JP2007027448A - 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007027448A JP2007027448A JP2005208015A JP2005208015A JP2007027448A JP 2007027448 A JP2007027448 A JP 2007027448A JP 2005208015 A JP2005208015 A JP 2005208015A JP 2005208015 A JP2005208015 A JP 2005208015A JP 2007027448 A JP2007027448 A JP 2007027448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor layer
- light emitting
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 サファイア基板1上に、低温バッファ層を介して、n型GaNエピ層2、n型GaNナノコラム3、多重量子井戸ナノコラム4、p型GaNナノコラム5を、順次積層成長させる(図1(a))。次に、シリコンCMP技術を用いて回転研磨を行い、均一な高さのナノコラム6を形成し(図1(b))、p型GaNナノコラム5上に、p型GaN基板7を積層し、加熱・加圧して貼合わせる(図1(c))。その後、抵抗値を抑えるためにp型GaN基板7を薄膜化してp型GaN電極形成領域8とし(図1(d))、p型電極11およびn型電極12を、蒸着、リソグラフィ、ドライエッチングを用いて形成する(図1(e))。したがって、p型電極側からも、貫通転位を無くすことができる。
【選択図】 図1
Description
菊池、野村、岸野「窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新しい機能性デバイス材料の開発」(応用物理学会2004年秋季大会予稿集第1分冊4P−W−1)
図1は、本発明の実施の第1の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードD1の製造工程を模式的に示す断面図である。先ず、サファイア基板1上に、図示しない低温バッファ層を介して、n型基板層であるn型GaNエピ層2を形成し、このn型GaNエピ層2の表面には、将来n型電極とコンタクトを取るため、n型不純物Siを高濃度にドープしておく。このn型GaNエピ層2がn型の導電性基板となり、その上にナノコラム6を形成する。
図2は、本発明の実施の第2の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードD2の製造工程を模式的に示す断面図である。この発光ダイオードD2の構造において、前述の発光ダイオードD1の構造に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図2(a)は前述の図1(c)と同様に、ナノコラム6の先端にp型GaN基板7を貼合せた状態を示し、注目すべきは、本実施の形態では、前記サファイア基板1が除去されて、n型GaNエピ層2と同じ型の不純物をドープして作成されたn型導電性基板19に交換されることである。
図3は、本発明の実施の第3の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードD3の製造工程を模式的に示す断面図である。この発光ダイオードD3の構造において、前述の発光ダイオードD2の構造に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、本実施の形態では、前述の図1(c)がナノコラム6の先端にp型GaN基板7を貼合せているのに対して、図3(a)で示すように、透明導電材料基板28を貼合せていることである。
図4は、本発明の実施の第4の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードD4の製造工程を模式的に示す断面図である。この発光ダイオードD4の構造は、前述の発光ダイオードD1の構造に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、本実施の形態では、前述の図1(c)がナノコラム6の先端にp型GaN基板7を貼合せているのに対して、図4(a)で示すように、ブラッグ反射多層膜(以下、DBRミラー層と呼ぶ)37を積層した透明導電材料基板38を貼合せていることである。
以下に、本発明の実施の第5の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードについて説明するが、素子構造は、上述の発光ダイオードD1〜D4のいずれの構造であってもよい。注目すべきは、上述の発光ダイオードD1〜D4では、ナノコラム3〜5は窒化物半導体層から成るのに対して、本実施の形態では、酸化物半導体層から成ることである。
以上から、実施の形態1〜4で述べた発光ダイオードD1〜D4は、ZnOでも実現可能と考えられる。
2 n型GaNエピ層
3 n型GaNナノコラム
4 多重量子井戸ナノコラム
5 p型GaNナノコラム
6 ナノコラム
7 p型Gan基板
8 p型GaN電極形成領域
10 透明導電膜
11,41 p型電極
12 n型電極
19 n型導電性基板
28 透明導電材料基板
30 透明電極層
37 ブラッグ反射多層膜
38 透明導電材料基板
D1〜D4 発光ダイオード
Claims (7)
- 単結晶基板上に、n型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層とを順に積層した柱状結晶構造体を複数有して成る半導体発光素子において、
前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層上に、これらとオーミックコンタクトを取ることができる導電性基板を貼合わせて成るp型電極を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記単結晶基板と前記n型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層との間にはn型基板層が介在され、前記柱状結晶構造体の成長後に前記単結晶基板が除去され、代りに前記n型基板層とオーミックコンタクトを取ることができる導電性基板を貼合わせて成るn型電極をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記p型電極またはn型電極の一方は、分布型ブラッグ多層膜を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光素子を用いることを特徴とする照明装置。
- 単結晶基板上に、n型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層とを順に積層した柱状結晶構造体を複数有して成る半導体発光素子の製造方法において、
前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層を平坦に研磨する工程と、
研磨した前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層上に導電性基板を積層し、加圧および加熱することでそれらを貼合わせ、前記導電性基板をp型電極に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記導電性基板を貼合わせる工程の前に、該導電性基板および柱状結晶構造体の少なくとも一方の貼合わせ面側に、窒素原子を含むプラズマを照射する工程をさらに行うことを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板を貼合わせる工程を、10−6Pa以下の高真空中で行うことを特徴とする請求項5または6記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005208015A JP4508021B2 (ja) | 2005-07-19 | 2005-07-19 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005208015A JP4508021B2 (ja) | 2005-07-19 | 2005-07-19 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007027448A true JP2007027448A (ja) | 2007-02-01 |
JP4508021B2 JP4508021B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=37787818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005208015A Expired - Fee Related JP4508021B2 (ja) | 2005-07-19 | 2005-07-19 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4508021B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152878A1 (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Maxell, Ltd. | 結晶シリコン素子 |
KR101046144B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화갈륨막 제조방법 및 질화계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법 |
KR101045685B1 (ko) | 2008-09-04 | 2011-07-01 | 루미엔스 포토닉스 잉크 | 열전 반도체 소자와 그의 제조 방법 |
US8232127B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-07-31 | Hanvision Co., Ltd. | Thermo-electric semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2013025043A1 (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | 서울대학교산학협력단 | 광소자 및 그 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244457A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nisshin Steel Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH10335616A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2004119807A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体結晶の成長方法及びそれを用いた素子 |
-
2005
- 2005-07-19 JP JP2005208015A patent/JP4508021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244457A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nisshin Steel Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH10335616A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2004119807A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体結晶の成長方法及びそれを用いた素子 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152878A1 (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Maxell, Ltd. | 結晶シリコン素子 |
KR101045685B1 (ko) | 2008-09-04 | 2011-07-01 | 루미엔스 포토닉스 잉크 | 열전 반도체 소자와 그의 제조 방법 |
US8232127B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-07-31 | Hanvision Co., Ltd. | Thermo-electric semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101046144B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화갈륨막 제조방법 및 질화계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법 |
WO2013025043A1 (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | 서울대학교산학협력단 | 광소자 및 그 제조방법 |
US9444006B2 (en) | 2011-08-16 | 2016-09-13 | Snu R&Db Foundation | Optical device and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4508021B2 (ja) | 2010-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4525500B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
JP5312797B2 (ja) | オプトエレクトロニクス用基板の作製方法 | |
TWI545794B (zh) | 具有磊晶樣板之工程基板總成及其相關系統、方法及裝置 | |
US6887770B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP4591276B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
US8884306B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4225510B2 (ja) | 化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | |
JP4852755B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2008047860A (ja) | 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 | |
JP4980616B2 (ja) | 半導体チップを製作するための方法 | |
JP4483736B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
US20080265272A1 (en) | Light Emitting Device Having Zener Diode Therein And Method Of Fabricating The Same | |
JP4586934B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 | |
JP4508021B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP5128335B2 (ja) | GaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子 | |
JP4586935B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2004031657A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体発光装置 | |
KR101480551B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
JP2008066590A (ja) | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 | |
US20110024775A1 (en) | Methods for and devices made using multiple stage growths | |
JP2008066591A (ja) | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 | |
KR100952015B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
US8536585B2 (en) | Semiconductor light emitting device including anode and cathode having the same metal structure | |
KR101349550B1 (ko) | 발광다이오드 제조방법 | |
KR101252558B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080410 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100426 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |