JP4716941B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
まず、以下の各実施形態における半導体集積回路装置を備える通信装置の構成例を、図1に挙げて説明する。
上述の通信装置に用いられる半導体集積回路装置における第1の実施形態について、図面を参照して説明する。図2は、本実施形態における半導体集積回路装置の内部構成を示すブロック図である。
上述の通信装置に用いられる半導体集積回路装置における第2の実施形態について、図面を参照して説明する。図7は、本実施形態における半導体集積回路装置の内部構成を示すブロック図である。尚、図7において、図2の半導体集積回路装置と同一の目的で使用する部分については同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。
2 BPF
3 アンプ
4 ミキサ
5 VCO
6 PLL回路
7 LPF
8 アンプ
9 AD変換回路
10 復調回路
11 復号化回路
12 制御回路
13 クロック発振回路
100 半導体集積回路装置
101,102 電源供給路
103 可変インピーダンス
104 インピーダンス制御回路
105 符号誤り検出回路
106 電力制御回路
Claims (9)
- ノイズの発生源となる第1回路と、該第1回路から信号が与えられて演算処理を行う第2回路と、前記第1及び第2回路それぞれに電源供給を行う分割された第1及び第2電源供給路と、を備える半導体集積回路装置において、
前記第2回路の動作状態を検出する状態検出回路と、
該状態検出回路で確認された前記第2回路の動作状態に基づいて、前記第1回路のノイズによる影響の大きさを確認して、前記第1回路の動作状態を決定するパラメータ値を変化させる制御回路と、
を備え、
前記状態検出回路が、前記第2回路における前記演算処理におけるエラーの度合いを、前記第2回路の動作状態として、所定時間毎に検出し、
前記制御回路が、前記状態検出回路で前記所定時間毎に検出された前記演算処理におけるエラーの度合いの大きさの変化に基づいて、前記パラメータ値を変化させる方向を決定するとともに、前記演算処理におけるエラーの度合いの大きさに応じて前記パラメータ値を変化させることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記状態検出回路が、前記第2回路で演算処理されて得たデータを受け、当該データにおける誤りを検出することで、前記演算処理におけるエラーの度合いを検出することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記状態検出回路が、前記第2回路での前記演算処理でデータを取得する際の誤り訂正処理において誤り訂正したビット数を計数し、計数した誤り訂正された前記ビット数を前記演算処理におけるエラーの度合いとすることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記状態検出回路が、前記第2回路での前記演算処理でデータを取得する際の誤り訂正処理において、前記所定時間以内のエラーの発生回数を計数し、計数した前記エラーの発生回数を前記演算処理におけるエラーの度合いとすることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2回路が、前記演算処理として、復調動作又は復号化動作を行うことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1回路に接続された前記第1電源供給路上に設置されるとともに、インピーダンス値を可変とした可変インピーダンスを備え、
前記制御回路が、前記状態検出回路で確認された前記第2回路の動作状態に基づいて、前記第1回路のノイズによる影響の大きさを確認し、前記可変インピーダンスのインピーダンス値を変化させるインピーダンス制御回路を有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の半導体集積回路装置。 - 前記制御回路が、前記状態検出回路で確認された前記第2回路の動作状態に基づいて、前記第1回路のノイズによる影響の大きさを確認し、前記第1回路の消費電力値を変化させる電力制御回路を有することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1回路は、並列に接続された複数のインバータと、前記複数のインバータそれぞれをオン/オフ制御するマルチプレクサとを備え、
前記電力制御回路は、前記演算処理におけるエラーの度合いの大きさに応じて前記第1回路の消費電力を調整するための制御信号を前記マルチプレクサに出力し、
前記マルチプレクサは、前記制御信号に基づいて前記複数のインバータそれぞれをオン/オフ制御することを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。 - 前記インバータは、3ステートインバータであって、
前記電力制御回路は、前記演算処理におけるエラーの度合いの大きさに応じて調整される前記第1回路の消費電力に基づいて、オンとする3ステートインバータの個数を設定するための前記制御信号を前記マルチプレクサに出力することを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路装置。
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