JP2006527157A5 - - Google Patents

Claims (27)

1. 軸に沿って延びた室を具備し、基質の上で炭化珪素の結晶を成長させるシステムにおいて、該室は
   − 炭素を含むガスおよび珪素を含むガスに対する別々の供給装置、
   − 該室の第１の端の区域に配置された基質の支持装置、
   − 該支持装置の近傍に配置された排ガス放出装置、
   − 該室を約１８００℃よりも高い温度に加熱するようにつくられた加熱装置を具備し、
   珪素を含むガスに対する供給装置は、珪素を含むガスが該室の第２の端の区域に入るように配置され、またそのような形および寸法をもっており、
   この際、炭素を含むガスに対する供給装置は、第１の端の区域および第２の端の区域の両方から遠い所にある該室の中央の区域において炭素と珪素とが実質的に接触するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とするシステム。
2. 炭素を含むガスに対する供給装置は、また該室の壁から遠い所にある区域において炭素と珪素とが実質的に接触するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
3. 該室は腐蝕用のガスに対する供給装置を有し、該供給装置は該室の第１の端の区域にガスを導入するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
4. 該室は核形成防止用のガスに対する供給装置を有し、該供給装置は該室の第２の端の区域にガスを導入するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
5. 該室は核形成防止用のガスに対する供給装置を有し、該供給装置は該室の中央の区域にガスを導入するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
6. 該室は腐蝕用のガスに対する供給装置を有し、該供給装置は実質的に該室の壁に沿ってだけ流れるガス流をつくるように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
7. 該支持装置は腐蝕用のガスに対する供給装置を有し、該供給装置は基質の周りにガスを導入するように配置され、またそのような形および寸法をもっていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
8. 結晶成長過程の間該支持装置を回転させる装置を具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
9. 結晶成長過程の間該支持装置を引き込む装置を具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
10. 珪素を含むガスに対する供給装置は、該室の第２の区域へと開口したダクトを具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
11. 該ダクトはその一端の部分の区域において珪素蒸発室を有していることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
12. 該ダクトはその一端の部分の区域において珪素を含むガスを加熱しおよび／またはこれを該室の中に分布させるための中央の芯を有していることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
13. 珪素を含むガスに対する供給装置は、該ダクトの方に面した開口部を有するカップの形をした要素を具備していることを特徴とする請求項１０、１１および１２のいずれか一つに記載されたシステム。
14. 該ダクトは該カップの内部に延びていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
15. 炭素を含むガスに対する供給装置は、環の中に配列された多数のノズルおよび該室の第２の区域への開口部を具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
16. 炭素を含むガスに対する供給装置は、環の中に配列された多数のダクトおよび該室の中央の区域への開口部を具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
17. 炭素を含むガスに対する供給装置は、該室の中央の区域へと開口した環の形のダクトを具備していることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
18. 加熱装置は誘導型の装置であり、該室の壁を加熱するようにつくられていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
19. 加熱装置は該室の中において
    − 第１の区域においては１８００〜２２００℃の範囲内の温度、
    − 中央の区域においては２２００〜２６００℃の範囲内の温度、
    − 第２の区域においては２０００〜２４００℃の範囲内の温度、
    を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
20. 加熱装置は、第１の区域において約２０００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項１９に記載されたシステム。
21. 加熱装置は、中央の区域において約２４００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項１９に記載されたシステム。
22. 加熱装置は、第２の区域において約２２００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項１９に記載されたシステム。
23. 加熱装置は該室の中において
    − 第１の区域においては１８００〜２２００℃の範囲内の温度、
    − 中央の区域においては２２００〜２６００℃の範囲内の温度、
    − 第２の区域においては２２００〜２６００℃の範囲内の温度
    を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一つに記載されたシステム。
24. 加熱装置は、第１の区域において約２０００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項２３に記載されたシステム。
25. 加熱装置は、中央の区域において約２４００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項２３に記載されたシステム。
26. 加熱装置は、第２の区域において約２４００℃の温度を生じるようにつくられていることを特徴とする請求項２３に記載されたシステム。
27. 支持装置は温度制御装置を具備していることを特徴とする請求項１〜２６のいずれか一つに記載されたシステム。