線(ビア、内部配線層等を含む)10を介して金属バンプ2と電気的に接続されている。
このように、回路基板3は表裏両面にそれぞれ素子搭載部5、8と電極部6、9とを有しており、さらに表裏両面の電極部6、9はそれぞれ独立した内部配線7、10を介して外部接続端子としての金属バンプ2と電気的に接続されている。図1に示す回路基板3は、スルーホールを有するコア基板3aとその両面に形成されたビルドアップ層3b、3cとを有している。ビルドアップ層3bは第1の電極部6の内部配線7を構成しており、ビルドアップ層3cは第2の電極部8の内部配線10を構成している。すなわち、外部接続端子に対する配線は回路基板3の表裏両面に設けられた電極部6、9まで延伸しており、それぞれが独立した電気配線機能を有している。
外部接続端子としての金属バンプ2は、回路基板3の裏面に第2の素子搭載部8および第2の電極部9を囲うように設けられている。このように、金属バンプ2を回路基板3の裏面外周側に配置することによって、金属バンプ2を用いた外部接続構造(BGA構造)を適用した上で、回路基板3の裏面側にも第2の素子搭載部8を設置することが可能となる。なお、金属バンプ2は半田ボールで形成することが一般的であるが、これに限られるものではなく、場合によっては他の低融点金属ボールで構成してもよい。
回路基板3の第1の素子搭載部5上には、第1の半導体素子11が第1の接着層12を介して接着されている。第1の接着層12には一般的な絶縁樹脂製のダイアタッチ材を適用することができる。第1の半導体素子11の上面側に設けられた第1の電極パッド13は、第1のボンディングワイヤ14を介して第1の電極部6と接続されている。さらに、第1の半導体素子11上には第2の半導体素子15が第2の接着層16を介して接着されている。第2の接着層16は接着剤として機能する絶縁樹脂により構成されている。第2の半導体素子15の上面側に設けられた第2の電極パッド17は、第2のボンディングワイヤ18を介して第1の電極部6と接続されている。これら第1および第2の半導体素子11、15は第1の素子群を構成している。
一方、回路基板3の第2の素子搭載部8上には、第3の半導体素子19が第3の接着層20を介して接着されている。第3の接着層20は第1の接着層12と同様である。第3の半導体素子19の上面側に設けられた第3の電極パッド21は、第3のボンディングワイヤ22を介して第2の電極部9と接続されている。さらに、第3の半導体素子19上には第4の半導体素子23が第4の接着層24を介して接着されている。第4の接着層24は第2の接着層16と同様に、接着剤として機能する絶縁樹脂により構成されている。第4の半導体素子23の上面側に設けられた第4の電極パッド25は、第4のボンディングワイヤ26を介して第2の電極部9と接続されている。これら第3および第4の半導体素子19、23は第2の素子群を構成している。
そして、回路基板3の表面側はボンディングワイヤ14、18を含めて第1および第2の半導体素子11、15をエポキシ樹脂等の封止樹脂27を用いて封止し、同様に回路基板3の裏面側はボンディングワイヤ22、26を含めて第3および第4の半導体素子19、23を封止樹脂28で封止することによって、BGA構造の半導体パッケージ1が構成されている。このように、外部接続端子としての金属バンプ2を回路基板3の裏面外周側に配置することによって、回路基板3の表面側のみならず、裏面側にも半導体素子19、23を積層して搭載することができる。
この実施形態によれば半導体素子の搭載数を増加させることができることから、例えば大容量のメモリ装置等に対応した半導体パッケージ1を提供することが可能となる。また、裏面側の半導体素子19、23による厚さは外部接続端子としての金属バンプ2の高さ内に収められているため、回路基板の表面側のみに半導体素子を搭載していた従来の半導体パッケージと同等の厚さを維持した上で、裏面側に搭載した半導体素子19、23の数だけ搭載数を増やすことができる。すなわち、半導体パッケージ1の薄型化を維持した上で、半導体素子の搭載数を増やすことが可能となる。
上述した半導体パッケージ1において、第1の半導体素子11と第2の半導体素子15の形状、および第3の半導体素子19と第4の半導体素子23の形状は、上段側を下段側より小形とするか、もしくはそれぞれほぼ同形状とする。積層する半導体素子がほぼ同形状を有する場合、第1および第3のボンディングワイヤ14、22上には第2および第4の半導体素子15、23が存在することになるため、これらの接触を防ぐことが重要となる。そこで、各素子間(第1および第2の半導体素子11、15間、第3および第4の半導体素子19、23間)は、第2および第4の接着層16、24として機能する絶縁樹脂が充填されていることが好ましい。
例えば、各素子間にそれらより小形のスペーサを配置した場合には、第2および第4の半導体素子15、23の電極パッド17、25の下方が中空状態となるため、これらのボンディング荷重で第2および第4の半導体素子15、23に撓みが生じるおそれがある。第2および第4の半導体素子15、23のボンディング荷重による撓みは、第2および第4のボンディングワイヤ18、26のボンディング不良、第1および第3のボンディングワイヤ14、22の接続不良、半導体素子15、23の割れ等の発生原因となる。
そこで、この実施形態では第1の半導体素子11と第2の半導体素子15との間に第2の接着層16として機能する絶縁樹脂を充填している。同様に、第3の半導体素子19と第4の半導体素子23との間には第4の接着層24として機能する絶縁樹脂を充填している。このため、第1のボンディングワイヤ14の第1の半導体素子11との接続側端部は絶縁樹脂層(第2の接着層16)内に、また第3のボンディングワイヤ22の第3の半導体素子19との接続側端部は絶縁樹脂層(第4の接着層24)内に埋め込まれている。
このように、積層した半導体素子間に絶縁樹脂層(第2および第4の接着層16、24)を充填することによって、第2および第4のボンディングワイヤ18、26のボンディング荷重による第2および第4の半導体素子15、23の撓みを抑制することができる。これによって、半導体素子15、23の撓みに起因するボンディング不良や下段側のボンディングワイヤ14、22との接触、ワイヤ変形、さらには半導体素子15、23のクラックや割れ等を抑制することが可能となる。
そして、絶縁樹脂層16、24で半導体素子15、23の撓みを抑制することで、これら半導体素子15、23の厚さを薄くすることができる。具体的には、半導体素子15、23の厚さを70μm以下とすることができる。従って、半導体パッケージ1のより一層の薄型化を実現することが可能となる。さらに、第1および第3のボンディングワイヤ14、22の素子接続側端部は絶縁樹脂層16、24内に埋め込まれているため、それ以降の製造工程や搬送工程等で第1および第3のボンディングワイヤ14、22の剥がれ等による接続不良の発生を抑制することができる。
上述したように、第1の半導体素子11と第2の半導体素子15との間隔、および第3の半導体素子19と第2の半導体素子23との間隔は、それぞれ絶縁樹脂層16、24で維持されることになる。従って、下段側の半導体素子11、19上に上段側の半導体素子15、23を接着する際に、下段側のボンディングワイヤ14、22と上段側の半導体素子15、23との接触を防止することが重要となる。これらボンディングワイヤ14、22と半導体素子15、23との接触は、例えば接着層(絶縁樹脂層)16、24の厚さをボンディングワイヤ14、22の高さより厚くすることで防ぐことができるが、これでは半導体パッケージ1全体としての厚さが厚くなってしまう。
そこで、第2の接着層16は図3に示すように、第2の半導体素子15の接着時温度で軟化または溶融する第1の樹脂層29と、第2の半導体素子15の接着時温度に対して層形状が維持される第2の樹脂層30とを有することが好ましい。図3では図示を省略したが、第4の接着層24も同様な2層構造とすることが好ましい。ここでは主として第1の半導体素子11と第2の半導体素子15との接着構造について説明するが、第3の半導体素子19と第4の半導体素子23との接着構造についても同様である。
2層構造の接着層16のうち、第1の樹脂層29は第1の半導体素子11側に配置され、第2の半導体素子15の接着時に接着剤層として機能すると共に、接着時温度で軟化または溶融して第1のボンディングワイヤ14の取り込みを可能にするものである。一方、第2の樹脂層30は第2の半導体素子15側に配置され、第2の半導体素子15の接着時に絶縁層として機能するものであり、これにより第1のボンディングワイヤ14と第2の半導体素子15との接触を確実に防ぐことが可能となる。
2層構造の接着層16(24)において、第1の樹脂層29の厚さは第1のボンディングワイヤ14の高さに応じて適宜に設定することが好ましい。第1のボンディングワイヤ14の高さ(第1の半導体素子11上における最大高さ)が60±15μmであるとした場合、接着時温度で軟化または溶融する第1の樹脂層29の厚さは、例えば75±15μmとすることが好ましい。一方、接着時温度に対して層形状を維持する第2の樹脂層30の厚さは、例えば5〜15μmの範囲とすることが好ましい。このような厚さの接着層16(24)を適用することで、半導体パッケージ1のさらなる薄型化を実現することができる。
また、各樹脂層29、30の機能を良好に発揮させる上で、第1の樹脂層29は接着時温度における粘度が1kPa・s以上100kPa・s以下であることが好ましい。第1の樹脂層29の接着時粘度が1kPa・s未満であると軟らかすぎて、接着剤樹脂が素子端面からはみ出すおそれがある。一方、第1の樹脂層29の接着時粘度が100kPa・sを超えると硬すぎて、第1のボンディングワイヤ14の変形や接続不良等を生じさせるおそれがある。第1の樹脂層29の接着時粘度は1〜50kPa・sの範囲であることがより好ましい。第2の樹脂層30は接着時温度における粘度が130kPa・s以上であることが好ましい。この粘度が130kPa・s未満であると、第2の半導体素子15を第1の半導体素子11に接着する際に層形状を維持することができず、第2の樹脂層30の絶縁層としての機能が損なわれる。第2の樹脂層30の接着時粘度は1000kPa・s以下であることが好ましい。
上述したような2層構造の接着層16は、例えば接着時温度で軟化または溶融するように調整したエポキシ樹脂層からなる第1の樹脂層29と、接着時温度に対して層形状が維持されるポリイミド樹脂層やシリコーン樹脂層等からなる第2の樹脂層30とを積層して2層構造の接着剤フィルムとし、これを予め第2の半導体素子15の裏面(接着面)側に貼り付けておくことにより得ることができる。ただし、このような材質が異なる2層構造の接着剤フィルムを用いた場合、第1の樹脂層29と第2の樹脂層30との熱膨張率の違い等に基づいて、第2の半導体素子15の接着工程後に素子間剥離が生じたり、また接着に要する製造コストの増加等を招くおそれがある。
そこで、2層構造の接着層16を構成する第1および第2の樹脂層29、30には、同一材質の絶縁樹脂を適用することが好ましい。このような絶縁樹脂としては、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性絶縁樹脂が挙げられる。同一材料で第1の樹脂層29と第2の樹脂層30を形成する場合、例えば同一の熱硬化性樹脂ワニスを用いて、第1の樹脂層29と第2の樹脂層30を形成する際の乾燥温度や乾燥時間を異ならせることで、接着時温度における挙動(機能)に違いを持たせることができる。すなわち、同一材質の絶縁樹脂で軟化または溶融層として機能する第1の樹脂層29と絶縁層として機能する第2の樹脂層30とを得ることができる。
例えば、支持体上に例えばエポキシ樹脂ワニス(Aステージ)を塗布した後、この塗布層を例えば150℃で乾燥させて半硬化状態(Bステージ)の第2の樹脂層30を形成する。次いで、第2の樹脂層30上に同一のエポキシ樹脂ワニス(Aステージ)を再度塗布し、この塗布層を例えば130℃で乾燥させて半硬化状態(Bステージ)の第1の樹脂層29を形成する。このような2層構造の樹脂層を支持体から剥離して接着剤フィルムとして使用する。2層構造の接着剤フィルムは予め第2の半導体素子15の裏面(接着面)側に貼り付けて使用することが好ましい。
そして、第1の樹脂層29の乾燥温度以上(130℃以上)で、かつ第2の樹脂層30の乾燥温度未満(150℃未満)の温度で加熱した場合、第2の樹脂層30は層形状が維持される一方で、第1の樹脂層29のみは軟化または溶融する。従って、第2の半導体素子15の接着時温度を上記したような温度範囲(例えば130℃以上150℃未満)とすることによって、第2の樹脂層30を絶縁層として機能させた上で、第1の樹脂層29を軟化または溶融させることができる。
なお、図1および図2では回路基板3の表裏両面にそれぞれ2個の半導体素子を積層した構造について説明したが、半導体素子の積層数はこれに限られるものではなく、積層する素子数は3個もしくはそれ以上であってもよい。また、回路基板3の表裏両面に複数の半導体素子を積層した構造に限られるものではなく、回路基板3のいずれか一方の素子搭載部には1個の半導体素子を搭載した構造を適用することも可能である。このように、回路基板3の表裏両面に対する半導体素子の搭載数は適用装置や用途等に応じて適宜に設定することができる。
さらに、回路基板3の表裏両面に搭載する半導体素子の数は、例えば図4に示すようにそれぞれ1個であってもよい。すなわち、半導体パッケージ1は回路基板3の第1の素子搭載部5上に半導体素子11のみを搭載すると共に、第2の素子搭載部8上に半導体素子19のみを搭載した構造を有していてもよい。このような素子搭載構造を有する半導体パッケージ1においては、裏面側の半導体素子19による厚さが金属バンプ2の高さ内に収められるため、マルチチップパッケージとしての機能を得たうえで、パッケージ厚さをより一層薄くすることが可能となる。
次に、本発明の第2の実施形態による半導体パッケージについて、図5を参照して説明する。図5は第2の実施形態によるBGA構造の半導体パッケージの構成を模式的に示す断面図である。なお、前述した第1の実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。
図5に示す半導体パッケージ40は、第1の実施形態と同様に、外部接続端子として金属バンプ2を有する回路基板3をパッケージ基体として具備している。回路基板3の表面側には第1の素子搭載部5が設けられており、さらにその周囲には第1の電極部6が形成されている。第1の電極部6は回路基板3の内部配線(図示せず)を介して金属バンプ2と電気的に接続されている。一方、回路基板3の裏面側には第2の素子搭載部8が設けられており、その周囲には第2の電極部9が形成されている。第2の電極部9は回路基板の内部配線(図示せず)を介して金属バンプ2と電気的に接続されている。なお、回路基板3の具体的な構造は図2に示した通りである。
回路基板3の第1の素子搭載部5上には、第1の半導体素子11が第1の接着層12を介して接着されている。第1の半導体素子11は第1のボンディングワイヤ14を介して第1の電極部6と接続されている。さらに、第1の半導体素子11上には第2の半導体素子15が第2の接着層16を介して接着されている。第2の接着層16は第1の実施形態と同様に、接着剤として機能する絶縁樹脂により構成されており、その具体的な構造(充填構造、層構造、構成材料等)については第1の実施形態と同様とすることが好ましい。第2の半導体素子15は第2のボンディングワイヤ18を介して第1の電極部6と接続されている。これらは第1および第2の半導体素子11、15は第1の素子群を構成しており、その具体例としてはNAND型フラッシュメモリ等のメモリ素子が挙げられる。
一方、回路基板3の第2の素子搭載部8上には、第3の半導体素子19のみが第3の接着層20を介して接着されている。第3の半導体素子19は第3のボンディングワイヤ22を介して第2の電極部9と接続されている。第2の実施形態の半導体パッケージ40における第2の素子群は、第1および第2の半導体素子11、15より小形の半導体素子19で構成されている。このような半導体素子19の具体例としては、メモリ素子としての第1および第2の半導体素子11、15のコントローラ素子が挙げられる。
なお、メモリ素子としての第1および第2の半導体素子11、15が回路基板3の内部配線を介してコントローラ素子としての半導体素子19に接続されているような構造であってもよい。この場合、第1および第2の半導体素子11、15への外部からのアクセスは半導体素子19を介して行われる。すなわち、金属バンプ2には回路基板3の裏面側に設けられた第2の電極部9のみが電気的に接続される。このように、金属バンプ2は回路基板3の表面側に設けられた第1の電極部6と裏面側に設けられた第2の電極部9の少なくとも一部に接続されるものである。
上述したように、表面側の半導体素子11、15より小形の半導体素子19を回路基板3の裏面側に搭載することによって、回路基板3の裏面に占める素子搭載部8の面積を減らすことができる。従って、金属バンプ2は通常のパッケージと同様に配置することが可能となる。言い換えると、回路基板3の裏面側には小形の半導体素子19を搭載することによって、表面側の半導体素子11、15に対応させた形状並びに大きさを有する回路基板3を用いた場合においても、外部接続端子としての金属バンプ2の配置領域を確保することができる。
すなわち、金属バンプ2は第2の素子搭載部8および第2の電極部9の周囲に配置されているものの、この配置領域は表面側の半導体素子11、15に対応させた回路基板3内に収められている。従って、パッケージサイズの大型化を抑制した上で、半導体素子の搭載数を増加させた半導体パッケージ40を提供することができる。言い換えると、半導体パッケージの大きさや厚さを維持した上で、裏面側に搭載した半導体素子19の数だけ搭載数を増やすことが可能となる。
なお、金属バンプ2や回路基板3の具体的な構成、半導体素子11、15、19の搭載構造(高さh等を含む)、積層した半導体素子11、15間の接着構造、ボンディングワイヤ14、18、22の接続構造等は、前述した第1の実施形態と同様とすることが好ましい。また、回路基板3の裏面側に搭載する半導体素子19と回路基板3との接続構造はワイヤボンディング接続に限らず、例えば図6に示すようなフリップチップ接続を適用してもよい。図6において、符号41はフリップチップ接続用の金属バンプを示している。さらに、回路基板3の表面側に搭載する半導体素子の数は2個に限られるものではなく、3個もしくはそれ以上の半導体素子を積層して搭載してもよい。
本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、回路基板の両面に1個もしくは複数個の半導体素子を搭載した各種のBGAパッケージに適用することができる。そのような半導体パッケージも本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1,40…半導体パッケージ、2…金属バンプ、3…回路基板、4…配線網、5…第1の素子搭載部、6…第1の電極部、8…第2の素子搭載部、9…第2の電極部、11…第1の半導体素子、12…第1の接着層、14,18,22,26…ボンディングワイヤ、15…第2の半導体素子、16…第2の接着層(絶縁樹脂層)、19…第3の半導体素子、20…第3の接着層、23…第3の半導体素子、24…第4の接着層(絶縁樹脂層)、29…第1の樹脂層、30…第2の樹脂層。
Claims (5)
- 表裏両面に形成された電極部の配線網を有する回路基板と、前記回路基板の表面側に設けられた第1の素子搭載部と、前記回路基板の裏面側に設けられた第2の素子搭載部と、前記回路基板の裏面に前記第2の素子搭載部を囲うように設けられ、かつ前記電極部の少なくとも一部と前記配線網を介して接続された金属バンプからなる外部接続端子とを備えるパッケージ基体と、
前記パッケージ基体の前記第1の素子搭載部上に搭載され、かつ前記表面側の電極部と電気的に接続された少なくとも1つの半導体素子を有する第1の素子群と、
前記パッケージ基体の前記第2の素子搭載部上に搭載され、かつ前記裏面側の電極部と電気的に接続された少なくとも1つの半導体素子を有する第2の素子群と
を具備することを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項1記載の半導体パッケージにおいて、
前記第1および第2の素子群はそれぞれ積層された複数の半導体素子を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項1記載の半導体パッケージにおいて、
前記第1の素子群は積層された複数の半導体素子を有し、かつ前記第2の素子群は前記第1の素子群を構成する半導体素子より小形の半導体素子を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項3記載の半導体パッケージにおいて、
前記第1の素子群は前記半導体素子として積層された複数のメモリ素子を有し、かつ前記第2の素子群は前記半導体素子として前記メモリ素子のコントローラ素子を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項2ないし請求項4のいずれか1項記載の半導体パッケージにおいて、
前記積層された複数の半導体素子間は絶縁樹脂層を介して接着されており、かつ下段側の前記半導体素子に接続されたボンディングワイヤの前記素子接続側の端部は前記絶縁樹脂層内に埋め込まれていることを特徴とする半導体パッケージ。
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