JP2006528380A5

JP2006528380A5 -

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Publication number: JP2006528380A5
Application number: JP2006520749A
Authority: JP
Filing date: 2004-07-16
Publication date: 2008-02-07
Anticipated expiration: 2024-07-16

Claims

ＲＦ識別用セキュリティ素子（１，２，７，８）であって、可撓性で非導電性の基板層（１１，２４）及び、前記基板層に与えられ、第１の表面領域（４，５１，５３，６３，６４，６５）においてＲＦ部品（１２，７２，８１）を形成するためのパターン形状につくられた、導電性材料の第１の導電層（２９，７３）を有し、前記ＲＦ部品が設けられている、前記表面領域において、前記ＲＦ部品の電気特性を変えるための溝を有する第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が少なくとも局所態様で前記第１の導電層（２９，７３）に成形されるセキュリティ素子において、前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域（４，５１，５３，６３，６４，６５）においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向され、前記第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が５０ｎｍから１０μｍの範囲にあるプロファイル深さと１００〜２０００本/ｍｍの範囲にある空間周波数を有し、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）が、基板層（１１，２４）を向く前記第１の導電層（２９）の表面と基板層（１１，２４）から離れた前記第１の導電層（２９）の表面の両方に与えられていることを特徴とするセキュリティ素子。
前記基板層（２４）が複製層であり、前記第１のレリーフ構造（２７）が前記第１の導電層の側の前記複製層（２７）の表面に成形されることを特徴とする請求項１に記載のセキュリティ素子。
前記第１の導電層（２９）が前記基板層（２４）に与えられた金属層であることを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記第１の導電層（２９）の厚さが５０ｎｍから５０μｍ、好ましくは１〜１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域（４，５１，５３，６３〜６５）においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において、前記レリーフ構造（２７，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記ＲＦアンテナまたはコイルが設けられた前記導電層の前記領域における前記レリーフ構造（２７）の前記溝が前記電流方向に沿う方向に配向されることを特徴とする請求項１に記載のセキュリティ素子。
前記第１の表面領域（４）における前記第１の導電層（２９）が、幅が５０μｍから１０ｍｍ，好ましくは１００μｍの、１つまたはそれより多くの導電体路の形状につくられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記セキュリティ素子が第２の導電層（７６）を有し、前記第１の表面領域において前記第１及び前記第２の導電層（７３，７６）が容量素子（７０）を形成することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記容量素子（７０）が設けられた前記表面領域において少なくとも局所態様で第２のレリーフ構造（７９）が前記第２の導電層（７６）に成形されることを特徴とする請求項７に記載のセキュリティ素子。
前記第１のレリーフ構造（７８）が複数の相互に交差する溝を有することを特徴とする請求項７または８に記載のセキュリティ素子。
前記レリーフ構造（２７）のプロファイルが、鋸歯形、三角形、矩形または正弦波形であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記第１のレリーフ構造（６０）が粗構造及び微細構造の重畳で形成されることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記第１のレリーフ構造がさらに光学セキュリティ特徴を生じることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記セキュリティ素子がＲＦ識別用の共振回路を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記セキュリティ素子がＩＣを有することを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記セキュリティ素子がフィルム素子、特に、スタンプフィルム、ラミネートフィルム、ステッカーフィルムまたはそのようなフィルムの転写層部分の部分素子であることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のセキュリティ素子。
ＲＦ識別用セキュリティ素子の作成のためのプロセスであって、ＲＦ部品（１２）を形成するためのパターン形状につくられた導電材料の第１の導電層（２９）が可撓性で非導電性の基板層（２４）の第１の表面領域において前記基板層に与えられ、前記ＲＦ部品の電気的特性を変えるための溝を有する第１のレリーフ構造（２７）が前記第１の導電層（２９）において前記ＲＦ部品が設けられている前記表面領域（４）に少なくとも局所態様で成形され、前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において前記レリーフ構造（２７，２８，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向され、前記第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が５０ｎｍから１０μｍの範囲にあるプロファイル深さと１００〜２０００本/ｍｍの範囲にある空間周波数を有し、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）が、基板層（１１，２４）を向く前記第１の導電層（２９）の表面と基板層（１１，２４）から離れた前記第１の導電層（２９）の表面の両方に与えられていることを特徴とするプロセス。
前記第１の導電層（２９）が、例えば蒸着によって、全表面積を覆って前記基板層に与えられ、次いで前記導電層が部分的に除去されて、前記ＲＦ部品（１２）を形成するためのパターン形状にされることを特徴とする請求項１６に記載のプロセス。
接続路で接続された２つまたはそれより多くの部分容量素子が前記第１の導電層につくられ、後に、共振周波数の微調のために前記部分容量素子への前記接続路が切断されることを特徴とする請求項１６または１７に記載のプロセス。