JP2007035597A

JP2007035597A - プラズマ処理装置および処理方法

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Publication number: JP2007035597A
Application number: JP2005221505A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Tamura; 仁田村
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2005-07-29
Filing date: 2005-07-29
Publication date: 2007-02-08
Anticipated expiration: 2025-07-29
Also published as: JP4732057B2

Abstract

【課題】プラズマの高い均一性とプラズマの安定性を高めたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室０１１１と、処理室内に設けられ被処理基板０１１２が配置される基板電極０１１３と、処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置０１０１と、処理室内に処理ガスを供給する供給系（図示省略）と、処理室内を排気するための真空排気系（図示省略）とを有するプラズマ処理装置において、電磁波発生装置０１０１が周波数の制御された電磁波を発生し、電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構０１０６を備えた。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置に係わり、特に処理の均一化を図るのに好適なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。

従来のプラズマ処理装置であるエッチング装置として、空洞等を介してマイクロ波をプラズマ処理室に投入し、低圧でも高密度のプラズマを安定して発生することができる装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。さらに、この装置は、処理室に静磁界を加えることで、プラズマの拡散や発生を調整してプラズマ分布を制御することができる。
特開平７−２３５３９４号公報

上述の従来技術では、空洞共振器等を用いることで、プラズマ発生用電磁波の分布を制御して均一なプラズマ処理を行っている。しかし、特許文献１記載のプラズマ処理装置のうち、例えば、図２４および図２５記載のプラズマ処理装置のように、マイクロ波の導入を側面から行う場合、処理条件によっては、処理基板の中心軸に対し垂直な面内でのプラズマ分布が該中心軸の方位角方向に均一でないため、これに起因したプラズマ処理の不均一が現れる場合があった。

本発明は、マイクロ波の偏波面を時間的に変化させたり、または偏波面の異なるマイクロ波を複数同時に投入したりすることで、上記プラズマ分布の不均一を緩和できる。そのためこれに起因するプラズマ処理の不均一を緩和することができる。

本発明によれば、マイクロ波電力分布不均一に起因するプラズマ処理の不均一を緩和できる。

本発明にかかるプラズマ処理装置の構成を説明する。本発明にかかるプラズマ処理装置は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを備え、前記電磁波発生装置が周波数の制御された電磁波を発生し、該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた。

本発明にかかるプラズマ処理装置は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを備え、前記電磁波発生装置が周波数変調された電磁波を発生し、該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた。

本発明にかかるプラズマ処理装置は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とをそなえ、前記電磁波発生装置が複数の周波数成分を有する電磁波を発生し、該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた。

本発明にかかるプラズマ処理装置は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを備え、前記電磁波発生装置が振幅変調された電磁波を発生し、該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた。

本発明にかかるプラズマ処理装置は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを備え、前記電磁波発生装置が複数の電磁波を発生し、該複数の電磁波の周波数がわずかに異なり、該複数の電磁波の電界ベクトルが互いに平行でないようにした。

本発明にかかるプラズマ処理方法は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、前記電磁波発生装置が周波数の制御された電磁波を発生し、該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御するようにした。

本発明にかかるプラズマ処理方法は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、前記電磁波発生装置が周波数変調された電磁波を発生し、該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御するようにした。

本発明にかかるプラズマ処理方法は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、前記電磁波発生装置が複数の周波数成分を有する電磁波を発生し、該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御するようにした。

本発明にかかるプラズマ処理方法は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、前記電磁波発生装置が振幅変調された電磁波を発生し、該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御するようにした。

本発明にかかるプラズマ処理方法は、内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、前記電磁波発生装置が複数の電磁波を発生し、該複数の電磁波の周波数がわずかに異なり、該複数の電磁波の電界ベクトルが互いに平行でない複数の電磁波を用いるようにした。

本発明を用いた第１の実施例としてのエッチング装置の構成を、図１を用いて説明する。マイクロ波源０１０１により出力されたマイクロ波は、アイソレータ０１０２、自動整合機０１０３を介して方形導波管０１０４により伝送される。さらにコーナー導波管０１０５により、進行方向を曲げられた後、偏波面制御機構０１０６で偏波面が制御され、円形導波管０１０７、空洞部０１０８、誘電体窓０１０９、シャワープレート０１１０を通過して処理室０１１１内に導入される。処理室０１１１には図示しない真空排気系とガス導入系が接続され、プラズマ処理に適した雰囲気、圧力に保持することができる。

投入されたマイクロ波により、処理室０１１１内のガスがプラズマ化され、被処理基板０１１２に所定のプラズマ処理を行うことができる。

被処理基板０１１２は、基板電極０１１３の上に設置され、自動整合機０１１４を介してバイアス電源によるバイアス電位を加えることができる。これによりプラズマ中のイオンを被処理基板に引き込み、プラズマエッチング処理の高速化や高品質化を図ることができる。

マイクロ波としては、周波数変調可能な電源を用いた。マイクロ波源０１０１は、周波数２．４５ＧＨｚを中心に±２５ＭＨｚ幅で周波数変調されたマイクロ波を出力することができる。

偏波面制御機構０１０６の構造の例を、図２を用いて説明する。偏波面制御機構０１０６は、断面が正方形に近い長方形となる直方体となっており、マイクロ波の入力ポート（上面）側が方形のコーナー導波管０１０５に接続され、出力ポート（下面）側が、円形導波管０１０７に接続された直方体空洞共振器で構成される。図２−ａは、偏波面制御機構０１０６を上から見た図であり、上側にコーナー導波管０１０５の方形導波管部が直方体の上の四辺に対してそれぞれ４５度傾いて接続される。偏波面制御機構０１０６の直方体の上面には、接続スロット０２０１が、直方体の上面の四辺に対してそれぞれ４５度傾斜した方向に設けられている。

偏波面制御機構０１０６の内面寸法は、周波数２．４５ＧＨｚ±２５ＭＨｚで共振する寸法となっており、２．４５ＧＨｚ＋２５ＭＨｚで共振するときの電界ベクトルの方向が図２に示すｘ方向を向き、２．４５ＧＨｚ−２５ＭＨｚで共振するときの電界ベクトルの方向が図２に示すｙ方向を向くように構成されている。

図２−ｂは、偏波面制御機構０１０６の出力ポート側を下から見た図であり、円形導波管０１０７との接続面には、各スロットがそれぞれＸ方向またはＹ方向に向けられた十字状のスロット０２０２が設けられ、電界がｘ方向を向く場合も、ｙ方向を向く場合もスロット０２０２からマイクロ波が出力される。

図３および（１）式を用いて、直方体空洞共振器の形状および共振モードについて説明する。図３は、直方体空洞共振器の内面寸法と説明に用いる座標軸を示す。内面は完全導体であるとし、ｘ、ｙ、ｚ各方向の寸法がそれぞれａ，ｂ，ｃであるとする。各方向の電界Ｅ，磁界Ｈをそれぞれ添え字で表すと、ある共振モードについて下記（１）式のように表現できる。

下記表１に直方体空洞共振器の数値例を示す。例えば、表１に示す寸法で周波数２．４２５ＧＨｚと２．４７５ＧＨｚの共振周波数を持ち、それぞれの共振状態で、ｎ＝０、ｍ＝０に対応して電界がｙ方向、ｘ方向成分のみとなることが判る。この性質を利用して、直方体空洞共振器を励振する周波数を第１の共振周波数から第２の共振周波数に代えることで、電界の方向を制御することができる。

偏波面制御機構０１０６の内面の寸法を表１に示す寸法に設定し、内面を導電率の高い金属、例えばアルミニウムや銅または銀で製作した。前述の図２に示すように、ｘ軸、ｙ軸に対して４５度回転して、コーナー導波管０１０５の方形導波管部が接続され、さらに、同様にｘ軸、ｙ軸に対して４５度回転してスロット０２０１が設けられている。方形導波管部として内側の幅が、１０９．２ｍｍ、高さが５４．６ｍｍのＷＲＪ−２企画のものを用いた。この場合、方形導波管部の電界は、ｘ軸、ｙ軸に対して４５度傾いており、したがってスロット０２０１上で、スロットの長軸方向に垂直になる。そのため、スロット０２０１上の電界は、ｘ方向の電界成分とｙ方向の電界成分の両者を同程度持っている。スロット０２０１上の電界成分により直方体空洞共振器を励振する。

直方体空洞共振器の第１の共振周波数である２．４２５ＧＨｚで励振すると、共振により空洞共振器内ではｙ方向電界が支配的となる。同様に、第２の共振周波数である２．４７５ＧＨｚで励振すると、共振により空洞共振器内ではｘ方向電界が支配的となる。出力側には、図２に示す十字状のスロット０２０２が設けられており、どちらの周波数で共振した場合でも、十字の縦方向または横方向のスロット部がアンテナとして働き、出力側の円形導波管０１０７に制御された電界の方向でマイクロ波を出力することができる。

図４を用いて、座標軸を表示した円形導波管０１７０内の電界分布を説明する。円形導波管０１０７として直径９０ｍｍのものを用いた。内面は、銅伝率の高い金属、例えばアルミニウム、銅、銀などを用いた。偏波面制御機構０１０６により電界の方向を制御されたマイクロ波が円形導波管０１０７に入射する。周波数２．４７５ＧＨｚの場合ｘ方向の電界が支配的となり、図４の実線で示す概略ｘ方向を向いた電界０４０１が得られる。同様に周波数２．４２５ＧＨｚの場合破線で示す概略ｙ方向を向いた電界０４０２が得られる。

電界の方向を制御されたマイクロ波は、円形導波管０１０７からさらに空洞部０１０８、誘電体窓０１０９、シャワープレート０１１０を介して処理室０１１１に放射され、プラズマを発生させる。周波数２．４７５ＧＨｚと周波数２．４２５ＧＨｚを切り替えて使用することで、マイクロ波電界の方向が切り替わり、マイクロ波電界の不均一に起因するプラズマ処理の不均一も切り替わることになる。周波数の切換をプラズマ処理中に行うことによって、マイクロ波電界の不均一に起因するプラズマ処理の不均一が時間的に平均化され、これを緩和することが可能となる。

周波数の切り替えが低速の場合は、マイクロ波電界分布の変化に追従してプラズマも変化し得るが、切り替えが高速の場合には、電界分布の変化にプラズマの変化が追従できなくなる場合がある。一般にプラズマを構成する電子は質量が小さいため、電界の変化に高速に追従するが、一方、イオンは質量が大きいため電界の変化に追従しにくい。したがって、周波数の切り替えが高速の場合と低速の場合で、プラズマの組成や密度分布を調整でき、プラズマ処理特性の最適化を図ることが可能となる。

周波数の切り替えに際し、一方の周波数を供給する時間を他の周波数を供給する時間に比べて長くしてもよい。これにより不均一の分布を調整できる効果がある。例えば、真空排気系は、多くの場合、装置構成の簡略化の観点から処理室の中心軸に対して偏心して接続されることが多く、プロセス条件によっては、排気特性に非軸対称性が現れる場合もある。この場合、一方の周波数を他方の周波数に比べて長い時間で使用することで、これらの非軸対称性を緩和することができる。また、周波数の切り替えに同期してマイクロ波電力も切り替えることで、非軸対称性の補正効果を高めることも可能である。

第１の実施例では、周波数を２．４２５ＧＨｚと２．４７５ＧＨｚで切り替えて使用する場合を例にしたが、周波数はこれに限定されるものではない。また、周波数の切り替えをステップ状に行ってもよいし、連続的に行ってもよい。

以下、本発明の第２の実施例について説明する。第１の実施例では、マイクロ波源として、周波数調整可能なものを用いたが、第２の実施例では、出力電力を高速に所定のパターンで変化させることができるマイクロ波源を用いた。すなわち、この実施例に用いるマイクロ波源を振幅変調することは、複数の周波数成分の積み重ねで表現でき、高い周波数成分と低い周波数成分の存在によって、第１の実施例と同様な効果を得ることができる。本実施例における、他の構成要素については第１実施例の構成と同様であるので、説明を省略する。

下記（２）式に、マイクロ波電界の時間的な変化パターンの一例を示す。

上記（２）式は、正弦波で振幅変調を与えた場合であり、周波数の異なる３つの波の重ね合わせになることを示している。図１における偏波面制御機構０１０６で角周波数が（ω−ωａｍ）および（ω＋ωａｍ）で電界ベクトルの方向が９０度異なるように設定すれば、処理室に投入されるマイクロ波の一部の電界ベクトルの方向が変化し、第１の実施例と同様に振幅変調を与えない場合に比べてプラズマ処理の不均一を緩和することができる。

図５を用いて、本発明の第３の実施例を説明する。図５は、本発明を用いたエッチング装置の構造を示す図であり、図５−ａは装置を上から見た図、５−ｂは装置を横から見た一部断面図である。この実施例の大きな特徴は、周波数が僅かに異なる２つのマイクロ波を用いて、処理室中心軸に対して９０度異なる方向からマイクロ波を導入することにある。第１の実施例と共通する部分については、説明を省略する。

第１のマイクロ波源０５０１から出力されたマイクロ波は、アイソレータ０５０２、自動整合機０５０３を介して方形導波管により、マイクロ波の合成器０５０７に入射する。同様に第１のマイクロ波源０５０１と発振周波数の僅かに異なる周波数の第２のマイクロ波源０５０４から出力されたマイクロ波は、アイソレータ０５０５、自動整合機０５０６を介して方形導波管により、マイクロ波の合成器０５０７に伝送される。マイクロ波の合成器０５０７は、２つの互いに９０度の方向から入射する方形導波管を入力ポートとし、両者から入力したマイクロ波を合成して、円形導波管に出力する働きを持つ。円形導波管として内径９０ｍｍのものを用いた。方形導波管としては、内側の幅１０９．２ｍｍ、高さ５４．６ｍｍのＷＲＪ−２規格のものを用いた。

図６に、マイクロ波合成器０５０７の出力ポートである円形導波管１０７内の電界分布を模式的に示す。第１のマイクロ波源０５０１による電界ベクトル０６０２と、第２のマイクロ波源０５０４による電界ベクトル０６０１が互いにほぼ直交する。第１のマイクロ波源０５０１の発振周波数をｆ＋Δｆ、第２のマイクロ波源０５０４の発信周波数をｆ−Δｆとする。両者の電界がベクトル的に合成されて円形導波管内の電界ベクトル分布が決まる。

両者の周波数差２Δｆに従って合成された電界分布は時間的に変化してゆくことになる。第１のマイクロ波源０５０１と第２のマイクロ波源０５０４が同じ大きさの電力を出力しており、デルタｆがｆに比べて十分に小さいとして、円形導波管の中心で考えると、第１のマイクロ波源起因の電界と第２のマイクロ波源起因の電界は徐々に位相差が変化していくと近似的に考えてよい。

第１のマイクロ波源がｘ方向の電界Ｅｘ、第２のマイクロ波源がｙ方向の電界Ｅｙを与える場合に、位相差が変化していく状態を図７に示す。図において、横軸の時間はマイクロ波の１周期で正規化している。図７−ａは、位相差０度の場合で直線偏波となる。徐々に位相がずれてゆき位相差４５度の図７−ｂの状態から位相差９０度となると図７−ｃに示すように円偏波となる。さらに位相がずれてゆき位相差１３５度の図７−ｄの状態から位相差１８度になると図７−ｅに示すようにまた直線偏波となる。さらに位相がずれてゆき位相差２２５度の図７−ｆの状態から位相差２７０度になると図７−ｇに示すようにまた円偏波となる。そして位相差３１５度の図７−ｈの状態を経由して位相差３６０度すなわち位相差０度となって図７−ａに戻り直線偏波となる。

このように、この実施例では、周期的に方向が変化する電界ベクトルを持つマイクロ波が最終的に処理室でプラズマを発生させ、プラズマ処理を行うので、プラズマ処理が時間的に均一化される効果がある。

本発明の第１の実施例にかかるプラズマ処理装置の構成を説明する一部断面図。本発明にかかる偏波面制御機構入力ポートおよび出力ポートの構造を説明する図。本発明で用いる直方体空洞共振器の形状を説明する図。本発明の第１の実施例で用いる円形導波管内の電界分布を説明する模式図。本発明の第３の実施例にかかるプラズマ処理装置の構成を説明する上面図。本発明の第３の実施例にかかるプラズマ処理装置の構成を説明する一部断面図。本発明の第３の実施例で用いる円形導波管内の電界分布を説明する模式図。本発明の第３の実施例における位相差０度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差４５度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差９０度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差１３５度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差１８０度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差２２５度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差２７０度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。本発明の第３の実施例における位相差３１５度の合成電界ベクトルの状態を説明する図。

符号の説明

０１０１：マイクロ波源
０１０２：アイソレータ
０１０３：自動整合機
０１０４：方形導波管
０１０５：コーナー導波管
０１０６：偏波面制御機構
０１０７：円形導波管
０１０８：空洞部
０１０９：誘電体窓
０１１０：シャワープレート
０１１１：処理室
０１１２：被処理基板
０１１３：基板電極
０１１４：自動整合機
０１１５：バイアス電源
０２０１：スロット
０２０２：十字状のスロット
０４０１：電界
０４０２：電界
０５０１：第１のマイクロ波源
０５０２：アイソレータ
０５０３：自動整合機
０５０４：第２のマイクロ波源
０５０５：アイソレータ
０５０６：自動整合機
０５０７：マイクロ波の合成器
０６０１：電界ベクトル
０６０２：電界ベクトル

Claims

内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記電磁波発生装置が周波数の制御された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記電磁波発生装置が周波数変調された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記電磁波発生装置が複数の周波数成分を有する電磁波を発生し、
該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記電磁波発生装置が振幅変調された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する偏波面制御機構を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記電磁波発生装置が複数の電磁波を発生し、
該複数の電磁波の周波数がわずかに異なり、
該複数の電磁波の電界ベクトルが互いに平行でない
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記電磁波発生装置が周波数の制御された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記電磁波発生装置が周波数変調された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数に応じて偏波面を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記電磁波発生装置が複数の周波数成分を有する電磁波を発生し、
該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記電磁波発生装置が振幅変調された電磁波を発生し、
該電磁波の周波数成分に応じて偏波面を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
内部が減圧排気される処理室と、
前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される基板電極と、
前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記電磁波発生装置が複数の電磁波を発生し、
該複数の電磁波の周波数がわずかに異なり、
該複数の電磁波の電界ベクトルが互いに平行でない
複数の電磁波を用いる
プラズマ処理方法。