JP2007034233A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 静電潜像を形成する像坦持体と、前記像担持体の表面の各々の位置における初期電位特性をテーブルとして予め格納した特性記憶手段と、像担持体に画像の静電潜像を形成するときに前記特性記憶手段に格納されたテーブルの初期電位特性によって電位特性の差異を補償する電位特性修正手段と、当該形成された静電潜像にトナーを付着させる現像手段と、当該トナーを付着された静電潜像を記録材に転写する転写手段とを備えた画像形成装置であって、
   前記像担持体の表面の各々の位置における電位特性を取得する電位特性取得手段と、
   前記取得された電位特性と、前記特性記憶手段に格納された初期電位特性との電位特性差を算出する特性差算出手段と
   を備え、前記特性修正手段は、前記算出された電位特性差によって前記電位特性の差異の補償を修正することを特徴とする画像形成装置。
2. 前記像担持体の表面の各々の位置における初期電位特性は、前記像担持体の表面を一定の大きさの区域に分割して、各区域における電位特性を予め取得した値であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記各区域における電位特性は、該区域における電位減衰特性を測定することにより取得することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
4. 前記区域の大きさは、前記画像形成の解像度に基づいて設定されることを特徴とする請求項２または３に記載の画像形成装置。
5. 前記像坦持体の表面を主走査方向に露光して前記静電潜像を形成する露光手段をさらに備え、
   前記像坦持体は、該表面にシリコン原子を母体とする水素原子、およびハロゲン原子のうち少なくとも一方を含有する非単結晶材料によって形成されている光導電層を有し、前記露光手段の露光の副走査方向に回転して静電潜像の形成を行い、
   前記電位特性修正手段は、前記特性記憶手段に格納されたテーブルの初期電位特性によって電位特性の差異を取得し、当該取得された電位特性の差異により前記露光手段の光量を前記像坦持体の表面の各位置ごとに算出し、当該算出された光量で露光させて補償することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の画像形成装置。
6. 前記区域は、前記像担持体の表面を前記露光手段の光走査方向についての前記主走査方向および前記副走査方向に分割することにより設定されることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
7. 前記像担持体の前記副走査方向の回転位置を検知する位置検知手段をさらに備え、
   前記電位特性取得手段は、前記検知された位置において電位特性を取得することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
8. 前記像担持体は、前記特性記憶手段を含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の画像形成装置。
9. 前記像担持体は、前記特性記憶手段を含まないことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の画像形成装置。
10. 前記電位特性取得手段は、電位測定手段により前記電位特性を取得することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の画像形成装置。
11. 前記電位特性取得手段は、光量検出手段により前記像担持体の表面の状態を評価して前記電位特性を取得することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の画像形成装置。
12. 静電潜像を形成する像坦持体と、前記像担持体の表面の各々の位置における初期電位特性をテーブルとして予め格納した特性記憶手段と、像担持体に画像の静電潜像を形成するときに前記特性記憶手段に格納されたテーブルの初期電位特性によって電位特性の差異を補償する電位特性修正手段と、当該形成された静電潜像にトナーを付着させる現像手段と、当該トナーを付着された静電潜像を記録材に転写する転写手段とを備えた画像形成装置によって画像形成を行う画像形成方法であって、
    前記像担持体の表面の各々の位置における電位特性を取得する電位特性取得ステップと、
    前記取得された電位特性と、前記特性記憶手段に格納された初期電位特性との電位特性差を算出する特性差算出ステップと
    を備え、前記特性修正手段は、前記算出された電位特性差によって前記電位特性の差異の補償を修正することを特徴とする画像形成方法。
13. 前記像担持体の表面の各々の位置における初期電位特性は、前記像担持体の表面を一定の大きさの区域に分割して、各区域における電位特性を予め取得した値であることを特徴とする請求項１２に記載の画像形成方法。
14. 前記各区域における電位特性は、該区域における電位減衰特性を測定することにより取得することを特徴とする請求項１３に記載の画像形成方法。
15. 前記区域の大きさは、前記画像形成の解像度に基づいて設定されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の画像形成方法。
16. 前記像坦持体の表面を主走査方向に露光して前記静電潜像を形成する露光ステップをさらに備え、
    前記像坦持体は、該表面にシリコン原子を母体とする水素原子、およびハロゲン原子のうち少なくとも一方を含有する非単結晶材料によって形成されている光導電層を有し、前記露光ステップにおける露光の副走査方向に回転して静電潜像の形成を行い、
    前記電位特性修正ステップは、前記特性記憶手段に格納されたテーブルの初期電位特性によって電位特性の差異を取得し、当該取得された電位特性の差異により前記露光ステップにおける光量を前記像坦持体の表面の各位置ごとに算出し、当該算出された光量で露光させて補償することを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載の画像形成方法。
17. 前記区域は、前記像担持体の表面を前記露光ステップにおける光走査方向についての前記主走査方向および前記副走査方向に分割することにより設定されることを特徴とする請求項１６に記載の画像形成方法。
18. 前記像担持体の前記副走査方向の回転位置を検知する位置検知ステップをさらに備え、
    前記電位特性取得手段は、前記検知された位置において電位特性を取得することを特徴とする請求項１７に記載の画像形成方法。
19. 前記電位特性取得ステップは、電位測定手段により前記電位特性を取得することを特徴とする請求項１２ないし１８のいずれかに記載の画像形成方法。
20. 前記電位特性取得ステップは、光量検出手段により前記像担持体の表面の状態を評価して前記電位特性を取得することを特徴とする請求項１２ないし１８のいずれかに記載の画像形成方法。
21. コンピュータを用いて請求項１２ないし２０のいずれかに記載の各ステップを実行させるためのプログラム。
22. 請求項１２または２０に記載の各ステップを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。