JP2006525700A - 電源雑音を決定するための方法および回路装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は電力配電回路網の電源雑音を決定するための方法と回路装置に関する。電源雑音は電力配電回路網によって電力を供給される遅延回路の伝播遅延を測定することで決定され、この測定ステップの結果は、電源雑音の指標として用いられる。これによると、電源雑音のリアルタイム監視を、観測される回路の電力配電回路網の任意の点において遂行することができる。

Description

本発明は電力配電回路網の電源雑音を決定するための方法と回路装置に関し、特に、電力配電回路網を含む集積回路上に設けられる回路装置に関する。
特に高速デジタル集積回路(IC)においては、電源雑音(PSN)の問題に直面する。これらの複雑性、集積密度、及び動作速度のために、このような現代のICは、接続ライン間のクロストークの害に悩まされる。PSNは回路のスイッチング活動に起因する電源電圧又は接地電位の変動に対応する。複雑さと集積密度との増大は、電源電圧を分配する接続ラインのワイヤとアクティブな回路との間の電気的相互作用の増加になる。結果として、スイッチング活動の間に生成される電流スパイクが電源ラインの電圧のバウンスすなわち変動に変換される。これは、電源電圧の過渡的な低下を生じさせ、従って、ゲートドライブ強度を低下させ、これは、ゲート遅延の増加および回路性能の低下になる。この問題は現在及び将来の技術において用いられる、より高いクロック周波数と、より低い電源電圧とにおいてさらに悪化する。
PSNは、通常は、PSN低減のための技術の組み合せ、例えば、オンチップデカップリングキャパシタを含めこと、または電源と接地分配ワイヤのサイズを調節することで、管理される。さらに、雑音性回路からのより敏感な回路の分離は良く知られた技術である。一例として、文献、欧州特許出願公開第0771073号明細書は、集積回路内における接地電位の変動、すなわち接地バウンス(ground bounce)を制御するための方法と装置を開示する。このような接地バウンスの問題を軽減するためには、2つの別個の技術が同時に用いられる。第一に、集積回路上の電力供給ライン系、つまり電源バスと外部電源との間に、並びに、チップ上の接地バスと外部接地との間に、インピーダンスが配置される。これは、効果的に、チップの電源リードと接地リード内の接地バウンスの発振を抑圧する。第二に、キャパシタンスが出力バッファの前置ドライブにキャパシタンスノードにて動的に加えられる。しかし、S.Zhao et al, "Estimation of Switching Noise on Power Supply Line in Deep Sub-Micron CMOS Circuits(ディープサブミクロンCMOS回路における電源ライン上のスイッチング雑音の推定)", Proceedings of 13th International Conference on VLSI Design, January 2000, pp.168-173によると、PSNはいまだに高速システムに対する主要な問題である。最悪の場合のスイッチング雑音の推定は、VLSI(大規模集積)回路の適切な機能を確保するためには必須である。このため、PSNのオンライン監視は、システムコントローラが訂正のための動作を取ることができるように、過剰なPSNの存在に関する情報を得るための1つの興味深い可能性である。このような監視は、その回路内の任意の位置において、この監視回路がそれに接続された局所電源又は接地ライン内のPSNをチェックできるように構成されるべきである。さらに、この監視回路は、PSNを、任意の与えられた時間において、高い時間分解能にてチェックすることができるとともに、電源及び接地ライン上のPSNに対して敏感であるべきであるが、他方において、これら監視動作が、監視されるPSNによって影響されてはならない。
従って、本発明の一つの目的はフレキシブルなリアルタイムPSN監視が可能になる、改善されたPSN決定スキームを提供することにある。
この目的はクレーム1において請求される回路装置と、クレーム15において請求されるPSN決定方法によって達成される。
このために、PSNが、これが遅延回路の伝播遅延に与える効果を通じて測定される。これによって、PSNのリアルタイム監視が、例えば、ICの、電力配電回路網内のどこであっても可能とされる。PSNは、それが専用の監視回路の伝播遅延に与える効果を介して間接的に測定される。この伝播遅延は、この遅延回路の、任意の全ての変動、例えば、PSNを含む、電源電圧に直接的に依存する。電源電圧が小さなほど、伝播遅延は大きくなり、この逆もいえる。このため、PSNによって引き起こされた任意の有害な効果に対処するために、PSNに起因する電源電圧の任意の変動が検出される。この提唱される解決手段は、例えば、IC上の、電力配電回路網内の任意の箇所での、リアルタイムPSN監視、細かい粒度のPSN監視、より敏感で、正確なPSN監視を可能にする。さらに、複数の監視回路を同時に用いることもできる。
この遅延測定手段は電流源をキャパシタに接続するためのスイッチング手段を含んでも良く、このスイッチング手段は入力信号とこの測定手段の出力信号とによって制御される。特に、このスイッチング手段は、この入力信号と出力信号とによって、上記キャパシタの充電過程を時間遅延の間に可能にするために制御しても良く、上記出力信号は上記キャパシタの充電電圧から得られる。こうして、サンプル・ホールド測定技術を設けることもできるが、この場合は、カウンタ動作を開始するように、対象とされる信号処理回路、例えばIC、又はこの一部を動作可能なように制御するために、デジタル化することもできるサンプル・ホールド回路のアナログ出力信号を用いることもできる。
上記のサンプル・ホールド回路のスイッチング手段は、入力信号によって制御される第一のスイッチと、出力信号によって制御される第二のスイッチとを含んでも良い。この場合は、これら第一および第二のスイッチは電流源とキャパシタとの間に直列接続で配置しても良い。特に、これら第一および第二のスイッチはトランジスタスイッチを含んでも良い。これにより、サンプル・ホールド回路全体は、キャパシタを備えた半導体回路に基づいて実現することもでき、これはIC上への効率的な集積化を可能にする。
この測定手段は電流源を電力配電回路網から分離するためのバッファ回路を含んでも良い。このバッファ回路はスイッチング手段とキャパシタ手段とを含んでも良く、このスイッチング手段を、入力信号によって、このキャパシタ手段を電力配電回路網の電源ラインに一時的に接続するように制御しても良い。この実現は、この場合も、バッファ回路の集積回路としての提供を簡易化し、この測定過程のPSNからの隔離を提供する。
加えて、クロック信号に対して所定のタイミングで入力信号を遅延測定手段に供給するためにトリガ手段を設けても良い。このトリガ手段は、クロック信号を遅延させる複数の遅延ラインと、選択信号に応じてこれら遅延ラインの一つの出力を選択する選択手段とを含んでも良い。このようなトリガ回路は、サンプリング時間を変えるためのメカニズムを提供し、これによって、PSNをある与えられた時間において、例えば、最大PSNが生成されたときに、サンプリングすることもできる。選択を変えることで、グローバルクロック信号とこの測定手段の入力信号との間のさまざまの遅延を、最大PSN検出値を探索するために、生成することもできる。
この遅延回路は、入力信号を電源雑音の波形の特性時間(characteristic time)より少なくとも10倍小さな遅延時間だけ遅延させるように構成しても良い。これは、PSN監視過程のサンプリング期間がPSNの持続時間よりかなり小さくなるために、適切なサンプリングを可能にする。こうして、PSNの挙動が十分な精度にて収集される。
さらに、出力処理回路を、過剰な電源雑音を検出するように、この出力信号を処理するために設けることもできる。これは、この出力信号を所定の閾値と比較する比較器によって達成しても良い。この出力処理は、PSNが高すぎるかどうかを報告する便利なデジタル出力が生成されるという利点を提供する。
測定するステップは、電力配電回路網の一点において遂行しても、又は電力配電回路網の複数の点において遂行しても良い。さらに、測定ステップは、電力配電回路網を含む同期集積回路の、一つの又は複数のクロックサイクルにおいて遂行しても、又は各クロックサイクルにおいて遂行しても良い。
さらなる有利な変更が従属クレーム内において説明されている。
以下では本発明が好ましい実施例に基づいて図面を参照しながらより詳細に説明される。
以下、本発明の好ましい実施例がデジタル回路のPSNのリアルタイム監視用の監視回路に基づいて説明される。この監視戦略はPSNを、PSNがこの監視回路の遅延に与える影響によって測定することを含む。この監視回路はこの可変な遅延をある閾値と比較すること又は後にデジタル信号に変換することもできる可変電圧に変換する。この監視回路はこうして過剰なPSNのオンラインテストのために用いることも、又は回路の動作パラメータをその回路を要求されるPSN仕様内に維持させるために変化させる任意のスキーム内の監視部分として用いることもできる。
図1(a)は好ましい実施例による、提唱されたPSN監視回路の概観を示す略ブロック図を示す。このPSN監視回路は遅延ブロックすなわち回路10と、この遅延回路10の入力端子と出力端子との間の伝播遅延を測定する遅延測定回路20とを含む。この遅延回路10は、そのPSNが測定されるべきデジタル回路の電力配電回路網の電力ラインVDDと接地ラインVSSとに接続される。この遅延測定回路20はこの電力配電回路網から分離すなわちデカップル(切り離す)ことができる自身の電源ラインVを有する。
この好ましい実施例においては、この遅延回路10はその遅延値がその有効電源電圧に依存する遅延ラインとして働く。同期システムにおいては、回路の活動と、従ってこのPSNとは、そのデジタル回路内に用いられるクロック信号によってトリガされる。従って、この遅延回路の入力端子は、このデジタル回路のクロックラインから派生される入力信号INが供給される。出力端子では、出力信号OUTがこの遅延回路10の伝播遅延に依存する遅延にて得られる。
この測定回路20は、電流源22とキャパシタCとの間に直列に接続されたスイッチSINとSOUTとを含む。入力信号INが低レベルすなわち“0”であるときは、この入力信号INの値によって制御されるスイッチSINは開き、他方、出力信号OUTによって制御されるスイッチSOUTはその出力信号OUTが低レベルすなわち“0”であるとき閉じる。この初期状況においては、キャパシタCは放電され、キャパシタCの電圧Vは零となる。クロック信号の立ち上りエッジは入力信号INの立ち上りエッジも生成し、充電電流IがキャパシタC内に流れはじめるようにスイッチSINは閉じられ、これにより、電圧Vが増大する。充電電流Iは、遅延回路10の出力信号OUTが高レベルすなわち“1”に変化し、スイッチSOUTが開かれるまで、キャパシタCを充電する。こうして、キャパシタCに供給される総電荷は、この遅延回路10の伝播遅延に実質的に比例する。この伝播遅延は遅延回路10によって見られる有効電源電圧に依存するために、説明されたサンプリング期間の終端における電圧Vは、電源電圧にも依存する。電源バウンス(power bounce)と接地バウンス(ground bounce)はこのクロックエッジの直後に生成されるために、電圧Xは、この電源及び接地バウンスに依存することとなる。すなわち、このバウンスすなわち変動が強ければ強いほど、伝播遅延は長くなり、電圧Vは高くなる。
図1(b)は、電源電圧VDD、接地電位VSS、入力信号IN、出力信号OUT及びキャパシタ電圧Vの各々の波形と関連する信号伝達図を示す。PSNが零のときは、最小の伝播遅延td0と最小のキャパシタ電圧Vとが観察される。中間PSN値であるPSN1においては、中間の伝播遅延td1と中間のキャパシタ電圧Vとが得られ、一方、より高いPSN値であるPSN2においては、より高い伝播遅延td2とより高いキャパシタ電圧Vとが得られる。こうして、このキャパシタ電圧Vは、この監視回路の遅延回路10が接続された点における有効電源電圧のサンプルである。図1(b)に示されるこの例においては、このPSNは、電源ラインバウンスと同時的な接地ラインバウンスとによって生成されるが、これらは両方とも、遅延回路10の所の有効電源電圧の低減をもたらすことに注意されたい。最も高いPSN値であるPSN2は、キャパシタ電圧Vの示された変化△Vをもたらす。
サンプリング時間は、入力信号IN内に立ち上りエッジが生成される瞬間に対応するが、この瞬間はこのデジタル回路全体に対する一般クロック信号の立ち上りエッジと密接に関連する。このサンプリング時間を変化させることで、キャパシタ電圧Vの複数のサンプルを、さまざまな時間において得ることができ、これにより、全クロックサイクルを通じてPSNをチェックすることができる。
電源電圧と接地電位のこれら波形は、このデジタル回路全体に沿って異なるサイズの複数の電流スパイクが、クロックエッジの最中及び後に観察されるために、非常に複雑となることが良く知られている。さらに、これら電源及び接地ラインは、分配RLC網(distributed RLC network)として働き、デジタル回路の非活性ゲート(non-active gates)は損失の多いキャパシタ(lossy capacitors)の網として働く。これら電源及び接地波形上に生成されるこれら電流スパイクは、複数の分布要素(distributed elements)の複雑なメッシュを励起し、時間及び空間において進展する複雑な波形を生成する。精密な波形は、電流分配、RLCパラメータ及びデジタル回路のレイアウトに依存し、このため、一般的には、各クロック周期で異なる。この多様性を扱うためには、このPSN監視回路は、このPSN波形に適応された時間分解能を有する必要がある。
正しく動作するためには、このPSN監視回路のサンプリング期間、つまり、図1(a)の遅延回路10の遅延は、これらPSN波形の持続期間よりもかなり短くなるべきである。もしこのPSN波形の特性時間がこのPSN監視回路のサンプル期間の約10倍よりも高いときは、このPSN監視回路は、PSN挙動を十分な精度にて収集することができる。このPSN波形の特性時間は、20から30なるレンジであり得るデジタル回路の論理深さを知ることで、特性時間として、推定することができる。このPSN波形の特性時間の推定に関するさらなる情報は、H.Bakoglu,"Circuits, Interconnections and Packaging for VLSI(VLSIに対する回路、相互接続及びパッケージング)",Reading, MA Addisson-Wesley, 1990において説明されている。もしこのPSN監視回路が、約2から3ゲート遅延のレンジに匹敵するサンプリング期間を有するときは、そのPSN波形の興味深い特徴を捕捉することができるであろう。このことは提唱されるPSN監視回路について当てはまり、このため、大きな誤りなしに、電源電圧VDDは、入力信号がこの遅延回路10の入力端子から出力端子に伝播する間は、一定であると見なすことができると、想定することができる。
図2(a)は、図1に示されるような監視回路100と、入力信号INのタイミングを調節するための先行するトリガ回路30とを含む、回路装置のブロック図を示す。図2に示されるように、このトリガ回路30は、その入力端子をクロックライン40に接続されるが、このクロックライン40はクロック信号CKを供給し、入力信号INはこのクロック信号CKから派生される。図2(b)は、このクロック信号CKと、監視回路100の入力信号INおよび出力信号OUTと、電源信号VDDと、接地電位VSSとの波形を示す。図2(b)内の波線は、サンプリング期間の開始時間と停止時間、つまり、伝播遅延tを示す。もし伝播遅延tが十分に小さく選択されたときは、この遅延回路10によって見られる有効電源電圧VDDeff は、一定であると見なすことができる。
図3はこの好ましい実施例に従うPSN監視回路の略回路図を示す。図3においては、この遅延回路10は、要求されたときこの監視回路を切断又はテストするために制御ゲートとして働くNORゲート14を介して入力信号が供給される3つのインバータ回路12から成る。こうして、インバータ遅延ラインへのクロック信号CKの供給は、このNORゲート14の他方の入力端での制御信号CTRLに付加される論理レベルによって制御することができる。加えて、このクロック信号CKは、電源ラインVDDと、PSN測定キャパシタCに充電電流を供給するバッファキャパシタCとの間の接続を提供する、CMOSトランジスタMP1の反転ゲート端子に供給される。こうして、このトランジスタMP1は、バッファキャパシタCYを、電源ラインVDDに接続したり、これから切断したりするスイッチとして働く。このバッファキャパシタCは、その電圧Vがサンプリング過程の間に実質的に一定となることを保ち、こうして、測定キャパシタCに供給される電流を、PSNに起因する電源の変動の影響から隔離するために、十分に多く選択されるべきである。直列のCMOSトランジスタMP2、MP3は、図1(a)内のスイッチSINとSOUTとに対応し、測定キャパシタCの充電時間を決定する。図3の回路図に示されるように、CMOSトランジスタMP1乃至MP3は、pチャネルCMOSトランジスタである。
さらに、nチャネルCMOSトランジスタMN1が、測定キャパシタCと並列に接続され、インバータ遅延ラインの入力信号INによって、入力信号INが低レベルすなわち“0”である間は、測定キャパシタCを放電するように制御される。これによって、測定電圧Vの初期リセットが確保される。
図3のPSN監視回路は以下のように動作する。NORゲート14に供給されるクロック信号CKは、クロック信号CKの低レベル状態でCMOSトランジスタMP1を閉じ、バッファキャパシタCを、電源電圧VDDに充電する。制御信号CTRLが低レベルにあるときは、このクロック信号CKの変化は、このインバータ遅延ラインの入力に伝達され、nチャネルトランジスタMN1が開きpチャネルトランジスタMP3が閉じる低レベルに入力信号INをセットし、これにより、測定キャパシタCXの充電過程が開始させる。この充電過程は、入力信号の立ち下がりエッジがこのインバータ遅延回路の出力端で立ち上がりエッジとして到達するまで行われるが、この立ち上がりエッジは、上側pチャネルトランジスタMP2を閉じ、この充電過程を停止させる。このとき測定キャパシタCの所に生成される電圧Vは、このインバータ遅延ラインの伝播遅延に対応し、次には、この伝播遅延は、サンプリング時間における電源電圧VDDに対応する。PSNはこのインバータ遅延ラインのこれらトランジスタ素子のこれらゲートに加えられる有効電源電圧を低減し、結果として、伝播遅延の増加になる。
図4の実線は、電源電圧VDDと伝播遅延tとの間の関係を、開示された3つのインバータ12のチェーンに対する相対値VDDrとtddrとして示す。
この関係は、Takayasu Sakurai, αPower Law MOSFET Model and its Applications to CMOS Inverter Delay and Other Formulas(α乗式MOSFETモデルとこのCOMSインバータ及び他の式への応用)", IEEE Journal of Solid State Circuits, April 1990 pp.584-593において定義されている以下の式(1)によって表現することができる。
Figure 2006525700
ここでKは比例定数を表し、VTHはトランジスタ閾値電圧を表し、αは速度飽和と二次効果とをモデル化するパラメータを表す。この3インバータ遅延ラインのシミュレーションは、最適フィットとして、代表的な値K=1.92×10−11及びα=1.37となる。図4において、波線は式(1)に従い、実線はシミュレーションから得られたものである。
電源電圧VDDに関して伝播遅延tの導関数を取ると、以下の式(2)を得ることができる。
Figure 2006525700
αの上の値と、閾値電圧VTHの公称値及び公称電源電圧VDDの近傍に対しては、この式は“−1”に近くなる。これは、例えば、電源電圧VDDが5%低下すると伝播遅延は5%増加することを暗示する、ことを意味し、このことは、図4に示される曲線の傾きは、電源電圧VDDの公称値の近傍においては、実質的に一定であることを意味する。しかし、電源電圧VDDの低下がより厳しい場合は、この傾きは増加し、電源電圧VDDの変化と伝播遅延の変化との間のこの線形依存性は、もはや有効でなくなる。
他方、キャパシタ電圧Vは、一次近似で以下の式に従う。
Figure 2006525700
ここでIはキャパシタCの充電期間の間にスイッチングトランジスタMP2、MP3によって供給される電流Iの平均値を意味する。この平均電流は、キャパシタ電圧Vの変化には、これらが十分に小さい限り依存しない。
式(1)を式(3)に代入し、電源電圧VDDに関して導関数を取ることで、以下の式が得られる
Figure 2006525700
これは式(2)と同一の表現である。これは、電源電圧VDDのディップすなわち低下が十分に小さなときは、キャパシタ電圧Vの変化は電源電圧VDDの変化に比例することを意味する。
上で説明された監視回路100は、PSNをある与えられた時間において採取する。しかし、最大PSNが生成されるところの正確なタイミングは事前には知られていない。このため、サンプリング時間を変えるためにメカニズムが必要とされる。
図5は、先行するトリガリング回路30と、追加の出力処理回路60とを有するPSN監視回路100を示す略ブロック図である。図5には、このトリガ回路30のある特定例が示されているが、この例においては複数のインバータベースの遅延ライン34がグローバルクロック信号CKと、このPSN監視回路100に加えられるローカルクロックとの間に様々な遅延を生成する。高レベルコントローラによって供給することができる制御すなわち選択信号SELを、ある与えられた時間においてPSNを調べるために、これら遅延ライン34の一つを選択するために用いても良い。様々な遅延を有するこれらローカルクロック信号の選択は、この選択信号SELによって制御されるマルチプレキシング回路32によって遂行することもできる。こうして、このPSN監視回路100に供給されるローカル制御信号のエッジのタイミングを、これら遅延ライン34の選択に基づいて、最大PSNが発生するある所定のタイミングにシフトすることができる。
このPSN監視回路100の出力はキャパシタCのアナログ電圧Vに対応する。信号保全環境(signal integrity environment)においては、過剰なPSNを、すなわち測定されたPSNが高すぎないか否かを、報告するデジタル出力を得ることは便利なことである。このため、あるタイプのアナログ・デジタル変換が要求される。電圧VはキャパシタC内に格納されているという事実のために、この捕捉時間と処理時間とを出力処理回路60内で切り離すことができる。
もし電源ラインの電圧のディップすなわち低下を、各クロックサイクルにおいて測定することが要求されるときは、出力処理回路60の所で、簡単で、非常に高速な比較が必要となる。これは高速比較器62を提供することで達成することもできるが、この比較器62は、出力電圧Vを所定の閾値と比較することで、合格または失敗信号を得る。このケースにおいては、制御信号CTRLは、監視回路100の所でのPSN測定過程を可能にするために、常に“0”であることを要求される。
時間要件がそれほど厳しくないときは、PSNの監視は、制御信号CTRLを目標とされる又は要求されるクロックサイクルの間にのみ起動し、その後は、これを高レベルすなわち“1”に保つことで決定される、与えられた又は所定のクロックサイクルにおいてのみ遂行することができる。
この場合、電圧Vは比較的長い時間期間に渡ってキャパシタC内に格納され、出力処理回路60内の、より精巧で、より低速ではあるが、しかし、正確なアナログ・デジタル変換器すなわち比較器62によって処理することもできる。この比較器62によって用いられる出力閾値は、過剰なPSNに対する複数の要件に基づいて、個別に設定することができる。
加えて、この出力処理回路60は第二のインバータ64を含み、この第二のインバータ64は電圧Vのデジタル出力からの分離を強化するため、および電圧Vがこの比較器の閾値に非常に近いときに生成される望ましくない後方ミラー効果(backward miller effect)を回避するために第一のインバータすなわち比較器62に正のフィードバックを提供するのに用いられる。この正のフィードバックも比較器62の速度を増加させる。このために、フィーディングキャパシタ(feeding capacitor)Cを出力処理回路60のアナログ入力とデジタル出力との間に設けても良い。
図3の回路図の一つの模範的な実現においては、CMOSトランジスタの幅は1μmに設定されており、直列のトランジスタMP2とMP3との幅は0.35μmに設定されており、nチャネルトランジスタMN1は1μmなる幅を有するように選択されている。さらに、測定キャパシタCの値は、比較器62が用いられるときは3.7fFに設定しても良く、他方、比較器62が用いられないときは、この値は5fFに設定しても良い。バッファキャパシタCは、1pFなるキャパシタンスを有しても良い。最後に、フィーディングキャパシタCは、0.5fFなる容量を有しても良い。上の数値は単にある特定の集積回路に対する例示的な数値として示されるものであり、用途によって広い範囲内で変っても良いことに注意すべきである。上の特定の回路パラメータに対しては、PSN監視回路100のサンプリング期間は、約100psに設定することもできる。
要約すると、説明されたPSN監視回路100は、サブミクロン以下の(deep sub-micron)技術に適し、この監視回路がそれに接続されたローカル電力ライン及び/又は接地ライン内のPSNをチェックするためにその回路内のどこに配置することもできる。さらに、これは、集積化目的(integration purpose)に対する標準セルとして設計することもできる。時間分解能は、現代の回路内の、電源ライン並びに接地ライン内の、PSNの主な特徴を収集するのに十分に高く設定することができる。この監視回路100の出力は、この回路がローカル的に生成され、隔離された電源を用いるために、PSNから隔離することができる。出力信号は、キャパシタCの電荷に基づき、このため、サンプリング時間を出力の処理時間から切り離すことが可能となる。高レベルコントローラによって、対応する制御可能なトリガ回路を提供することで、サンプリング時間を簡単に変えることができる。さらに、制御信号CTRLに対する制御入力によって、PSN測定のために、所望のクロックサイクルを選択することもできる。この監視回路100は過剰なPSNの存在をオンラインにて検出する能力を有するので、この回路は、任意のPSN制御スキーム内において、回路の動作パラメータを監視出力に基づいて変化させ、これによってその回路をそのPSN仕様内に保つために用いることができる。
本発明は上の好ましい実施例に制限されるものではなく、様々なやり方にて修正できることに注意する。例えば、図1(a)内のスイッチSINとSOUTの配置及び実現は、伝播遅延の際にキャパシタCの要求されるローディングを得るために、明白なやり方にて変えても良い。任意の種類の制御可能な半導体スイッチ又は他の制御可能なスイッチを用いても良い。これと同じことが他のスイッチングトランジスタMP1とMN1についてもいえる。図5内のトリガ回路30は、カウンタ回路、タイマ回路、フリップフロップ回路及び/又は単安定回路に基づくデジタル遅延回路にて置換しても良い。これと同じことは、その代替のデジタル回路も電源電圧VDDに依存する伝播遅延を提供することを前提に、遅延回路10についてもいえる。従って、この好ましい実施例は、添付のクレームの範囲内で変えても良い。
本発明によるPSN測定スキームの略図と、対応する波形とを示す図である。 本発明による、先行するトリガ回路を有するPSN監視回路の略ブロック図と、対応する波形とを示す図である。 好ましい実施例によるPSN監視回路の略回路図である。 電源電圧とゲート伝播遅延との間の関係を示す図である。 好ましい実施例による、先行する可調トリガ回路と出力処理回路とを有するPSN監視回路を示す図である。

Claims (20)

  1. 電力配電回路網の電源雑音を決定するための回路装置であって、
    前記電力配電回路網の少なくとも一つの電源ラインに接続された遅延回路と、
    前記遅延回路に供給される入力信号と、前記入力信号に応答して前記遅延回路の出力端で得られる出力信号との間の時間遅延を測定するための遅延測定手段と、
    前記測定された時間遅延に対応する信号を出力するための出力手段と、
    を備える回路装置。
  2. 前記遅延測定手段は、電流源をキャパシタに接続するためのスイッチング手段を含み、前記スイッチング手段は前記入力信号と前記出力信号とによって制御される請求項1記載の回路装置。
  3. 前記スイッチング手段は、前記時間遅延の間に前記キャパシタの充電過程を可能にするために前記入力と出力信号とによって制御され、前記出力信号は前記キャパシタの充電電圧から得られる請求項2記載の回路装置。
  4. 前記スイッチング手段は、前記入力信号によって制御される第一のスイッチと、前記出力信号によって制御される第二のスイッチと備える請求項2または3記載の回路装置。
  5. 前記第一および第二のスイッチは、前記電流源と前記キャパシタとの間に直列接続に配置される請求項4記載の回路装置。
  6. 前記第一および第二のスイッチは、トランジスタスイッチを備える請求項4または5記載の回路装置。
  7. 前記測定手段は、前記電流源を前記電力配電回路網から隔離するためのバッファ回路を備える請求項2乃至6のいずれかに記載の回路装置。
  8. 前記バッファ回路は、スイッチング手段と、キャパシタ手段とを備え、前記スイッチング手段は、前記キャパシタ手段を前記電力配電回路網のある電源ラインに一時的に接続するように前記入力信号によって制御される請求項7記載の回路装置。
  9. クロック信号に対して、所定のタイミングで前記入力信号を前記遅延測定手段に供給するためのトリガ手段をさらに備える請求項1乃至8のいずれかに記載の回路装置。
  10. 前記トリガ手段は、前記クロック信号を遅延するための複数の遅延ラインと、選択信号に応じてこれら遅延ラインの一つの出力を選択するための選択手段とを備える請求項9記載の回路装置。
  11. 前記遅延回路は、前記電源雑音の波形の特性時間より少なくとも10倍低い遅延時間だけ前記入力信号を遅延するように構成される請求項1乃至10のいずれかに記載の回路装置。
  12. 過剰な電源雑音を検出するために前記出力信号を処理する出力処理回路をさらに備える請求項1乃至11のいずれかに記載の回路装置。
  13. 前記出力処理回路は、前記出力信号を所定の閾値と比較する比較器を有する請求項12記載の回路装置。
  14. 前記回路装置は、前記電力配電回路網を含む集積回路上に一体となって配置される請求項1乃至13のいずれかに記載の回路装置。
  15. 電力配電回路網の電源雑音を決定する方法であって、
    前記電力配電回路網によって電力が供給される遅延回路の伝播遅延を測定するステップと、
    前記測定するステップの結果を前記電源雑音の指標として用いるステップと、
    を含む方法。
  16. 前記測定するステップは、前記伝播遅延の間にキャパシタを充電するステップと、前記測定結果として前記キャパシタの帯電を用いるステップと、を備える請求項15記載の方法。
  17. 前記測定するステップは、前記電力配電回路網の一点において遂行される請求項15または16記載の方法。
  18. 前記測定するステップは、前記電力配電回路網の複数の点において遂行される請求項15または16記載の方法。
  19. 前記測定するステップは、前記電力配電回路網を含む同期集積回路の所定のクロックサイクルにおいて遂行される請求項15乃至18のいずれかに記載の方法。
  20. 前記測定するステップは、前記電力配電回路網を含む同期集積回路の各クロックサイクルにおいて遂行される請求項15乃至18のいずれかに記載の方法。
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