JP2006351593A - レーザ照射方法及びその装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】 集光レンズ2と被照射物4との間に、光路を遮つてレーザaを反射する反射位置Iを採ることができる第1のミラー5と、第1のミラー5によつて反射されるレーザaを反射する第2のミラー6とを配置し、第1のミラー5に反射位置Iを採らせることにより、集光レンズ2を透過するレーザaを、第1,第2のミラー5,6によつて次々に反射させると共に、第1のミラー5によつて再度反射されるレーザaの強度を、被照射物4から反射されるレーザaの強度に合致させて集光レンズ2を透過させ、レーザaを被照射物4に照射するときと同様に集光レンズ2を加熱する。
【選択図】 図1
Description
請求項1の発明は、レーザ発振器1からの処理用のレーザaをレンズ2に通して集光又は結像させ、被照射物4に照射させるレーザ照射方法において、レンズ2と被照射物4との間に、レンズ2と被照射物4との間の光路を遮つて処理用のレーザaを所定の反射率で反射する反射位置Iと、レンズ2と被照射物4との間の光路を開放する開放位置IIとを採ることができる第1のミラー5と、反射位置Iを採る第1のミラー5によつて反射される処理用のレーザaの光軸Lに対して垂直に配置され、処理用のレーザaを所定の反射率で反射する第2のミラー6とを配置し、第1のミラー5に反射位置Iを採らせることにより、レンズ2を透過する処理用のレーザaを、第1のミラー5及び第2のミラー6によつて次々に反射させると共に、第1のミラー5によつて再度反射される処理用のレーザaの強度を、第1のミラー5が開放位置IIを採る状態で被照射物4から反射される処理用のレーザaの強度に合致させて、レンズ2を透過させ、処理用のレーザaを被照射物4に照射するときと同様にレンズ2を加熱することを特徴とするレーザ照射方法である。
請求項2の発明は、レーザ発振器1からの処理用のレーザaをレンズ2に通して集光又は結像させ、被照射物4に照射させるレーザ照射装置において、レンズ2と被照射物4との間に、レンズ2と被照射物4との間の光路を遮つて処理用のレーザaを所定の反射率で反射する反射位置Iと、レンズ2と被照射物4との間の光路を開放する開放位置IIとを採ることができる第1のミラー5と、反射位置Iを採る第1のミラー5によつて反射される処理用のレーザaの光軸Lに対して垂直に配置され、処理用のレーザaを所定の反射率で反射する第2のミラー6とを配置し、第1のミラー5に反射位置Iを採らせることにより、レンズ2を透過する処理用のレーザaを、第1のミラー5及び第2のミラー6によつて次々に反射させると共に、第1のミラー5によつて再度反射される処理用のレーザaの強度を、第1のミラー5が開放位置IIを採る状態で被照射物4から反射される処理用のレーザaの強度に合致させて、レンズ2を透過させ、処理用のレーザaを被照射物4に照射するときと同様にレンズ2を加熱することを特徴とするレーザ照射装置である。
請求項3の発明は、第1のミラー5が全反射ミラーによつて構成され、第2のミラー6が、被照射物4の反射率と等しい反射率を有するハーフミラーによつて構成され、第2のミラー6が、第1のミラー5と被照射物4との間の距離h2と等しい距離h1だけ第1のミラー5から離隔させた位置に配置されていることを特徴とする請求項2のレーザ照射装置である。
請求項4の発明は、レンズ2が、焦点距離を計測する計測手段7を備えることを特徴とする請求項2又は3のレーザ照射装置である。
請求項5の発明は、レンズ2が、温度制御装置3を付属することを特徴とする請求項2,3又は4のレーザ照射装置である。
レーザ発振器1からの処理用のパルス・レーザaは、全反射するミラー10によつて90度方向転換させて集光レンズ2に導き、集光レンズ2を透過したレーザaは、集光して被照射物4に照射され、被照射物4が改質される。被照射物4がガラス基板上に薄いa−Si膜を形成したものであれば、レーザaの照射により、a−Si膜が結晶化されて薄いp−Si膜に改質される。このとき、第1のミラー5は、集光レンズ2と被照射物4との間の光路を開放する開放位置IIを採つている。
2:集光レンズ(レンズ)
3:温度制御装置
4:被照射物
5:第1のミラー
6:第2のミラー
7:計測手段
11:ステージ
12:移動装置
24:測定器
a:処理用のレーザ
b:焦点距離計測用のレーザ
h1,h2:距離
I:反射位置
II:開放位置
L:光軸
X:所定方向
Claims (5)
- レーザ発振器(1)からの処理用のレーザ(a)をレンズ(2)に通して集光又は結像させ、被照射物(4)に照射させるレーザ照射方法において、
レンズ(2)と被照射物(4)との間に、レンズ(2)と被照射物(4)との間の光路を遮つて処理用のレーザ(a)を所定の反射率で反射する反射位置(I)と、レンズ(2)と被照射物(4)との間の光路を開放する開放位置(II)とを採ることができる第1のミラー(5)と、
反射位置(I)を採る第1のミラー(5)によつて反射される処理用のレーザ(a)の光軸(L)に対して垂直に配置され、処理用のレーザ(a)を所定の反射率で反射する第2のミラー(6)とを配置し、
第1のミラー(5)に反射位置(I)を採らせることにより、レンズ(2)を透過する処理用のレーザ(a)を、第1のミラー(5)及び第2のミラー(6)によつて次々に反射させると共に、第1のミラー(5)によつて再度反射される処理用のレーザ(a)の強度を、第1のミラー(5)が開放位置(II)を採る状態で被照射物(4)から反射される処理用のレーザ(a)の強度に合致させて、レンズ(2)を透過させ、処理用のレーザ(a)を被照射物(4)に照射するときと同様にレンズ(2)を加熱することを特徴とするレーザ照射方法。 - レーザ発振器(1)からの処理用のレーザ(a)をレンズ(2)に通して集光又は結像させ、被照射物(4)に照射させるレーザ照射装置において、
レンズ(2)と被照射物(4)との間に、レンズ(2)と被照射物(4)との間の光路を遮つて処理用のレーザ(a)を所定の反射率で反射する反射位置(I)と、レンズ(2)と被照射物(4)との間の光路を開放する開放位置(II)とを採ることができる第1のミラー(5)と、
反射位置(I)を採る第1のミラー(5)によつて反射される処理用のレーザ(a)の光軸(L)に対して垂直に配置され、処理用のレーザ(a)を所定の反射率で反射する第2のミラー(6)とを配置し、
第1のミラー(5)に反射位置(I)を採らせることにより、レンズ(2)を透過する処理用のレーザ(a)を、第1のミラー(5)及び第2のミラー(6)によつて次々に反射させると共に、第1のミラー(5)によつて再度反射される処理用のレーザ(a)の強度を、第1のミラー(5)が開放位置(II)を採る状態で被照射物(4)から反射される処理用のレーザ(a)の強度に合致させて、レンズ(2)を透過させ、処理用のレーザ(a)を被照射物(4)に照射するときと同様にレンズ(2)を加熱することを特徴とするレーザ照射装置。 - 第1のミラー(5)が全反射ミラーによつて構成され、第2のミラー(6)が、被照射物(4)の反射率と等しい反射率を有するハーフミラーによつて構成され、第2のミラー(6)が、第1のミラー(5)と被照射物(4)との間の距離(h2)と等しい距離(h1)だけ第1のミラー(5)から離隔させた位置に配置されていることを特徴とする請求項2のレーザ照射装置。
- レンズ(2)が、焦点距離を計測する計測手段(7)を備えることを特徴とする請求項2又は3のレーザ照射装置。
- レンズ(2)が、温度制御装置(3)を付属することを特徴とする請求項2,3又は4のレーザ照射装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005172329A JP3845650B1 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | レーザ照射方法及びその装置 |
KR1020077008365A KR100860252B1 (ko) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | 레이저 조사 방법 및 그 장치 |
EP06756907A EP1892751B1 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | Laser irradiation method and device thereof |
PCT/JP2006/311069 WO2006134785A1 (ja) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | レーザ照射方法及びその装置 |
DE602006016598T DE602006016598D1 (de) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | Laserbestrahlungsverfahren und vorrichtung dafür |
US11/662,971 US7471712B2 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | Laser irradiating method and device for same |
AT06756907T ATE480007T1 (de) | 2005-06-13 | 2006-06-02 | Laserbestrahlungsverfahren und vorrichtung dafür |
TW095120252A TWI303453B (en) | 2005-06-13 | 2006-06-07 | Method for radiating laser and laser radiating system |
US12/232,230 US7680163B2 (en) | 2005-06-13 | 2008-09-12 | Laser irradiating method including maintaining temperature of a lens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005172329A JP3845650B1 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | レーザ照射方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3845650B1 JP3845650B1 (ja) | 2006-11-15 |
JP2006351593A true JP2006351593A (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=37478007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005172329A Active JP3845650B1 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | レーザ照射方法及びその装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7471712B2 (ja) |
EP (1) | EP1892751B1 (ja) |
JP (1) | JP3845650B1 (ja) |
KR (1) | KR100860252B1 (ja) |
DE (1) | DE602006016598D1 (ja) |
TW (1) | TWI303453B (ja) |
WO (1) | WO2006134785A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038178A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ照射方法及びその装置 |
JP2011096808A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
JP2012119723A (ja) * | 2012-02-14 | 2012-06-21 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ照射方法及びその装置 |
JP2013071129A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5110087B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-12-26 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器内出射ミラーの劣化状態測定方法およびレーザ加工装置 |
JP5789527B2 (ja) | 2012-01-18 | 2015-10-07 | 株式会社アマダホールディングス | レーザ加工装置及びレーザ発振制御方法 |
WO2014171245A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 村田機械株式会社 | レーザ加工機およびレーザ加工方法 |
DK2875896T3 (en) * | 2013-11-22 | 2017-01-23 | Salvagnini Italia Spa | Laser cutting head for machine tool with a cooling unit attached to the head |
US9731381B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-08-15 | Salvagnini Italia S.P.A. | Laser cutting head for machine tool |
DE112017004557T5 (de) * | 2016-09-09 | 2019-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Laserbearbeitungsvorrichtung |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60247488A (ja) * | 1985-05-08 | 1985-12-07 | Hitachi Ltd | レーザ装置 |
JPH04167990A (ja) | 1990-10-29 | 1992-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 焦点距離調整装置 |
JPH1137895A (ja) | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 反射率測定センサの検査方法 |
WO1999033603A1 (fr) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil d'usinage au laser |
JP2000094173A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-04 | Nippei Toyama Corp | レーザ加工機におけるレーザビームの焦点位置調節装置及び調節方法 |
KR100916656B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2009-09-08 | 삼성전자주식회사 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 다결정 규소 박막트랜지스터의 제조 방법 |
-
2005
- 2005-06-13 JP JP2005172329A patent/JP3845650B1/ja active Active
-
2006
- 2006-06-02 KR KR1020077008365A patent/KR100860252B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-02 EP EP06756907A patent/EP1892751B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-02 WO PCT/JP2006/311069 patent/WO2006134785A1/ja active Application Filing
- 2006-06-02 US US11/662,971 patent/US7471712B2/en active Active
- 2006-06-02 DE DE602006016598T patent/DE602006016598D1/de active Active
- 2006-06-07 TW TW095120252A patent/TWI303453B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-12 US US12/232,230 patent/US7680163B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038178A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ照射方法及びその装置 |
JP2011096808A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
JP2013071129A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
JP2012119723A (ja) * | 2012-02-14 | 2012-06-21 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ照射方法及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006134785A1 (ja) | 2006-12-21 |
EP1892751B1 (en) | 2010-09-01 |
US7471712B2 (en) | 2008-12-30 |
KR20070069163A (ko) | 2007-07-02 |
EP1892751A1 (en) | 2008-02-27 |
US20090034578A1 (en) | 2009-02-05 |
TW200721274A (en) | 2007-06-01 |
EP1892751A4 (en) | 2009-07-29 |
US20080030823A1 (en) | 2008-02-07 |
KR100860252B1 (ko) | 2008-09-25 |
DE602006016598D1 (de) | 2010-10-14 |
US7680163B2 (en) | 2010-03-16 |
TWI303453B (en) | 2008-11-21 |
JP3845650B1 (ja) | 2006-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3845650 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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