JP5631600B2 - 半導体装置及びパルス幅検出方法 - Google Patents
半導体装置及びパルス幅検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5631600B2 JP5631600B2 JP2010016654A JP2010016654A JP5631600B2 JP 5631600 B2 JP5631600 B2 JP 5631600B2 JP 2010016654 A JP2010016654 A JP 2010016654A JP 2010016654 A JP2010016654 A JP 2010016654A JP 5631600 B2 JP5631600 B2 JP 5631600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- circuit
- input
- timing
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31725—Timing aspects, e.g. clock distribution, skew, propagation delay
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56012—Timing aspects, clock generation, synchronisation
Description
11、51 内部パルス波形変換回路
12 モニター用ドライバ
13 モニターパッド
14 プローブ針
15 プローブカード
16a タイミング検出部
16 テスタコンパレータ
17 パルス幅検出部
18 テスト信号出力部
19 イネーブル信号生成回路
20 ICチップ
22 テスタ
51 内部パルス波形変換回路
Claims (4)
- 内部でパルス信号を発生する半導体装置本体と、
外部に設けられた前記パルス信号のパルス幅を検出する検出装置に、所定の配線経路を介して接続されることで、該配線経路を介して前記半導体装置本体で発生された前記パルス信号に応じた信号を出力するための出力手段と、
前記半導体装置本体で発生したパルス信号、前記パルス信号が立ち上がるタイミングを検出するときに有効にされる第1のイネーブル信号、及び前記パルス信号が立ち下がるタイミングを検出するときに有効にされる第2のイネーブル信号が入力され、前記出力手段から出力する信号として、前記入力された第1のイネーブル信号が有効な期間において前記入力されたパルス信号が立ち上がるタイミングで予め定められた方向に変化し且つ該変化した後はその状態が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上継続する第1の信号を生成すると共に、前記入力された第2のイネーブル信号が有効な期間において前記入力されたパルス信号が立ち下がるタイミングで前記予め定められた方向に変化し且つ該変化した後はその状態が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上継続する第2の信号を生成する生成手段と、
を備えた半導体装置。 - 前記第1のイネーブル信号は、信号レベルがHにされることにより有効となる信号であり、前記第2のイネーブル信号は、信号レベルがLにされることにより有効となる信号であり、
前記生成手段は、
前記発生したパルス信号が入力される第1のNOT回路と、
第1のNAND回路及び第2のNAND回路を備え、前記第1のNAND回路の一方の入力端と前記第2のNAND回路の出力端とが接続され、前記第1のNAND回路の出力端と前記第2のNAND回路の一方の入力端とが接続され、前記第1のNAND回路の他方の入力端が前記第1のNOT回路の出力端に接続され、前記第2のNAND回路の他方の入力端に前記第1のイネーブル信号が入力されるNAND型フリップフロップ回路と、
第1のNOR回路及び第2のNOR回路を備え、前記第1のNOR回路の一方の入力端と前記第2のNOR回路の出力端とが接続され、前記第1のNOR回路の出力端と前記第2のNOR回路の一方の入力端とが接続され、前記第2のNOR回路の他方の入力端が前記第1のNOT回路の出力端に接続され、前記第1のNOR回路の他方の入力端に前記第2のイネーブル信号が入力されるNOR型フリップフロップ回路と、
入力端が前記NOR型フリップフロップ回路の前記第1のNOR回路の出力端に接続された第2のNOT回路と、
一方の入力端が前記NAND型フリップフロップ回路の前記第2のNAND回路の出力端に接続され、他方の入力端が前記第2のNOT回路の出力端に接続された第3のNAND回路と、
を備え、前記第2のイネーブル信号が無効とされ前記第1のイネーブル信号が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上有効とされた期間に、前記入力されたパルス信号が立ち上がるタイミングでLからHに変化し且つ該変化した後はその状態が前記第1のイネーブル信号が有効な期間継続する前記第1の信号を生成して前記第3のNAND回路の出力端から出力し、前記第1のイネーブル信号が無効とされ前記第2のイネーブル信号が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上有効とされた期間に、前記入力されたパルス信号が立ち下がるタイミングでLからHに変化し且つ該変化した後はその状態が前記第2のイネーブル信号が有効な期間継続する前記第2の信号を生成して前記第3のNAND回路の出力端から出力する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のイネーブル信号は、信号レベルがHにされることにより有効となる信号であり、前記第2のイネーブル信号は、信号レベルがLにされることにより有効となる信号であり、
前記発生したパルス信号が入力され、入力されたパルス信号の立ち下がりのタイミングを予め定められた遅延時間だけ遅延した遅延信号を出力する遅延回路と、
一方の入力端には前記遅延回路で遅延された遅延信号が入力されると共に、他方の入力端には前記第1のイネーブル信号が入力される第1のNAND回路と、
前記第2のイネーブル信号が入力される第1のNOT回路と、
前記発生したパルス信号が入力される第2のNOT回路と、
第1の入力端は前記第1のNOT回路の出力端に接続され、第2の入力端は、前記第2のNOT回路に接続され、第3の入力端には前記遅延回路で遅延された遅延信号が入力される第2のNAND回路と、
一方の入力端には前記第1のNAND回路の出力端が接続され、他方の入力端には前記第2のNAND回路の出力端が接続された第3のNAND回路と、
を備え、前記第2のイネーブル信号が無効とされ前記第1のイネーブル信号が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上有効とされた期間に、前記入力されたパルス信号が立ち上がるタイミングでLからHに変化し且つ該変化した後はその状態が前記第1のイネーブル信号が有効な期間継続する前記第1の信号を生成して前記第3のNAND回路の出力端から出力し、前記第1のイネーブル信号が無効とされ前記第2のイネーブル信号が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上有効とされた期間に、前記入力されたパルス信号が立ち下がるタイミングでLからHに変化し且つ該変化した後はその状態が前記第2のイネーブル信号が有効な期間継続する前記第2の信号を生成して前記第3のNAND回路の出力端から出力する
請求項1に記載の半導体装置。 - 内部でパルス信号を発生する半導体装置本体と、外部に所定の配線経路が接続されることで該配線経路を介して、前記半導体装置本体で発生された前記パルス信号に応じた信号を出力するための出力手段と、前記半導体装置本体で発生したパルス信号、前記パルス信号が立ち上がるタイミングを検出するときに有効にされる第1のイネーブル信号、及び前記パルス信号が立ち下がるタイミングを検出するときに有効にされる第2のイネーブル信号が入力され、前記出力手段から出力する信号として、前記入力された第1のイネーブル信号が有効な第1の期間において前記入力されたパルス信号が立ち上がるタイミングで予め定められた方向に変化し且つ該変化した後はその状態が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上継続する第1の信号を生成すると共に、前記入力された第2のイネーブル信号が有効な第2の期間において前記入力されたパルス信号が立ち下がるタイミングで前記予め定められた方向に変化し且つ該変化した後はその状態が前記配線経路の時定数に応じて定められる時間以上継続する第2の信号を生成する生成手段と、を備えた半導体装置を、該半導体装置の外部に設けられて前記パルス信号のパルス幅を検出する検出装置に、前記配線経路を介して接続し、
前記検出装置から前記半導体装置に、前記第1のイネーブル信号が有効な前記第1の期間に前記パルス信号を発生させる第1の基準信号を入力すると共に、前記第2のイネーブル信号が有効な前記第2の期間に前記パルス信号を発生させる第2の基準信号を入力し、
前記検出装置が、前記第1の基準信号が入力されることで前記半導体装置から前記配線経路を介して出力された前記第1の信号と予め定められた閾値とを比較することにより前記第1の信号が前記予め定められた方向に変化した第1のタイミングを検出すると共に、前記第2の基準信号が入力されることで前記半導体装置から前記配線経路を介して出力された前記第2の信号と前記予め定められた閾値とを比較することにより前記第2の信号が前記予め定められた方向に変化した第2のタイミングを検出し、
前記第1の基準信号を基準とした第1の基準タイミングから前記第1のタイミングまでの時間と、前記第2の基準信号を基準とした第2の基準タイミングから前記第2のタイミングまでの時間と、の差分を前記半導体装置本体で発生したパルス信号のパルス幅として検出するパルス幅検出方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010016654A JP5631600B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体装置及びパルス幅検出方法 |
US13/012,869 US8547082B2 (en) | 2010-01-28 | 2011-01-25 | Semiconductor device and pulse width detection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010016654A JP5631600B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体装置及びパルス幅検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011153971A JP2011153971A (ja) | 2011-08-11 |
JP5631600B2 true JP5631600B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=44308498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010016654A Active JP5631600B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体装置及びパルス幅検出方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8547082B2 (ja) |
JP (1) | JP5631600B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114113802B (zh) | 2020-08-31 | 2023-01-24 | 长鑫存储技术(上海)有限公司 | 测试电路、测试装置及其测试方法 |
CN114121132B (zh) | 2020-08-31 | 2023-10-13 | 长鑫存储技术(上海)有限公司 | 测试电路、测试装置及其测试方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07280857A (ja) * | 1994-04-05 | 1995-10-27 | Sony Corp | パルス幅測定回路 |
JP5207748B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2013-06-12 | 株式会社アドバンテスト | 測定装置、測定方法および試験装置 |
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010016654A patent/JP5631600B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-25 US US13/012,869 patent/US8547082B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8547082B2 (en) | 2013-10-01 |
US20110181329A1 (en) | 2011-07-28 |
JP2011153971A (ja) | 2011-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9482720B2 (en) | Non-invasive pre-bond TSV test using ring oscillators and multiple voltage levels | |
KR102018629B1 (ko) | 전파 지연 결정 | |
US10277213B1 (en) | Glitch detection in input/output bus | |
US8354857B1 (en) | Method and apparatus for speed monitoring | |
JP5631600B2 (ja) | 半導体装置及びパルス幅検出方法 | |
US10746780B2 (en) | High power terahertz impulse for fault isolation | |
US8018240B2 (en) | Apparatus, circuit and method of monitoring leakage current characteristics | |
TWI494573B (zh) | 用於判斷第一接腳與第二接腳之連接狀態的檢測電路與檢測方法 | |
US10256798B2 (en) | Test method of delay circuit including delay line | |
JP6403395B2 (ja) | 半導体チップの測定方法および半導体チップ | |
US8624649B2 (en) | Delay measuring circuit and delay measuring method | |
US8339155B2 (en) | System and method for detecting soft-fails | |
JP4725159B2 (ja) | オープン検出回路、オープン検出方法及び半導体集積回路 | |
JP2010204058A (ja) | 回路部品の試験装置および方法 | |
US11777483B1 (en) | On-die techniques for asynchnorously comparing voltages | |
KR100582391B1 (ko) | 반도체 소자에서의 지연 요소의 지연 검출 장치 및 방법 | |
US20230395175A1 (en) | Loopback datapath for clock quality detection | |
JP2010217991A (ja) | 半導体装置およびその試験方法 | |
JP2004045085A (ja) | クロスオーバ電圧評価方法および検査装置 | |
JP5521840B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
US9329222B2 (en) | Test device and test system of semiconductor device and test method for testing semiconductor device | |
US9495643B2 (en) | Semiconductor device capable of testing bonding of pad | |
JP2012185055A (ja) | 評価試験装置および評価試験方法 | |
KR20130072051A (ko) | 공정 변화의 측정이 가능한 집적회로 | |
KR100630747B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5631600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |