JPH1074599A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のプラズマ源であると、大口径かつ均一
なプラズマを得ることが困難であり、また、チャンバ壁
からのコンタミネーションの問題が発生するという欠点
があった。 【解決手段】 チャンバ２内へと高周波電界および磁界
を導入することにより、このチャンバ２内に低域混成波
を励起し、この低域混成波によりプラズマを発生させて
チャンバ２内に導入された基板３ａのプラズマ処理を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、ディ
スプレイ基板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、プ
リント基板、等を対象として、エッチング、アッシン
グ、デポジション、表面改質、表面クリーニング、等の
プラズマ処理を行うためのプラズマ処理方法およびその
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のＬＳＩ等の製造工程における半導
体基板等のエッチング、アッシング、デポジション、表
面改質、表面クリーニング、等においては、減圧下でプ
ラズマを発生させて基板を処理する各種のプラズマ処理
方法が広く用いられている。

【０００３】この種のプラズマ処理方法にあっては、近
年、半導体基板等の処理基板の大型化に伴って、処理室
内で発生させるプラズマの大口径化、および、高均一性
を有するプラズマの使用が要求されている。また、処理
基板上のデバイス構造の微細化に伴い、微細形状を選択
的に高速エッチングするために高真空のもとで高密度プ
ラズマを生成することも要求され、かつクリーンなプロ
セスであることが重視されている。

【０００４】前記要求に対し、高密度プラズマを生成す
る手法として、例えば、高周波誘導結合プラズマ（Indu
ctively Coupled Plasma、ＩＣＰ）、磁界を併用して共
鳴現象によりマイクロ波のエネルギーを効率よくプラズ
マ生成へ利用する電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プ
ラズマ、あるいは、有磁界のもとで誘導結合により励起
されるヘリコン波を利用したプラズマ、等を使用する試
みがなされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｉ
ＣＰでは、通常コイル状アンテナに高周波電流を流す際
に、高周波電源の接地電極と高周波電極とをアンテナ両
側に直接接続するだけのため、アンテナとプラズマとの
間に静電界が形成されてしまう。故に、アンテナ近傍の
チャンバ壁の誘電体表面に自己バイアスが形成されて、
プラズマ中の荷電粒子により、チャンバ壁がスパッタさ
れてしまうことになる。その結果発生する不純物が基板
性能、および特性等に悪影響を与えることになる。

【０００６】ＥＣＲプラズマは、マイクロ波（２．４５
ＧＨｚ）の使用に対して８７５ガウスの磁界強度の領域
で共鳴が生じるので、磁界配置によってプラズマの発生
が決定される。故に、発生領域で大面積、高均一性を確
保することが難しい。一般的には、プラズマ発生領域か
ら十分離れた、すなわち下流に処理基板を設置する構造
となる。このように、プラズマ発生領域より下流に基板
を設置するということは、その領域で要求される処理を
満たすのに十分な密度を確保するために、入力電力の増
加を招いてしまう。つまり、効率よく高密度なプラズマ
を得ることができない。

【０００７】一方、ヘリコン波プラズマは、上記ＥＣＲ
プラズマに比べ弱磁界（５０〜２００ガウス）のもとで
ＥＣＲよりも高密度プラズマの生成が期待されるもので
ある。しかし、プラズマ発生領域では中心付近に密度の
ピークを持つため、発生領域で大面積、高均一性を得る
ことは難しく、上記ＥＣＲと同様に、拡散領域を設ける
必要がある。また、上記ＥＣＲ、ヘリコン波プラズマ
は、真空容器の壁近傍でもプラズマが発生するため、チ
ャンバ壁からの不純物発生の問題も付随する。

【０００８】以上のように、上記従来のプラズマ生成法
であると、大面積で高均一性を確保することが困難であ
り、そして、高密度プラズマの生成が困難であり、さら
に、チャンバ壁等からの不純物発生を抑えたクリーンな
プラズマを生成することが困難であった。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、大口径においても高密度かつ高均一性を有するとと
もにコンタミネーションフリーなプラズマ処理をなし得
るプラズマ処理方法を提供することを目的とする。ま
た、そのようなプラズマ処理方法を実現し得るプラズマ
処理装置を提供することも、本発明の目的である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載のプラズマ
処理方法においては、チャンバ内へと高周波電界および
磁界を導入することにより、このチャンバ内に低域混成
波を励起し、この低域混成波によりプラズマを発生させ
て前記チャンバ内に導入された基板のプラズマ処理を行
うことを特徴としている。請求項２記載のプラズマ処理
方法においては、請求項１記載のプラズマ処理方法にお
いて、前記高周波電界を印加するためのアンテナを設け
ておき、該アンテナにより励起される前記低域混成波の
磁化方向波数を制御して、前記低域混成波の伝搬特性を
制御することを特徴としている。請求項３記載のプラズ
マ処理方法においては、請求項２記載のプラズマ処理方
法において、前記アンテナを複数設けておき、これら各
アンテナに供給する前記高周波電界に位相差を持たせる
ことにより励起される前記低域混成波の磁化方向波数を
制御して、前記低域混成波の伝搬特性を制御することを
特徴としている。

【００１１】請求項４記載のプラズマ処理装置において
は、電磁波の透過が可能な電磁波導入部を有して構成さ
れたチャンバと、前記電磁波導入部を通して前記チャン
バ内へと高周波電界を印加するためのアンテナと、前記
電磁波導入部を通して前記チャンバ内へと磁界を印加す
るための磁界印加手段とを具備してなり、前記アンテナ
には、低域混成波を励起するために、使用する処理ガス
の種類に応じたイオンサイクロトロン周波数と電子サイ
クロトロン周波数との間に相当する周波数の電源が接続
されていることを特徴としている。請求項５記載のプラ
ズマ処理装置においては、請求項４記載のプラズマ処理
装置において、前記アンテナは、複数のものが設けれら
れ、これら各アンテナは、それぞれに供給される前記高
周波電界に位相差が発生して前記低域混成波の伝搬特性
が制御され得るように前記電源に接続されていることを
特徴としている。請求項６記載のプラズマ処理装置にお
いては、請求項５記載のプラズマ処理装置において、前
記各アンテナは、移相器を介して同一の前記電源に接続
されていることを特徴としている。

【００１２】請求項１記載の発明によると、チャンバ内
に低域混成波を励起し、この低域混成波を電子と相互作
用させてプラズマを発生させ、プラズマ処理が行われ
る。低域混成波において、電子のエネルギー吸収が共鳴
点近傍で起こることは、従来のＥＣＲプラズマと同様で
ある。しかし、決定的に異なるのが、低域混成波の場
合、例えば、印加磁界Ｂ₀ 、印加周波数ωを一定とした
条件のもとに低域混成波の磁化方向波数ｋ_//（波長
λ_//）を変化させることにより、共鳴領域を変化させる
ことが可能であるということである。つまり、励起波動
の伝搬特性の制御が可能であるので、電子との相互作用
を起こす位置（共鳴領域）、相互作用させる電子の速
度、等を選択することができる。よって、大口径かつ均
一なプラズマが得られる。しかも、電子との相互作用を
起こす位置を選択することにより、かつ、相互作用させ
る電子の速度を高く設定してバルク電子のみを相互作用
の対象とすることにより、チャンバ壁から離れた領域で
のプラズマの発生が可能であり、コンタミネーションフ
リーなプラズマ処理が行われる。請求項２記載の発明に
よると、設けられたアンテナにより励起される低域混成
波の磁化方向波数が制御されることにより、低域混成波
の伝搬特性の制御がなされる。請求項３記載の発明によ
ると、複数のアンテナに供給する高周波電界に位相差が
与えられる。これにより、磁化方向の波数ｋ_//の制御が
容易に実現される。

【００１３】請求項４記載の発明によると、アンテナに
は、使用している処理ガスの種類に応じたイオンサイク
ロトロン周波数と電子サイクロトロン周波数との間に相
当する周波数の電源が接続される。よって、低域混成波
が励起され、この低域混成波によりプラズマを発生させ
てプラズマ処理が行われる。請求項５記載の発明による
と、複数のアンテナは、それぞれに供給される高周波電
界に位相差が発生して低域混成波の伝搬特性を制御し得
るように電源に接続されている。よって、低域混成波の
伝搬特性の制御、例えば、伝搬方向の波数の制御が容易
に実現される。請求項６記載の発明によると、各アンテ
ナは、移相器を介して同一の電源に接続されており、電
源が１個であっても、低域混成波の伝搬特性の制御が実
現される。すなわち、簡易な手段で実現されている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理方法
および装置の実施の形態について、図面を参照して説明
する。

【００１５】〔第１実施形態〕図１は、本発明のプラズ
マ処理装置の第１実施形態を示すもので、図において、
プラズマ処理装置１は、チャンバ２、基板保持台３、ア
ンテナ４、電源５、移相器５ａ、整合回路５ｂ、磁気コ
イル（磁界印加手段）６、等を備えて構成されたもので
あって、例えば、アッシング装置、エッチング装置、等
である。また、図示しないものの、プラズマ処理装置１
には、真空排気手段、ガス供給手段、基板搬送手段、基
板加熱手段、基板回転手段、プロセス制御のための各種
制御機構、等が備えられている。さらに、エッチング等
の処理での使用において、積極的にプラズマ中の荷電粒
子の入射エネルギーを制御するために、プラズマ発生用
の電源とは別に、別途電源を用意し、バイアス用の高周
波電力を印加しても良い。

【００１６】チャンバ２は、電磁波の透過が可能な材
料、例えば、シリカ、アルミナ、等から構成された電磁
波導入部２ａを有している減圧チャンバである。チャン
バ２には、ガス導入ポート２ｂ、ガス排気ポート２ｃ、
等が設けられている。チャンバ２内には、図示しない基
板搬送手段により搬送されたシリコンウェハ等の基板３
ａが、基板保持台３が設けられている。なお、基板保持
台３は、必要に応じて回転可能に設けられるものであっ
ても良い。

【００１７】アンテナ４は、電磁波導入部２ａを通して
チャンバ２内へと高周波電界を印加するためのもので、
図示例においては、電磁波導入部２ａの周囲に巻回され
たコイル電極の形態とされている。この場合、アンテナ
４は、互いに絶縁された３個のコイル電極とされてい
る。

【００１８】電源５は、移相器５ａを介して各アンテナ
４に接続されている。電源５の周波数は、低域混成波を
励起するために、使用している処理ガスの種類に応じた
イオンサイクロトロン周波数と電子サイクロトロン周波
数との間に相当する周波数の電源とされている。この場
合、電源５からの電力印加は、電源５と移相器５ａとの
間に接続された整合回路５ｂを介してなされている。電
源５としては、その周波数が例えば、１ＭＨｚ〜１ＧＨ
ｚの間のものが使用される。

【００１９】磁気コイル６は、電磁波導入部２ａを通し
てチャンバ２内へと磁界を印加するためのもので、電磁
波導入部２ａの周囲に巻回されたコイル状とされてい
る。これにより、磁界が、チャンバ２の軸方向に印加さ
れるようになっている。本実施形態において使用する磁
界の大きさは、１００〜２ｋガウスの範囲である。

【００２０】本実施形態において使用する電源周波数
ω、および、印加磁界強度Ｂ₀ は、以下の理論に基づい
て決定される。まず、低域混成周波数ω_LHは、次式で表
される。（ω_pi＞＞ω_ciの場合）

【数１】 上式を満たすように励起周波数ω、印加磁界強度Ｂ₀ 、
電子密度ｎ、イオンの質量Ｍの組合せが決定される。た
だし、共鳴領域は、上記の式で与えられる位置よりも低
密度側となる。ここで、イオンプラズマ周波数ω_pi、電
子プラズマ周波数ω_pe、電子のサイクロトロン周波数ω
_ceは、以下の通りである。

【数２】

【数３】

【数４】 さらに、波が共鳴点（ω＝ω_LHとなる点）に達する前に
反射されずに伝搬するためには、磁力線方向の屈折率Ｎ
_z に関して

【数５】 の条件を満たすように、磁力線方向の波数ｋ_//≡２π／
λ_//を選ばなければならない。加えて、このｋ_//の値
は、ヘリコン波の分散式を満たさないようにするとなお
良い。以上により、扱う処理ガスに応じた励起周波数、
磁界強度が選択されることとなる。

【００２１】次に、上記のプラズマ処理装置１の使用方
法について説明する。

【００２２】まず、基板３ａをチャンバ２内に搬入す
る。そして、適宜の真空引きの後、例えば、水素ガスを
チャンバ２内に導入しつつ真空引きを行い、チャンバ２
内を所定の圧力、例えば、１ｍＴｏｒｒに維持する。さ
らに、磁気コイル６により、例えば、８９０ガウスの磁
界を印加した状態で、アンテナ４によりチャンバ２内
に、例えば、５６ＭＨｚの高周波電界を導入する。これ
により、チャンバ２内には、低域混成波（λ_//＝２５ｃ
ｍ）が励起され、およそ１×１０¹²ｃｍ^-3の高密度水素
プラズマが生成される。また、チャンバ２内へ導入する
処理ガスとして、酸素を用いることでフォトレジスト剥
離のためのアッシング処理、フロロカーボン系や塩素系
ガスを用いることでエッチング処理が行える。

【００２３】このようにして励起された低域混成波は、
チャンバ２の軸方向へと進みながら半径方向内側へと伝
搬してゆき、低域混成共鳴点付近で静電波へとモード変
換し、バルク電子を加速して、プラズマを発生させる。
この場合、移相器５ａにより各アンテナ４に供給する高
周波電界の位相調整を行うことで低域混成波の軸方向の
波数を変化させて、低域混成波の伝搬特性の制御、例え
ば、電子との相互作用を起こす位置、相互作用させる電
子の速度、等の制御を行う。これにより、プラズマの密
度、均一性、発生位置、等の制御が行われる。

【００２４】以上により、低域混成波に基づくプラズマ
によるプラズマ処理が達成される。

【００２５】上記において生成される低域混成波励起プ
ラズマの一例について、図２を参照して説明する。図２
は、アンテナ４近傍におけるポテンシャル分布と共鳴位
置とを示したものである。アンテナ４には移相器５ａを
介して上記の高周波電力が供給されており、各々のアン
テナ４には、例えば、図示のように位相差（φ＝０、
π、２π）が与えられている。この場合には、図示にお
いて一例として示すような電位分布が形成される。ここ
で、処理ガス種に応じて印加する周波数ω、磁界強度Ｂ
₀ 、位相差φを調整することにより、図に示すように、
チャンバ２の壁から離れた領域に共鳴位置を定めてプラ
ズマを発生させることが可能である。故に、コンタミネ
ーションフリーなプラズマ処理が実現できるとともに、
プラズマの均一性が図られる。

【００２６】上記のプラズマ処理方法においては、チャ
ンバ２内に低域混成波を励起し、この低域混成波を電子
と相互作用させてプラズマを発生させ、プラズマ処理が
行われる。従来のＥＣＲプラズマは、マイクロ波（２．
４５ＧＨｚ）の使用に対して８７５ガウスの磁界強度の
領域で共鳴が生じるため、磁界配位によって決定される
ある領域（ＥＣＲポイント）においてのみしか電子のエ
ネルギー吸収が生じない。故に、電子のエネルギー吸収
領域の制御という点においては劣るものである。また、
従来のヘリコン波励起プラズマにおいては、電子のエネ
ルギー吸収のメカニズムがランダウ減衰やトラッピング
によるため、電子のエネルギー吸収は、波の存在領域の
すべてで行われる。故に、ＥＣＲプラズマと同様に、エ
ネルギー吸収を空間的に制御するのは困難である。これ
ら従来のプラズマに対して、本発明の低域混成波は、印
加磁界、印加周波数が同一の値であっても、励起される
低域混成波の磁化方向波数を変化させることにより、共
鳴領域を変化させることが可能であるということを最大
の特徴点とするものである。したがって、伝搬特性の制
御が可能となり、電子との相互作用を起こす位置、相互
作用させる電子の速度、等を自在に制御することが可能
である。よって、電子との相互作用を起こす位置を選択
することにより、チャンバ２の壁から離れた領域で共鳴
させて、大口径かつ均一なプラズマを発生させることが
可能であり、コンタミネーションフリーなプラズマ処理
を行うことができる。

【００２７】また、複数のアンテナ４に供給する高周波
電界に位相差が与えられる。これにより、低域混成波の
伝搬特性の制御、例えば、伝搬方向の波数の制御を容易
に実現することができる。

【００２８】また、上記プラズマ処理装置１にあって
は、各アンテナ４は、移相器５ａを介して同一の電源５
に接続されており、電源が１個であっても、低域混成波
の伝搬特性の制御を達成することができる。

【００２９】低域混成波は、従来の電子サイクロトロン
波やヘリコン波とは異なり、電磁的および静電的性質を
合わせ持つものであって、アンテナ４による励起点近傍
では、電磁的性質により励起効率が高く、共鳴点近傍で
は、静電的性質が強くなり、バルク電子と強く相互作用
してプラズマ生成効率が高いという利点を有している。
つまり、プロセスに必要なイオンやラジカルが効率良く
生成される。

【００３０】また、低域混成波は、電子サイクロトロン
波よりも波長が長いため、大口径均一生成に有利であ
る。そして、低域混成波は、ヘリコン波に比べて、位相
速度が十分に小さく、電子の加速効率が高いので、有害
なビーム成分を作らないという利点がある。

【００３１】以上のように、低域混成波プラズマ源は、
従来の電子サイクロトロン波やヘリコン波と比較して、
プラズマプロセスの高速化、高均一化、高精度化、コン
タミネーションフリー、等の要請に十分に応え得るもの
である。

【００３２】〔第２実施形態〕図３および図４には、本
発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を示す。本実施
形態が、上記第１実施形態と異なるのは、高周波電界の
印加手段の構成のみである。その他については、同様の
構成であるので、説明を省略する。上記実施形態におい
ては、移相器５ａを介した複数のコイル電極４で低域混
成波を制御していたが、この実施形態においては、単一
アンテナ１０により低域混成波の制御を行う。

【００３３】図において、電源２０は、整合回路２１を
介して、電磁波の透過が可能な誘電体、例えば、石英等
から構成されるチャンバ２の外部に設置され、かつ、一
種の伝送線路アンテナをなすアンテナ１０に接続されて
いる。この場合、電源２０は、例えば、１ＭＨｚ〜１Ｇ
Ｈｚの間の周波数の高周波電力を供給する高周波電源で
ある。また、チャンバ２の外部には、容器内軸方向に１
００〜２ｋガウスの範囲の磁界Ｂ₀ を供給できる磁気コ
イル（磁界印加手段）６が設けられており、低域混成波
を励起することができる。励起された波は、軸方向へと
進みながら半径方向へ伝搬してゆき、低域混成共鳴点付
近で静電波へとモード変換し、バルク電子を加速、プラ
ズマが生成される。

【００３４】本実施形態においては、アンテナ１０に接
続されたコンデンサ１１、抵抗１２、等の調整で波の伝
搬特性を制御することができる。よって、本実施形態に
おいては、上記実施形態と同様の作用効果を奏すること
ができる。

【００３５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、以下の形態とすることもできる。 ａ）プラズマ処理としてアッシング処理あるいはエッチ
ング処理を行うことに代えて、デポジション、表面改
質、等他の任意のプラズマ処理を行うこと。 ｂ）基板３ａとしてシリコンウェハを使用することに代
えて、半導体基板、ディスプレイ基板、マルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）、プリント基板、等他の任意の基板
を使用すること。 ｃ）プラズマ処理装置１を図示のように直立型とするこ
とに代えて、横型とすること。また、基板３ａを上方か
ら処理することに代えて、下方、側方等任意の方向から
処理すること。 ｄ）アンテナ４の形態を図示形状に限らず、任意の形態
とすること。また、３個に分割することに代えて、任意
の数に分割すること。 ｅ）アンテナ４をチャンバ２の外部に設けることに代え
て、チャンバ２の内部に設けること。 ｆ）複数のアンテナ４を移相器５ａを介して１個の電源
５に接続することに代えて、移相器を介さず複数の電源
に個別に接続すること。 ｇ）磁気コイルの形態を図示形状に限らず、任意の形態
とすること、すなわち、電磁石、永久磁石、等、任意の
形態として良い。 ｈ）プラズマ処理条件、すなわち、ガス種、ガス圧力、
磁界の強さ、電源周波数、等、を上記例に限らず、低域
混成波に基づくプラズマを発生させる限りにおいて、任
意に設定すること。

【００３６】

【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法および装置に
よれば、以下の効果を奏する。請求項１記載のプラズマ
処理方法によれば、チャンバ内に低域混成波を励起し、
この低域混成波を電子と相互作用させてプラズマを発生
させ、プラズマ処理を行うので、高密度かつ高均一性を
有するプラズマによる処理を行うことができる。しか
も、低域混成波であることにより伝搬特性の制御が可能
であることから、例えば、チャンバ壁から離れた領域で
プラズマを発生させることによりコンタミネーションフ
リーなプラズマ処理を行うことができる。請求項２記載
のプラズマ処理方法によれば、設けたアンテナにより低
域混成波の磁化方向波数を制御することにより低域混成
波の伝搬特性を自在に制御することができ、発生するプ
ラズマの均一性の制御が可能であるとともに、容易にコ
ンタミネーションフリーなプラズマ処理を達成すること
ができる。請求項３記載のプラズマ処理方法によれば、
複数のアンテナに供給する高周波電界に位相差を持たせ
ることで、低域混成波の伝搬方向の波数を容易に制御す
ることができ、容易な手段によりコンタミネーションフ
リーなプラズマ処理を達成することができる。

【００３７】請求項４記載のプラズマ処理装置によれ
ば、アンテナには、使用している処理ガスの種類に応じ
たイオンサイクロトロン周波数と電子サイクロトロン周
波数との間に相当する周波数の電源が接続されているの
で、低域混成波を励起することができ、この低域混成波
によりプラズマを発生させてプラズマ処理を行うことが
できる。よって、高密度かつ大面積で高均一性を満たす
プラズマが得られるとともに、コンタミネーションフリ
ーなプラズマ処理を行うことができる。請求項５記載の
プラズマ処理装置によれば、複数のアンテナが、それぞ
れに供給される高周波電界に位相差が発生して低域混成
波の伝搬特性を制御し得るように電源に接続されている
ことにより、低域混成波の伝搬特性、例えば、伝搬方向
の波数を容易に制御することができ、均一性を改善し得
るとともに、容易にコンタミネーションフリーなプラズ
マ処理を達成することができる。請求項６記載のプラズ
マ処理装置によれば、各アンテナが移相器を介して同一
の電源に接続されていることにより、複数のアンテナに
よる低域混成波の伝搬特性の制御を容易な手段で実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を
概略的に示す図である。

【図２】 図１に示すプラズマ処理装置におけるアンテ
ナ近傍を概略的に示す説明図である。

【図３】 本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を
概略的に示す図である。

【図４】 図３に示すプラズマ処理装置におけるアンテ
ナ近傍を拡大して示す図である。

【符号の説明】

１ プラズマ処理装置 ２ チャンバ ２ａ 電磁波導入部 ３ａ 基板 ４ アンテナ ５ 電源 ５ａ 移相器 ６ 磁気コイル（磁界印加手段） １０ アンテナ ２０ 電源

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/16 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ａ Ｈ０５Ｈ 1/16 21/302 Ｂ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チャンバ内へと高周波電界および磁界を
   導入することにより、このチャンバ内に低域混成波を励
   起し、 この低域混成波によりプラズマを発生させて前記チャン
   バ内に導入された基板のプラズマ処理を行うことを特徴
   とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理方法におい
   て、 前記高周波電界を印加するためのアンテナを設けてお
   き、 該アンテナにより励起される前記低域混成波の磁化方向
   波数を制御して、前記低域混成波の伝搬特性を制御する
   ことを特徴とするプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ処理方法におい
   て、 前記アンテナを複数設けておき、 これら各アンテナに供給する前記高周波電界に位相差を
   持たせることにより励起される前記低域混成波の磁化方
   向波数を制御して、前記低域混成波の伝搬特性を制御す
   ることを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】 電磁波の透過が可能な電磁波導入部を有
   して構成されたチャンバと、 前記電磁波導入部を通して前記チャンバ内へと高周波電
   界を印加するためのアンテナと、 前記電磁波導入部を通して前記チャンバ内へと磁界を印
   加するための磁界印加手段とを具備してなり、 前記アンテナには、低域混成波を励起するために、使用
   する処理ガスの種類に応じたイオンサイクロトロン周波
   数と電子サイクロトロン周波数との間に相当する周波数
   の電源が接続されていることを特徴とするプラズマ処理
   装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載のプラズマ処理装置におい
   て、 前記アンテナは、複数のものが設けれられ、 これら各アンテナは、それぞれに供給される前記高周波
   電界に位相差が発生して前記低域混成波の伝搬特性が制
   御され得るように前記電源に接続されていることを特徴
   とするプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載のプラズマ処理装置におい
   て、 前記各アンテナは、移相器を介して同一の前記電源に接
   続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。