JP2007008808A - レーザーによる接合方法、当該方法で製造された真空容器および当該真空容器を備えた電子放出ディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】接着物質を使用せずにガラス等の被接合物を接合する方法と、高密閉性を伴う電子放出ディスプレイ用の真空容器と、を提供する。
【解決手段】被接合物２、４を互いに当接するように配置する段階と；被接合物のいずれか一方の側から被接合物間の境界面７に対して垂直な方向で、一方の被接合物にレーザービーム６を照射し、境界面の周囲に融着部を形成させることで、被接合物を直接接合する段階と；を含む接合方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、接合方法に係り、より詳しくは、レーザーを用いて、１つのガラス被接合物を他のガラス被接合物に直接接合する方法に関する。さらに、本発明は、当該方法で製造された真空容器を備えた電子放出ディスプレイに関する。

一般に、分離した部品を結合する際には、接着物質を媒介物として部品を互いに接合する。例えば、平板ディスプレイの一つである電界放出アレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ａｒｒａｙ；ＦＥＡ）型の電子放出素子において、基板上にスペーサを固定する際にも、通常のように接着物質を媒介物として使用する。この際、基板およびスペーサはガラスからなることが通常であり、スペーサは電子放出素子の特性上、微小な厚さを有する。

しかしながら、接着物質を使用して部品を接合する際には、何よりもその工程が複雑となるので、接着物質の使用により製造費が上昇する。この場合、部品間の正確な位置決めおよび接合はあまり期待できない。これは、焼成の工程に際して、接着物質が変形し、被接合物の相対的位置が変化し易いためである。

また、接着物質の使用は、環境的な側面でも不利な結果を及ぼす場合がある。また、電子放出素子が実質的な真空容器を構成する最終製品として形成される場合には、真空容器の製造に要求される、封着および排気の工程に際して、接着物質に起因するガス抜けにより真空度が低下することで、最終製品の品質が低下するという問題が生ずる場合がある。

このように、接合物質を使用した部品の接合には様々な問題点が伴うため、新たな接合方法の提案が必要とされていた。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、接着物質を使用せずにガラス等の被接合物を接合する、新規かつ改良された方法と、高密閉性を伴う電子放出ディスプレイ用の真空容器と、を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、被接合物を互いに当接するように配置する段階と；被接合物のいずれか一方の側から被接合物間の境界面に対して垂直な方向で、一方の被接合物にレーザービームを照射し、境界面の周囲に融着部を形成させることで、被接合物を直接接合する段階と；を含む接合方法が提供される。

かかる接合方法によれば、互いに当接するように配置された被接合物において、被接合物のいずれか一方の側から被接合物の境界面に対して垂直な方向で、レーザービームが照射される。これにより、被接合物の境界面に融着部が形成されることで、融着部を介して被接合物が直接接合される。よって、接着物質を使用せずに被接合物の直接接合が可能となる。

また、上記レーザービームの照射は、相異なるエネルギーを有するレーザービームを順次照射することでなるようにしてもよい。

また、上記レーザービームの照射は、一定のエネルギーを有する第１のレーザービームを照射した後、第１のレーザービームより低いエネルギーを有する第２のレーザービームを照射することでなるようにしてもよい。

また、上記被接合物間の境界面にレーザービームが集束するように、レーザービームを照射するようにしてもよい。

また、上記レーザービームが固体レーザーによって形成されるようにしてもよい。

また、上記レーザービームが第３高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザーによって形成されるようにしてもよい。

また、上記レーザービームがＵＶエキシマーレーザーによって形成されるようにしてもよい。

また、上記レーザービームが可視光線または近赤外線の波長を伴うレーザーによって形成されるようにしてもよい。

また、上記レーザービームが、基本波Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、第２高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、およびダイオードレーザーのいずれかのレーザーによって形成されるようにしてもよい。

また、上記被接合物がガラスからなるようにしてもよい。

また、上記被接合物が板状に形成され、被接合物のいずれか一方に対して、被接合物のいずれか他方を垂直な状態に配置するようにしてもよい。

また、上記被接合物の接触面の大きさが最小０．０７ｍｍであるようにしてもよい。

また、本発明の第２の観点によれば、互いに対向配置される基板と、基板間に配置され、基板のいずれか一方の基板に当接して直接接合されるスペーサと、を含む真空容器が提供される。

かかる真空容器によれば、互いに対向配置される基板において、基板間に配置されていずれか一方の基板に当接した状態で、スペーサが接合される。これにより、基板とスペーサとは、接着物質を使用せずに、それらの境界面を介して直接接合される。よって、高密閉性を伴う真空容器の製造が可能となる。

また、本発明の第３の観点によれば、電子放出ユニットに設けられるカソード基板と、発光ユニットを備えるアノード基板と、カソード基板とアノード基板との間に設けられ、アノード基板に接合されるスペーサと、を含み、スペーサがアノード基板に当接して直接接合される電子放出ディスプレイが提供される。

かかる電子放出ディスプレイによれば、電子放出ユニットに設けられるカソード基板と、発光ユニットを備えるアノード基板と、基板間に設けられてアノード基板に接合されるスペーサとにおいて、アノード基板に当接した状態で、スペーサが直接接合される。これにより、アノード基板とスペーサとは、接着物質を使用せずに、それらの境界面を介して直接接合される。よって、高密閉性を伴う電子放出ディスプレイの製造が可能となる。

また、本発明の第４の観点によれば、板状の基板と、基板に設けられる発光ユニットと、基板に当接して直接接合されるスペーサと、を含む電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリが提供される。

かかる電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリによれば、板状の基板と、基板に設けられる発光ユニットとにおいて、基板に当接した状態でスペーサが直接接合される。これにより、基板とスペーサとは、接着物質を使用せずに、それらの境界面を介して直接接合される。よって、高密閉性を伴う電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリの製造が可能となる。

また、本発明の第５の観点によれば、アノード基板またはカソード基板のいずれか一方の基板に、スペーサを当接するように配置する段階と；スペーサ側からスペーサと基板との境界面に対して垂直な方向で、スペーサにレーザービームを照射し、境界面の周囲に融着部を形成させることで、スペーサと基板とを直接接合する段階と；を含む電子放出ディスプレイの製造方法が提供される。

かかる製造方法によれば、アノード基板またはカソード基板のいずれか一方の基板に当接するように配置されたスペーサにおいて、スペーサ側からスペーサと基板との境界面に対して垂直な方向で、レーザービームが照射される。これにより、スペーサと基板との境界面の周囲に融着部が形成されることで、融着部を介してスペーサと基板とが直接接合される。よって、接着物質を使用せずにスペーサと基板との直接接合が可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、接着物質を使用せずにガラス等の被接合物を接合する方法と、高密閉性を伴う電子放出ディスプレイ用の真空容器と、が提供される。

以下に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係る接合方法を説明する概略図であり、図２は、図１のＡ部分を示す拡大図である。

図１および図２を参照すれば、本実施形態に係る接合方法では、被接合物２、４を互いに当接した状態で、被接合物２、４のいずれか一方の側（ここでは、特に被接合物２の側）からレーザービーム６を照射し、レーザービーム６の熱によって被接合物２、４を互いに融着させる。

ここで、被接合物２、４の一例としては、電子放出ディスプレイ用基板とスペーサとが挙げられる。図１および図２において、符号２は基板、符号４はスペーサを各々に示す。基板およびスペーサはガラスからなる。この際、本実施形態が適用されるガラスは、ＰＤ２００（ＰＤＰ用ガラス）、ソーダライム系ガラス、ホウケイ酸塩系ガラス等、ディスプレイ製造に使用可能ないかなるガラスに対しても適用可能である。

本実施形態において、レーザービーム６は、基板である被接合物２の側から被接合物２、４間の境界面７に対して、垂直な方向（図中のＹ方向）に照射される。この際、レーザービーム６は、任意のエネルギーを伴って境界面７に集束するように、レーザー発生装置（不図示）によって制御可能である。

被接合物２、４は、図２に示すように、互いに垂直な状態で配置されており、当接した状態でレーザービーム６によって接合される。

実質的なスペーサである被接合物４が最小部材幅（ｗ）０．０７ｍｍの微細構造からなるため、被接合物２、４の接合が所謂マイクロ接合によって形成され、被接合物２、４の接触面８の大きさは、最小０．０７ｍｍとなる。もちろん、被接合物４の幅（ｗ）および接触面８の大きさは一例であって、本実施形態の接合方法による接触面の幅が限定されるものではない。本実施形態において、被接合物４の幅（ｗ）および接触面８の大きさは、最小０．０７ｍｍ〜数ｍｍ、例えば約５ｍｍに維持される。

このように、本実施形態においては、被接合物２、４がレーザービームによって当接した状態を維持する。すなわち、被接合部２、４は、接着物質のような媒介物を介在せずに固定される。

このような直接接合方式によって、被接合物２、４の境界面の周囲には、レーザービーム６により融着部１０が形成される。この融着部１０は、レーザービーム６の熱により任意の形状を伴う。本実施形態において、溶着部１０は、被接合物２、４の境界面に対して交差する方向（図１に示すＹ方向）に延びた領域（すなわち、図２中に示す被接合物４の幅ｗ方向に対して高さＬ方向が大きい。）を形成する。この際、融着部１０は、レーザービーム６による等高線状の熱的勾配を形成することが可能である（図２参照）。

一方、本実施形態において、レーザービーム６は、固体レーザーによって形成可能であり、固体レーザーとしては、第３高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザーが適用されてもよい。また、レーザービーム６は、ＵＶエキシマーレーザー、または可視光線または近赤外線の波長を伴うレーザー、例えば、基本波（ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ ｈａｒｍｏｎｉｃ）Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、第２高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、ダイオードレーザー等が適用されてもよい。

図３〜図５は、本発明の一実施形態に係る被接合物の接合方法を説明する概略図である。

これらの図面を参照すれば、まず、図３に示すように、被接合物の一つである基板１２に他の被接合物のスペーサ１４を配置する。この際、スペーサ１４は、前述したように、基板１２に対して垂直な状態に配置される。このような基板１２およびスペーサ１４は、ガラスからなる。

基板１２は、電子放出ディスプレイを構成するアノード基板でありうる。よって、基板１２には、アノード電極を構成する酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜１６、いわゆるブラックマトリックス（ＢＭ）と呼ばれる黒色膜１８、およびアルミニウム等の金属膜２０が形成されうる。ここで、ＩＴＯ膜１６、黒色膜１８および金属膜２０は、周知の構成および作用を有するので、これらについての詳細な説明は省略する。

本実施形態において、スペーサ１４は、棒状（ｂａｒ）または角柱状に形成され、黒色膜１８に対応するように金属膜２０に配置される。

このように、基板１２およびスペーサ１４が配置されると、図４に示すように、基板１２側から基板１２とスペーサ１４との境界面１７に対して垂直な方向で、基板１２に１次的な第１のレーザービーム２２が照射される。この際、第１のレーザービーム２２は、前述したように、一定のエネルギーを伴い境界面１７に集束するように、レーザー装置によって制御される。

本実施形態において、第１のレーザービーム２２としては、４．５Ｗのエネルギーを有する第３高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザーが使用された。このような第１のレーザービーム２２は、基板１２とスペーサ１４との融着に際して、予め熱エネルギーによって、基板１２上に設けられたＩＴＯ膜１６、黒色膜１８および金属膜２０を分解して除去する。

次に、図５に示すように、２次的に第２のレーザービーム２４が境界面に照射される。第２のレーザービーム２４は、第１のレーザービーム２２と比べて相対的に低いエネルギー（本実施形態では、１Ｗ）を有する。

第２のレーザービーム２４は、実質的に基板１２とスペーサ１４とを融着させるレーザービームとして機能する。すなわち、この第２のレーザービーム２４によって、基板１２とスペーサ１４とが融着されることで、一体化されたアノードアセンブリ２５が形成される。

このように、本実施形態では、相異なるエネルギーを有するレーザービームを被接合物に順次照射して、被接合物同士を接合する。

もちろん、実質的な工程において、複数のスペース１４を基板１２上に配置し、レーザービームを基板１２に照射することで、複数のスペーサ１４を同時に基板１２に接合する。

以上の実施形態においては、アノード基板にスペーサを接合する場合を例として、本発明による接合方法を説明したが、本接合方法は、カソード基板にスペーサを接合してカソードアセンブリを形成する場合にも充分に適用可能である。

図６は、本発明の他の実施形態として、本発明による接合方法が適用された電子放出ディスプレイを例示する。ここで、電子放出ディスプレイは、電界放出アレイ型の電子放出ディスプレイである。

図６を参照すれば、電子放出ディスプレイは、真空容器３０を形成する第１基板（カソード基板）３２と第２基板（アノード基板）３４とを含む。第１基板３２と第２基板３４とは、それらの周縁部に配置される接着物質（不図示）によって結合され、内部空間を真空状態に維持する。

第１基板３２には、電子を放出する電子放出ユニット３６が設けられ、第２基板３４には、電子放出ユニット３６によって形成された電子ビームによって発光しながら任意のイメージを具現する発光ユニット３７が設けられる。

ここで、電子放出ユニット３６は、第１絶縁層３８を介在して互いに直交する方向に沿って配設されるカソード電極４０およびゲート電極４２と、カソード電極４０に形成される電子放出部４４とを含む。

カソード電極４０とゲート電極４２との交差領域を画素領域と定義すれば、カソード電極４０上には、画素領域の各々に電子放出部４４が形成され、第１絶縁層３８とゲート電極４２とには、各電子放出部４４に対応する開口部４６、４８が形成されることで、第１基板３２上に電子放出部４４が露出する。

電子放出部４４は、真空中で電界が印加されて電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートル（ｎｍ）サイズの物質からなりうる。電子放出部４４は、一例として炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ_６０）、シリコンナノワイヤ、またはそれらの組合せ物質を含みうる。一方、電子放出部４４は、モリブデンまたはシリコン等を主材料とする先端の尖ったチップ構造物からなりうる。

そして、ゲート電極４２および第１絶縁層３８の上には、第２絶縁層５０および集束電極５２が配置可能である。集束電極５２は、各画素領域に一つの開口部５４を形成して、一つの画素領域から放出される電子を包括的に集束するか、または各電子放出部４４に対応する一つの開口部を形成して、各電子放出部４４から放出される電子を個別に集束することが可能である。

発光ユニット３７は、第２基板３４に形成されるＩＴＯ膜５６と、ＩＴＯ膜５６上に互いに任意の距離離間して配置される赤色、緑色および青色の蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂと、各蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂの間に配置されて画面のコントラストを高める黒色層６０とを含む。蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂは、カソード電極４０とゲート電極４２との各交差領域に一つの色の蛍光層が対応するように配置される。

そして、蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂおよび黒色層６０の上には、アルミニウム等の金属膜６２が形成される。この金属膜６２は、蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂから放射された可視光のうち第１基板３２に向けて放射された可視光を、第２基板３４側に反射させることで、画面の輝度を高める。

そして、第１基板３２と第２基板３４との間には、真空容器３０に印加される圧縮力に応じて両基板３２、３４の間隔を一定に維持するスペーサ６４が配置される。スペーサ６４は、蛍光層５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂに重ならないように、通常に黒色層６０に対応して配置され、前述したような接合方法によって、第２基板３４に接合される。

本発明の接合方法によれば、接着物質を使用せずに被接合物が接合可能となるので、製造工程が簡素化されるとともに、接合物質に起因して生ずる異物による被害が予め防止されうる。

かかる特徴を有する本発明の接合方法によれば、スペーサを必要とする電子放出ディスプレイの製造に際して、その生産性が向上されうる。

また、本発明の接合方法により製造された電子放出ディスプレイは、スペーサの接合が優れた構造となるので、大画面化が可能となり、消費者の製品要求を満足することも可能となる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明による電子放出ディスプレイは、前述した電界放出アレイ型のみならず、表面伝導エミッション（ＳＣＥ）型を含む他の電子放出ディスプレイにも好適に適用される。さらに、本発明は、前述した電子放出ディスプレイのみならず、液晶表示素子のような平板ディスプレイデバイスに光源を提供するバックライトユニットを構成する場合にも好適に適用される。

本発明の一実施形態に係る接合方法を説明する概略図である。 図１のＡ部分を示す拡大図である。 本発明の一実施形態に係る被接合物の接合方法を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る被接合物の接合方法を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る被接合物の接合方法を説明する概略図である。 本発明の他の実施形態に係る真空容器を備えた電子放出ディスプレイの一例を示す断面図である。

符号の説明

２ 被接合物（基板）
４ 被接合物（スペーサ）
６ レーザービーム
７ 境界面
８ 接触面
１０ 融着部
１２ 基板
１４ スペーサ
１６ ＩＴＯ膜
１７ 境界面
１８ 黒色膜
２０ 金属膜
２２ 1次レーザービーム
２４ ２次レーザービーム
２５ アノードアセンブリ
３２ 第１基板（カソード基板）
３４ 第２基板（アノード基板）
３６ 電子放出ユニット
３７ 発光ユニット
３８ 第１絶縁層
４０ カソード電極
４２ ゲート電極
４４ 電子放出部
４６、４８ 開口部
５０ 第２絶縁層
５２ 集束電極
５４ 開口部
５６ ＩＴＯ膜
５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂ 蛍光層
６０ 黒色層
６２ 金属膜
６４ スペーサ

Claims (34)

1. 被接合物を互いに当接するように配置する段階と；
   前記被接合物のいずれか一方の側から前記被接合物間の境界面に対して垂直な方向で、前記一方の被接合物にレーザービームを照射し、前記境界面の周囲に融着部を形成させることで、前記被接合物を直接接合する段階と；
   を含むことを特徴とする、接合方法。
2. 前記レーザービームの照射は、相異なるエネルギーを有するレーザービームを順次照射することでなることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
3. 前記レーザービームの照射は、一定のエネルギーを有する第１のレーザービームを照射した後、前記第１のレーザービームより低いエネルギーを有する第２のレーザービームを照射することでなることを特徴とする、請求項２に記載の接合方法。
4. 前記被接合物間の境界面に前記レーザービームが集束するように、前記レーザービームを照射することを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
5. 前記レーザービームが固体レーザーによって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
6. 前記レーザービームが第３高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザーによって形成されることを特徴とする、請求項５に記載の接合方法。
7. 前記レーザービームがＵＶエキシマーレーザーによって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
8. 前記レーザービームが可視光線または近赤外線の波長を伴うレーザーによって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
9. 前記レーザービームが、基本波Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、第２高調波Ｎｄ：ＹＧＡレーザー、およびダイオードレーザーのいずれかのレーザーによって形成されることを特徴とする、請求項８に記載の接合方法。
10. 前記被接合物がガラスからなることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
11. 前記被接合物が板状に形成され、被接合物のいずれか一方に対して、被接合物のいずれか他方を垂直な状態に配置することを特徴とする、請求項１または１０に記載の接合方法。
12. 前記被接合物の接触面の大きさが最小０．０７ｍｍであることを特徴とする、請求項１１に記載の接合方法。
13. 互いに対向配置される基板と、
    前記基板間に配置され、前記基板のいずれか一方の基板に当接して直接接合されるスペーサと、
    を含むことを特徴とする、真空容器。
14. 前記基板と前記スペーサとがレーザービームによって接合されることを特徴とする、請求項１３に記載の真空容器。
15. 前記基板と前記スペーサとの境界面の周囲に、前記レーザービームによって融着部が形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の真空容器。
16. 前記融着部が、前記基板と前記スペーサとの前記境界面に対して交差する方向に延びた領域を形成することを特徴とする、請求項１５に記載の真空容器。
17. 前記融着部が等高線状の熱的勾配を有することを特徴とする、請求項１６に記載の真空容器。
18. 前記基板および前記スペーサがガラスからなることを特徴とする、請求項１３に記載の真空容器。
19. 電子放出ユニットに設けられるカソード基板と、
    発光ユニットを備えるアノード基板と、
    前記カソード基板と前記アノード基板との間に設けられ、前記アノード基板に接合されるスペーサと、を含み、
    前記スペーサが前記アノード基板に当接して直接接合されることを特徴とする、電子放出ディスプレイ。
20. 前記アノード基板と前記スペーサとがレーザービームによって接合されることを特徴とする、請求項１９に記載の電子放出ディスプレイ。
21. 前記アノード基板と前記スペーサとの境界面の周囲に、前記レーザービームによって融着部が形成されることを特徴とする、請求項２０に記載の電子放出ディスプレイ。
22. 前記融着部が、前記基板と前記スペーサとの前記境界面に対して交差する方向に延びた領域を形成することを特徴とする、請求項２１に記載の電子放出ディスプレイ。
23. 前記融着部が等高線状の熱的勾配を有することを特徴とする、請求項２２に記載の電子放出ディスプレイ。
24. 前記基板および前記スペーサがガラスからなることを特徴とする、請求項１９に記載の電子放出ディスプレイ。
25. 前記スペーサが棒状に形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の電子放出ディスプレイ。
26. 前記電子放出ディスプレイが電界放出アレイ型であることを特徴とする、請求項１９に記載の電子放出ディスプレイ。
27. 板状の基板と、
    前記基板に設けられる発光ユニットと、
    前記基板に当接して直接接合されるスペーサと、
    を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
28. 前記基板と前記スペーサとがレーザービームによって接合されることを特徴とする、請求項２７に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
29. 前記基板と前記スペーサとの境界面の周囲に、前記レーザービームによって融着部が形成されることを特徴とする、請求項２８に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
30. 前記融着部が、前記基板と前記スペーサとの前記境界面に対して交差する方向に延びた領域を形成することを特徴とする、請求項２９に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
31. 前記融着部が等高線状の熱的勾配を有することを特徴とする、請求項３０に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
32. 前記基板および前記スペーサがガラスからなることを特徴とする、請求項２７に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
33. 前記スペーサが棒状に形成されることを特徴とする、請求項２７に記載の電子放出ディスプレイ用アノードアセンブリ。
34. アノード基板またはカソード基板のいずれか一方の基板に、スペーサを当接するように配置する段階と；
    前記スペーサ側から前記スペーサと前記基板との境界面に対して垂直な方向で、前記スペーサにレーザービームを照射し、前記境界面の周囲に融着部を形成させることで、前記スペーサと前記基板とを直接接合する段階と；
    を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイの製造方法。

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