JP2007012665A - カーボンナノ細線トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板にソース電極3を形成する工程と、ソース電極3からはみ出る長さをもつCNT5の一方側をめっきに依ってソース電極3に固着する工程と、ソース電極3からはみ出たCNT5のチャネル長を隔てた他方側上を覆ってドレイン電極を形成する工程とが含まれる。
【選択図】 図8
Description
先ず、トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成し、その後、有機溶媒に分散させたCNTを電極の上にばら撒き、ソース電極及びドレイン電極に偶々引っ掛かったCNTをチャネルとして利用する偶然に頼った方法。
原子力間顕微鏡(atomic force microscope:AFM)を用いて、CNTをソース及びドレインの電極間に直接運ぶ方法。
ソース及びドレインの各電極にCNT触媒を付け、電極から直接CNTを成長させる方法。
V.Derycke et al.,"ナノチューブFET CMOS素子"NanoLett.1(2001)463 戸室 亮(山形大学)、佐野 正人(山形大学)「半導体ナノチューブの優先的電着」第28回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集
(1) カーボンナノ細線をソース・ドレイン間に良好な配向性をもって設置する作業が従来の技術に比較して容易になる。
(2)
ソース・ドレイン間に設置するカーボンナノ細線の本数のばらつきが減り、従来の技術に比較してカーボンナノ細線トランジスタの集積度が向上し、また、製造歩留まりも向上する。
(3)
ソース・ドレイン間のカーボンナノ細線の本数を複数本にすることができるから、オン電流が増大してトランジスタの駆動力、従って、性能が向上する。
(4)
ソース・ドレイン間に半導体的性質をもつカーボンナノ細線が選択的に配置される為、例えば従来の分散によるカーボンナノ細線トランジスタの作製方法に比較し、金属的性質をもつカーボンナノ細線がソース・ドレイン間に架橋する確率は激減する。
(1) 例えば、熱CVD(chemical vapor deposition)法 を適用することに依り、Si或いは多結晶Siからなる基板1上に厚さ10nm〜 400nmの間で選択したSiO2 からなる絶縁膜2を形成する。尚、バックゲー ト構造のCNTFETの場合は、基板1がゲート電極の作用をするから導電性であ ることが必要である。
(2) 真空蒸着法法を適用することに依り、絶縁膜2上に厚さ30nmのTi膜を形成 し、次いで、リソグラフィ技術を適用することに依り、Ti膜のパターニングを行 なってソース電極3及びドレイン電極4を形成する。尚、この場合の成膜法として は真空蒸着法はスパッタリング法に代替して良く、また、Ti膜はPd膜に代替し て良い。
(3) 電解めっき槽11中に例えばジメチルホルムアミド(DMF)からなる有機溶媒 12を満たし、有機溶媒12にCNTを分散する。その有機溶媒12中に基板1を +極として浸漬すると共に−極13を浸漬する。+極である基板1と−極13との 間に直流電源(電池)14を接続し、ソース電極3とドレイン電極4との間をCN Tが架橋するように電解めっきを行なう。電解めっきに用いる金属材料には、金、 銀、銅、タンタル、タンタルナイトライド、パラジウムなどから選択して良い。
(4) 前記したように、電解めっきに依ってCNT5をソース電極3及びドレイン電極 4間に配向性良く架橋することで、CNT5をチャネルとするFETが完成する。
(2) ソース電極3にCNT5の一端側を電解めっきで固着する。この場合、CNT5 の長さは電解めっきされるべき部分の長さとチャネル長とを余裕をもってクリアで きるようにしなければならない。
(3) ソース電極3から所定のチャネル長を確保した位置にCNT5を覆ってドレイン 電極4を形成する。尚、この際、ドレイン電極4側に於いて、はみ出たCNT5の 不要な部分は除去することは任意である。
(4) 電極3からチャネルと反対方向にはみ出たCNTをパターニングして除去する。(5) CNT5の下側或いは上側の何れかにゲート構造を形成することでバックゲート 構造、或いは、トップゲート構造の何れかになる。
(1) 基板20上にドレインである第1の金属層21、第1の絶縁層22、ゲートである第2の金属層23、第2の絶縁層24、ソースである第3の金属層25を積層形成する。尚、ドレインとソースとは入れ替えても良い。
(2)
リソグラフィ技術を適用することに依り、第3の金属膜25の表面から基板20の表面に達する開口26を形成するぁ
開口26内に表出されたTiからなる第2の金属層23の端面23AにTi酸化膜(図示せず)を形成する。
(4)
めっき法を適用することに依り、第1の金属層21、第2の金属層23、第3の金属層25にCNT27を固着する。この場合、第1の金属層21と第3の金属層25はめっきを行う場合の電極として利用する。
2 絶縁膜
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 CNT
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
Claims (5)
- 基板にソース電極或いはドレイン電極の何れか一方の電極を形成する工程と、
該一方の電極からはみ出る長さをもつカーボンナノ細線の一方側をめっきに依って該一方の電極に固着する工程と、
該一方の電極からはみ出たカーボンナノ細線のチャネル長を隔てた他方側上を覆って他方の電極を形成する工程と
が含まれてなることを特徴とするカーボンナノ細線トランジスタの製造方法。 - 基板にトランジスタに於けるチャネル長の間隔を置いてソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
該ソース電極及びドレイン電極間にめっきに依ってチャネルとなるべきカーボンナノ細線を架橋固着する工程と
が含まれてなることを特徴とするカーボンナノ細線トランジスタの製造方法。 - 基板に少なくとも第1の金属層、第1の絶縁層、第2の金属層、第2の絶縁層、第3の金属層を順に積層形成する工程と、 第3の金属層表面から基板表面に達する開口を形成する工程と、
該開口内に表出された第2の金属層端面に酸化膜を形成する工程と、
該開口内に於いて基板上に直立し且つ第1の金属層と第3の金属層とに両端がめっきに依って固着されると共に第2の金属層に一部が酸化膜を介して接触するカーボンナノ細線を設ける工程と、
該開口内の隙間を絶縁材料で埋める工程と
が含まれてなることを特徴とするカーボンナノ細線トランジスタの製造方法。 - カーボンナノ細線がカーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンファイバーの何れかであること
を特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1記載のカーボンナノ細線トランジスタの製造方法。 - カーボンナノ細線を電極にめっきする際に用いるめっき金属材料を金、銀、銅、タンタル、タンタルナイトライド、パラジウムから選択すること
を特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1記載のカーボンナノ細線トランジスタの製造方法。
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