JP2007027601A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
複数の画素の各光電変換部は、転送部と、光電変換部からの信号電荷を蓄積する第1および第2蓄積領域を介して増幅部に接続される。第2蓄積領域の不純物濃度は、第1蓄積領域の不純物濃度より低く設定されている。このため、第2蓄積領域のリーク電流(暗電流)を削減でき、蓄積領域全体としてリーク電流を削減できる。一方、第1蓄積領域の不純物濃度を従来と同じにすることで、光電変換部で発生した電荷を第1蓄積領域に完全転送できる。したがって、次フレームの残像の発生や黒つぶれ(黒点)の発生を防止できる。すなわち、光電変換部に電荷を残すことなく、蓄積領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上できる。
【選択図】 図3
Description
に応じて動作する第1スイッチと、第1および第2容量を互いに接続するために第2制御電圧に応じてそれぞれ動作する第2スイッチとを有する。このため、容量部により蓄積部の総容量値を多段階に変更でき、撮像装置のダイナミックレンジを可変にできる。
ば、デジタルカメラに搭載される。撮像装置は、マトリックス状に配置された複数の画素PX1、垂直走査部10、信号蓄積部12、水平走査部14、容量制御部16、複数の垂直出力線18、これら垂直出力線18にそれぞれ接続された定電流源20、各垂直出力線18を信号蓄積部12に接続するための一対の転送ゲート22a、22bを有している。画素PX1の詳細は、図2で説明する。
用する。トランジスタの拡散層に形成される反転層を利用することで、容量値が可変な容量C1を小さいサイズで形成できる。この結果、撮像装置のチップサイズが増加することを防止できる。MOS容量C1の容量値は、高論理レベルの制御電圧VGを受けたときに増加し、低論理レベルの制御電圧VGを受けたときに減少する。後述する図4に示すように、MOS容量C1の拡散層は、FD領域に接続されているため、制御電圧VGが高論理レベルのとき、FD領域の総容量値は増加する。図1に示した容量制御部16は、低論理レベルの制御信号CNTを受けている間、制御電圧線VGを接地電圧VSSに設定し、高論理レベルの制御信号CNTを受けている間、制御電圧線VGを電源電圧VDDに設定する。
つとして形成されている。すなわち、FD2領域は、半導体基板(後述する図4に示すp型ウエル領域PWELL)に、この半導体基板と反対の導電型の不純物を導入することにより形成されている。FD1領域、FD2領域および増幅トランジスタAMPのゲートは、接続配線(銅配線またはアルミニウム配線)により互いに接続されている。FD1領域およびFD2領域をそれぞれ別の列に配置することで、レイアウト設計の自由度を増やすことができる。MOS容量C1は、トランジスタのゲートで形成されるため、一般に、そのレイアウトサイズはフォトダイオードPDに次いで大きい。MOS容量C1をフォトダイオードPDと別の列に形成することで、画素PXのサイズを最小限にでき、撮像装置のチップサイズが増加することを防止できる。画素PX1は、撮像装置内に多数形成されるため、チップサイズの削減効果は大きい。
2aを介して画素PX1のリセット状態に対応するノイズ信号が信号蓄積部12に読み出される(図5(c))。この後、転送パルスφTXが所定の期間だけ高論理レベルに変化し、転送トランジスタTXがオンする(図5(d))。転送トランジスタTXのオンにより、フォトダイオードPDで光電変換された信号電荷がFD領域に転送される。すなわち、増幅トランジスタAMPのゲートに画素信号に対応する電圧が印加される。
ある。以上、第2の実施形態においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
ジスタAMP、リセットトランジスタRESおよびnMOSトランジスタNM1、NM2は、図の横方向に延在する一つの能動領域AL上にゲートを所定間隔を置いて配置することにより形成されている。容量C3、C4は、nMOSトランジスタNM1、NM2のソース領域のpn接合容量としてそれぞれ形成されている。
Claims (16)
- マトリックス状に配置された複数の画素を備え、
各画素は、
入射光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、
半導体基板に不純物を導入することにより形成された拡散層により構成され、前記光電変換部により生成された信号電荷を蓄積する第1および第2蓄積領域を有する蓄積部と、
前記第1および第2蓄積領域を互いに接続する接続配線と、
前記光電変換部に蓄積された信号電荷を、前記第1蓄積領域に転送するための転送部と、
前記第2蓄積領域に接続され、蓄積された信号電荷に応じて画素信号を出力する増幅部とを備え、
前記第2蓄積領域の不純物濃度は、前記第1蓄積領域の不純物濃度より低く設定されていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1記載の撮像装置において、
前記蓄積部に接続される容量を有し、制御電圧に応じて容量値が変化する容量部を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置において、
前記容量部は、拡散層上に絶縁膜を介して形成され、前記制御電圧を受けるゲートを有するトランジスタとして構成され、
前記容量は、前記制御電圧に応じて前記拡散層に形成される反転層により構成されることを特徴とする撮像装置。 - 請求項3記載の撮像装置において、
前記容量の容量値は、入射光の光量が基準値以上を示す前記制御電圧を受けているときに増加し、入射光の光量が基準値未満を示す前記制御電圧を受けているときに減少することを特徴とする撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置において、
前記容量部は、制御電圧に応じて動作するスイッチと、このスイッチを介して前記蓄積部に接続される容量とを備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項5記載の撮像装置において、
前記スイッチは、入射光の光量が基準値以上を示す前記制御電圧を受けているときにオンし、入射光の光量が基準値未満を示す前記制御電圧を受けているときにオフすることを特徴とする撮像装置。 - 請求項4または請求項6記載の撮像装置において、
信号電荷を生成する全ての前記画素の前記容量部に前記制御電圧を供給する制御電圧線を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項4または請求項6記載の撮像装置において、
入射光の光量を示す制御信号を受信し、受信した制御信号に応じて前記制御電圧を生成する容量制御部を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項4または請求項6記載の撮像装置において、
入射光の光量を測定する受光部を有し、受光部で測定した入射光の光量に応じて前記制御電圧を生成する容量制御部を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置において、
前記容量部は、前記蓄積部に並列に接続され、前記容量として動作する第1および第2容量と、前記蓄積部と前記第1容量とを接続するために第1制御電圧に応じて動作する第1スイッチと、前記第1および第2容量を互いに接続するために第2制御電圧に応じてそれぞれ動作する第2スイッチとを備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項10記載の撮像装置において、
前記第1スイッチは、入射光の光量が第1基準値以上を示す前記第1制御電圧を受けているときにオンし、入射光の光量が前記第1基準値未満を示す前記第1制御電圧を受けているときにオフし、
前記第2スイッチは、入射光の光量が前記第1基準値より大きい第2基準値以上を示す前記第2制御電圧を受けているときにオンし、入射光の光量が前記第2基準値未満を示す前記第2制御電圧を受けているときにオフすることを特徴とする撮像装置。 - 請求項11記載の撮像装置において、
信号電荷を生成する全ての前記画素の前記容量部に前記第1および第2制御電圧をそれぞれ供給する制御電圧線を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項11記載の撮像装置において、
入射光の光量を示す制御信号を受信し、受信した制御信号に応じて前記第1および第2制御電圧を生成する容量制御部を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項11記載の撮像装置において、
入射光の光量を測定する受光部を有し、受光部で測定した入射光の光量に応じて前記第1および第2制御電圧を生成する容量制御部を備えていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項2記載の撮像装置において、
前記蓄積部をリセット状態に設定するリセット部を備え、
前記光電変換部、前記転送部および前記第1蓄積領域は、一列に配置され、
前記増幅部、前記リセット部、前記第2蓄積領域および前記容量部は、前記光電変換部、前記転送部および前記第1蓄積領域の列に沿って一列に配置されていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項15記載の撮像装置において、
前記転送部は、前記光電変換部をソースとし、前記第1蓄積領域をドレインとするトランジスタで形成され、
前記増幅部および前記リセット部は、共通のソースを有するトランジスタでそれぞれ形成され、
前記増幅部、前記リセット部および前記容量部は、一つの能動領域上にゲートを間隔を置いて配置することにより形成され、
前記第2蓄積領域は、前記リセット部のソースおよび前記容量部のドレインとして形成されていることを特徴とする撮像装置。
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