JP2007027570A - セラミック多層基板、その製造方法、およびパワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワー半導体デバイス6が搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板Sを、(a)セラミック多層基板本体1の内部に配設された、冷媒を流通させる冷媒流路2と、(b)冷媒流路2とパワー半導体デバイス6とを熱的に接続するビアホール導体3とを備えた構成とする。
パワー半導体デバイスを製造するにあたり、未焼成セラミック積層体の内部に、難焼結性部材が配設され、未焼成セラミック積層体の表面から、難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された未焼成複合積層体を形成し、これを難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成した後、焼成済み複合積層体から難焼結性部材を取り除いて、冷媒流路を形成するとともに、冷媒流路にビアホール導体の一部を露出させる。
【選択図】図1
Description
そのための方法としては、基板上に搭載されたパワー半導体デバイスに放熱フィンを設け、空冷する方法(いわゆる空冷式のパワー半導体モジュール)が一般的に用いられている。
この水冷式のパワー半導体モジュールにおいては、半導体を搭載するための基板として、アルミニウムや銅のような金属板に冷媒流路を付加してなる金属基板を用いるのが一般的であるが、図21に示すように、セラミック基板中に冷媒流路を形成したものも提案されている(特許文献1)。
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であって、
(a)前記セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、
(b)前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記セラミック層の積層方向に延びるビアホール導体と
を備えていることを特徴としている。
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(a)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体の内部に、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない所定パターンの難焼結性部材が配設され、かつ、
前記未焼成セラミック積層体の表面から、内部に配設された前記難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された構造を有する未焼成複合積層体を形成する工程と、
(b)前記未焼成複合積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(c)焼成済み複合積層体から前記難焼結性部材を取り除くことにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路を形成するとともに、前記冷媒流路に前記ビアホール導体の一部を露出させて、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴としている。
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(a)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体と、前記未焼成セラミック積層体の両主面側に配設された、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層とを備え、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体を備えた補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程と、
(b)前記補助層付き未焼成セラミック積層体の、前記ビアホール導体が達している方の前記補助層が配設された面に、凸部を有する型を合わせてプレスし、前記補助層付き未焼成セラミック積層体に凹部を形成する工程と、
(c)前記凹部が形成された前記補助層付き未焼成セラミック積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(d)焼成後の補助層付きセラミック積層体から前記補助層を取り除くことにより、前記他方の主面に凹部を有し、該凹部にビアホール導体が露出した焼成済みセラミック積層体を得る工程と、
(e)前記焼成済みセラミック積層体の前記凹部が形成された面に、予め用意しておいた他の焼成済みセラミック積層体を接合し、前記凹部を封止して冷媒流路を形成することにより、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路を備え、かつ、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体を備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴としている。
前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体が、
(a)前記補助層の表面にまで達している状態、
(b)前記補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(c)前記補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあることを特徴としている。
複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板上にパワー半導体デバイスが搭載されているパワー半導体モジュールであって、
前記セラミック多層基板として、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路と、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板が用いられていること
を特徴としている。
ただし、本願発明のセラミック多層基板において、冷媒流路の配設方向や、冷媒流路の配設数に特別の制約はなく、例えば、セラミック層の積層方向、あるいは該積層方向に直交する方向に複数の冷媒流路を設けることも可能であり、その具体的な経路は、セラミック多層基板の構造や構成などに応じて、種々の態様とすることが可能である。
なお、未焼成セラミック積層体の表面に補助層が配設されているので、曲げ加工時に補助層付き未焼成セラミック積層体の補助層に表面割れが発生した場合にも、未焼成セラミック積層体には影響がなく、所望の特性を備えたセラミック多層基板を得ることが可能になる。
(a)補助層の表面にまで達している状態、
(b)補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(c)補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあるようにした場合、
ビアホール導体が熱媒流路の内壁面に露出した状態、ビアホール導体が熱媒流路の途中にまで突出した状態、ビアホール導体が熱媒流路を構成する凹部に大きく突出した状態など、ビアホール導体の凹部への露出状態が異なる種々のセラミック多層基板を製造することが可能になり、用途などに応じて、冷媒との接触面積を適宜調整して、目的とする冷却性能を備えたセラミック多層基板を効率よく製造することが可能になる。
CaO:10〜55重量%、SiO2:45〜70重量%、Al2O3:0〜30重量%、不純物:0〜10重量%、及び外掛けでB2O3:5〜20重量%を含む混合物を1450℃で溶融してガラス化し、水中で急冷した後、粉砕して、平均粒径が3.0〜3.5μmのCaO−SiO2−Al2O3−B2O3系ガラス粉末を作製する。
それから、このガラス粉末:50〜65重量%(好ましくは60重量%)と、不純物が0〜10重量%のアルミナ粉末:50〜35重量%(好ましくは40重量%)とを混合してセラミック粉末を作製し、このセラミック粉末に溶剤(例えばトルエン、キシレン、水系)、バインダー(例えばアクリルやブチラール系の樹脂)及び可塑剤(例えばDOPやDBP)を加え、十分に混練・分散させて粘度:2000〜40000cpsのスラリーを作製し、通常のキャスティング法(例えばドクターブレード法)を用いてシート状に成形することにより、例えば厚み0.01〜0.4mmの、基板用グリーンシート11(図2参照)を作製する。
この際に組成比や添加剤を調整し、下記の補助層用(拘束層用)グリーンシートよりも、適度に柔らかい性状としておくことにより、後工程の成形加工時に、基板用グリーンシートに亀裂、欠けなどが発生することを抑制、防止することが可能になる。
さらに、基板用グリーンシート11に導体ペーストを印刷することにより内部導体4,表面導体5となる所定の配線パターンを形成する。
このときに用いる導体ペーストとしては、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu粉末などを導電成分とする導体ペーストを使用する。必要に応じて、導体ペーストとともに、あるいは、導体ペーストの代わりに、抵抗ペーストやガラスペーストを印刷することも可能である。ただし、ビアホール(サーマルビアホール)22に充填する導電ペーストとしては、熱伝導度の高い材料(銅や銀など)を主たる成分とする導電ペーストを用いることが望ましい。
補助層用(拘束層用)グリーンシート12は、たとえば、有機ビヒクル中にアルミナ粉末を分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することにより得ることができる。このようにして得られた補助層用(拘束層用)グリーンシート12の焼結温度は、1500〜1600℃であるため、基板用グリーンシート11が焼結する温度(例えば、800〜1000℃)では焼結せず、この補助層用(拘束層用)グリーンシート12を接合させた状態で基板用グリーンシート11を焼成することにより、基板用グリーンシート11の平面方向に関する収縮を抑制しつつ焼結させることが可能になる。
なお、この補助層用(拘束層用)グリーンシート12としては、プレス時に未焼成複合積層体10(図2,図3)を傷めることなく加工することができるように、基板用グリーンシート11よりも、硬くなるように物性を調整したものを用いることが望ましい。
補助層付き未焼成複合積層体20のプレスは、100〜2000kg/cm2、好ましくは1000〜2000kg/cm2のプレス圧力で、30〜100℃、好ましくは50〜80℃の温度で実施する。
なお、導体ペーストにCuを用いた場合は酸化防止のため還元雰囲気で焼成する必要があるが、Ag、Ag/Pd、Ag/Ptを用いた場合には大気焼成が可能である。
なお、補助層(補助層用グリーンシート)12および冷媒流路用グリーンシート(難焼結性部材)12aを除去する方法としては、超音波洗浄やアルミナ砥粒を吹き付ける方法などの物理的処理方法や、エッチングなどの化学的処理方法のどちらの方法を用いてもよく、また、物理的処理方法と化学的処理方法を組み合わせて用いることも可能である。
特に、冷媒流路用グリーンシートの除去は、高圧水流を挿入することが好ましい。
このパワー半導体モジュールは、冷媒流路2と、パワー半導体デバイス6とを熱的に接続するためのビアホール導体(サーマルビアホール導体)3を備えており、優れた冷却機能を備えていることから、パワー半導体デバイス6の能力を十分に発揮させることができる。
なお、図4〜図9はこの実施例2のセラミック多層基板の製造方法を示す図であり、図10はこの実施例2のセラミック多層基板にパワー半導体デバイスを搭載した状態を示す図である。なお、図4〜10において、図1〜3と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。また、図5〜図10において、図4と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。
なお、基板用グリーンシートの条件(具体的な製造条件、組成、物性など)は、上記実施例1の場合と同じである。
このときに用いる導体ペーストとしては、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu粉末などを導電成分とする導体ペーストを使用する。必要に応じて、導体ペーストとともに、あるいは、導体ペーストの代わりに、抵抗ペーストやガラスペーストを印刷することも可能である。
なお、補助層用(拘束層用)グリーンシート12としては、上記実施例1で用いたものと同じものを用いる。
そして、下側の補助層用(拘束層用)グリーンシート12に、サーマルビアホール導体充填用のビアホール22a(図4)を形成し、導電ペーストを充填する。
なお、型30を作製するのに用いられる平板24としては、適度な硬さを有する材料(樹脂や金属)からなるものを用いることが好ましい。また、複数種類の材料を複合させた複合材料からなる平板を用いることも可能である。
なお、プレス方法は静水圧プレスの方法に限らず、図6に示すように、弾性体9a(例えばシリコンラバー)を介して平板状の圧着用金型9bによりプレスして、補助層付き未焼成セラミック積層体20aに凹部31aを形成するようにすることも可能である。
なお、型30による補助層付き未焼成セラミック積層体20aのプレスは、100〜2000kg/cm2、好ましくは1000〜2000kg/cm2のプレス圧力で、30〜100℃、好ましくは50〜80℃の温度で実施する。
また、補助層付き未焼成セラミック積層体20aの主要部を構成する基板用グリーンシート11は、プレス用の型30の凸部32よりも柔らかいため、未焼成セラミック積層体10aを容易かつ確実に変形させることができる。
なお、導体ペーストにCu粉末などの卑金属粉末を導電成分とするものを用いた場合には、酸化防止のため還元雰囲気で焼成することが必要になるが、Ag、Ag−Pd、Ag−Ptなどの貴金属粉末を導電成分とする導電ペーストを用いた場合には大気中で焼成することも可能である。
なお、補助層を除去する方法としては、超音波洗浄やアルミナ砥粒を吹き付ける方法などの物理的処理方法や、エッチングなどの化学的処理方法のどちらの方法を用いてもよく、また、物理的処理方法と化学的処理方法を組み合わせて用いることも可能である。
このパワー半導体モジュールは、冷媒流路2とパワー半導体デバイス6とを熱的に接続するためのビアホール導体(サーマルビアホール導体)3を備えており、優れた冷却機能を備えていることから、パワー半導体デバイス6の能力を十分に発揮させることができる。
なお、焼結基板14aおよび14bの凹部31aおよび31bの内面形状は、上述のような製造方法から、図7〜10に示すように、丸みを帯びた形状となるのが一般的である。
なお、図11(a),(b)において、図10と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示している。
また、図12〜図20は、本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板Sの変形例を示す図である。
この金属膜は、上述した製法において、基板用グリーンシートと補助層用グリーンシートの間に焼成後に金属膜となる導体ペーストを所定のパターンで形成しておくことにより、形成できる。
この金属板は、上述した製法において、2つの補助層用グリーンシートの間に焼成後に金属板となる導体ペーストを所定のパターンに設けておくことにより、形成できる。
したがって、本願発明のセラミック多層基板は、パワーアンプやCPU(Central Processing Unit:中央演算処理装置)のような、いわゆるパワー半導体デバイスが搭載されるセラミック多層基板として、広く利用することが可能である。
2,2a,2b 冷媒流路
3 ビアホール導体(サーマルビアホール導体)
4 内部電極
5 表面導体
6 パワー半導体デバイス
7 層間接続用ビアホール導体
8 可撓性フィルム
9 水
9a 弾性体
9b 平板状の圧着用金型
10 未焼成複合積層体
10a 未焼成セラミック積層体
11 基板用グリーンシート
12 補助層用(拘束層用)グリーンシート(補助層)
12a 冷媒流路用グリーンシート(難焼結性部材)
14 焼結基板
14a 一方の焼結基板(セラミック基板)
14b 他方の焼結基板(セラミック基板)
20 補助層付き未焼成複合積層体
20a 補助層付き未焼成セラミック積層体
21 層間接続用ビアホール
22 ビアホール(サーマルビアホール)
22a サーマルビアホール導体充填用のビアホール
24 固定面(平板)
25 グリーンシート(型形成用グリーンシート)
25a 型形成用グリーンシートの主面
30 プレス(変形)用の型
31a、31b 凹部
32 型の凸部(型)
33a,33b 凸部
34 金属膜
S セラミック多層基板
Claims (12)
- パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であって、
(a)前記セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、
(b)前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記セラミック層の積層方向に延びるビアホール導体と
を備えていることを特徴とするセラミック多層基板。 - 前記冷媒流路中に、前記ビアホール導体が突出していることを特徴とする、請求項1のセラミック多層基板。
- 前記ビアホール導体の先端部に金属板が接続されていることを特徴とする、請求項2のセラミック多層基板。
- 前記冷媒流路の内壁面の少なくとも一部に金属膜が配設されており、該金属膜が前記ビアホール導体に接続されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のセラミック多層基板。
- 前記冷媒流路が、前記セラミック層の積層方向または該積層方向に直交する方向に複数設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のセラミック多層基板。
- 前記セラミック層が、低温焼結セラミック材料によって形成されており、前記ビアホール導体は、銀または銅を主成分とする金属材料によって形成されていることを特徴とする、請求項1〜5に記載のセラミック多層基板。
- 前記セラミック多層基板中には、インダクタまたはコンデンサを構成する内部電極が設けられていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のセラミック多層基板。
- パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(a)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体の内部に、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない所定パターンの難焼結性部材が配設され、かつ、
前記未焼成セラミック積層体の表面から、内部に配設された前記難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された構造を有する未焼成複合積層体を形成する工程と、
(b)前記未焼成複合積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(c)焼成済み複合積層体から前記難焼結性部材を取り除くことにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路を形成するとともに、前記冷媒流路に前記ビアホール導体の一部を露出させて、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。 - 前記(a)の未焼成複合積層体を形成する工程において、前記未焼成複合積層体の表面に、さらに、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない補助層を設ける工程を備えていることを特徴とする、請求項8のセラミック多層基板の製造方法。
- パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(a)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体と、前記未焼成セラミック積層体の両主面側に配設された、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層とを備え、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体を備えた補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程と、
(b)前記補助層付き未焼成セラミック積層体の、前記ビアホール導体が達している方の前記補助層が配設された面に、凸部を有する型を合わせてプレスし、前記補助層付き未焼成セラミック積層体に凹部を形成する工程と、
(c)前記凹部が形成された前記補助層付き未焼成セラミック積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(d)焼成後の補助層付きセラミック積層体から前記補助層を取り除くことにより、前記他方の主面に凹部を有し、該凹部にビアホール導体が露出した焼成済みセラミック積層体を得る工程と、
(e)前記焼成済みセラミック積層体の前記凹部が形成された面に、予め用意しておいた他の焼成済みセラミック積層体を接合し、前記凹部を封止して冷媒流路を形成することにより、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路を備え、かつ、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体を備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。 - 前記(a)の補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程において、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体が、
(a)前記補助層の表面にまで達している状態、
(b)前記補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(c)前記補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあることを特徴とする、請求項10記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板上にパワー半導体デバイスが搭載されているパワー半導体モジュールであって、
前記セラミック多層基板として、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路と、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板が用いられていること
を特徴とする、パワー半導体モジュール。
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