JP4586935B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4586935B2 JP4586935B2 JP2010060439A JP2010060439A JP4586935B2 JP 4586935 B2 JP4586935 B2 JP 4586935B2 JP 2010060439 A JP2010060439 A JP 2010060439A JP 2010060439 A JP2010060439 A JP 2010060439A JP 4586935 B2 JP4586935 B2 JP 4586935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- semiconductor layer
- light emitting
- nanocolumn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の第1の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードD1の製造工程を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、ナノコラム7の形成にあたっては、フォトリソグラフィが用いられるが、その形成方法は本方法に限定されるものではなく、たとえば電子ビーム露光などの方法を用いても良いことは言うまでもない。また、本実施の形態および後述する他の実施の形態では、ナノコラム7の成長は、有機金属気相成長(MOCVD)によって行うことを前提としているが、ナノコラム7の成長方法はこれに限定されるものではなく、分子線エピタキシー(MBE)やハイドライド気相成長(HVPE)等の装置を用いてもナノコラムが作製可能であることは公知である。以下、特に断らない限り、MOCVD装置を用いるものとする。
以下に、本発明の実施の第2の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオードについて説明する。注目すべきは、上述の発光ダイオードD1では、ナノコラム7は、窒化物半導体層から成るのに対して、本実施の形態では、酸化物半導体層から成ることである。
2 シリコン酸化膜
3 フォトレジスト
4 レジスト開口部
5 シリコン酸化膜パターン
6 多結晶のGaN層
7 ナノコラム
8 透明電極
9 n型電極
11 n型GaN層
12 発光層
13 p型GaN層
D1 発光ダイオード
Claims (1)
- 基板上に、n型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層とを順に積層した柱状結晶構造体を複数有し、前記基板上にn型電極が、前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層上にp型電極が、それぞれ形成されて成る半導体発光素子の製造方法において、
前記基板上に前記柱状結晶構造体を形成すべき部分を開口部としてマスクを形成する工程と、
前記柱状結晶構造体の各層を順に積層する工程と、
前記マスク上の各層を除去する工程と、
前記マスク内の開口部に露出した前記柱状結晶構造体の先端部に、連続してp型電極を形成するとともに、前記基板にn型電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010060439A JP4586935B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010060439A JP4586935B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005205243A Division JP4525500B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135859A JP2010135859A (ja) | 2010-06-17 |
JP4586935B2 true JP4586935B2 (ja) | 2010-11-24 |
Family
ID=42346738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010060439A Expired - Fee Related JP4586935B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4586935B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9012934B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device |
US9478702B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102203460B1 (ko) | 2014-07-11 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법 |
KR102252993B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법 |
CN104993012B (zh) * | 2015-05-25 | 2017-04-12 | 中国科学院半导体研究所 | 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 |
GB201816455D0 (en) * | 2018-10-09 | 2018-11-28 | Univ Sheffield | LED Arrays |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212489A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-08-04 | Hitachi Ltd | 発光素子 |
JPH06244455A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nisshin Steel Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2004363382A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4841628B2 (ja) * | 2005-06-25 | 2011-12-21 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ナノ構造体及びそれを採用した発光ダイオードとその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-17 JP JP2010060439A patent/JP4586935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212489A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-08-04 | Hitachi Ltd | 発光素子 |
JPH06244455A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nisshin Steel Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2004363382A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9012934B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device |
US9478702B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010135859A (ja) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4525500B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
JP4552828B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP4591276B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP5807015B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP5932664B2 (ja) | Iii族窒化物半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP4586935B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP4586934B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 | |
CN103548154A (zh) | 半导体器件及制造方法 | |
JP4483736B2 (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
US20100012954A1 (en) | Vertical III-Nitride Light Emitting Diodes on Patterned Substrates with Embedded Bottom Electrodes | |
CN115298837A (zh) | Led前体 | |
KR101510377B1 (ko) | 질화물 반도체 및 수직형 발광 소자의 제조방법 | |
CN115000258A (zh) | 一种用于提高微型led调制带宽的外延结构及其制备方法 | |
JPH11274082A (ja) | Iii 族窒化物半導体およびその製造方法、およびiii 族窒化物半導体装置 | |
CN102280533A (zh) | 氮化镓衬底材料制造方法 | |
JP4508021B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
KR101134493B1 (ko) | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
CN102222738A (zh) | 氮化镓衬底材料的制造方法 | |
CN102244169A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
KR20110135237A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP5946333B2 (ja) | Iii族窒化物半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP2009105382A (ja) | 多接合型太陽電池の製造方法 | |
KR101241331B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
TWI714891B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
TWI612686B (zh) | 發光元件及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |