JP2007012884A - 半導体基板の製造方法及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Si基板1の表面の一部に犠牲SiGe層3を形成する工程と、犠牲SiGe層3にエッチング速度を向上させるボロン(B)と、Bの拡散を抑制するカーボン(C)とを含ませる工程と、犠牲SiGe層3上にSi層5を形成する工程と、Si層5が覆われるようにしてSi基板1上に支持体膜9を形成する工程と、犠牲SiGe層3の端部の一部を露出させる開口面を支持体膜9に形成する工程と、BとCとを含む犠牲SiGe層3を開口面を介してエッチングすることにより、Si層5下に空洞部を形成する工程と、空洞部内にSiO2膜を形成する工程と、を含む。空洞部を形成する際に、犠牲SiGe層3のエッチングの選択比をさらに高めることが可能である。
【選択図】 図2
Description
その一方で、SOI基板は、SIMOX法、貼り合わせ法等、特殊な製造装置により作製されるため、基板コストは非常に高くなっている(バルク基板と比べて、通常、5〜10倍程度である。)。また、SOIを用いたデバイスではその特殊な構造のため、ドレイン耐圧が低下したり、静電破壊レベルが低下したりするなど、デメリットとなる部分もあった。そこで、これらの問題を解決するため、バルク基板上に部分的なSOI構造を作製する方法が提案されている。
T,Sakai et al."Separation by Bonding Si Islands(SBSI) for LSI Applications",Second International SiGe Technology and Device Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
ここで、「半導体基板」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「第1半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるシリコンゲルマニウム(SiGe)層である。また、「第2半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるSi層である。さらに、「速度向上因子」は例えばボロン(B)である。
発明2の半導体基板の製造方法によれば、空洞部を形成する際に、速度向上因子によって第1半導体層を速くエッチングすることができる。しかも、拡散抑制因子によって速度向上因子の第2半導体層や半導体基板への拡散は抑制されるので、第2半導体層を速くエッチングしないようにすることができる。従って、発明1と比べて、第1半導体層のエッチングの選択比をさらに高めることが可能であり、第1半導体層だけを横方向へより広くエッチングすることが可能である。半導体基板においてSOI構造領域の大面積化が可能である。
このような構成であれば、第1半導体層内での速度向上因子の拡散が抑えられるので、第2半導体層及び半導体基板への速度向上因子の拡散を効率良く抑制することができる。
発明4の半導体基板の製造方法によれば、途中の熱工程(例えば、第2半導体層の形成工程や、絶縁膜の形成工程、埋め込み酸化膜の形成工程等)を経た後でも、速度向上因子の拡散する範囲は、その両側に分布のピークをもつ拡散抑制因子によって第1半導体層内にほぼ限定される。従って、第2半導体層及び半導体基板への速度向上因子の拡散を効率良く抑制することができる。
ここで、Bは通常、格子間原子を介して(即ち、Bからみてエネルギーの低い所)熱拡散する傾向がある。また、カーボン(C)には、格子間原子を捕獲し易いという性質がある。
発明5の半導体基板の製造方法によれば、BとCとを含む第1半導体中では、Cによって格子間原子が減少し、Bは格子間原子が少ないので多少の熱工程を経てもそれほど拡散しない。従って、Bの多くを第1半導体層中に残留させることができる。
ここで、「格子間原子濃度に合わせて」とは、格子間原子濃度の大小の傾向に合わせて、ということである。格子間原子濃度の大小の傾向に合わせて、カーボンの濃度を上記範囲内で大きく又は小さく設定するということを意味し、必ずしも、格子間原子濃度の数値とカーボン濃度の数値とを一致させることを意味するものではない。
例えば、格子間原子の濃度が小さい場合には、カーボンの濃度を1017〜1018[cm−3]付近に設定する。また、格子間原子の濃度が大きい場合には、カーボンの濃度を1021〜1022[cm−3]付近に設定する。さらに、格子間原子の濃度が中くらいであれば、カーボンの濃度を1019〜1020[cm−3]付近に設定する。
このような構成であれば、本来半導体基板中に内在する格子間原子が、高純度半導体層の存在により第1半導体層へ直接拡散していく事が抑制できる為、第1半導体層を可能な限り格子間原子の無い層とすることができる。
これにより、半導体基板にSOI構造のトランジスタ(以下、「SOIトランジスタ」という。)を多く形成することが可能である。
本発明は、バルクの半導体基板の所望とする領域のみSOI構造を形成する、いわゆるSBSI技術に適用して極めて好適である。
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図2(A)、図3(A)及び図4(A)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。また、図2(B)は図2(A)のX1−X1′矢視断面図であり、図2(C)は図2(A)のY1−Y1 ′矢視断面図である。さらに、図3(B)は図3(A)のX2−X2′矢視断面図であり、図3(C)は図3(A)のY2−Y2 ′矢視断面図である。また、図4(B)は図4(A)のX3−X3′矢視断面図であり、図4(C)は図4(A)のY3−Y3 ′矢視断面図である。
ここで、SiGe中にBを含ませると、SiGeとSiの選択エッチ比が向上する(つまり、SiGeがエッチングされ易くなる。)が、BはSiGe等の半導体中で拡散係数が大きく、途中の熱工程(Si層5のエピタキシャル成長、CVD、酸化などの工程)で拡散しやすい。そのため、Bの熱拡散を考慮すると、SiGe中にBを含ませただけでは、必ずしも選択比向上の効果が得られるとは言えない面がある。そこで、本実施の形態では、犠牲SiGe層3をエピタキシャル成長させる際に、犠牲SiGe層3中にBとCの両方を含ませる。
次に、図1(A)に示すように、CVDなどの方法により、犠牲SiGe層3上にシリコン酸化(SiO2)膜7を堆積する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、図1(B)に示すように、犠牲SiGe層3、Si層5およびSiO2膜7をパターニングすることにより、SOI構造となるアクティブ領域以外の半導体基板1を露出させる。
次に、図2(A)〜(C)に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて支特体膜をパターニングすることにより、犠牲SiGe層3の側面(端部)の一部を露出させる開口面を形成する。ここで、犠牲SiGe層3の側面の一部を露出させる場合、犠牲SiGe層3の側面の残りの一部は支持体膜9で覆われたままにする。
ここでは、犠牲SiGe層3の側面の残りの一部は支持体膜9で覆われたままであり、それゆえ、犠牲SiGe層3が除去された場合においても、支持体膜9によってSi層5及びSiO2膜7はSi基板1上で支持された状態を維持することができる。
次に、Si基板1およびSi層5の熱酸化を行う。これより、図4(A)〜(C)に、Si基板1とSi層5との間の空洞部を埋め込むようにしてSiO2膜13が形成される。SiO2膜13による空洞部の埋め込みが十分でない場合には、熱酸化の後でCVDなどの方法により空洞部内にSiO2膜等を堆積させるようにしても良い。
この実施の形態では、Si基板1が本発明の「半導体基板」に対応し、犠牲SiGe層3が本発明の「第1半導体層」に対応している。また、ボロン(B)が本発明の「速度向上因子」に対応し、カーボン(C)が本発明の「拡散抑制因子」に対応している。さらに、Si層5が本発明の「第2半導体層」に対応し、支持体膜9が本発明の「絶縁膜」に対応している。また、SiO2膜13が本発明の「埋め込み酸化膜」に対応している。
しかしながら、この犠牲SiGe層3を形成する工程では、図6(A)に示すように、深さ方向でBの分布のピークの両側にCの分布のピークがくるようにしても良い。このようなピークのズレは、例えばエピタキシャル成長時に変調ドープを行う、又は、ジボランガスを流すタイミングとジメチルシランガスを流すタイミングとをずらすことで、実現可能である。図6(A)に示すような分布であれば、途中の熱工程を経た後でも図6(B)に示すように、Bの拡散する範囲は、その両側に分布のピークをもつCによって犠牲SiGe層3内にほぼ限定される。従って、Si層5及びSi基板1へのBの拡散を効率良く抑制することができる。
さらに、この実施の形態では、「半導体基板」の材質がSiで、「第1半導体層」の材質がSiGeで、「第2半導体層」の材質がSiの場合について説明した。しかしながら、これらの材質は上記に限られることはない。例えば、「半導体基板」の材質としては、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどを用いることができる。また、「第1半導体層」の材質としては、Si基板1および第2半導体層よりもエッチングの選択比が大きな材質を用いることができる。例えば、「第1半導体層」および「第2半導体層」の材質として、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどの中から選択された組み合わせを用いることができる。
Claims (10)
- 半導体基板の表面の一部に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層にエッチング速度を向上させる速度向上因子を含ませる工程と、
前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記速度向上因子を含む前記第1半導体層を前記開口面を介してエッチングすることにより、前記第2半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 半導体基板の表面の一部に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層にエッチング速度を向上させる速度向上因子と、前記速度向上因子の拡散を抑制する拡散抑制因子とを含ませる工程と、
前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含む前記第1半導体層を前記開口面を介してエッチングすることにより、前記第2半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記第1半導体層に前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含ませる工程では、
前記第1半導体層内で前記速度向上因子の分布と前記拡散抑制因子の分布とが重なり合ように、前記第1半導体層に前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含ませることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記第1半導体層に前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含ませる工程では、
深さ方向で前記速度向上因子の分布のピークの両側に前記拡散抑制因子の分布のピークがくるように、前記第1半導体層に前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含ませることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記速度向上因子はボロンであり、且つ前記拡散抑制因子はカーボンであ
ることを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記カーボンの濃度は、前記第1半導体層中の格子間原子濃度に合わせて、1×1017〜1×1022[cm−3]の範囲で設定される事を特徴とする請求項2から請求項5の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記拡散抑制因子はフッ素であることを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1半導体層を形成する前に、前記半導体基板の表面に高純度半導体層を形成する工程を含み、
前記第1半導体層を形成する工程では、前記高純度半導体層上に前記第1半導体層を形成することを特徴とする請求項1から請求項7の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 半導体基板の表面の一部に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層にエッチング速度を向上させる速度向上因子を含ませる工程と、
前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記速度向上因子を含む前記第1半導体層を前記開口面を介してエッチングすることにより、前記第2半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、
前記埋め込み酸化膜上の前記第2半導体層にトランジスタを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の表面の一部に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層にエッチング速度を向上させる速度向上因子と、前記速度向上因子の拡散を抑制する拡散抑制因子とを含ませる工程と、
前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記速度向上因子と前記拡散抑制因子とを含む前記第1半導体層を前記開口面を介してエッチングすることにより、前記第2半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、
前記埋め込み酸化膜上の前記第2半導体層にトランジスタを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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