JP2007005433A - エピタキシャル膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンウェーハ2を裏面2b側からサセプタ3で支持するとともにシリコンウェーハ2の表面2a側及び裏面2b側に表側ヒータ群7及び裏側ヒータ群8をそれぞれ配置し、表側ヒータ群7及び裏側ヒータ群8をそれぞれ、シリコンウェーハ2の表面2a及び裏面2bにそれぞれ対向する内周部7A、8Aと内周部7A、8Aの外側に配置された外周部7B、8Bとに区分し、各ヒータ7A、7B、8A、8Bでシリコンウェーハ2を加熱しながらシリコンウェーハ2の表面2aにエピタキシャル膜を生成する際に、表側ヒータ群7の内周部7Aの出力を外周部7Bの出力より大きくするとともに、裏側ヒータ群8の内周部8Aの出力を外周部8Bの出力より小さくして、エピタキシャル膜を生成することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法を採用する。
【選択図】 図1
Description
特許文献1には、単結晶シリコンインゴットの切り出し角度を特定の範囲に設定することにより、ウェーハのCOP欠陥を低減する方法が開示されている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、COP痕跡の発生を防止することが可能なエピタキシャル膜の製造方法を提供することを特徴とする。
本発明のエピタキシャル膜の製造方法は、シリコンウェーハを裏面側からサセプタで支持するとともに前記シリコンウェーハの表面側及び裏面側に表側ヒータ群及び裏側ヒータ群をそれぞれ配置し、前記表側ヒータ群及び前記裏側ヒータ群をそれぞれ、前記シリコンウェーハの表面及び裏面にそれぞれ対向する内周部と該内周部の外側に配置された外周部とに区分し、各ヒータで前記シリコンウェーハを加熱しながら前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を生成する際に、前記表側ヒータ群の内周部の出力を外周部の出力より大きくするとともに、前記裏側ヒータ群の内周部の出力を外周部の出力より小さくして、エピタキシャル膜を生成することを特徴とする。
また本発明のエピタキシャル膜の製造方法においては、前記表側ヒータ群及び前記裏側ヒータ群の全体出力に対する前記裏側ヒータ群の出力の比率を46%〜60%の範囲とし、前記表側ヒータ群の全体出力に対する前記表側ヒータ群の内周部の出力の比率を60%〜90%の範囲とし、前記裏側ヒータ群の全体出力に対する前記裏側ヒータ群の内周部の出力の比率を14%〜22%の範囲とすることが好ましい。
また本発明のエピタキシャル膜の製造方法においては、前記エピタキシャル膜を生成する際に、前記シリコンウェーハ表面の中央部分の温度を1050℃以上1150℃以下の範囲に設定することが好ましい。
また本発明のエピタキシャル膜の製造方法においては、前記シリコンウェーハが、シリコン単結晶インゴットから該シリコン単結晶インゴットの(1 0 0)面に対して傾斜角度を持たせて切り出されたものであって、その傾斜角度が、前記(1 0 0)面に対して[0 1 1]方向又は[0 −1 −1]方向に角度θ、並びに[0 1 −1]方向又は[0 −1 1]方向に角度φであって、角度θ及び角度φがそれぞれ、10′<θ≦2°、10′<φ<30′、または10′<φ≦2°、10′<θ<30′の範囲であることが好ましい。
なお、本明細書において、結晶方位を示す「−1」なる表記は、「1」の上にバーを付けたものを意味する。
また上記のエピタキシャル膜の製造方法によれば、シリコンウェーハを切り出す際の傾斜角度を上記の範囲に設定することで、ウェーハ自体のCOP欠陥を少なくすることができ、このようなウェーハに対してエピタキシャル膜の形成を行うことで、エピタキシャル膜のCOP痕跡をより低減させることができる。
図1に示す製造装置1は、シリコンウェーハ2(以下、ウェーハ2と表記する場合がある)の裏面2bをサセプタ3によってほぼ水平に支持する枚葉式のエピタキシャル膜製造装置1である。このエピタキシャル膜製造装置1は、上側ドーム4及び下側ドーム5により形成される成膜室6と、この成膜室6の内部に配置された円板状のサセプタ3と、成膜室6の上側、すなわちシリコンウェーハ2の表面2a側に配置された表側ヒータ群7と、成膜室6の下側、すなわちシリコンウェーハ2の裏面2b側に配置された裏側ヒータ群8とを具備して概略構成されている。
まず、エピタキシャル膜を製造する際に用いるシリコンウェーハ2について説明する。本実施形態において好適に用いられるシリコンウェーハ2は、シリコン単結晶インゴットの(1 0 0)面に対して傾斜角度を持たせて切り出されたものである。その傾斜角度は、前記(1 0 0)面に対して[0 1 1]方向又は[0 −1 −1]方向に角度θ、並びに[0 1 −1]方向又は[0 −1 1]方向に角度φであって、角度θ及び角度φがそれぞれ、10′<θ≦2°、10′<φ<30′、または10′<φ≦2°、10′<θ<30′の範囲であることが好ましい。
図2は、この発明で規定する傾斜角度θおよびφの範囲を示すグラフであり、横軸は傾斜角度φ、すなわち[0 1 1]方向又は[0 −1 −1]方向の角度成分、縦軸は傾斜角度θ、すなわち[0 1 −1]方向又は[0 −1 1]方向の角度成分を表す。本実施形態のシリコンウェーハは、上記の傾斜角度θおよびφを、10′<θ≦2°、10′<φ<30′、または、10′<φ≦2°、10′<θ<30′の範囲とするもので、かかる角度の数値限定範囲はおよそ図2の4つのL字型の枠内に相当する。
具体的には、上記と同じシリコンウェーハを用意し、これを図1に示すエピタキシャル膜製造装置に導入してエピタキシャル膜の製造を行った。すなわち、水素雰囲気下でシリコンウェーハをサセプタ上に載置し、成膜室内を1130℃°のエッチング温度まで加熱してウェーハの表面を水素ベークした。次に、表側ヒータ群及び裏側ヒータ群を作動させて成膜室内のシリコンウェーハを加熱し、更にトリクロロシランを導入してエピタキシャル膜を成長させた。エピタキシャル成長後、成膜室内を室温まで降温し、成膜室から処理済のウェーハを取り出した。
次に、表2及び図11および図12の試料9〜10に示すように、表側及び裏側ヒータ群の内周部の出力を固定した状態で、裏側ヒータ群全体の出力を高くすると、COP痕跡が僅かに減少していることがわかる。このように、表側及び裏側ヒータ群における裏側ヒータ群の出力比率を46〜60%の範囲に設定することにより、COP痕跡を少なくできることがわかる。
具体的には、傾斜角度θ及びφを変更したシリコンウェーハを用意し、これを図1に示すエピタキシャル膜製造装置に導入してエピタキシャル膜の製造を行った。すなわち、水素雰囲気下でシリコンウェーハをサセプタ上に載置し、成膜室内を1130℃°のエッチング温度まで加熱してウェーハの表面を水素ベークした。次に、表側ヒータ群及び裏側ヒータ群を作動させて成膜室内のシリコンウェーハを加熱し、更にトリクロロシランを導入してエピタキシャル膜を成長させた。エピタキシャル成長後、成膜室内を室温まで降温し、成膜室から処理済のウェーハを取り出した。
Claims (4)
- シリコンウェーハを裏面側からサセプタで支持するとともに前記シリコンウェーハの表面側及び裏面側に表側ヒータ群及び裏側ヒータ群をそれぞれ配置し、前記表側ヒータ群及び前記裏側ヒータ群をそれぞれ、前記シリコンウェーハの表面及び裏面にそれぞれ対向する内周部と該内周部の外側に配置された外周部とに区分し、各ヒータで前記シリコンウェーハを加熱しながら前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を生成する際に、
前記表側ヒータ群の内側部の出力を外側部の出力より大きくするとともに、前記裏側ヒータ群の内側部の出力を外側部の出力より小さくして、エピタキシャル膜を生成することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法。 - 前記表側ヒータ群及び前記裏側ヒータ群の全体出力に対する前記裏側ヒータ群の出力の比率を46%〜60%の範囲とし、
前記表側ヒータ群の全体出力に対する前記表側ヒータ群の内周部の出力の比率を60%〜90%の範囲とし、
前記裏側ヒータ群の全体出力に対する前記裏側ヒータ群の内周部の出力の比率を14%〜22%の範囲とすることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜の製造方法。 - 前記エピタキシャル膜を生成する際に、前記シリコンウェーハ表面の中央部分の温度を1050℃以上1150℃以下の範囲に設定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル膜の製造方法。
- 前記シリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴットから該シリコン単結晶インゴットの(1 0 0)面に対して傾斜角度を持たせて切り出されたものであって、その傾斜角度が、前記(1 0 0)面に対して[0 1 1]方向又は[0 −1 −1]方向に角度θ、並びに[0 1 −1]方向又は[0 −1 1]方向に角度φであって、角度θ及び角度φがそれぞれ、10′<θ≦2°、10′<φ<30′、または10′<φ≦2°、10′<θ<30′の範囲であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエピタキシャル膜の製造方法。
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