JP2006506237A - 集積構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】垂直集積構造体は、マイクロ電気機械システム(MEMS)およびMEMSへ信号を伝達するチップを含む。MEMSは、その中を貫通する導体を有するアンカー部を持ち、これによって基板に接続されている。チップは、MEMS基板に、その基板表面に対して垂直方向に取り付けられ、チップからMEMSへの導電経路を作っている。チップは、チップに形成されたC4金属パッドに導体を結合すること、またはチップの金属スタッドに導体を結合することによって取り付けることができる。MEMS基板は、チップへの取付け前に薄くすることもでき、あるいは、MEMSの下側から除去することもできる。キャリア・プレートを一時的に用いると、MEMSの取扱いおよびチップの整合が楽になる。
Description
IBM J. Res. Develop. 44、323頁(2000) センサおよびアクチュエータ(Sensors and Actuators)80、100頁(2000)
本発明の一実施形態によれば、シリコン・カンチレバーのアレイを有するMEMSチップは、図6〜11に示すようにして作製される。図6は、バルク・シリコン51上の埋め込み酸化物(BOX)層52、BOXの上にあるシリコン層53、および熱酸化物層54を有するシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハを示す。層52〜54の厚みは、通常、それぞれ400nm、4μmおよび500nmである。次いで、酸化物層54をマスキングしてエッチングし、一部分54aのみを残す。この部分が、次にシリコン層53をエッチングするためのマスクとしての役割を果たす(図7参照)。このシリコン層のマスク部分は、その後加工されてナノメートル規模の先端が形成される。次いで、基板51中に深いバイア開口55をエッチングする。このバイアの寸法は、利用できるリソグラフィとMEMSセルのデザインに応じて決まる(図8)。
図18〜20に、C4接続を用いたMEMS/CMOS集積のプロセスを示す。図18に示すように、CMOS基板81は、その表面に金属パッド82を有し、かつ基板表面の上に重なるポリイミド層83を有する。(MEMSチップを制御するための電子デバイスは既に製造されており、CMOS基板81の一部であることを理解されたい。これらのCMOSデバイスについての詳細な説明は行わない。)当分野の技術者が熟知しているように、C4接続は、ポリイミド層83に開口を形成してパッド82を露出させ、この開口にシード層84を付着し、マスクを通してC4金属をめっきすることによって作製される。次いで、マスクと過剰のシード層を除去し、リフロー・プロセスを行ってC4ボンディング・パッド85を形成する。
図21には、電子デバイスがその中に既に製造されていることを前提とするCMOS基板91が示されている。図21には、基板91の上面への配線接続92が示されている。基板は、ポリイミド層93によって覆われており、CMOSデバイスへの接続を作製するために、その中に開口が形成されている。図21に示したように、開口は、MEMSチップへの整合を容易にするためにテーパがつけてある。この開口にはスタッド94が作製されて、配線92と電気的接触を行う。このスタッドの頂上は、MEMSチップの金属パッドとの接続を行うために、はんだ95で覆われている。
本発明のこの実施形態では、CMOSチップに直接接続されたスタッド/バイア配置にカンチレバー構造を固定する。カンチレバーの製造は、図6について上述したSOIウェーハから始まる。図28に示したように、酸化物層54をマスキングしてエッチングし、一部分54aおよび54bを残す。次いで、下にあるシリコン層53をエッチングする。次いで、エッチングしていないシリコン領域を加工して、カンチレバー先端およびアンカー端部を形成する。
Claims (18)
- マイクロ電気機械システム(MEMS)および前記MEMSへ信号を伝達するチップを含む集積構造体の製造方法であって、
表面を有するMEMS基板を用意するステップと、
前記MEMSを形成してその中にアンカー部を設けるステップであって、前記MEMSが前記アンカー部で前記MEMS基板と接続されるステップと、
前記MEMSの前記アンカー部から前記MEMS基板を貫通して導体を形成するステップと、
前記チップを、前記MEMS基板に、前記表面に対して垂直な方向に取り付けて、前記チップから前記MEMSへの導電経路を作るステップと
を含む方法。 - 前記チップを取り付ける前記ステップが、
前記チップにC4金属パッドを形成するステップと、
前記C4金属パッドを前記導体に対して整合させるステップと、
前記C4金属を前記導体に結合するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記チップを取り付ける前記ステップが、
前記チップに金属スタッドおよび金属パッドの一方を形成するステップと、
前記金属スタッドおよび前記金属パッドのもう一方を前記導体と接触させて形成するステップと、
前記パッドに対して前記スタッドを整合させるステップと、
前記スタッドを前記パッドに結合するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記導体を形成する前記ステップが、前記MEMS基板の裏面に第1のポリイミド層を塗布するステップと、前記第1のポリイミド層に開口を形成して前記導体を露出させるステップと、前記金属スタッドおよび前記金属パッドの一方を前記導体と接触させて形成するステップとを含み、
前記チップを取り付ける前記ステップが、前記チップに第2のポリイミド層を塗布するステップと、前記第2のポリイミド層に開口を形成して、その中に前記金属スタッドおよび前記金属パッドのもう一方を形成するステップと、積層プロセスを行って前記第1のポリイミド層と前記第2のポリイミド層とを結合させるステップとを含む、
請求項3に記載の方法。 - 前記積層プロセスに引き続き、前記MEMSがカンチレバー構造を持つように前記MEMS基板にキャビティを形成するステップを含めて、前記MEMSの形成を完了させる、請求項4に記載の方法。
- 前記表面に垂直な方向に延在した先端を持つように前記MEMSを形成する、請求項1ないし5のいずれかに記載の方法。
- 前記先端と接触する記憶媒体層を設けるステップであって、前記層が前記先端によってその中に作られるくぼみに応じてデータを記憶する記憶媒体を含むステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記MEMSを形成する前記ステップが、
一端が前記アンカー部にあり、他端が前記表面に垂直な方向に延在した先端を持つカンチレバー構造を形成するステップと、
前記カンチレバーの下にある前記基板の一部にキャビティを形成するステップと
をさらに含む、請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。 - 前記導体を形成する前記ステップが、
前記基板にバイアを形成するステップと、
前記バイアに金属を付着させるステップと、
前記MEMS基板にキャリア・プレートを取り付けるステップと、
前記MEMS基板の裏面を薄くして前記金属を露出させるステップと、
前記バイアの前記金属と接触させて、前記裏面に金属パッドを形成するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記キャリア・プレートが剥離性放射線に透明であり、前記チップを取り付ける前記ステップが、前記プレートを剥離性放射線に露出させ、それにより前記プレートを剥離させるステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記MEMSが、その中に開口を有するアンカー部を有し、
前記MEMSの前記アンカー部の前記開口に導体を形成するステップと、
前記MEMS基板を除去し、それにより前記MEMSと前記導体の下面を露出させるステップと、
前記チップを、前記表面に垂直な方向に、前記MEMSの前記アンカー部に取り付けて、前記チップから前記MEMSへ導電経路を作るステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記MEMS基板を除去する前記ステップの前に、
前記MEMSの上に重なる第1の層を付着させるステップと、
前記第1の層にキャリア・プレートを取り付けるステップと、
をさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 前記チップに第2の層を付着させるステップと、
前記第2の層に開口を形成するステップと、
前記第2の層の前記開口に金属スタッドを形成するステップと
をさらに含み、
前記取り付けるステップが、
前記金属スタッドを、前記MEMSの前記下面の前記導体に対して整合させるステップと、
積層プロセスを行って、前記MEMSを前記第2の層に結合させるステップと
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記チップに第2の層を付着させるステップと、
前記第2の層に開口を形成するステップと、
前記第2の層の前記開口に金属パッドを形成するステップと、
金属スタッドを、前記導体と接触させて、前記MEMSの前記下面に形成するステップと
をさらに含み、
前記取り付けるステップが、
前記スタッドを前記パッドに対して整合させるステップと、
積層プロセスを行って、前記MEMSを前記第2の層に結合させるステップと
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記キャリア・プレートが剥離性放射線に透明であり、
前記チップを取り付ける前記ステップの後、
前記キャリア・プレートを剥離性放射線に露出させ、それにより前記キャリア・プレートを前記第1の層から剥離させるステップと、
前記第1の層を除去するステップと
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記MEMSを形成する前記ステップが、
一端が前記アンカー部にあり、他端が前記表面に垂直な方向に延在した先端を持つカンチレバー構造を形成するステップをさらに含み、
前記カンチレバーが、前記第2の層の厚みに相当する距離だけ、前記チップから間隔をおいて配置されている、請求項13に記載の方法。 - マイクロ電気機械システム(MEMS)と、前記MEMSへ信号を伝達するチップとを接続した垂直集積構造体であって、
前記チップの一部の上に重なり、内部に開口を有する層と、
前記層に取り付けられ、前記開口に対して整合された導体を含むアンカー部と、そこから水平に延在した末端部とを有するMEMSと、
前記開口内にあって、前記チップおよび前記導体と接触している金属スタッドと
を含み、
前記MEMSが、前記層の厚みに相当する距離だけ、前記チップから間隔をおいて配置されている構造体。 - さらに、前記末端部は垂直に延在した先端を含み、
水平に延在し、垂直方向に前記チップから間隔をおいて配置された層を含み、前記層が前記先端と接触している、請求項17に記載の垂直集積構造体。
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