JP2007005374A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る電子デバイス(圧電デバイス)74の製造方法においては、積層体60は、エピタキシャル成膜された2枚のSi単結晶基板14A,14Bの貼り合わせによって形成される。そして、Si単結晶基板14A,14Bをエッチング液によって除去し、別途用意したSi単結晶基板14Cによって積層体60が保持された状態で、積層体60のパターニングをおこなう。すなわち、Si単結晶基板14A,14Bが除去される際には積層体60は膜状のままである。そのため、Si単結晶基板14A,14Bを除去するためのエッチング液が、積層体60の内部にまで浸入する事態が抑えられている。それにより、積層体60の内部の圧電体膜52Aがエッチング液によって溶解される事態が抑えられて、作製される電子デバイス74の特性が向上する。
【選択図】 図3
Description
を備える。
上述した片積層基板56A,56Bと同様の2枚の片積層基板を用意し、第1の接着剤として熱可塑性のない(熱硬化性の)接着剤VPA−100(新日鐵化学製)を用いてこれらを貼り合わせた。そして、貼り合わせた2枚の片積層基板に対してオーブンにて250℃30分の加熱処理を施して第1の接着剤を硬化させた。次に、ポリイミドによって所定領域の封止をした後、貼り合わせた2枚の片積層基板の2つのSi単結晶基板#1,#2のうちの一方のSi単結晶基板#1を、フッ硝酸水溶液を用いてエッチング除去した。このようにして得た積層基板と新たに用意したSi単結晶基板#3とを、第2の接着剤として熱可塑性の高い接着剤STAYSTIK#383(テクノアルファ製)を用いて貼り合わせ、250℃30分の加熱処理を施した後に冷却した。その後、ポリイミドによって所定領域の封止をした後で、Si単結晶基板#2をフッ硝酸水溶液を用いてエッチング除去した。
上述した片積層基板56A,56Bと同様の2枚の片積層基板を用意し、第1の接着剤として耐溶剤性の接着剤LCA−4(BACON社製)を用いてこれらを貼り合わせた。そして、貼り合わせた2枚の片積層基板に対してオーブンにて100℃60分の加熱処理を施して第1の接着剤を硬化させた。次に、ポリイミドによって所定領域の封止をした後、貼り合わせた2枚の片積層基板の2つのSi単結晶基板#1,#2のうちの一方のSi単結晶基板#1を、フッ硝酸水溶液を用いてエッチング除去した。このように得た積層基板と新たに用意したSi単結晶基板#3とを、第2の接着剤として溶剤に溶解可能な接着剤STAYSTIK#343(テクノアルファ製)を用いて貼り合わせ、100℃30分の加熱処理を施した後に冷却した。その後、ポリイミドによって所定領域の封止をした後で、Si単結晶基板#2をフッ硝酸水溶液を用いてエッチング除去した。
Claims (6)
- 成膜された第1の基板及び第2の基板を第1の接着剤を用いて互いの膜側同士を貼り合わせることにより、前記第1の基板と前記第2の基板との間に電子デバイスとなるべき膜状の積層体が介在する積層構造体を形成するステップと、
前記積層構造体から所定のエッチング液を用いて前記第1の基板を除去し、前記積層体を保持する前記第2の基板を得るステップと、
前記積層体を保持する前記第2の基板と第3の基板とを、前記第2の基板の前記積層体を保持する側の面が前記第3の基板の主面と対面するように、第2の接着剤を用いて貼り合わせるステップと、
前記第2の接着剤によって貼り合わされた前記積層体を保持する前記第2及び第3の基板から、所定のエッチング液を用いて前記第2の基板を除去して、前記第2の接着剤を介して前記積層体を保持する前記第3の基板を得るステップと、
前記第2の接着剤を介して前記第3の基板によって保持された前記積層体をパターニングして、前記第3の基板上に前記電子デバイスを形成するステップと、
前記電子デバイスを前記第3の基板から剥離させるステップと
を備える、電子デバイスの製造方法。 - 成膜された第1の基板及び第2の基板を第1の接着剤を用いて互いの膜側同士を貼り合わせることにより、前記第1の基板と前記第2の基板との間に電子デバイスとなるべき膜状の積層体が介在する積層構造体を形成するステップと、
前記積層構造体から液体を含む所定の研磨剤を用いて前記第1の基板を除去し、前記積層体を保持する前記第2の基板を得るステップと、
前記積層体を保持する前記第2の基板と第3の基板とを、前記第2の基板の前記積層体を保持する側の面が前記第3の基板の主面と対面するように、第2の接着剤を用いて貼り合わせるステップと、
前記第2の接着剤によって貼り合わされた前記積層体を保持する前記第2及び第3の基板から、液体を含む所定の研磨剤を用いて前記第2の基板を除去して、前記第2の接着剤を介して前記積層体を保持する前記第3の基板を得るステップと、
前記第2の接着剤を介して前記第3の基板によって保持された前記積層体をパターニングして、前記第3の基板上に前記電子デバイスを形成するステップと、
前記電子デバイスを前記第3の基板から剥離させるステップと
を備える、電子デバイスの製造方法。 - 前記第1及び第2の基板の少なくともいずれか一方がシリコンで構成されている、請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記積層体は、一対の電極膜の間に圧電体膜が介在する積層構造を少なくとも一つ含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第2の接着剤は熱可塑性を有する接着剤であり、
前記電子デバイスを前記第3の基板から剥離させる際、前記第2の接着剤を加熱して前記電子デバイスを剥離させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記第2の接着剤は所定の溶剤によって溶解される接着剤であり、
前記電子デバイスを前記第3の基板から剥離させる際、前記第2の接着剤を前記溶剤を用いて溶解させて前記電子デバイスを剥離させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012039266A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
US11081637B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-08-03 | Fujifilm Corporation | Laminate structure, piezoelectric element, and method of manufacturing piezoelectric element |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134807A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構 |
JP2003101095A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2005039176A (ja) * | 2002-12-03 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002134807A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構 |
JP2003101095A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2005039176A (ja) * | 2002-12-03 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012039266A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
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