JP2007035724A - メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このメモリは、ダイオード11を含む複数のメモリセル12と、複数のビット線9と、ビット線9と交差するように配置され、メモリセル12に含まれるダイオード11のカソードおよびワード線10として機能するn型不純物領域21とを備えている。また、n型不純物領域21は、所定数のビット線9からなるビット線群13毎に分割されている。
【選択図】図1
Description
9 ビット線
10 ワード線
11 ダイオード
12 メモリセル
13 ビット線群
13a メモリセルブロック
14 ワード線選択トランジスタ(選択トランジスタ、第1選択トランジスタ)
15 ワード線選択トランジスタ(選択トランジスタ、第2選択トランジスタ)
16 ゲート線(第1ゲート線)
17 ゲート線(第2ゲート線)
21 n型不純物領域(第1不純物領域)
23 不純物領域(第2不純物領域)
Claims (6)
- ダイオードを含む複数のメモリセルと、
複数のビット線と、
前記ビット線と交差するように配置され、前記メモリセルに含まれる前記ダイオードの一方電極およびワード線として機能する第1不純物領域とを備え、
前記第1不純物領域は、所定数の前記ビット線からなるビット線群毎に分割されている、メモリ。 - 前記複数のメモリセルは、それぞれ、前記分割された第1不純物領域と前記複数のビット線との交点に配置されており、
所定の前記ビット線群に含まれる前記所定数のビット線と、前記所定のビット線群に対応する前記第1不純物領域との交点に配置された前記メモリセルによりメモリセルブロックが構成されており、
選択された前記メモリセルへのアクセス時には、前記選択されたメモリセルを含む前記メモリセルブロック中の前記選択されたメモリセルに対応する前記第1不純物領域に第1電位を供給するとともに、前記選択されたメモリセルを含む前記メモリセルブロック中の前記選択されたメモリセルに対応する前記第1不純物領域以外の前記第1不純物領域に第2電位を供給する、請求項1に記載のメモリ。 - 前記複数に分割された第1不純物領域毎に設けられ、前記選択されたメモリセルを含むメモリセルブロックに対応する前記第1不純物領域を選択して前記第1電位または前記第2電位を供給するための選択トランジスタをさらに備え、
前記第1不純物領域は、前記選択トランジスタのソース/ドレイン領域の一方として機能する、請求項2に記載のメモリ。 - 前記選択トランジスタのソース/ドレイン領域の他方として機能する第2不純物領域と、
前記第2不純物領域に接続され、前記メモリセルへのアクセス時に前記第1電位または前記第2電位を供給する配線とをさらに備える、請求項3に記載のメモリ。 - 前記選択トランジスタは、隣接する2つの前記第1不純物領域をそれぞれ選択するための第1選択トランジスタおよび第2選択トランジスタを含み、
前記第1選択トランジスタと前記第2選択トランジスタとは、前記第2不純物領域を共有している、請求項4に記載のメモリ。 - 前記第1不純物領域の延びる方向に交差する方向に沿って延びるように設けられ、所定の前記メモリセルブロックに対応して設けられた複数の前記第1選択トランジスタの共通のゲート電極として機能する第1ゲート線と、
前記第1不純物領域の延びる方向に交差する方向に沿って延びるように設けられ、前記所定のメモリセルブロックに隣接する前記メモリセルブロックに対応して設けられた複数の前記第2選択トランジスタの共通のゲート電極として機能する第2ゲート線とをさらに備え、
前記第1ゲート線または前記第2ゲート線にブロック選択信号が与えられることにより、対応する前記第1選択トランジスタまたは前記第2選択トランジスタがオン状態になることによって、対応する前記メモリセルブロックが活性化される、請求項5に記載のメモリ。
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